具体实施方式

发明人发现，次毫米发光二极管和微型发光二极管存在低电流密度下亮度均一性差等问题，因此次毫米发光二极管和微型发光二极管必须采用大电流密度驱动发光。微型无机发光二极管的电流密度比有机发光二极管的电流密度大至少两个数量级，因此微型无机发光二极管不能像有机发光二极管一样，采用由薄膜晶体管形成像素电路进行驱动，如若采用由薄膜晶体管形成像素电路进行驱动，需要将薄膜晶体管的尺寸做的较大才能产生大电流密度，薄膜晶体管尺寸大会导致均一性差，且功耗比较大，并且现有的有机发光二极管中的像素电路也不能直接应用于微型无机发光二极管。

有鉴于此，本公开实施例提供了一种阵列基板、其检测方法及拼接显示面板。

为使本公开的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面将结合附图和实施例对本公开做进一步说明。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本公开更全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略对它们的重复描述。本公开中所描述的表达位置与方向的词，均是以附图为例进行的说明，但根据需要也可以做出改变，所做改变均包含在本公开保护范围内。本公开的附图仅用于示意相对位置关系不代表真实比例。

需要说明的是，在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本公开。但是本公开能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本公开内涵的情况下做类似推广。因此本公开不受下面公开的具体实施方式的限制。说明书后续描述为实施本申请的较佳实施方式，然所述描述乃以说明本申请的一般原则为目的，并非用以限定本申请的范围。本申请的保护范围当视所附权利要求所界定者为准。

下面结合附图，对本公开实施例提供的阵列基板、其检测方法及拼接显示面板进行具体说明。

本公开实施例提供的一种阵列基板，如图1和图2所示，阵列基板包括显示区域A1和边框区域A2；显示区域A1具有矩阵排列的多个像素1、多条扫描线Sn、多条数据线Dm、多条正极信号线Hm和多条参考信号线Vm；

如图3所示，多个像素中的每一像素1包括：至少三种颜色的子像素01和驱动各子像素01发光的像素驱动芯片02；

每一子像素01包括至少一个无机发光二极管；

像素驱动芯片2和与其驱动的每一子像素01中的无机发光二极管的正极、该多条数据线中的至少一条数据信号线Dm、该多条扫描线中的至少一条扫描线Sn以及该多条参考信号线中的至少一条参考信号线Vm连接；

像素驱动芯片2用于在扫描线Sn的控制下，将数据信号线Dm的信号分时写入不同颜色的子像素01中，其中，参考信号线Vm用于向像素驱动芯片2提供负极信号，以使像素驱动芯片2和无机发光二极管之间形成电流通路。

本公开实施例提供的阵列基板，像素包括：至少三种颜色的子像素和驱动各子像素发光的像素驱动芯片；每一子像素包括至少一个无机发光二极管；显示区域还包括：与无机发光二极管的正极连接的正极信号线，与像素驱动芯片连接的数据信号线、扫描线以及参考信号线；像素驱动芯片用于在扫描线的控制下，将数据信号线的信号分时写入不同颜色的子像素中。即在本公开实施例中，利用像素驱动芯片直接驱动各像素实现显示。并且，由于利用像素驱动芯片直接驱动各像素，因此可以向微型无机发光二极管提供大电流密度。

在具体实施时，在本公开实施例提供的阵列基板中，无机发光二极管可以为次毫米发光二极管(Mini Light Emitting Diode，英文缩写为Mini LED)或微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，英文缩写为Micro LED)，在此不作限定。

在具体实施时，在本公开实施例提供的阵列基板中，每一子像素中包括至少一个无机发光二极管，例如每一子像中包括一个无机发光二极管、两个无机发光二极管、三个无机发光二极管或者多个无机发光二极管，在此不作限定。说明书附图中以每一子像中包括两个无机发光二极管为例进行示意。

可选地，在本公开实施例提供的阵列基板中，如图1和图3所示，显示区域A1包括N个沿第一方向X排列的像素行和M个沿第二方向排列的像素列；N和M均为大于1的整数；

多条扫描线Sn沿第一方向X延伸且沿第二方向Y排布，多条数据信号线Dm沿第二方向Y延伸且沿第一方向X排布，多条正极信号线Hm沿第二方向Y延伸且沿第一方向X排布，多条参考信号线Vm沿第二方向Y延伸且沿第一方向X排布；

第一方向X和第二方向Y不相同。可选地，为了减少显示区域布线，在本公开实施例提供的阵列基板中，如图1和图3所示，每一像素行对应连接多条扫描线中的一条扫描线Sn，每一像素列对应多条数据线中的一条数据信号线Dm、多条参考信号线中的一条参考信号线Vm和多条正极信号线中的一条正极信号线Hm。

在具体实施时，第一颜色无机发光二极管与第二颜色无机发光二极管的电流转换效率差异较小，而第一颜色无机发光二极管与第二颜色无机发光二极管两者的电流转换效率和第三颜色无机发光二极管的电流转换效率相差较大，因此，第一颜色无机发光二极管的正极需要接收的电信号与第二颜色无机发光二极管和第三颜色无机发光二极管的正极需要接收的电信号的大小差异较大。当同一像素中不同颜色的子像素对应同一条正极信号线时，需要正极信号线提供的信号能够让第一颜色无机发光二极管、第二颜色无机发光二极管和第三颜色无机发光二极管发出最大亮度，从而导致功耗增加。可选地，在本公开实施例提供的阵列基板中，如图2和图4所示，像素1包括：第一颜色子像素01(R)、第二颜色子像素01(B)和第三颜色子像素01(G)；

每一像素行对应连接多条扫描线中的一条扫描线Sn，每一像素列对应多条数据线中的一条数据信号线Dm、多条参考信号线中的一条参考信号线Vm和多条正极信号线中的两条正极信号线Hm1和Hm2；

该两条正极信号线Hm1和Hm2中的其中一条正极信号线Hm1与第一颜色子像素01(R)中的无机发光二极管的正极连接，另一条正极信号线Hm2与第三颜色子像素01(G)和第二颜色子像素01(B)中的无机发光二极管的正极连接。这样，可以使第三颜色子像素01(G)和第二颜色子像素01(B)中的无机发光二极管的正极收到的信号相同，而第一颜色子像素01(R)中的无机发光二极管的正极收到的信号相对于其他两个颜色的子像素收到的信号幅值较大，从而能够避免三种颜色的子像素的正极均接收三个颜色子像素中需要信号幅值最大者的信号，从而可以降低功耗。

在具体实施时，第一颜色、第二颜色和第三颜色可以分别为红色、蓝色和绿色中的一种，例如第一颜色为红色，第二颜色为蓝色、第三颜色为绿色，在此不作限定。可选地，在本公开实施例提供的阵列基板中，如图5所示，显示区域A1还包括与多条扫描线中的每一条扫描线Sn一一对应连接的扫描信号走线Cn，且扫描信号走线Cn沿第二方向Y延伸。这样可以通过扫描信号走线Cn向对应的扫描线Sn提供扫描信号，从而可以将用于提供扫描信号的信号源设置在扫描信号走线Cn的两端，避免在扫描线Sn两端设置用于提供扫描信号的芯片。

可选地，在本公开实施例提供的阵列基板中，如图5所示，当显示区域A1中像素行的个数N和像素列的个数M相同时，即N＝M时；

每一像素列的一侧对应设置一条扫描信号走线Cn，且相邻两列像素列之间仅设置一条扫描信号走线Cn。

可选地，在本公开实施例提供的阵列基板中，如图6所示，当显示区域A1中像素行的个数N大于像素列的个数M时，即N>M时；

至少一个像素列的两侧分别至少设置一条扫描信号走线Cn(例如图6中的第2列像素列，其左侧设置有一条扫描信号走线C1，其右侧设置有两条扫描信号走线C2和C3)；至少部分相邻两列像素列之间均设置有至少一条扫描信号走线Cn。

在具体实施时，以每相邻的K列像素列为一组重复单元，在每组重复单元中，其中一列像素列的两侧分别至少设置有一条扫描信号走线，例如其中一侧设置有两条扫描信号走线，另一侧设置有一条扫描信号走线；而其余K-1列像素列的两侧分别最多设置有一条扫描信号走线，例如其中一侧设置有一条扫描信号走线，另一侧没有扫描信号走线(例如该像素列位于显示面板最外侧)或者仅设置有一条扫描信号走线(例如该像素列位于显示面板的非最外侧)。其中，K＝(min[N,M])/|N-M|。

以N＝135，M＝120为例，需要有15列像素列的两侧分别对应设置有两条扫描信号走线，要使该15列像素列在120列像素列中均匀分布，那么每8列像素列中需要有一列像素列的两侧分别至少设置有一条扫描信号走线。以每相邻的8列像素列为一组重复单元，总共有15组重复单元，在每组重复单元中选择其中一列像素列的两侧分别至少设置有一条扫描信号走线，其余7列像素列的两侧分别最多设置有一条扫描信号走线。

可选地，在本公开实施例提供的阵列基板中，如图7和图8所示，扫描线Sn同层设置于第一金属层；扫描信号走线Cn、数据信号线Dm、参考信号线Vm和正极信号线Hm1和Hm2同层设置于第二金属层。

在本公开实施例中，两结构“同层设置”或者“位于同一层”，可以指二者是在同一次成膜工艺形成的，或者二者是在同一次构图工艺中形成，或者它们在层叠关系上处于相同层中，也可以代表它们与基底间的距离相等。

具体地，在本公开实施例提供的阵列基板中，第一金属层可以位于第二金层远离衬底基板100的一侧，或者，第二金属层位于第一金属层远离衬底基板100的一侧，在此不作限定。

在具体实施时，如图7和图8所示，像素驱动芯片(图7和图8未视出)具有第一信号端O1、第二信号端O2、第三信号端O3、第四信号端O4、第五信号端O5和第六信号端O6。其中，第一信号端O1与第一颜色无机发光二极管的负极R-连接，像素驱动芯片的第二信号端O2与第三颜色无机发光二极管的负极G-连接，像素驱动芯片的第三信号端O3与第二颜色无机发光二极管的负极B-连接，像素驱动芯片的第四信号端O4与扫描线Sn连接、像素驱动芯片的信号端第五O5通过过孔P1与数据信号线Dn连接、像素驱动芯片的第六信号端O6通过过孔P2与参考信号线Vm连接，第一颜色无机发光二极管的正极R+通过过孔P5与正极信号线Hm1连接，第三颜色无机发光二极管的正极G+通过过孔P4与正极信号线Hm2连接，第二颜色无机发光二极管的正极B+通过过孔P4与正极信号线Hm2连接。

图7为一列像素在其行方向的两侧只设置有一条扫描信号走线Cn的结构示意图，在图7中，扫描信号走线Cn通过过孔P3与扫描线Sn连接。

图8为一列像素在其行方向的两侧均设置有扫描信号走线(Cn和C_n+1)的结构示意图，在图8中，扫描信号走线Cn通过过孔P3与扫描线Sn连接，扫描信号走线C_n+1与其它扫描线(图8中未视出)连接。其中，。

可选地，在本公开实施例提供的阵列基板中，如图9所示，位于数据信号线Dm一端的边框区域A2包括依次远离显示区域A1的弯折区A21、布线区域A22和绑定区A23；

绑定区23设置有至少一个第一芯片IC1和至少一个第二芯片IC2；

扫描信号走线Cn和数据信号线Dm依次通过位于弯折区A21和布线区A22的走线与第一芯片IC1绑定连接；

参考信号线Vm和正极信号线Hm依次通过位于弯折区A21和布线区A22的走线与第二芯片IC2绑定连接。

在具体实施时，在本公开实施例提供的阵列基板中，绑定区可以仅设置有一个第一芯片和一个第二芯片。这样可以减少芯片的数量。

在具体实施时，当绑定区A23仅设置有一个第一芯片IC1和一个第二芯片IC2时。例如图13所示，第一芯片IC1位于左侧，第二芯片IC2位于右侧，那么布线区A22左侧的走线距离第一芯片IC1较近，距离第二芯片IC2较远，布线区A22右侧的走线距离第一芯片IC1较远，距离第二芯片IC2较近，即布线区A22左侧走线和右侧走线距离同一芯片的距离不相同，从而导致布线区走线长度差异较大，即走线的负载Loading不一致，从而导致显示不均匀。

在具体实施时，扫描信号走线提供的是数字电压信号，作用是控制数据信号线上的信号何时写入像素驱动芯片。因此扫描信号走和数据信号线上导通电流较小，对布线区走线产生的IR drop不敏感，因此，在走线区，对应走线宽度可以相对设置的窄一些和/或长度可以设置的相对长一些。而参考信号线和正极信号线上的信号均为固定电压信号，但由于串联在无机发光二极管的电流通路中，而该电流通路中会流过mA量级的电流，故布线区走线产生的IR drop会影响电流通路的信号，因此，对布线区域走线的宽度和长度的要求高，需要尽量增加线宽和/或缩短线长。

因此，在本公开实施例提供的阵列基板中，如图9所示，绑定区A23设置有多个第一芯片IC1和多个第二芯片IC2；第一芯片IC1和第二芯片IC2在绑定区A23间隔分布，从而降低布线区走线的长度差异。

进一步地，可以使第一驱动芯片设置在靠近绑定区域中心的位置，将第二芯片设置在靠近绑定区域两侧的位置，这样可以使与第一芯片连接的走线的长度可以设置的相对长一些，与第二芯片连接的走线的长度设置的相对短一些。

进一步，在本公开实施例提供的阵列基板中，由于信号线的功能不同，故需要使用不同的芯片提供信号，但也可以使用单颗芯片能够提供不同种类的信号，在这种情况下，该芯片的引脚分布也可以参考上述规则进行设置，例如将向扫描信号走线和数据信号线提供信号的引脚设置在芯片的中间区域，将向参考信号线和正极信号线提供信号的引脚设置在芯片的两端。可选地，在本公开实施例提供的阵列基板中，如图9所示，弯折区A21的走线03均位于第二金属层。

可选地，在本公开实施例提供的阵列基板中，如图9和图10所示，在布线区A22，与扫描信号走线Cn连接的走线041以及与数据信号线Dm连接的走线042均位于第一金属层；

在布线区A22，与参考信号线Vm连接的走线051以及与正极信号线Hm连接的走线052均位于第二金属层。其中，图10中以第二金属层位于第一金属层与衬底基板100之间为例。具体地，在第一金属层与第二金属层之间还设置有平坦化层101，在第一金属层上方还设置有保护层102。

在具体实施时，平坦化层的材料可以为氧化硅或者氮化硅等无极材料，也可以为树脂等有机材料，在此不作限定。

在具体实施时，保护层的材料可以为氧化硅或者氮化硅等无极材料，也可以为树脂等有机材料，在此不作限定。

或者，可选地，在本公开实施例提供的阵列基板中，在布线区，与扫描信号走线连接的走线以及与数据信号线连接的走线均位于第二金属层；

在布线区，与参考信号连接的走线以及与正极信号线连接的走线均位于第一金属层。

在具体实施时，在本公开实施例提供的阵列基板中，在布线区，将走线设在两层金属层中，这样可以解决布线区空间有限的问题。

在具体实施时，在本公开实施例提供的阵列基板，在阵列基板制程完成后，布线区和绑定区通过弯折区弯折至显示面板背面，从而可以降低显示面板边框。

在具体实施时，在本公开实施例提供的阵列基板中，如图9所示，规定扫描信号走线Cn、数据信号线Dm、参考信号线Vm和正极信号线Hm均为纵向信号线；

边框区域A2还包括：位于绑定区A23远离布线区A22一侧的第一信号输入区A24，位于数据信号线Dm远离弯折区A21一端的第二信号输入区A25；

第一信号输入区A24设置有与各纵向信号线一一对应的第一输入电极Tp1，且显示区域A1内的各纵向信号线依次通过位于弯折区A21和布线区A22的走线与对应的第一输入电极Tp1连接；

第二信号输入区A25设置有与各纵向信号线一一对应连接的第二输入电极Tp2。

以在布线区A22，与扫描信号走线Cn连接的走线041以及与数据信号线Dm连接的走线042均位于第一金属层；在布线区A22，与参考信号线Vm连接的走线051以及与正极信号线Hm连接的走线052均位于第二金属层为例。

具体地，如图11所示，位于第二金属层的扫描信号走线Cn依次通过位于弯折区A21且位于第二金属层的走线03、位于布线区A22且位于第一金属层的走线041与绑定区A23的第一芯片IC1通过透明导电层103绑定，并与第一信号输入区A24的第一输入电极Tp1连接。其中，数据信号线的膜层关系与扫描信号走线相同，在此不再赘述。

具体地，如图12所示，位于第二金属层的参考信号线Vm依次通过位于弯折区A21且位于第二金属层的走线03、位于布线区A22且位于第二金属层的走线051与绑定区A23的第二芯片IC2通过第一金属层以及透明导电层103绑定，并与第一信号输入区A24的第一输入电极Tp1连接。其中正极信号线的膜层关系与参考信号线相同，在此不再赘述。

可选地，在本公开实施例提供的阵列基板中，如图9所示，位于扫描线Sn一端的边框区域A2包括第三信号输入区A26；位于扫描线Sn另一端的所述边框区域包括第四信号输入区A27；第三信号输入区A26设置有与各扫描线Sn一一对应连接的第三输入电极Tp3；第四信号输入区A27设置有与各扫描线Sn一一对应连接的第四输入电极Tp4。

在具体实施时，通过向输入电极输入信号，并检测其它输入电极信号的方式可以检测阵列基板上各纵向信号线是否正常。在检测完毕确认为良品后，可将信号输入区可被切割掉，不会影响面板的后续使用。

基于同一发明构思，本公开实施例还提供了一种本公开实施例提供的任一种阵列基板的检测方法，规定显示区域内的纵向信号线与扫描线均为待检测线，如图14所示，该检测方法包括：

S101、针对各待检测线，向与该待检测线连接的其中一个输入电极输入测试信号。

S102、检测与该待检测线连接的另一输入电极是否有信号输出，如果没有，则确定该待检测线发生断路。

S103、检测与除了输入有测试信号的该待检测线之外的其它待检测线的输入电极是否有信号输出，如果有，则确定输入有测试信号的该待检测线与输入电极有信号输出的其它待检测线之间发生短路。

本公开实施例提供的检测方法，通过向输入电极输入信号，检测其它输入电极信号的方法可以检测待检测线是否有短路或者断路的发生，检测方法简单。并且，将该检测方法应用于阵列基板的制备过程中可以降低成本。

在具体实施时，在本公开实施例提供的检测方法中，对步骤S102和步骤S103的顺序不作限定。可以先执行步骤S102，后执行步骤S103；也可以先执行步骤S103，后执行步骤S102，在此不作限定。

下面通过实施例说明本公开实施例提供的阵列基板的检测方法的应用。

在具体实施时，以第二金属层位于第一金属层下方为例，在生产中，首先制备第二层金属层，在第二金属层中形成扫描信号走线、数据信号线、参考信号线和正极信号线；针对参考信号线和正极信号线，此时可利用第一信号输入区的第一输入电极与第二信号输入区的第二输入电极之间相互配合使用，检测参考信号线和正极信号线是否正常，例如：向参考信号线的第一输入电极输入测试信号，检测与该参考信号线连接的第二输入电极上是否有信号输出，如果有，则确定该参考信号线正常，如果没有，则确定该参考信号线发生了断路，对该参考信号线进行修复。检测除该参考信号线之外其它信号线连接的第一输入电极或第二输入电极上是否有信号输出，如果没有，则确定该参考信号线与其它信号线之间无短路发生，如果有，则确定该参考信号线与其它信号线发生短路，对发生短路的信号线进行修复。当所有参考信号线和正极信号线均无异常后，则继续沉积平坦化层，并在平坦化层形成过孔。此时重复对参考信号线和正极信号线进行检测，检测结果正常后，再继续沉积第二层金属层，在第二金属层中形成扫描线，并完成数据信号线和扫描信号走线与第一输出电极的信号间连接。此时，可利用第一信号输入区的第一输入电极、第二信号输入区的第二输入电极、第三信号输入区的第三输入电极以及第四信号输入区的第四输入电极之间相互配合使用，检测阵列基板上所有信号线是否正常，如果有短路或者断路发生，则进行修复，直到所有信号线均正常后继续进行后续制程。从而避免后续由于信号线异常导致阵列基板报废，进而降低生成成本。

基于同一发明构思，本公开实施例还提供了一种拼接显示面板，包括多个本公开实施例提供的阵列基板。由于该拼接显示面板解决问题的原理与前述一种阵列基板相似，因此该拼接显示面板的实施可以参见前述阵列基板的实施，重复之处不再赘述。

在具体实施时，在本公开实施例提供的拼接显示面板中，阵列基板中的第二信号输入区、第三信号输入区和第四信号输入区在阵列基板制程结束后，均可切割，不影响后续拼接制程；布线区和绑定区通过弯折区弯折至显示面板背面，从而可以缩减显示面板边框宽度。

在具体实施时，本公开实施例提供的拼接显示面板，多个阵列基板通过弯折区将布线区和绑定区通过弯折区弯折至显示面板背面，其以构图工艺数量少、无需背面工艺、工艺复杂度低、边框小等优势，具有很高的技术价值。

本公开实施例提供的上述阵列基板、其检测方法及拼接显示面板，在阵列基板中像素包括：至少三种颜色的子像素和驱动各子像素发光的像素驱动芯片；每一子像素包括至少一个无机发光二极管；显示区域还包括：与无机发光二极管的正极连接的正极信号线，与像素驱动芯片连接的数据信号线、扫描线以及参考信号线；像素驱动芯片用于在扫描线的控制下，将数据信号线的信号分时写入不同颜色的子像素中。即在本公开实施例中，利用像素驱动芯片直接驱动各像素实现显示。并且，由于利用像素驱动芯片直接驱动各像素，因此可以向微型无机发光二极管提供大电流密度。

显然，本领域的技术人员可以对本公开进行各种改动和变型而不脱离本公开的精神和范围。这样，倘若本公开的这些修改和变型属于本公开权利要求及其等同技术的范围之内，则本公开也意图包含这些改动和变型在内。