具体实施方式

以下结合说明书附图对本发明做出进一步详细说明：

本发明提供的一种电源控制器启动控制系统，包括输入电路、储能检测电路、控制电路以及开关电路；

所述输入电路，用于将直流电进行稳压处理并输出；

所述储能检测电路，其输入端连接于输入电路的输出端，用于接收输入电路的直流电并进行储能至设定电压，并向控制电路输出电压检测信号；

所述开关电路，其电源端连接于输入电路的输出端，其控制端接收控制电路输出的控制信号并根据控制信号导通将直流电输出至电源控制器；

所述控制电路，用于接收储能检测电路输出的电压检测信号并根据电压检测信号控制开关电路导通；通过上述结构，能够为矿用中的AC-DC电源的控制器提供稳定可靠的直流电，能够确保AC-DC电源的控制器启动的可靠性以及启动后的工作稳定性，而且整个电路结构简单，成本低廉。

本实施例中，所述输入电路包括电阻R1、电阻R2、NMOS管Q1、二极管D1以及稳压管ZD1；

二极管D1的正极作为输电路的输入端，二极管D1的负极通过电阻R2连接于NMOS管Q1的漏极，二极管D1的负极通过电阻R1连接于NMOS管Q1的栅极，NMOS管Q1的栅极与稳压管ZD1的负极，稳压管ZD1的正极接地，NMOS管Q1的源极作为输入电路的输出端，通过上述结构，能够为后续电路提供一个稳定的直流电。

其中，所述输入电路还包括限流电路，所述限流电路包括电阻R3和三极管Q2；

三极管Q2的集电极连接于NMOS管Q1的栅极，三极管Q2的发射极连接于储能检测电路的输入端，电阻R3的一端连接于NMOS管Q1的源极，电阻R3的另一端作为输入电路的输出端。当输入直流电后，NMOS管Q1的栅极电压逐渐升高，当升高到设定值时，NMOS管导通，从而将直流电输出，当电流过大时，电阻R3的上端(与NMOS管源极连接的一端)电压升高，从而是得三极管Q2导通，从而将NMOS管Q1的栅极电压拉低，从而使得NMOS管处于趋于截止(不完全截止)状态，从而使得电流减小，从而形成良好的限流保护作用。在输入电路的输入端还设置有一个电容组成的分压电路，将前端电路(将交流转换成直流的电路)进行良好的限压以及分压，从而起到保护作用。

本实施例中，所述储能检测电路包括电阻R5、电阻R6以及电容C3；

所述电容C3的一端与电阻R5的一端连接，电容C3的另一端接地，电阻R5的另一端通过电阻R4接地，电阻R5和电容C3之间的公共连接点作为储能检测电路的输入端，电阻R4和电阻R5的公共连接点作为储能检测电路的输出端，通过上述结构，电容C3起到延时以及储能稳压的作用，从而为后续电路提供稳定的直流电，电阻R5和电阻R4构成分压检测，用于检测电容C3的端电压并输入至后续的控制电路中

其中，所述储能检测电路还包括电容C4；

电容C4的一端连接于电阻R4和电阻R5之间的公共连接点，电容C4的另一端接地，通过该电容，能够滤除干扰成分，确保输入至控制电路的电压信号的稳定性。

本实施例中，所述开关电路包括三极管Q4、二极管D4、电容C6、电阻R10、电阻R11、稳压管ZD2以及二极管D2；

所述三极管Q4为P型三极管，三极管Q4的发射极作为开关电路的输入端，三极管Q4的集电极与二极管D4的正极连接，二极管D4的负极通过电容C6接地，电容C6和二极管D4之间的公共连接点作为开关电路的输出端，三极管Q4的发射极通过电阻R10连接于三极管Q4的基极，三极管Q4的基极通过电阻R11连接于稳压管ZD2的负极，稳压管ZD2的正极与二极管D2的正极连接，二极管D2的负极作为开关电路的控制端。

所述控制电路包括控制芯片U1、电阻R9以及电容C5；

所述控制芯片U1为PPS3701芯片；

所述电阻R9的一端连接于输入电路的输出端，电阻R9的另一端通过电容C5接地，电阻R9和电容C5之间的公共连接点连接于控制芯片U1的5引脚，控制芯片U1的4引脚和3引脚作为控制电路的输入端接收储能检测电路输出的电压检测信号，控制芯片U1的2引脚接地，控制芯片U1的6引脚作为控制电路的控制输出端连接于开关电路的控制端。电阻R5和电阻R4检测电容C3的端电压，当该端电压输入至控制芯片U1的3引脚和4引脚，控制芯片U1判断当前电压是否大于设定电压值，如否，6引脚输出高电平信号，三极管Q4不动作，处于截至状态；如是，则通过6引脚输出低电平信号，从而拉低三极管Q4的基极电压，使得三极管Q4导通，从而向后续的AC-DC电源的控制芯片供电。

本实施例中，所述控制电路还包括电阻R6、电阻R8、电阻R7、PMOS管Q3以及二极管D3；

所述电阻R6的一端连接于PMOS管Q3的源极，电阻R6的另一端通过电阻R8连接于二极管D3的正极，二极管D3的负极连接于控制芯片的6引脚，电阻R6和电阻R8之间的公共连接点连接于PMOS管Q3的栅极，PMOS管Q3的源极连接于输入电路的输出端，PMOS管Q3的漏极通过电阻R7连接于控制芯片U1的4引脚，上述电路构成一个自回电路，在上述结构下，当电容C3处于充电蓄能状态，控制芯片U1的6引脚置高电平，PMOS管Q3是截止的，当控制芯片U1的6引脚输出低电平的控制信号后，三极管Q4导通，此时，电容C3的电压也会随着Q4的导通而降低，从而使得输入至控制芯片U1的4引脚和3引脚的电压降低，甚至使得4引脚和3引脚处的输入电压低于设定值，从而使得三极管Q4重新截止，不能使得后续的AC-DC电源的控制芯片可靠启动以及稳定工作；因此，当控制芯片U1的6引脚输出低电平后，PMOS管Q3的栅极电压拉低，PMOS管Q3导通，此时，电阻R7和电容R5构成一个并联结构，此时的阻值小于原来R5的阻值，进而将4引脚和3引脚的输入电压维持在大于设定电压值的状态，从而确保三极管Q4持续导通。

最后说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的宗旨和范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。