具体实施方式

下面将结合实施方式和实施例对本发明的实施方案进行详细描述，但是本领域技术人员将会理解，下列实施方式和实施例仅用于说明本发明，而不应视为限制本发明的范围。未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。

根据本发明的第一个方面，提供了一种干粒保护釉，按质量分数为100％计，干粒保护釉包括以下质量分数的原料：

透明干粒25-27.5％，抛釉37.5-40％和悬浮剂35-37.5％。

将本发明中的干粒保护釉应用于陶瓷砖表面，干粒保护釉中的透明干粒在陶瓷砖烧成的过程中，会基本保持其原有的颗粒大小，具有明显的冰晶闪光效果；抛釉主要是用于均匀混合透明干粒，从而使得干粒保护釉可均匀地布施在砖坯上。

悬浮剂是一种能使釉浆中的颗粒保持悬浮状态的物质，能影响周围的水和周围的其他颗粒，使釉浆中的透明干粒不会迅速下沉，从而保持釉浆的浓度，使施釉的厚度均匀。悬浮剂的种类不作具体限定，可采用本领域熟知的种类，例如膨润土、硅胶或树胶等。

本发明提供的干粒保护釉主要由透明干粒、抛釉和悬浮剂制得，其中，透明干粒与抛釉相互配合并在悬浮剂的作用下，可使得该干粒保护釉具有良好的稳定性，当将该干粒保护釉布施在陶瓷砖上，其可在陶瓷砖上形成凹凸不平的表面，易形成视角上的层次感同时赋予陶瓷砖更好的釉面熔合及闪光质感。

该干粒保护釉中各原料的用量应控制在一定的数值范围内。透明干粒典型但非限制性的质量分数为25％、25.5％、26％、26.5％、27％或27.5％；抛釉典型但非限制性的质量分数为37.5％、38％、38.5％、39％、39.5％或40％；悬浮剂典型但非限制性的质量分数为35％、35.5％、36％、36.5％、37％或37.5％。若透明干粒的质量分数过低(低于25％)，抛釉的质量分数过高(高于40％)，则容易导致陶瓷砖表面层次感弱，闪光点不明显；若透明干粒的质量分数过高(高于27.5％)，抛釉的质量分数过低(低于37.5％)，则容易导致干粒堆积，在陶瓷砖表面分布不均匀；悬浮剂的质量分数过低(低于35％)，容易导致流动性差，干粒很容易沉底，分层明显，悬浮剂的质量分数过高(高于37.5％)，则容易导致淋釉流速偏高，在淋釉过程中会出现分叉、断点，导致产品缺陷。由此可见，各原料用量需要保持的特定的数值范围内。

还需要说明的是，本发明中的“包括”、“主要由……制成”意指其除所述组分外，可以包括其它组分，这些组分赋予所述干粒保护釉不同的特性。除此之外，本发明所述的“包括”、“主要由……制成”还可以替换为封闭式的“为”或“由……制成”。

作为本发明的一种可选实施方式，按质量分数为100％计，干粒保护釉包括以下质量分数的原料：

透明干粒25％，抛釉37.5％和悬浮剂37.5％。

通过对干粒保护釉各原料质量分数的进一步限定，当将干粒保护釉设置到陶瓷砖表面后，使得陶瓷砖表面更具透感，发色力更强。

作为本发明的一种可选实施方式，按透明干粒质量分数为100％计，透明干粒包括以下质量分数的组分：

SiO₂ 49.50-56.00％，Al₂O₃ 11.00-14.00％，CaO 8.00-10.00％，MgO1.00-3.00％，K₂O 4.00-6.50％，Na₂O 1.50-3.50％，ZnO 5.50-6.50％，余量为杂质。

透明干粒中，SiO₂典型但非限制性的质量分数为49.50％、50.00％、51.00％、52.00％、53.00％、54.00％、55.00％或56.00％；Al₂O₃典型但非限制性的质量分数为11.00％、12.00％、13.00％或14.00％；CaO典型但非限制性的质量分数为8.00％、9.00％或10.00％；MgO典型但非限制性的质量分数为1.00％、2.00％、2.50％或3.00％；K₂O典型但非限制性的质量分数为4.00％、4.50％、5.00％、5.50％、6.00％或6.50％；Na₂O典型但非限制性的质量分数为1.50％、2.00％、2.50％、3.00％或3.50％；ZnO典型但非限制性的质量分数为5.50％、6.00％或6.50％。

作为本发明的一种可选实施方式，按抛釉质量分数为100％计，抛釉包括以下组分：

SiO₂ 65.28-66.50％，Al₂O₃ 20.06-21.58％，Fe₂O₃ 0.13-0.16％，CaO1.40-1.49％，MgO 0.25-0.29％，K₂O 2.30-2.50％，Na₂O 1.77-1.84％，TiO₂0.16-0.18％，烧失量为4.00-4.95％，余量为杂质。

该抛釉中，特定用量的Al₂O₃能提高化学稳定性、硬度和弹性，提高玻璃化能力，使得所制备的瓷砖透感加强。特定用量的CaO能改善坯体和釉的结合，提高釉的弹性、硬度和光泽度，增加釉的高温流动性，若CaO的用量过多，则会使玻璃结晶倾向增加，产生失透现象；特定用量的MgO能促进中间层形成，减少釉的碎裂倾向，能增加乳浊而提高白度，同时改善釉料的悬浮性；K₂O和Na₂O主要起助熔作用，使釉具用良好的透光性。

该抛釉比常规的保护釉更低温，所含的Al₂O₃质量分数比常规保护釉要低，保证了更好釉面融合和图案透感。

SiO₂典型但非限制性的质量分数为65.28％、65.50％、65.80％、66.00％、66.20％或66.50％；Al₂O₃典型但非限制性的质量分数为20.06％、20.50％、20.80％、21.00％、21.25％或21.58.00％；Fe₂O₃典型但非限制性的质量分数为0.13％、0.14％、0.15％或0.16％；CaO典型但非限制性的质量分数为1.40％、1.45％、1.48％或1.49％；MgO典型但非限制性的质量分数为0.25％、0.26％、0.27％、0.28％或0.29％；K₂O典型但非限制性的质量分数为2.30％、2.40％或2.50％；Na₂O典型但非限制性的质量分数为1.77％、1.78％、1.80％、1.82％或1.84％；TiO₂典型但非限制性的质量分数为0.16％、0.17％或0.18％。

通过对透明干粒以及抛釉具体组成的进一步限定，使得该干粒保护釉有助于瓷砖表面更具透感，发色力更强。

作为本发明的一种可选实施方式，悬浮剂包括膨润土、硅胶或树胶中的任意一种或至少两种的组合。

根据本发明的第二个方面，还提供了上述干粒保护釉的制备方法，包括以下步骤：

将配方量的透明干粒、抛釉和悬浮剂混合，得到干粒保护釉。

该干粒保护釉的制备方法工艺简单，操作方便，适合于工业化规模生产。

根据本发明的第三个方面，还提供了一种局部定位冰晶干粒釉面的陶瓷砖的制备方法，采用上述干粒保护釉和透明干粒作为至少部分原料，包括以下步骤：

(a)在坯体表面依次形成底釉层和印花层；

(b)在印花层的局部表面涂覆定位固定液后再布施冰晶干粒以形成干粒层；

(c)采用所述干粒保护釉在坯体的干粒层表面形成干粒保护釉层，得到施釉坯体；

(d)将所述施釉坯体进行烧制和抛光，得到局部定位冰晶干粒釉面的陶瓷砖。

本发明步骤(a)中，坯体的形成方式不作具体限定，可采用本领域熟知的成型方法制得。

在坯体表面依次形成底釉层和印花层，也就是底釉层和印花层沿坯体表面由内向外依次设置。

底釉层的形成方式可用喷釉柜喷釉、钟罩式淋釉淋釉等方式，优选选用钟罩式淋釉。钟罩式淋釉能使得釉层均匀平滑，能使用比重较大的釉料,易于管理，适于安装在自动施釉线上。

印花层的形成方式可用喷墨印花或丝网印花等方式,优选选用喷墨印花。喷墨印花是按需喷墨的，减少了化学制品的浪费和废水的排放，取消了传统印花复杂的制网和配色调浆工序，印花工序简单高效。

步骤(b)中，为了实现该陶瓷砖局部闪光的效果，故在印花层的局部表面涂覆定位固定液后再布施冰晶干粒。印花层的局部表面可以为印花层存在印花(图案)纹理的至少部分区域。定位固定液主要是用于实现冰晶干粒的粘结固定，从而使得冰晶干粒固定在印花层的局部表面形成局部闪光的干粒层。

步骤(c)中，在形成干粒层后，采用特定组成的干粒保护釉在干粒层的表面形成干粒保护釉层。由于干粒保护釉中透明干粒、低温抛釉和悬浮剂按特定比例制得，使得所形成的干粒保护釉层与局部闪光的干粒层互相融合，呈现局部定位冰晶干粒立体闪光效果。

步骤(d)中，将得到的施釉坯体烧制后再进行抛光，得到局部定位冰晶干粒釉面的陶瓷砖。

本发明提供的局部定位冰晶干粒釉面的陶瓷砖的制备方法，通过先在坯体表面形成底釉层和印花层，在印花层的局部表面涂覆定位固定液后再布施冰晶干粒以形成干粒层，然后采用干粒保护釉在干粒层表面形成干粒保护釉层，将得到的施釉坯体进行烧制和抛光，得到局部定位冰晶干粒釉面的陶瓷砖；其中，干粒层中局部定位的冰晶干粒可呈现不同的闪光亮度，并在局部闪光的干粒层与干粒保护釉层的互相融合下，使得瓷砖表面在不同光照下能够展现独特的光线立体感，使得陶瓷砖有更好的闪光质感；同时随着不同的印花(图案)纹理，使得陶瓷砖表面有着不同的闪光点，从而使得产品有更好的观感细腻度和立体感。

另外，该制备方法操作简便，工艺稳定，劳动强度低。

坯体的组成可以有多种。作为本发明的一种可选实施方式，步骤(a)中，按质量分数为100％计，坯体主要由如下质量百分含量的原料制成:SiO₂63-75％，Al₂O₃ 17-23％，Fe₂O₃ 0.4-1.6％，CaO+MgO 0.5-4％，K₂O+Na₂O 4-8％，TiO₂ 0.20-0.25％，烧失量2.5-10％。

对于坯体的制作方式可以有多种。作为本发明的一种可选实施方式，坯体的制作方式包括以下步骤：

将配方量的各原料球磨制浆料、除铁、制粉和陈腐，得到粉料；将粉料进行压制，得到生坯；

然后将生坯进行干燥，得到坯体。

作为本发明的一种可选实施方式，球磨制浆得到的浆料的细度为过250目筛余为2.5±0.3％，水分所占浆料质量百分比为32.4-33.6％，浆料比重为1.65±0.05g/mL。

作为本发明的一种可选实施方式，由浆料制成的粉料的水分占粉料质量百分比为6.3-7.0％，其颗粒级配为：20目以上为0～1.5％，-20～+40目为30～60％，-20～+60目为72～88％，100目以下的为0～6％，余下为-60～+100目。

作为本发明的一种可选实施方式，陈腐时间为36-50h。

作为本发明的一种可选实施方式，采用压机进行压制，压制压力为29.5-30.5Mpa。

作为本发明的一种可选实施方式，干燥的温度为150-200℃，干燥的时间为40-60min。典型但非限制性的干燥的温度例如为150℃、160℃、170℃、180℃、190℃或200℃；典型但非限制性的干燥的时间例如为40min、50min或60min。

坯体制成后即可在坯体表面形成底釉层。用于形成底釉层的方式可以有多种，包括但不限于淋釉。作为本发明的一种可选实施方式，用于形成底釉层的底釉的细度为过325目筛余为0.25-0.74％，比重为1.75-1.85g/mL，施釉量为345-375g/m²。

形成底釉层之后，然后在底釉层表面再形成印花层。用于形成印花层的方式可以有多种，包括但不限于喷墨印花、辊筒印花或丝网印花，优选为喷墨印花。喷墨印花即采用喷墨机在底釉层表面喷印印花图案。

用于形成干粒层的冰晶干粒的颗粒粒径大小直接影响到冰晶干粒的闪光效果。作为本发明的一种可选实施方式，步骤(b)中冰晶干粒的粒径范围为-150～-200目。

若冰晶干粒的颗粒太细小(粒径过小)，使得闪光效果、瓷状质感难于呈现；若冰晶干粒的颗粒太粗(粒径过大)，使得冰晶干粒难于熔融。由此可见，当冰晶干粒的粒径处于一定的数值范围内，才能获得较佳的闪光质感。

作为本发明的一种可选实施方式，步骤(b)中，按冰晶干粒质量分数为100％计，冰晶干粒包括以下质量分数的组分：闪光干粒30-35％和透明干粒65-70％。

闪光干粒典型但非限制性的质量分数为30％、31％、32％、33％、34％或35％；透明干粒典型但非限制性的质量分数为65％、66％、67％、68％、69％或70％。

闪光干粒主要是用于局部定位干粒闪光效果的呈现，透明干粒主要是用于中和闪光干粒的闪光效果。闪光干粒和透明干粒的用量最好控制在一定的数值范围内。若闪光干粒的质量分数过低(低于30％)，透明干粒的质量分数过高(高于70％)，则容易导致闪光度不够。若闪光干粒的质量分数过高(高于35％)，透明干粒的质量分数过低(低于65％)，则容易导致闪光度过爆，局部干粒视觉效果不柔和。

通过对闪光干粒和透明干粒质量配比的进一步限定，使得该冰晶干粒能够保持较好的闪光质感。

作为本发明的一种可选实施方式，按闪光干粒质量分数为100％计，闪光干粒包括以下质量分数的组分：

SiO₂ 58.50-60.00％，Al₂O₃ 11.00-13.00％，CaO 8.50-9.00％，MgO1.00-2.00％，K₂O 4.50-6.50％，Na₂O 1.50-2.50％，ZnO 5.50-6.50％，余量为杂质。

闪光干粒中，SiO₂典型但非限制性的质量分数为58.50％、59.00％、59.50％或60.00％；Al₂O₃典型但非限制性的质量分数为11.00％、11.50％、12.00％、12.50％或13.00％；CaO典型但非限制性的质量分数为8.50％、8.80％或9.00％；MgO典型但非限制性的质量分数为1.00％、1.20％、1.50％、1.80％或2.00％；K₂O典型但非限制性的质量分数为4.50％、5.00％、5.50％、6.00％、或6.50％；Na₂O典型但非限制性的质量分数为1.50％、1.80％、2.00％、2.20％、2.40％或2.50％；ZnO典型但非限制性的质量分数为5.50％、6.00％、或6.50％。

作为本发明的一种可选实施方式，步骤(c)中，干粒保护釉的比重为1.85-1.90g/mL，施釉量为800-900g/m²。

干粒保护釉典型但非限制性的比重为1.85g/mL、1.86g/mL、1.87g/mL、1.88g/mL、1.89g/mL或1.90g/mL；干粒保护釉典型但非限制性的施釉量为800g/m²、820g/m²、840g/m²、850g/m²、860g/m²、880g/m²或900g/m²。

作为本发明的一种可选实施方式，干粒保护釉层形成的施釉方式包括淋釉法、喷釉法或甩釉法中的任意一种，优选为淋釉法。淋釉可使釉层均匀平滑，能使用比重大的釉料，易于管理，适于安装在自动施釉线上。

作为本发明的一种可选实施方式，步骤(d)中，烧制的温度为1198-1200℃，烧制的时间50-55min。典型但非限制性的烧制的温度为1198℃、1199℃或1200℃，典型但非限制性的烧制的时间为50min、52min、54min或55min。

根据本发明的第四个方面，还提供了一种局部定位冰晶干粒釉面的陶瓷砖，采用上述局部定位冰晶干粒釉面的陶瓷砖的制备方法制备得到。

鉴于上述陶瓷砖的制备方法所具有的优势，使得该陶瓷砖也具有同样的优势，即该瓷砖表面具备钻石闪光效果，更具精美观赏性。

作为本发明的一种可选实施方式，陶瓷砖包括坯体1，在坯体1表面上由内至外依次设置有底釉层2、印花层3、干粒层4和干粒保护釉层5，干粒层4设置于印花层3的局部表面上，具体如图1所示。

需要说明的是，陶瓷砖的结构包括但不限于此，也可以根据实际生产需要对于陶瓷砖的上述结构进行调整。

下面结合具体实施例和对比例，对本发明作进一步说明。其中，各实施例和对比例中的原料均可购买得到。

实施例1

本实施例提供了一种干粒保护釉，按质量分数为100％计包括以下质量分数的原料：

透明干粒25％，抛釉37.5％和悬浮剂37.5％。

其中，按透明干粒质量分数为100％计，透明干粒包括以下组分：

SiO₂ 56.00％,Al₂O₃ 14.00％,CaO 10.00％,MgO 2.60％,K₂O 6.50％,Na₂O3.50％,ZnO 6.50％，余量为杂质；

按抛釉质量分数为100％计，抛釉包括以下组分：SiO₂ 66.5％，Al₂O₃21.58％，Fe₂O₃0.16％，CaO 1.49％，MgO 0.29％，K₂O 2.50％，Na₂O 1.84％，TiO₂ 0.18％，烧失量为4.95％，余量为杂质。

悬浮剂包括膨润土。

该干粒保护釉的制备方法包括以下步骤：

按配方量的各原料混合，得到干粒保护釉。

实施例2

本实施例提供了一种干粒保护釉，除了透明干粒的质量分数由25％替换为27.5％，悬浮剂的质量分数由37.5％替换为35％，其余与实施例1相同。

实施例3

本实施例提供了一种干粒保护釉，除了抛釉的质量分数由37.5％替换为40％，悬浮剂的质量分数由37.5％替换为35％，其余与实施例1相同。

对比例1

本对比例提供了一种干粒保护釉，除了透明干粒的质量分数由25％替换为20％，悬浮剂的质量分数由37.5％替换为42.5％，其余与实施例1相同。

对比例2

本对比例提供了一种干粒保护釉，除了抛釉的质量分数由37.5％替换为42.5％，悬浮剂的质量分数由37.5％替换为32.5％，其余与实施例1相同。

对比例3

本对比例提供了一种干粒保护釉，除了未添加透明干粒，其余与实施例1相同。

实施例4

本实施例提供了一种局部定位冰晶干粒釉面的陶瓷砖(规格：600×1200mm)的制备方法，包括以下步骤：

(a)按照原料组成将坯体的各原料球磨制浆、除铁、制粉和陈腐，得到粉料；

将粉料进行压制，将压制成型的生坯，干燥，得到坯体；

在坯体表面施底釉形成底釉层；

在底釉层的表面使用喷墨机打印设备进行喷墨印花形成印花层；

其中，按质量分数为100％计，坯体主要由如下质量百分含量的原料制成:SiO₂68.95％，Al₂O₃17.80％，Fe₂O₃0.98％，MgO1.12％，K₂O2.73％，Na₂O2.63％，TiO₂ 0.23％，CaO0.36％，烧失量5.16％。

浆料细度为过250目筛余为2.3％，水分33％，比重1.73g/cm³，粉料的水分为6.5％，颗粒级配：20目以上为1.2％，-20～+40目45％，-20～+60目79％，100目以下为5％，余下为-60～+100目；陈腐时间45h；

压制压力为29.5Mpa，干燥的温度为150-200℃，干燥的时间为60min；

按质量分数为100％计，底釉主要由以下原料制成：

Al₂O₃20.47％，SiO₂65.12％，Na₂O 1.16％，K₂O1.6％，CaO1.38％，TiO₂0.10％，Fe₂O₃0.19％，ZrO₂2.8％，MgO0.28％，LiO₂0.32％，PbO0.02％，ZnO1.29％，MnO0.02％，SrO0.01％，Cr₂O₃0.01％，B₂O₃0.1％，Rb₂O0.14％，Cs₂O0.1％，烧失量4.57％，余量为杂质。采用淋釉方法的釉料工艺参数如下：釉料细度为过325目筛余为0.5％，比重为1.8g/cm³，施釉量为375g/m²；

(b)在印花层的局部表面涂覆定位固定液后再布施冰晶干粒，干燥，以形成干粒层；

其中，冰晶干粒的粒径范围为-150～-200目；

按冰晶干粒质量分数为100％计，包括以下质量分数的组分：闪光干粒35％和透明干粒65％。

按闪光干粒质量分数为100％计，闪光干粒包括以下质量分数的组分：

SiO₂ 60.00％，Al₂O₃ 13.00％，CaO 9.00％，MgO 2.00％，K₂O 6.50％，Na₂O2.50％，ZnO 6.50％，余量为杂质。

按透明干粒质量分数为100％计，透明干粒包括以下组分：

SiO₂ 56.00％，Al₂O₃ 14.00％，CaO 10.00％，MgO 3.00％，K₂O 6.50％，Na₂O3.50％，ZnO 6.50％，余量为杂质。

干燥采用热风干燥，其中的热风干燥可采用烧成窑的预热或环保天然气作为热源进行干燥，并控制温度为200℃；

(c)采用实施例1提供的干粒保护釉在坯体的干粒层表面形成干粒保护釉层，得到施釉坯体；

其中，采用一道直线淋釉器淋干粒保护釉，干粒保护釉比重为1.9g/mL,施釉量为812g/m²，干粒保护釉淋釉完毕后进行干燥以形成干粒保护釉层，干燥采用热风干燥，其中的热风干燥可采用烧成窑的预热或环保天然气作为热源进行干燥，并控制干燥温度为200℃，干燥时间为20min。

(d)将施釉坯体进行烧制，抛光，磨边，倒角，得到局部定位冰晶干粒釉面的陶瓷砖；

其中，烧制的温度为1200℃，烧制的时间为55min。

采用上述制备方法制得的局部定位冰晶干粒釉面的陶瓷砖，包括坯体1，在坯体1表面上由内至外依次设置有底釉层2、印花层3、干粒层4和干粒保护釉层5，干粒层4设置于印花层3的局部表面上，具体如图1所示。

实施例5-实施例6

实施例5-实施例6分别提供了一种局部定位冰晶干粒釉面的陶瓷砖(规格：600×1200mm)的制备方法，除了步骤(c)中分别采用实施例2-3提供的干粒保护釉在坯体的干粒层表面形成干粒保护釉层，其余步骤与实施例4相同。

实施例7

本实施例提供了一种局部定位冰晶干粒釉面的陶瓷砖(规格：600×1200mm)的制备方法，除了步骤(b)中冰晶干粒的粒径范围为-100～-120目，其余与实施例4相同。

实施例8

本实施例提供了一种局部定位冰晶干粒釉面的陶瓷砖(规格：600×1200mm)的制备方法，除了步骤(b)中冰晶干粒中闪光干粒的质量分数为30％和透明干粒的质量分数为70％，其余与实施例4相同。

实施例9

本实施例提供了一种局部定位冰晶干粒釉面的陶瓷砖(规格：600×1200mm)的制备方法，除了步骤(b)中冰晶干粒中闪光干粒的质量分数为40％和透明干粒的质量分数为60％，其余与实施例4相同。

实施例10

本实施例提供了一种局部定位冰晶干粒釉面的陶瓷砖(规格：600×1200mm)的制备方法，除了步骤(b)中冰晶干粒中闪光干粒的质量分数为25％和透明干粒的质量分数为75％，其余与实施例4相同。

对比例4-对比例6

对比例4-对比例6分别提供了一种局部定位冰晶干粒釉面的陶瓷砖(规格：600×1200mm)的制备方法，除了步骤(c)中分别采用对比例1-3提供的干粒保护釉在坯体的干粒层表面形成干粒保护釉层，其余步骤与实施例4相同。

对比例7

本对比例提供了一种局部定位冰晶干粒釉面的陶瓷砖(规格：600×1200mm)的制备方法，除了未进行步骤(c)，即将步骤(b)得到的形成有干粒层的坯体进行步骤(d)，其余步骤以及工艺参数与实施例4相同。

为了验证上述实施例和对比例的技术效果，特设以下实验例。

实验例1

将实施例4-10和对比例4-7所制得的局部定位冰晶干粒釉面的陶瓷砖的光泽度进行检测，具体为检测釉面对可见光的反射能力。以制品表面对标准黑玻璃平板的相对镜面反射(45°角)百分数表示。其测定方法中规定标准黑玻璃平板表面光洁度12级，能通过6级精度平度尺的检验，数值越大,光泽度越高，具体测定方法如下：1、打开光泽度仪电源，整机预热30min后，将标准黑玻璃平板擦拭干净；2、校正，严格使读数器调零，并将标准黑玻璃平板置于测头下，反复校正，即调幅钮上拨时，指针正确指“0”或标准黑玻璃平板值不变为准；3、将测头置于已放平整的陶瓷砖表面，此时读数器所示值即为陶瓷砖的光泽度值。

采用GB/T 3810.7-2016试验方法标准对各实施例和对比例制得的局部定位冰晶干粒釉面的陶瓷砖耐磨性进行测试，观察样品在特定研磨转数下研磨后的表面磨损痕迹的程度，并分为0-5级，具体级别分级如表1所示：

表1

各实施例和对比例提供的局部定位冰晶干粒釉面的陶瓷砖的光泽度以及耐磨等级如表2所示。

表2

从表2中数据并结合图2-图5可以看出，相对于对比例，本发明各实施例提供的局部定位冰晶干粒釉面的陶瓷砖均具有良好的光泽度和较高的耐磨等级。

其中，通过实施例4和实施例7对比可知，冰晶干粒的颗粒大小对光泽度的效果有很大影响，颗粒太细小，闪光效果，瓷状质感难于呈现。

通过实施例4和实施例8-10对比可知，当冰晶干粒采用30％～35％的闪光干粒和65％～70％的透明干粒配比比例时，陶瓷砖可保持更好的闪光质感。

通过实施例4-6以及对比例4-6对比可知，干粒保护釉采用25％～27.5％的GZ82906透明干粒、37.5％～40.0％的抛釉和35％～37.5％悬浮剂成分配比时，才能得到更好的釉面熔合及闪光质感。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。