具体实施方式

现在结合附图对本发明作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本发明的基本结构，因此其仅显示与本发明有关的构成。

传统的刻蚀系统如图1所示，在反应腔室的中心位置设置静电吸附卡盘，在静电吸附卡盘的表面安置晶圆，反应腔室的顶部设置腔盖112，耦合窗113安装在腔盖112上，在耦合窗113的中心位置安装中心进气装置，由图1中可知，包括进气喷嘴116、中心进气导向体51以及进气法兰115，其中进气法兰115为金属材质，其与上部射频匹配器111相连接；中心进气装置外部位于耦合窗113的上表面配置有线圈114，也连接至上部射频匹配器111；

现有技术中的中心进气导向体51如图2所示，在中心进气导向体51的表面开设由导气通道511、导气通道512以及导气通道513构成的整条导气系统，当反应腔室进行工艺操作时，上部射频匹配器111连接到线圈114的线路导通，工艺气体经过进气法兰115进入，进气方向如图1中117所示，通过中心进气导向体51表面的导气系统到达进气喷嘴116内部，进而通过进气喷嘴116的出气孔进入反应腔室内部，形成等离子体，对晶圆进行刻蚀；

当对系统进行清洗时，上部射频匹配器111关闭连接线圈114，打开连接至进气法兰115的通路，同时清洗气体通过进气法兰115进入，通过中心进气导向体51表面的导气系统到达进气喷嘴116内部，进而通过进气喷嘴116的出气孔进入反应腔室内部，在腔体内部形成电离成清洗等离子体气流，清洗腔室内部及上部区域；但是从图1中可以明显看出，进气法兰115连接到高功率的清洗射频，且中心进气导向体51上的导气通道513为竖直方向，在腔体内部形成的等离子体会通过进气喷嘴116底部的出气口返回到导气通道513内部，而进气法兰115与进气导向体上部紧密连接，使得导气通道513与进气法兰11552导通，气体在此区域内放电，导致导气通道513内部形成高电荷，烧坏进气导向体。

基于上述提到的缺陷，本申请提出了一种阻挡等离子体反流的进气结构，包括反应腔室，在反应腔室的顶部安装耦合窗，耦合窗中心位置安装进气喷嘴50，进气喷嘴50的封闭端开设出气口，进气喷嘴50内嵌设进气导向体本体，进气法兰52套设在进气喷嘴50开口端，工艺气体经过进气法兰52后，通过进气导向体到达进气喷嘴50内部，通过进气喷嘴50的出气口进入反应腔室内，前述的进气导向体本体包括顶部进气导向体90、若干分层进气导向组以及底部进气导向体120，其中，顶部进气导向体90设置在进气法兰52与进气喷嘴50交接处，底部进气导向体120设置在进气喷嘴50底部，若干分层进气导向组设置在顶部进气导向体90、底部进气导向体120之间；在进气喷嘴50的封闭端圆周壁上对称开设两个出气口，出气口与进气喷嘴50的封闭端之间形成锐角，同时底部进气导向体120与出气口贯通。

将进气导向体本体的结构进行分解，分成顶部进气导向体90、若干分层进气导向组以及底部进气导向体120，使得进气导向体本体内气体的流通通道与上部射频匹配器之间连通的距离获得了延长，那么当反应腔室内的等离子体回流时其回流路程也会获得相应的延长；同时由于分解后的进气导向体本体内通道并不是垂直向的气体通道，那么其还避免了垂直方向上的气体通道能够形成足够电子运动点火距离的可能性，从而避免了损坏进气结构的可能性。

实施例：

本申请提供关于阻挡等离子体反流的进气结构的优选实施例之一如图3所示，

其中，图5所示，第一分层进气导向体100呈圆柱状，其中心向上凸起形成第一进气台102，以第一进气台102中心为圆心，沿着第一分层进气导向体100圆周开设若干贯通的第一进气槽101，

图6所示，第二分层进气导向体110同样呈圆柱状，其中心向上凸起形成第二进气台112，以第二进气台112中心为圆心，沿着第二进气台112的圆周在第二分层进气导向体110上开设若干贯通的第二进气槽111；

图4所示，顶部进气导向体90包括圆柱结构，以其中心为圆心，开设若干贯通的顶部进气槽91，且若干顶部进气槽91形成的圆环内直径大于或等于第一进气台102的直径；底部进气导向体120呈圆柱状，其中心向上凸起形成第三进气台122，底部进气导向体120未凸起的部分形成圆环状的轴肩121；

当第一分层进气导向体100安装在第二分层进气导向体110上方或第二分层进气导向体110安装在第一分层进气导向体100上方时，第一分层进气导向体100与第二分层进气导向体110之间均形成第一进气通道131，第一进气通道131分别与相邻的第一进气槽101或第二进气槽111均可形成连通；当顶部进气导向体90安装在第一分层进气导向体100上方时，两者之间同样形成第一进气通道131，顶部进气槽91与第一进气槽101通过第一进气通道131形成连通；当底部进气导向体120位于第二分层进气导向体110下方时，底部进气导向体120与第二分层进气导向体110之间形成第二进气通道132，第二进气通道132与第二进气槽111形成连通。

在本实施例中，分层进气导向组设置了三组，每个分层进气导向组包括由上至下顺次叠加布设的第一分层进气导向体100和第二分层进气导向体110；也就是说，实施例中的进气导向体本体由上至下，顺次布设了顶部进气导向体90、第一分层进气导向体100、第二分层进气导向体110、第一分层进气导向体100、第二分层进气导向体110、第一分层进气导向体100、第二分层进气导向体110以及底部进气导向体120，图7给出了优选实施例的进气通道走向示意图，气体经过进气法兰52后，经过顶部进气槽91进入第一进气通道131，再顺次经过第一进气槽101、第一进气通道131、第二进气槽111、第一进气通道131、第一进气槽101、第一进气通道131、第二进气槽111、第一进气通道131、第一进气槽101、第一进气通道131、第二进气槽111以及第二进气通道132，第二进气通道132与进气喷嘴50的出气口连通，气体最后经由出气口排出；

当反应腔室内的等离子体气流通过进气喷嘴50底部的出气口回流时，进入进气导向体本体内部弓形进气通道，极大的增加了等离子体气流在该弓形进气通道内撞击进气导向体本体内部的实体壁上的面积和机率，电子会随着碰撞能量逐渐消失，由于带射频功率的进气法兰52附近的区域为绝缘不带电，因此与高功率部件导通的路径无法形成，从而保护了进气导向体本体免受高热量高射频的损伤；

从图7中可以看出，本实施例提供的进气导向体本体内部的进气通道从剖面图看为弓形设置，由于进气结构内进气通道的结构设计，同时结合进气喷嘴50的出气口位置，两个出气口对称开设在进气喷嘴50封闭端圆周壁上，出气口与进气喷嘴50的封闭端之间形成锐角，同时底部进气导向体120与出气口贯通，使得第二进气通道132远离进气喷嘴50的出气口，工艺和清洗气体在经过曲折的进气路径，在即将进入进气喷嘴50底部的出气口进入反应腔室之前，在第二进气通道132内匀流，极大的减少了复杂的进气路径对工艺和清洗工艺结果的影响；

由于顶部进气导向体90、分层进气导向组以及底部进气导向体120嵌设在进气喷嘴50内时与进气喷嘴50为间隙配合，那么就会导致在配合面出现空隙，此空隙的存在即意味着进气法兰52与进气喷嘴50之间的气体通道有直接面对的空间，从而限制了加载在进气法兰52上的射频功率，随着射频功率的提高，进气法兰52与进气喷嘴50之间由于等离子体的反流容易导致打火，因此如图4所示，在顶部进气导向体90的底部沿着圆周向外膨胀形成绝缘轴肩92，顶部进气导向体90的圆柱结构嵌设在进气法兰52内，绝缘轴肩92嵌设在进气喷嘴50内；此绝缘轴肩92的存在杜绝了进气法兰52与进气喷嘴50中气体直接面对的机会，从而杜绝了随着射频功率的提高进气法兰52与进气喷嘴50之间由于等离子体的反流导致打火的可能。

由此可知，本申请通过将导气通道设计成以优选实施例为例的弓形或者其他非垂直通道，可以减小反应腔室内等离子体回流以及可以阻止回流气体接触高功率射频部件，避免了进气导向体内气体通道与射频件近距离连通，同时避免了垂直方向上的气体通道距离足够电子运动点火，损坏进气结构。

本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语（包括技术术语和科学术语）具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样定义，不会用理想化或过于正式的含义来解释。

本申请中所述的“和/或”的含义指的是各自单独存在或两者同时存在的情况均包括在内。

本申请中所述的“连接”的含义可以是部件之间的直接连接也可以是部件间通过其它部件的间接连接。

以上述依据本发明的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。