具体实施方式

(第1实施方式)

参照图1的横剖俯视图、图2和图3的纵剖主视图以及图4的纵剖侧视图对本公开的基板处理装置的第1实施方式进行说明。基板处理装置1是例如设于半导体制造工厂的洁净室来对晶圆W实施作为液处理的抗蚀剂液的涂敷处理的装置。该基板处理装置1的载体模块D1和处理模块D2构成为在横向(左右方向)上排成一列并且相互连接，这些载体模块D1和处理模块D2的底部的高度相互对齐。载体模块D1形成基板输送模块。

在以下的说明中，将载体模块D1视为左，将处理模块D2视为右，将该模块D1、D2的排列方向设为左右方向。另外，对于装置的前后方向，将载体模块D1视为左时的近前侧设为前方，进深侧设为后方。对于在各图中相互正交的X方向、Y方向、Z方向，将X方向表示为前后方向，将Y方向表示为左右方向，将Z方向表示为高度方向。此外，图2和图3表示基板处理装置1的纵剖主视图，但对于装置的一部分表示在前后方向上不同位置的纵剖面。

载体模块D1起到这样的作用：利用设于基板处理装置1的外部的外部输送机构(省略图示)来输送收纳多个晶圆W的容器，并且在容器和基板处理装置1内之间交接晶圆W。例如使用被称为FOUP(Front Opening Unify Pod：前开口式片盒)的载体C作为容器。构成载体模块D1的壳体11的右侧以较左侧高的方式向上方突出，由此在主视观察时形成有台阶。将像这样构成的壳体11的左侧、右侧分别设为低身部12、高身部13。

低身部12形成用于载置载体C的容器载置部，4个载体台14以在前后方向上空开间隔的方式设于该低身部12的上表面。载体C被载置于该载体台14，以将晶圆W相对于基板处理装置1搬入、搬出。壳体11处形成有高身部13，并且在朝向左的侧壁，晶圆W的输送口15在与载体台14对应的位置开口，该输送口15利用开闭机构16进行开闭。

壳体11内的高身部13设有第1输送机构17，该第1输送机构17在载体台14上的载体C和处理模块D2之间交接晶圆W。该第1输送机构17具有：移动体171，其构成为在前后方向(X方向)上移动自如，绕铅垂轴线旋转自如，并且升降自如；和保持体172，其在该移动体171进退自如，并且保持晶圆W。

在高身部13内的第1输送机构17的输送区域10的上侧设有风机过滤单元(FFU)18。作为气体供给部的风机过滤单元18经由未图示的抽吸路径来吸引基板处理装置1的周围的空气，借助过滤器净化该空气并将其向下方供给。由此，形成下降气流(下降流)。构成风机过滤单元18的上述过滤器在俯视时跨载体模块D1内的第1输送机构17的整个移动区域地设置，在整个该移动区域形成下降气流。例如自壳体11的底部的未图示的排气口去除形成了该下降气流的空气。此外，在处理模块D2的输送路径等各处也形成下降流，但省略用于形成该下降流的机构的图示。

接下来，对处理模块D2进行说明。处理模块D2由方形的壳体21构成，并且在俯视时的前后方向上的中央具有晶圆W的输送路径20，该输送路径20在左右方向上延伸。该输送路径20是利用后述的第2输送机构来输送晶圆W的区域，如图1所示的那样，形成为针对处理模块D2的壳体21自左右方向上的左端延伸至右端。

如图1所示的那样，在处理模块D2的输送路径20的前方，与载体模块D1相邻并且面向输送路径20的区域设定为交接部3的设置区域30。另外，处理模块D2具有抗蚀剂涂敷组件4，该抗蚀剂涂敷组件4是供给作为晶圆W的处理液的抗蚀剂液(即涂敷抗蚀剂)从而形成抗蚀剂膜的液处理组件。在输送路径20的前方，该抗蚀剂涂敷组件4设置为并列于所述设置区域30的右侧并面向该输送路径20。

如图3和图4所示的那样，该处理模块D2使分别包含抗蚀剂涂敷组件4的多个层段层叠而构成。在该例中，处理模块D2具有6个层段E1～E6，在各层段E1～E6分别设有1个抗蚀剂涂敷组件4。这样，自前方观察处理模块D2时，抗蚀剂涂敷组件4配置为在纵向上成列，各抗蚀剂涂敷组件4的左右位置对齐。此外，图1是表示处理模块D2的层段E3的横剖俯视图。

抗蚀剂涂敷组件4具有划分壁41，该划分壁41相对于输送路径20和后述的交接部3划分出该抗蚀剂涂敷组件4，在该划分壁41形成有面向输送路径20的晶圆W的输送口(省略图示)。如图1、图3以及图4示意性地表示的那样，抗蚀剂涂敷组件4仅具有一个杯42，该杯42用于包围地处理晶圆W，在杯42内设有旋转卡盘43，该旋转卡盘43吸附保持晶圆W的背面并使其旋转。另外，抗蚀剂涂敷组件4具有向晶圆W的表面喷出抗蚀剂液的喷嘴44。该喷嘴44构成为利用喷嘴移动机构45在杯42内的晶圆W上和图1所示的杯42之外的待机区域之间移动自如。

另外，如图1所示的那样，在处理模块D2的输送路径20的后方，以面向该输送路径20的方式设有作为第1处理组件的热处理组件51，该热处理组件左右排列有多个、例如3个。热处理组件51配置于各层段E1～E6，自后方观察处理模块D2时，热处理组件51配置为在纵向上成列。因此，处理模块D2的热处理组件51左右设为3列。而且，该3列之中的构成相同列的热处理组件51的左右位置对齐。

该例的热处理组件51是进行抗蚀剂膜形成后的晶圆W的加热处理(PAB：Preapplied bake：预烘烤处理)的组件。在该热处理组件51，实施对形成有抗蚀剂膜的晶圆W进行加热来去除抗蚀剂膜中的溶剂的处理。例如，如图1中示意性地表示的那样，热处理组件51具有：热板52，其用于加热晶圆W；冷却板53，其进行晶圆W的温度调整。热板52和冷却板53以冷却板53面向输送路径20的方式前后排列地配置。冷却板53构成为在设于输送路径20的后述的第2输送机构和热板52之间输送晶圆W。

处理模块D2设有第2输送机构6，该第2输送机构在输送路径20移动，从而在抗蚀剂涂敷组件4和热处理组件51之间输送晶圆W。该例的第2输送机构6具有下侧输送机构61和上侧输送机构62，下侧输送机构61构成为相对于下侧的层段的抗蚀剂涂敷组件4和热处理组件51输送晶圆W。另外，上侧输送机构62构成为相对于上侧的层段的抗蚀剂涂敷组件4和热处理组件51输送晶圆W。下侧的层段和上侧的层段分别由多个层段构成，在该例中，下侧的层段由3个层段E1～E3构成，上侧的层段由3个层段E4～E6构成。

如图1和图4所示的那样，该下侧输送机构61和上侧输送机构62(第2输送机构6)具有：两个保持体63，其分别保持晶圆W；移动体64，其使各保持体63独立地进退。而且，移动体64构成为利用转动部65绕铅垂轴线转动，并且，转动部65构成为利用升降部66升降，且升降部66构成为利用移动机构67能够在左右方向(Y方向)上移动。例如，保持体63、移动体64、转动部65以及升降部66设于输送路径20，移动机构67配设于热处理组件51的下方。此外，除了基于移动机构67的移动方向不同之外，已述的载体模块D1的第1输送机构17与下侧输送机构61以及上侧输送机构62同样地构成。

交接部3用于载置晶圆W，以便在第1输送机构17和第2输送机构6(下侧输送机构61和上侧输送机构62)之间交接晶圆W。该例的交接部3设为在俯视时在抗蚀剂涂敷组件4的左侧并与抗蚀剂涂敷组件4并列。更详细地讲，交接部3相对于抗蚀剂涂敷组件4的杯42并列。另外，包含设于最左侧(左右的一侧)的热处理组件51的左右方向上的左端部的左区域(左右的一侧的部位)和包含该交接部3的左右方向上的右端部的右区域(左右的另一侧的部位)配置为左右方向上的位置相同。即，所述热处理组件51的左区域(在图1中由点划线的框包围，表示为a1)和交接部3的右区域(在图1中由点划线的框包围，表示为b1)位于左右方向上的相同位置。此处的左右方向上的位置相同是指，在高度设为一致的情况下处于彼此相对的位置关系。此外，对于该例，交接部3和热处理组件51位于相同层段，由此实际上左区域a1和右区域b1隔着输送路径20相对。图1中的输送路径20处的虚线是为了明确该左区域a1、右区域b1的相互的左右方向上的位置关系而以连接该区域a1、b1的方式所画出的假想线。

像这样，交接部3设为与载体模块D1相邻，并且，热处理组件51的左端配置于比隔着输送路径20相对的交接部3的右端靠载体模块D1的位置。此外，组件是载置晶圆W的位置。因此，向热处理组件51输送来的晶圆W的左侧的部位和向形成交接部3的组件输送来的晶圆W的右侧的部位在前后方向上观察时左右方向上的位置相同。在这样的情况下，热处理组件51的左右方向上的一侧(在该例中为左侧)的部位和交接部3的左右方向上的另一侧(在该例中为右侧)的部位的左右方向上的位置相同。此外，左右方向上的一侧的部位和另一侧的部位不限于将组件或者晶圆W左右分割的情况下的一半的部位。所述一侧的部位、另一侧的部位也包含：像左区域a1那样左右方向上的长度比所述一半的部位大的部位、像右区域b1那样左右方向上的长度比所述一半的部位小的部位。对于该一侧的部位、另一侧的部位在像上述那样高度一致时彼此相对的情况，该一侧的部位、另一侧的部位的左右位置相同。

在该例中，作为交接部3具有：载置组件(TRS)31，其用于载置晶圆W；和温度调整组件(SCPL)32，这些多个载置组件31和多个温度调整组件32层叠为多层。例如，为了在纵向上排列地载置多个晶圆W，一个载置组件31具有在纵向上排列的多个载置部。另外，温度调整组件32具有在利用抗蚀剂涂敷组件4和热处理组件51进行处理前调整晶圆W的温度的温度调整功能。

例如温度调整组件32具有用于载置晶圆W的载置部和该载置部处的制冷剂的流路，该温度调整组件32构成为将载置于该载置部的晶圆W的温度调整为期望的温度。在此，为了区别设于交接部3的载置组件31和温度调整组件32，分别在TRS、SCPL之后标注数字来表示。另外，在下文有时将载置组件记载为“TRS”，将温度调整组件记载为“SCPL”。

这样的交接部3例如在设置区域30设于作为利用下侧输送机构61输送晶圆W的层段之中的最上侧的层段即层段E3的高度位置和作为利用上侧输送机构62输送晶圆W的层段之中的最下侧的层段即层段E4的高度位置。

利用第1输送机构17和下侧输送机构61将晶圆W相对于交接部3的层段E3的高度位置处的各组件输送。另外，利用第1输送机构17和上侧输送机构62将晶圆W相对于交接部3的层段E4的高度位置处的各组件输送。因此，载体模块D1的第1输送机构17、处理模块D2的下侧输送机构61和上侧输送机构62分别设定有移动区域，以便能够将晶圆W相对于交接部3的对应的组件输送。

在图2、图3以及图5中表示交接部3的构成例。在该例中，TRS1、TRS4是用于将晶圆W自载体模块D1向处理模块D2搬入的载置组件31，TRS2、TRS3是用于将晶圆W自处理模块D2向载体模块D1搬出的载置组件31。此外，实际上，交接部3搭载有较上述构成例多的载置组件31和温度调整组件32。

在该例中，如图1～图3所示的那样，在设置区域30处的交接部3的下方设有储存区域22。在储存区域22配置有瓶，该瓶用于储存在各抗蚀剂涂敷组件4向晶圆W供给的抗蚀剂液，该瓶内的抗蚀剂液经由未图示的供给系统向各抗蚀剂涂敷组件4的喷嘴44供给。此外，交接部3的上方构成为供各种电气设备(电气设备)设置的设备设置区域23。像这样，交接部3、储存区域22和设备设置区域23构成为在俯视时重叠。

另外，输送路径20的前方的抗蚀剂涂敷组件4的右侧的区域构成为供该抗蚀剂涂敷组件4的附加设备设置的附加设备设置区域46。该附加设备包括向该组件供给电力的线缆、用于使构成组件的杯42内排气的排气用管道、用于自组件排液的排液管、以及用于向组件供给处理液的供给管等。杯42经由排气用管道连接于工厂的排气路径等排气源，从而使该杯42的内部排气。另外，在杯42连接有作为附加设备的排液管。

另外，输送路径20的后方的热处理组件51的左右的区域分别构成为热处理组件51的附加设备设置区域54、55。该附加设备包括向该组件供给电力的线缆、使组件内排气的排气用管道等。此外，附加设备设置区域54介于热处理组件51和载体模块D1之间，从而使最左侧的热处理组件51和交接部3像上述的那样成为各自的一部分彼此相对的位置关系。

除了交接部3的设置区域30设为储存区域22之外，层段E1、E2与层段E3同样地构成。像已述的那样，利用下侧输送机构61将晶圆W相对于设于层段E1、E2的各组件输送。层段E4与层段E3同样地构成，像已述的那样，利用上侧输送机构62将晶圆W相对于设于层段E4的各组件输送。除了交接部3的设置区域30被设为设备设置区域23之外，层段E5、E6与层段E3同样地构成。像已述的那样，利用上侧输送机构62将晶圆W相对于设于层段E5、E6的各组件输送。此外，组件构成为用于载置晶圆W的部位，包括交接部3的各TRS、SCPL、抗蚀剂涂敷组件4以及热处理组件51。

基板处理装置1具有控制部100(参照图1)。该控制部100由计算机构成，具有程序、存储器以及CPU。在程序中编入有步骤组，以便能够实施基板处理装置1的一系列的动作。而且，控制部100利用该程序向基板处理装置1的各部输出控制信号，从而控制该各部的动作。由此，实施后述的晶圆W的输送以及晶圆W的处理。上述程序存储于例如光盘、硬盘、DVD等存储介质，并向控制部100安装。

接下来，参照图5对基板处理装置1的晶圆W的输送路径的一例进行说明。在图5中，载置组件31标记为“TRS”，温度调整组件32标记为“SCPL”，抗蚀剂涂敷组件4标记为“COT”，热处理组件51标记为“PAB”。

载体模块D1的载体C内的晶圆W利用第1输送机构17向处理模块D2的交接部3的TRS1或TRS4交接。向TRS1输送来的晶圆W(以下称为“晶圆W1”)是由下侧的层段E1～E3处理的晶圆。另外，向TRS4输送来的晶圆W(以下称为“晶圆W2”)是由上侧的层段E4～E6处理的晶圆。

利用下侧输送机构61，将TRS1的晶圆W1向交接部3的SCPL1输送并将该晶圆W1调整至设定的温度。接下来，晶圆W1由下侧输送机构61向层段E1、E2、E3中的任一者的抗蚀剂涂敷组件4输送，并实施抗蚀剂液的液处理。通过一边使载置有晶圆W1的旋转卡盘43旋转，一边自喷嘴44向旋转卡盘43上的晶圆W1的旋转中心供给抗蚀剂液，来进行该抗蚀剂液的液处理。向晶圆W1的大致中心供给来的抗蚀剂液利用旋转的离心力朝向外方扩散，从而涂敷于晶圆W1整个面。

接下来，利用下侧输送机构61，将晶圆W1向该下侧输送机构61能够输送的层段的热处理组件、例如与实施了抗蚀剂液的涂敷的抗蚀剂涂敷组件4相同层段的热处理组件51输送。在此，利用下侧输送机构61，经过冷却板53将晶圆W1向热板52交接，并利用热板52将晶圆W1加热至抗蚀剂液中的溶剂挥发的温度以上的温度。利用该热处理将形成于晶圆W1的抗蚀剂膜中的溶剂挥发而去除后，将晶圆W1自热板52向冷却板53接收，利用冷却板53进行温度调整。接下来，晶圆W1被向下侧输送机构61交接，而向交接部3的TRS2输送。利用第1输送机构17，使TRS2上的晶圆W1返回载体模块D1的原来的载体C。

另一方面，以上侧输送机构62→SCPL4→上侧输送机构62→层段E4、E5、E6中的任一者的抗蚀剂涂敷组件4这样的路径输送TRS4的晶圆W2，从而实施抗蚀剂液的液处理。接下来，以上侧输送机构62→热处理组件51→上侧输送机构62→TRS3→第1输送机构17→载体C这样的路径搬送晶圆W2。由该路径输送到的热处理组件51是上侧输送机构62能够输送的层段的热处理组件51，例如是与实施了抗蚀剂液的涂敷的抗蚀剂涂敷组件4相同层段的热处理组件51。

根据该基板处理装置1，用于在载体模块D1的第1输送机构17和处理模块D2的第2输送机构6之间交接晶圆W的交接部3设为与抗蚀剂涂敷组件4并列。与假设将交接部3设于输送路径20的靠载体模块D1的位置的情况相比，对于该基板处理装置1，因为输送路径20没有交接部，因此能够将第2输送机构6的移动范围在靠近载体模块D1的部位确保得较大。因此，在为了确保充分的生产率而将热处理组件51左右排列地设有多个时，能够将该左右排列的热处理组件51设为靠载体模块D1侧。由此，能够减小处理模块D2的左右方向(Y方向)上的长度，因此能够缩小基板处理装置1的占地面积。

而且，像上述的那样在将左右排列的热处理组件51配置为靠近载体模块D1时，仅在最靠近载体模块D1的热处理组件51和载体模块D1之间设置附加设备设置区域54。即，该热处理组件51和载体模块D1之间不设置输送机构、热处理组件51以外的组件，仅设置热处理组件51的运行所需的附加设备。由此，设为像上述的那样在俯视时靠近载体模块D1的热处理组件51的左区域和交接部3的右区域隔着输送路径20相对的配置。若改变视角，通过像这样靠近载体模块D1的热处理组件51的左区域和交接部3的右区域配置为相对，由此热处理组件51的左右并列的组件靠近载体模块D1。由此，装置构成为处理模块D2的左右长度变小。

另外，对于瓶的储存区域22，优选为为了使连接瓶和组件的喷嘴44的配管较短而设于靠近抗蚀剂涂敷组件4的装置的前侧。对于基板处理装置1，像这样利用设于前侧的设定区域30的上方的空间来将瓶的储存区域22设为与交接部3重叠。由此，抑制交接部3和储存区域22的占地面积的増加，更可靠地使装置的占地面积缩小化。此外，作为储存区域22，其一部分也可以不到达载体模块D1的底部。

像本公开的基板处理装置1这样能够减小占地面积的结构由于能够利用洁净室设置较多的半导体制造装置(基板处理装置1、除此以外的装置)，因此能够有助于提升半导体工厂的生产率。另外，在洁净室内输送载体C的外部输送机构在预定的移动路径上移动，而占地面积较小的该基板处理装置1具有这样的优点：即使在该移动路径上装置的设置空间较小，也能够设置。

以上，设于处理模块D2的第2输送机构不限于上述的例子，也可以如图6～图9所示那样地构成。对于该图6～图9的结构，也是第2输送机构设于处理模块2的输送路径20，交接部3在处理模块D2内设于输送路径20的前方且是与抗蚀剂涂敷组件4的左侧相邻的区域。图6所示的例子是由1台第2输送机构71相对于6层层段E1～E6进行晶圆W的输送的结构。该例的第2输送机构71与下侧输送机构61以及上侧输送机构62同样地构成，设定移动区域以相对于各层段E1～E6的各组件4、51、交接部3的各组件31、32输送晶圆W。

另外，图7是具有两台第2输送机构的构成例，由一输送机构(下侧输送机构)721相对于两层层段E1、E2输送晶圆，由另一输送机构(上侧输送机构)722相对于4层层段E3～E6输送晶圆W。下侧输送机构721以及上侧输送机构722与已述的下侧输送机构61以及上侧输送机构62同样地构成，在输送路径20上下设为两层。另外，交接部33配设于利用下侧输送机构721输送晶圆W的层段之中的最上层的层段E2的高度和利用上侧输送机构722输送晶圆W的层段之中的最下层的层段E3的高度。在该例中，针对下侧输送机构721设定移动区域以相对于两个层段E1、E2的各组件以及对应的高度位置的交接部3的各组件31、32输送晶圆W。另外，针对上侧输送机构722设定移动区域以相对于4个层段E3～E6的各组件以及对应的高度位置的交接部3的各组件31、32输送晶圆W。

另外，图8所示的例子是每两层层段具有第2输送机构的结构。第2输送机构与已述的下侧输送机构61以及上侧输送机构62同样地构成，在输送路径20上下设有3层。在该例中，针对下方的输送机构731、中央的输送机构732、上方的输送机构733分别设定移动区域，以由下方的输送机构731相对于层段E1、E2的各组件输送晶圆W、由中央的输送机构732相对于层段E3、E4的各组件输送晶圆W、由上方的输送机构733相对于层段E5、E6的各组件输送晶圆W。另外，交接部3例如上下分离开地设置，第1交接部341设于输送机构731、732能够输送晶圆W的高度位置。另外，第2交接部342设于输送机构732、733能够输送晶圆W的高度位置。

另外，图9所示的例子是每个层段E1～E6具有专用的第2输送机构的结构。在该例中，第2输送机构741～746除了分别设于各层段E1～E6的输送路径20而不以跨上下相邻的层段间的方式移动之外，与已述的下侧输送机构61以及上侧输送机构62同样地构成。另外，交接部351～356在与各层段E1～E6对应的位置分别设置在各个第2输送机构741～746能够输送晶圆W的高度位置。

如以上例示的那样，对于第2输送机构，既可以在设于处理模块D2的各层段共用化，也可以不共用化。在第2输送机构于各层段不共用化的情况下(即，设有多个第2输送机构的情况下)，1个第2输送机构承担输送的层段的数量没有限制，该层段的数量既可以是一个，也可以是多个。而且，各第2输送机构承担输送的层段的数量既可以相同，也可以不同。如果第2输送机构的数量较少，则能够降低装置的制造成本，因此优选。但是，通过像基板处理装置1的结构那样设有多个第2输送机构6，能够抑制第2输送机构6的输送的负荷，因此从得到较高的生产率的观点出发为优选。另外，像基板处理装置1那样，通过使各第2输送机构6承担相同数量的层段的输送，能够防止第2输送机构6之间输送的负荷不平衡，能够得到较高的生产率，因此优选。

对于该图6～图9的构成例，储存区域22和设备设置区域23只要以不与交接部干涉的方式设置即可，也能够利用交接部的上下的空间来设置。例如，也可以是，利用上下排列的交接部和交接部所成的空间、装置的底面和交接部所成的空间、装置的顶部和交接部所成的空间，将储存区域22、设备设置区域23分别分割为多个来设置。此外，对于上述的基板处理装置1，设为将交接部3配置于处理模块D2的高度中央部，下侧输送机构61、上侧输送机构62能到达该交接部的结构，从而能够有效地利用交接部3的下侧的空间、上侧的空间，因此有利。若具体地详述，则能够在该下侧的空间像上述的那样集中地设定瓶的储存区域22。即，将分别储存有处理液的多个瓶集中地放置于该下侧的空间，当装置的使用者进行该各瓶的更换等作业时，由于瓶位于较低的位置，因此该操作较容易。另外，在交接部3的上侧确保了比较宽的空间，防止电气设备的大小被限制。

另外，构成处理模块D2的层段的层叠数不限于上述例子，也可以如图10～图12所示那样地构成。对于该图10～图12的结构也是，第2输送机构设于处理模块D2的输送路径20，交接部3在处理模块D2内设于输送路径20的前方且是与抗蚀剂涂敷组件4的左侧相邻的位置。图10所示的例子是将层段设为5层，由下侧输送机构751相对于3层层段E1、E2、E3输送晶圆W、由上侧输送机构752相对于两层层段E4、E5输送晶圆W的构成例。输送机构751、752与已述的下侧输送机构61以及上侧输送机构62同样地构成，例如交接部36设于输送机构751、752分别能够输送晶圆W的高度位置。

图11所示的例子是将层段设为4层，由下侧输送机构761相对于两层层段E1、E2输送晶圆W、由上侧输送机构762相对于两层层段E3、E4输送晶圆W的构成例。输送机构761、762与已述的下侧输送机构61以及上侧输送机构62同样地构成，例如交接部37设于输送机构761、762分别能够输送晶圆W的高度位置。

图12所示的例子是将层段设为3层，由共用的第2输送机构77相对于3层层段E1、E2、E3输送晶圆W的构成例。输送机构77与已述的下侧输送机构61以及上侧输送机构62同样地构成，例如交接部38设于与层段E2对应的高度位置。对于该图10～图12的构成例，能够将交接部3的下方、上方的区域用作储存区域22、设备设置区域23的设置空间。

(第2实施方式)

接下来，参照图13的横剖俯视图、图14的纵剖主视图对本公开的第2实施方式的基板处理装置1A进行说明。该基板处理装置1A与第1实施方式不同的方面在于具有第2处理组件和第3输送机构，该第3输送机构在交接部3和第2处理组件之间交接晶圆W。第2处理组件是对晶圆W进行与利用第1处理组件(热处理组件51)进行的处理不同的处理的组件。

在该例中，对第2处理组件是检查组件8的情况进行说明，该检查组件8用于检查利用抗蚀剂涂敷组件4进行处理的处理前和利用热处理组件51进行处理的处理后的晶圆W。将用于检查利用抗蚀剂涂敷组件4进行处理的处理前的晶圆W的检查组件设为处理前检查组件81(WIS1)。另外，将对进行基于热处理组件51的处理后的晶圆W进行检查的检查组件设为处理后检查组件82(WIS2)。

在该例中，这些处理前检查组件81和处理后检查组件82在载体模块D1处的第1输送机构17的输送区域10的上方、例如在风机过滤单元18的上方位置上下层叠地配设。另外，这些检查组件81、82在俯视时与所述输送区域10重叠，并且设于与处理模块D2的交接部3相邻的位置。检查组件8像后述那样具有俯视时呈长方形状的纵长的壳体83，该壳体83的长边方向配置为与所述输送区域10的第1输送机构17的移动方向(X方向)一致。在图13中，为了便于图示，载体模块D1表示处理前检查组件81的上方位置的横剖俯视图，处理模块D2表示层段E3的横剖俯视图。

另外，第3输送机构9设为在处理模块D2处能够相对于检查组件8输送晶圆W，例如在俯视时与检查组件8相邻并设置于交接部3的前方。该第3输送机构9除了不进行水平移动之外，与第1实施方式的下侧输送机构61以及上侧输送机构62同样地构成。

在该例中，在交接部3设有图2和图3所示的TRS1～4、SCPL1～4，并且还设有用于载置向检查组件8输送的晶圆W的载置组件TRS11、TRS12。TRS11是用于载置检查前的晶圆W的载置组件(检查用的载置组件)，TRS12是用于载置检查后的晶圆W的组件。在下侧输送机构61和上侧输送机构62能够到达的高度位置分别设有多个这些TRS11、TRS12。第3输送机构9构成为在交接部3的TRS11、TRS12和检查组件81、82之间输送晶圆W。该例的基板处理装置1A除了设有处理前检查组件81、处理后检查组件82以及第3输送机构9之外，与第1实施方式同样地构成。

参照图15对检查组件8(处理前检查组件81和处理后检查组件82)进行说明。检查组件8具有俯视时呈长方形状的扁平的壳体83，在壳体83的面向处理模块D2的侧壁，在与第3输送机构9对应的位置形成有晶圆W的输送口831。在壳体83内设有将晶圆W水平地保持的载置部84，该载置部84构成为利用移动机构841在待机位置和移动完成位置之间移动自如，待机位置是在壳体83内由图15中实线表示的位置，移动完成位置是由点划线表示的位置。待机位置是进行与第3输送机构9之间交接晶圆W的位置。

在壳体83内，利用载置部84进行的晶圆W移动的移动路径的上方设有沿壳体83内的短边方向延伸的横长的半透半反镜85和借助该半透半反镜85向下方照射光的照明86。图15中附图标记87表示照相机。自照明86向半透半反镜85的下方的照射区域照射光，该照射区域处的物体的反射光由半透半反镜85反射，从而被照相机87接收。如此，构成为利用照相机87拍摄位于半透半反镜85的下方的拍摄区域的物体。

对于检查组件8，在被于待机位置交接了晶圆W的载置部84朝向移动完成位置移动的期间，照相机87间歇性地进行拍摄，由此来对晶圆W的整个表面进行拍摄，从而取得图像数据。该图像数据自照相机87向控制部100发送，利用控制部100基于图像数据来进行晶圆W的表面的检查。此外，移动到移动完成位置的载置部84为了向第3输送机构9交接晶圆W而向待机位置移动。

对该实施方式的晶圆W的输送路径的一例进行说明。载体模块D1的载体C内的晶圆W以第1输送机构17→交接部3的TRS11→第3输送机构9→处理前检查组件81的方式被输送，像已述的那样，进行晶圆W的表面的检查。处理前检查组件81处的表面的检查是指例如晶圆W有无伤痕的检查。

接下来，以第3输送机构9→交接部3的TRS12→第2输送机构6(61、62)→交接部3的SCPL→第2输送机构6→抗蚀剂涂敷组件4→第2输送机构6→热处理组件51→第2输送机构6→交接部3的SCPL这样的路径来输送检查后的晶圆W。此后，以第2输送机构6→交接部3的TRS11→第3输送机构9→处理后检查组件82这样的路径来输送晶圆W，像已述的那样，进行晶圆W的表面的检查。处理后检查组件82处的表面的检查是指例如形成于晶圆的抗蚀剂膜的缺陷的检查。然后，以第3输送机构9→交接部3的TRS12→载体模块D1的第1输送机构17这样的路径来输送检查后的晶圆W，从而例如返回原来的载体。

对于该实施方式的基板处理装置1A，将检查组件8以与晶圆W的利用载体模块D1的第1输送机构17输送的输送区域10在俯视时重叠的方式设于输送区域10的上方。即，俯视时呈长方形状的检查组件8的长边方向和输送区域10的第1输送机构17的移动方向设为一致。因此，在设置纵长的检查组件8时，能够抑制基板处理装置1A的左右方向上的增长，而抑制占地面积的増大。另外，由于在交接部3和检查组件8之间具有交接晶圆W的第3输送机构9，因此能够与利用第1输送机构17、第2输送机构6进行的晶圆W的输送独立地进行晶圆W向检查组件8的输送。因此，即使在设置检查组件8的情况下，也能够抑制第2输送机构的输送负荷的増大，而抑制输送生产率的降低。

另外，对于该例，检查组件8设于风机过滤单元18的上方并与热处理组件51分离开。因此，能够抑制热处理组件51对具有照相机87等光学的构件的检查组件8的热影响，而能够稳定地实施精度较高的检查。而且还有，由于将检查组件8设于载体模块D1，因此能够对刚刚搬入到基板处理装置1A的晶圆W和即将自基板处理装置1A搬出前的晶圆W实施检查。因此，对于晶圆W在向基板处理装置1A搬入前发生异常的情况，能够高精度地识别出在基板处理装置1A的外部发生的异常。另外，对于在基板处理装置1A内的处理和输送中发生了异常的情况，能够可靠地检测出该异常。

另外，通过在载体模块D1的上方设置检查组件8，能够有效利用载体模块D1的空的空间。另外，由于在载体模块D1的上方没有设置其他的组件，因此也具有作业者能够较容易地实施维护作业的优点。

(第3实施方式)

接下来，参照图16的横剖俯视图、图17的纵剖主视图对本公开的基板处理装置的第3实施方式进行说明。该基板处理装置1B是这样的结构例：将检查组件8以自设有基板处理装置1B的地面浮起并形成有向基板处理装置1B的前方突出的突出部19的方式设于比抗蚀剂涂敷组件4靠前侧的位置。对于该例，处理前检查组件81和处理后检查组件82配设为在处理模块D2处的交接部3的上端部附近的高度上下层叠至风机过滤单元18的下方附近的高度。该检查组件81、82的配设位置是俯视时处理模块D2的交接部3的设置区域30的附近且是基板处理装置1B的正面壁的前方。这样，在基板处理装置1B的前方的上方以跨载体模块D1和处理模块D2的方式形成突出部19。此外，为了便于图示，图16的处理模块D2是层段E3的横剖俯视图，仅突出部19是检查组件81、82的上方位置的横剖俯视图。

第3输送机构9在处理模块D2设于例如俯视时交接部3的前方的区域，以便能够相对于检查组件8输送晶圆W。另外，例如在交接部3，除了上述的载置组件31、温度调整组件32之外，检查用的载置组件TRS11、TRS12也设于下侧输送机构61和上侧输送机构62分别能够到达的高度位置。而且，第3输送机构9与第2实施方式同样地构成，以便能够在交接部3的TRS11、TRS12和处理前检查组件81、处理后检查组件82之间输送晶圆W。处理前检查组件81以及处理后检查组件82与第2实施方式同样地构成，在壳体83的面向处理模块D2的侧壁，在与第3输送机构9对应的位置形成有晶圆W的输送口。除了设有处理前检查组件81、处理后检查组件82以及第3输送机构9之外，该例的基板处理装置1B与第1实施方式同样地构成。

对本实施方式的晶圆W的输送路径的一例进行说明。载体模块D1的载体C内的晶圆W以第1输送机构17→TRS11→第3输送机构9→处理前检查组件81这样的路径输送，并进行晶圆W的表面的检查。接下来，以第3输送机构9→TRS12→第2输送机构6→SCPL→第2输送机构6→抗蚀剂涂敷组件4这样的路径输送检查后的晶圆W，并形成抗蚀剂膜。接下来，以第2输送机构6→热处理组件51→第2输送机构6→SCPL→第2输送机构6→TRS11这样的路径输送晶圆W。此后，以第3输送机构9→处理后检查组件82这样的路径输送晶圆W，并进行晶圆W的表面的检查。然后，以第3输送机构9→TRS12→第1输送机构17→载体C这样的路径输送检查后的晶圆W。

对于该实施方式，将检查组件8以自设有基板处理装置1B的地面浮起并形成有向基板处理装置1B的前方突出的突出部19的方式设于基板处理装置1B。由于像这样自地面浮起来地设置检查组件8，因此在设置俯视时呈长方形状的纵长的检查组件8时，能够抑制占地面积的増大。另外，由于在交接部3和检查组件8之间设有输送晶圆W的第3输送机构9，因此能够抑制因设置检查组件8而导致的输送的生产率的降低。

另外，对于该例，检查组件8设于抗蚀剂涂敷组件4的前方并与热处理组件51分离开。因此，能够抑制热处理组件51对检查组件8的热影响。另外，由于检查组件8设于载体模块D1附近，因此能够对刚刚搬入到基板处理装置1B的晶圆W和即将自基板处理装置1B搬出的晶圆W实施检查，而能得到已述的优点。另外，检查组件8设为在紧邻风机过滤单元18的下方的高度位置突出，因此具有不妨碍作业者的通行，作业者能够容易地实施维护作业的优点。若补充说明，则对于检查组件8的高度，像这样确保对于作业者来说适当的空间即可，例如优选为设于构成处理模块D2的层段之中的上侧的层段的高度。这里所说的上侧的层段是，从上侧数将层段的数量除以二并在存在小数的情况下舍去小数的层段的高度。即，在层段数量是6的情况下，优选为设于上3个层段中的任一个层段的高度，在层段数量是5的情况下，优选为设于上两个层段中的任一个层段的高度。

另外，为了简化说明和图示，对于各实施方式的输送路径，示出了多次经过标注了相同序号的TRS来进行输送的情况，更详细地说，依次经由包含于该TRS的多个载置部来进行输送，而不经由同一载置部来进行输送。具体而言，例如在第2实施方式和第3实施方式中，叙述了处理前的晶圆W、处理完毕的晶圆W均被向TRS11输送的情况，但处理前的晶圆W、处理完毕的晶圆W能够被向构成TRS11的互不相同的载置部输送。对于SCPL也同样，在输送路径，晶圆W能够被依次向构成SCPL的互不相同的载置部输送。

另外，对于第2实施方式和第3实施方式，控制部100也可以根据利用该控制部100得到的晶圆W的检查结果(有无异常的判断结果)来决定是否继续后续的晶圆W的输送。即，在判断为存在异常的情况下，也可以输出控制信号来停止装置中的晶圆W的输送。另外，也可以构成为在交接部3设有用于载置在检查中判断为存在异常的晶圆W的载置部，并输出利用第3输送机构将这样的晶圆W向该载置部输送的指令。也可以不进行这样的输送的变更、停止，仅通过画面显示等向使用者告知存在异常的晶圆W。

以上，构成处理模块的层段至少包含液处理组件即可，第1处理组件在第2输送机构能够输送晶圆W的情况下也可以设于跨两个层段的高度位置。另外，在第2输送机构承担多个层段的输送的情况下，也可以存在不设置第1处理组件的层段。在上述的例子中，作为第1处理组件的热处理组件51设于各层段，因此热处理组件51的一部分与交接部3的一部分相对，但在不设置热处理组件51的层段也可以有交接部3。即，可以是这样的位置关系：热处理组件51的左区域和交接部3的右区域不相对，这些左区域和右区域的左右方向上的位置相同。另外，设于各层段的液处理组件不限于上述例子，也可以是多个杯42在左右方向上排列的结构。但是，如果是仅设置一个杯42的结构，能够有助于降低处理模块D2的左右方向上的长度。另外，第1处理组件的设置个数不限于上述例子，也可以在一个层段将处理组件层叠地设置。

另外，第1处理组件的设置个数不限于在一个层段设置三个，也不需要在多个层段彼此相同，也可以是第1处理组件的个数在每个层段不同。在这种情况下，对于第1处理组件的左右方向上的设置位置，也不需要在全部的层段都相同，也可以根据第1处理组件的设置个数使这些左右方向上的设置部位在每个层段错开。另外还有，构成处理模块D2的层段的层叠数也可以是7层、8层，而不限于例示的层叠数。

另外，液处理组件也可以是进行防反射膜形成用的液处理、保护膜形成用的液处理的组件，还可以是将显影液作为处理液而对晶圆W实施显影处理的显影组件。此外，也可以是涂敷用于形成绝缘膜的处理液(化学溶液)的组件、供给用于粘合晶圆W的粘接材料的组件、或者向晶圆W供给清洗液来进行清洗的清洗组件。此外，上述的保护膜是指为了在液浸曝光时保护抗蚀剂膜而形成的膜。

另外，在设有上述显影组件的情况下，作为第1处理组件，能例示在显影处理之前进行晶圆W的加热处理(PEB：Post exposure bake、曝光后烘烤处理)的热处理组件。即，在处理模块D2，也可以以热处理组件→显影组件这样的顺序输送晶圆W。因此，作为第1处理组件，不限于在液处理组件之后对晶圆W进行处理的组件，另外，作为液处理组件，不限于形成涂敷膜的组件。另外，作为第1处理组件，也可以构成为向晶圆W供给气体来进行疏水化处理的疏水化处理组件。例如，也可以设置疏水化处理组件作为第1处理组件，设置防反射膜形成组件作为液处理组件，并以疏水化处理组件→防反射膜形成组件这样的顺序输送。因此，作为第1处理组件，不仅限于加热晶圆W的组件。

另外，对于基板处理装置1等，下侧输送机构61和上侧输送机构62独立地输送晶圆W。即，层段E1～E3和层段E4～E6互相独立地输送晶圆W。因此，在层段E1～E3进行的处理和在层段E4～E6进行的处理也可以不同。例如，像在层段E1～E3进行抗蚀剂涂敷、PAB，在层段E4～E6进行PEB、显影那样，在下侧的层段和上侧的层段配置的组件也可以不同。

另外，交接部3的结构不限于上述的例子，载置组件(TRS)31、温度调整组件(SCPL)32的设置数量能够适当选择。不过，对于上述的检查组件8，也可以将检查组件8相对于载置组件31、温度调整组件32层叠地设于交接部3。在这种情况下，检查组件8设为面向第1输送机构17的输送区域10和第2输送机构6的输送路径20，构成为第2输送机构6相对于检查组件8的载置部84进行晶圆W的交接。但是，对于检查组件8，像利用图13、图16等进行了说明的那样设有第3输送机构9，将检查组件8设于该第3输送机构9能够到达的位置，由此能得到上述的降低第2输送机构6的负荷的效果，此外还能够增大载置组件31、温度调整组件32的设置空间，所以优选。即，通过不与载置组件31以及温度调整组件32重叠地设置检查组件8，能够相应地增加这些载置组件31和温度调整组件32的设置数量，由此能够谋求装置的生产率的提高。

不过，由于能够像上述那样将检查组件8设为面向输送区域10和输送路径20，因此也可以将检查组件8作为交接部3构成。因此，除了第2输送机构6之外，第1输送机构17也相对于检查组件8交接晶圆W。而且，通过借助该检查组件8，晶圆W在载体模块D1和处理模块D2之间输送，也可以在向处理模块D2的液处理组件、热处理组件交接的前后向载置组件31、温度调整组件32输送晶圆W。

另外，本公开的交接部3是设有载置组件31、温度调整组件32、检查组件8这样的组件中的至少一者的结构即可。因此，也可以以第1输送机构17→交接部3的温度调整组件32→第2输送机构6→处理模块D2内的处理组件(液处理组件和第1处理组件)→交接部3的温度调整组件32→第1的输送机构17这样的路径来输送。在设有检查组件8作为交接部3的情况下，对于该输送路径，代替温度调整组件32而向检查组件8输送。如此使晶圆W暂时放置于交接部3，第1输送机构17和第2输送机构6能够分别进行晶圆W的交接即可。

此外，若进行补充，则作为TRS、SCPL，能够设为板上下设有多层的结构。而且，通过将板的外形设为与输送机构的形状对应的形状，或在板的表面形成与输送机构的形状对应的槽，从而使各输送机构能够相对于该板的表面升降，而能够相对于板交接晶圆W即可。对于检查组件8也是，在将检查组件8用作交接部3的情况下使检查组件8内的载置部84与这样的板同样地构成即可。此外，SCPL设为该板连接制冷剂流路来进行冷却的结构。另外，也可以设为如下结构：TRS的横向排列的多个销上下设有多层，输送机构相对于各层的销升降，而分别相对于该各层的销载置晶圆W。

另外，第2处理组件不限于检查组件，也可以是例如在晶圆W形成了抗蚀剂膜后照射紫外线来实施固化处理的处理组件。该处理组件构成为例如在图15所示的检查组件8不具有照相机而替代于此在半透半反镜85和照明86的位置设置紫外线照射部。而且，自紫外线照射部朝向下方照射紫外线，并且使载置有晶圆W的载置部84自待机区域移动至移动完成位置，通过向晶圆W的整个表面照射紫外线来实施固化处理。

另外，对于上述的实施方式，也可以在第2输送机构6的输送路径20的前方配置第1处理组件51，并在所述输送路径20的后方排列配置交接部3和液处理组件4。另外，不一定需要具有处理前检查组件81和处理后检查组件82这两者，是具有任一检查组件的结构即可。

应该认为本次公开的实施方式在所有方面均是例示而并非限制性的。上述实施方式在不脱离权利要求书及其主旨的情况下，可以以各种方式进行省略、置换、变更以及组合。