具体实施方式

本发明可以进行多种变换，并且可以具有多种实施例，将特定实施例示出于附图中并在具体说明中详细地说明。本发明的效果和特征以及实现这些的方法将通过参照与附图一起详细地后述的实施例而变得明确。然而，本发明并不限于以下公开的实施例，而是可以以多种形态实现。

以下，将参照附图对本发明的实施例进行详细说明，在参照附图进行说明时，对相同或者相应的构成要素赋予相同的附图标记并省略对其的重复说明。

在以下实施例中，第一、第二等术语并不被使用为限定性含义，而是被使用为将一个构成要素与其他构成要素进行区分的目的。

在以下实施例中，只要在上下文中没有明确表示其他含义，则单数的表述包括复数的表述。

在以下的实施例中，“包括”或者“具有”等术语表示说明书上记载的特征或者构成要素的存在，并不预先排除附加一个以上的其他特征或者构成要素的可能性。

在以下的实施例中，提及膜、区域、构成要素等的部分位于另一部分上或者之上时，不仅包括在另一部分的紧邻的上方的情形，还包括其中间存在其他膜、区域、构成要素等的情形。

为了便于说明，附图中的构成要素的大小可以被夸大或者缩小。例如，为了便于说明，在附图中示出的各个构成的大小以及厚度被任意地示出，因此本发明并不一定限于图示的内容。

在以下的实施例中，x轴、y轴以及z轴并不限于直角坐标系上的三个轴，可以被解释为包括其的广义含义。例如，x轴、y轴以及z轴可以彼此垂直相交，但也可以指代彼此不垂直相交的彼此不同的方向。

在某个实施例能够以不同方式实现的情形下，特定工艺顺序可以按不同于所说明的顺序而执行。例如，连续说明的两个工艺可以实质上同时进行，也可以按与说明的顺序相反的顺序进行。

图1是示出根据本发明的一实施例的显示装置的制造装置的剖面图。

参考图1，显示装置的制造装置100可以包括腔室110、磁力生成部120、第一支撑部131、第二支撑部132、拍摄部140、掩模组件200、沉积源160以及压力调节部170。

腔室110可以在内部形成有空间，并且可以形成为腔室110的一部分具有开口。腔室110的开口部分设置有闸阀110A，从而可以选择性地开闭腔室110的开口部分。

磁力生成部120可以形成为被固定到腔室110。此时，磁力生成部120可以包括电磁体和永磁体中的至少一个以选择性地形成磁场。磁力生成部120可以使掩模组件200向显示基板D侧紧贴。

第一支撑部131可以支撑显示基板D。此时，第一支撑部131可以以多种方式支撑显示基板D。例如，第一支撑部131可以包括静电卡盘或者粘结卡盘。在此情形下，第一支撑部131和磁力生成部120可以形成为一体。作为另一实施例，第一支撑部131可以包括安置有显示基板D的一部分而支撑显示基板D的框架或者夹持显示基板D的一部分而固定的钳等。第一支撑部131并不限于上述内容，并且可以包括能够支撑显示基板D的所有装置。然而，为了便于说明，下面以第一支撑部131包括夹持显示基板D的钳的情形为中心进行详细说明。

在第二支撑部132可以安置掩模组件200而支撑掩模组件200。此时，在第二支撑部132可以沿彼此不同的至少两个方向对掩模组件200进行微调。

拍摄部140可以拍摄显示基板D和掩模组件200的位置。此时，可以以拍摄部140拍摄到的图像为依据而移动显示基板D和掩模组件200中的至少一个而使显示基板D和掩模组件200对准(align)。

掩模组件200可以包括掩模框架210、支撑部件220、第一掩模230和第二掩模240。

沉积源160可以使沉积物质在插入其内部之后被蒸发。此时，沉积源160可以配备有加热器160A，沉积物质可以借助加热器160A施加的热而蒸发。

沉积源160可以形成为多种形态。例如，沉积源160可以为吐出沉积物质的入口部形成为圆形的点沉积源形态。并且，沉积源160可以是形成为长型且入口部形成为多个或者形成为长孔形态等的线沉积源形态。为了便于说明，下面以沉积源160布置为与掩模组件200的一地点对向并且是点沉积源形态的情形为中心进行详细说明。

压力调节部170可以与腔室110连接而将腔室110内部的压力调节为与大气压或者真空近似。此时，压力调节部170可以包括与腔室110连接的连接管道171和布置在连接管道171的压力调节泵172。

此外，观察通过如上所述的显示装置的制造装置100制造显示装置(未示出)的方法，可以制造显示基板D而进行准备。

压力调节部170可以使腔室110内部维持大气压状态，并且在闸阀110A被开放后可以使显示基板D和变形被补偿的掩模组件200插入腔室110内部。此时，在腔室110内部或者外部可以配备有独立的机械臂、传送器等而传送显示基板D和掩模组件200。

压力调节部170可以使腔室110内部维持几乎近似真空。并且，第一支撑部131和第二支撑部132中的至少一个可以工作而将显示基板D与掩模组件200之间的间距调节为预先设定的间距。拍摄部140可以拍摄显示基板D和掩模组件200而微驱动第一支撑部131和第二支撑部132，从而通过微调显示基板D和掩模组件200中的至少一个而使显示基板D和掩模组件200对准。

加热器160A可以工作而将沉积物质从沉积源160供应到掩模组件200。通过掩模组件200的沉积物质可以以预定图案沉积到显示基板D。

在进行如上所述的过程期间，沉积源160和显示基板D中的至少一个可以进行线型运动。作为另一实施例，也可以在沉积源160和显示基板D全部处于静止的状态下执行沉积。为了便于说明，以下以沉积源160和显示基板D全部处于静止的状态下执行沉积的情形为中心进行详细说明。

如上所述，从沉积源160供应的沉积物质可以通过掩模组件200而沉积到显示基板D，从而形成将后述的中间层中的至少一个层。

如上所述，在形成中间层中的至少一个层的情形下，沉积源160可以供应高温的沉积物质。此时，第一掩模230可能由于热变形、负载等而发生下垂等问题。在这种情形下，磁力生成部120的磁力不仅可以防止支撑部件220下垂，还可以使支撑部件220对第一掩模230施加朝向磁力生成部120的力。

在如上所述的情形下，支撑部件220可以通过防止第一掩模230向沉积源160侧下垂而降低第一掩模230的位置和形状中的至少一个与初期不同的情形。

此后，可以通过其他显示装置的制造装置在所述中间层上形成对电极。在如上所述地形成中间层和对电极之后可以在所述对电极上布置封装部件而制造显示装置20。

因此，显示装置的制造装置100能够形成图案准确的中间层中的至少一个层或者在准确的区域形成对电极。

显示装置的制造装置100可以通过准确地维持第二开口部222-1和第三开口部231-1的形状而以准确的图案将沉积物质沉积到显示基板D。

图2是示出根据本发明的一实施例的掩模组件的立体图。图3是示出图2所示的掩模框架的一部分的平面图。图4是沿图3的Ⅳ-Ⅳ′线截取的剖面图。

图5是示出图2所示的支撑部件的一部分的平面图。图6是示出图2所示的第一掩模的一部分的平面图。

参考图2至图6，掩模组件200可以包括掩模框架210、支撑部件220、第一掩模230以及第二掩模240。

掩模框架210可以包括彼此连接的多个框架。多个框架可以构成四边形形态。在此情形下，掩模框架210可以在中央部分包括一个第一开口部211-1。此时，第一开口部211-1可以是四边形形态。例如，第一开口部211-1可以为矩形形态或者正方形形态。此时，掩模框架210可以具有长边和短边。例如，掩模框架210的长边可以沿图2的X方向布置，掩模框架210的短边可以沿图2的Y方向布置。

如上所述的掩模框架210可以包括：四边形形态的框架主体部211；凸出部212，布置在框架主体部211的外面；第一安置面213和第二安置面214，在凸出部212有阶梯差地形成。在此情形下，凸出部212可以从框架主体部211的外面凸出。第一安置面213和第二安置面214可以平坦地布置，在第一安置面213安置有支撑部件220，在第二安置面214可以安置有第一掩模230。在如上所述的第一安置面213和第二安置面214可以分别布置有第一狭槽213-1和第二狭槽214-1。此时，第一狭槽213-1可以布置在第一安置面213的最内侧，第二狭槽214-1可以布置在第二安置面214的最内侧。

支撑部件220可以布置在第一开口部211-1而将第一开口部211-1划分为多个第二开口部222-1。

例如，支撑部件220可以在内部沿作为彼此不同的方向的第一方向和第二方向布置的方式配备有栅格。支撑部件220可以包括：支撑部件主体部221，形成外廓；栅格部件222，在支撑部件主体部221内部的开口区域沿第一方向(例如，图2的Y轴方向)和第二方向(例如，图2的X轴方向)排列。这种栅格部件222可以将第一开口部211-1划分为多个第二开口部222-1。此时，第二开口部222-1的尺寸可以比第一开口部211-1的尺寸小。如上所述的支撑部件220可以包括与支撑部件主体部221连接的支撑部件虚设部225。支撑部件虚设部225可以在将支撑部件220贴附到掩模框架210后被去除。并且，支撑部件220可以包括与支撑部件主体部221连接的支撑部件焊接部224。支撑部件焊接部224安置在第一安置面213，并且可以通过焊接而被固定到支撑部件主体部221。此时，支撑部件焊接部224可以有阶梯差地形成。例如，支撑部件焊接部224可以以分别安置到第一安置面213和第二安置面214的方式弯曲。在此情形下，支撑部件焊接部224不仅可以安置到第一安置面213，还可以安置到第二安置面214。此时，支撑部件主体部221和第一虚设开口部223-1可以布置在彼此不同的平面上。在如上所述的支撑部件焊接部224与支撑部件虚设部225之间可以形成有第一虚设开口部223-1以不与掩模框架210的凸出部212发生干扰。这样的第一虚设开口部223-1可以配备有多个，并且在多个第一虚设开口部223-1之间可以布置有将支撑部件焊接部224和支撑部件虚设部225彼此连接的第一连接部件223。在这种情形下，可以在凸出部212布置安置第一连接部件223的安置槽215，从而防止第一连接部件223与凸出部212发生干扰。如上所述的支撑部件虚设部225和支撑部件焊接部224的一部分可以在将支撑部件焊接部224固定到掩模框架210之后被去除。

如上所述的支撑部件220的磁化率可以比第一掩模230高。此时，支撑部件220可以包括磁性体，第一掩模230可以不包括磁性体。尤其是，支撑部件220可以由因瓦材质的薄板形成，第一掩模230可以由奥氏体不锈钢(SUS：Austenitic Stainless Steels)材质的薄板形成。

第一掩模230可以布置在支撑部件220上。此时，可以配备一个或者多个第一掩模230。作为一实施例，在配备有一个第一掩模230的情形下，第一掩模230可以遮蔽整个第一开口部211-1。在配备有多个第一掩模230的情形下，多个第一掩模230可以彼此相邻地布置。然而为了便于说明，下面以一个第一掩模230完全遮蔽第一开口部211-1的方式布置的情形为中心进行详细说明。

第一掩模230可以布置在支撑部件220上。如上所述的第一掩模230可以包括：第一掩模主体部231，布置有第三开口部231-1；第一掩模焊接部234，与第一掩模主体部231连接；第一掩模虚设部235，与第一掩模焊接部234连接。可以配备有至少一个的第三开口部231-1。此时，第三开口部231-1可以布置为与第二开口部222-1对应。例如，在平面上观察时，第三开口部231-1可以被布置在第二开口部222-1的内部。在此情形下，第三开口部231-1的面积可以小于第二开口部222-1的面积。第三开口部231-1的形状可以是多样的。例如，第三开口部231-1的形状可以为多边形、圆形或者椭圆形中的一个。然而，为了便于说明，下面以第三开口部231-1的形状为圆形的情形为中心进行详细说明。

与支撑部件焊接部224相似，第一掩模焊接部234可以有阶梯差地形成。作为另一实施例，第一掩模焊接部234也可以形成为平坦的板形态。

第一掩模虚设部235可以包括第二虚设开口部233-1。在此情形下，第二虚设开口部233-1可以配备有多个，多个第二虚设开口部233-1可以彼此相隔地布置，并且在彼此相邻的第二虚设开口部233-1之间可以布置有第二连接部件233。这种第二连接部件233可以将第一掩模焊接部234和第一掩模虚设部235彼此连接。并且，当第一掩模230布置在掩模框架210时，凸出部212插入于第二虚设开口部233-1，从而可以最小化第一掩模230与凸出部212之间的干扰。尤其是在如上所述的情形下，可以将第一掩模230布置在支撑部件220上，并通过焊接将第一掩模230固定到支撑部件220和掩模框架210之后去除第一掩模焊接部234的一部分和第一掩模虚设部235。

第二掩模240可以布置在掩模框架210的第二安置面214。此时，可以配备有至少一个的第二掩模240。在此情形下，在第二掩模240配备有多个的情形下，多个第二掩模240可以彼此相邻地排列。例如，多个第二掩模240可以以沿第二方向彼此相邻地排列。此时，各第二掩模240的长度方向可以与第一方向相同或者平行。为了便于说明，下面以配备有多个第二掩模240的情形为中心进行详细说明。

如上所述的各第二掩模240可以被布置为遮蔽第一掩模230的至少一部分。在此情形下，各第二掩模240可以被布置为遮蔽沿第一方向排成一列的所有第三开口部231-1。在各第二掩模240的表面可以布置有多个第四开口部241。此时，多个第四开口部241可以彼此相隔地布置在各第二掩模240的大部分表面。作为另一实施例，也可以布置为多个第四开口部241中的一部分与第三开口部231-1对应。即，第四开口部241可以仅布置在平面上观察时第二掩模240的与第三开口部231-1重叠的区域。

第二掩模240可以在被施加了拉伸力的状态下固定到掩模框架210。此时，第二掩模240可以形成为条(stick)形态。第二掩模240可以以被拉伸的状态固定到掩模框架210。例如，第二掩模240的两端可以分别被安置在第二安置面214而通过焊接被固定。

因此，掩模组件200可以减少在制造工艺中各开口部的位置可变的情形。

图7和图8是示出图2所示的掩模组件的制造工艺的局部立体图。图9和图10是示出图2所示的掩模组件的制造工艺的平面图。

参考图7至图10，可以制造掩模框架210、支撑部件220、第一掩模230以及第二掩模240而进行准备。此时，可以以与所述图5和图6所示的形态相同的形态制造支撑部件220和第一掩模230。

参考图7，可以在掩模框架210布置支撑部件220。此时，支撑部件220可以以被拉伸的状态布置在掩模框架210。例如，可以将支撑部件220沿凸出部212的方向拉伸。在支撑部件220可以插入有凸出部212。在这种情形下，支撑部件220的支撑部件焊接部224可以被安置在第一安置面213，支撑部件虚设部225可以向凸出部212的外廓凸出。并且，凸出部212可以被插入第一虚设开口部223-1。

参考图8，可以在将如上所述的支撑部件220布置在掩模框架210上之后，在将第一掩模230拉伸的状态下布置在支撑部件220上。在如上所述的情形下，在第二开口部222-1上可以布置有第三开口部231-1。在布置有第一掩模230的情形下，在第二虚设开口部233-1可以插入有凸出部212。并且，第一掩模虚设部235可以布置在支撑部件虚设部225上，第二连接部件233可以布置在第一连接部件223上。

可以将如上所述的支撑部件220和第一掩模230固定到第一安置面213。此时，将支撑部件220和第一掩模230固定到第一安置面213的顺序可以是多样的。例如，作为一实施例，可以在将支撑部件220固定到第一安置面213之后将第一掩模230固定到支撑部件220上。此时，可以将支撑部件220拉伸而固定到掩模框架210之后，再次拉伸第一掩模230而布置在支撑部件220上，并在支撑部件220固定第一掩模230。作为另一实施例，也可以在将支撑部件220布置在掩模框架210上，将第一掩模230布置在支撑部件220上之后，将支撑部件220和第一掩模230同时固定到第一安置面213。为了便于说明，下面以将支撑部件220和第一掩模230同时固定到第一安置面213的情形为中心进行详细说明。

在如上所述地将支撑部件220和第一掩模230固定到掩模框架210之后可以去除支撑部件220的一部分和第一掩模230的一部分。具体地，可以去除支撑部件220的支撑部件焊接部224的一部分、支撑部件220的支撑部件虚设部225、第一掩模230的第一掩模焊接部234的一部分以及第一掩模230的第一掩模虚设部235。在此情形下，为了去除支撑部件220的一部分和第一掩模230的一部分，可以使用激光或者刀片等。此时，可以沿与第一狭槽213-1对应的第一切割线CL1将激光照射到第一掩模230以及支撑部件220或者通过刀片去除第一掩模230以及支撑部件220。

参考图9，可以在完成第一掩模230和支撑部件220的固定之后将第二掩模240拉伸而布置在掩模框架210上。此时，第二掩模240的两端可以布置在凸出部212上。

如果如上所述地布置第二掩模240，则可以将第二掩模240的布置在第二安置面214的上面的部分固定到第二安置面214。此时，第二掩模240可以通过焊接而被布置在第二安置面214。

如果如上所述地将第二掩模240固定到第二安置面214，则可以去除第二掩模240的两端的一部分。例如，可以通过沿与第二狭槽214-1对应的第二切割线CL2切割第二掩模240的两端部分而去除第二掩模240的两端。此时，去除第二掩模240的两端的方法可以如上所述地使用激光或者刀片等。

在如上所述的情形下，支撑部件220能够在上面说明的磁力生成部(未示出)工作时防止第一掩模230和第二掩模240的下垂。不仅如此，支撑部件220还可以最小化掩模框架210的变形。

因此，掩模组件的制造方法可以制造能够沉积精密的图案的掩模组件200。

图11是示出根据本发明的一实施例的显示装置的平面图。图12是沿图11的A-A'线截取的剖面图。

参照图11和图12，显示装置可以在基板21上限定显示区域DA，在显示区域DA的外廓限定非显示区域NDA。在显示区域DA布置有发光部，在非显示区域NDA可以布置有电源布线(未示出)等。并且，在非显示区域NDA可以布置有垫部C。此时，显示区域DA可以形成为多种形态。例如，显示区域DA可以是多边形、圆形或者椭圆形中的一种形态。为了便于说明，下面以显示区域DA为圆形的情形为中心进行详细说明。

显示装置20可以包括显示基板D以及封装部件(未示出)。此时，显示基板D可以包括基板21、薄膜晶体管TFT、钝化膜27以及像素电极28A。作为另一实施例，显示基板D也可以包括基板21、薄膜晶体管TFT、钝化膜27、像素电极28A以及中间层28B中的至少一个层。作为一实施例，所述封装部件可以包括：封装基板(未示出)，以与基板21相面对的方式布置；密封部件(未示出)，布置在基板21与所述封装基板之间。此时，布置在基板21上的有机发光元件28(organic light-emitting diode)可以被所述密封部件和所述封装基板密封。作为另一实施例，所述封装部件可以包括薄膜封装层E。为了便于说明，下面以显示基板D包括基板21、薄膜晶体管TFT、钝化膜27以及像素电极28A的情形为中心进行详细说明。并且，为了便于说明，以所述封装部件包括薄膜封装层E的情形为中心进行详细说明。

基板21可以包括玻璃或者高分子树脂。高分子树脂可以包括诸如聚醚砜(polyethersulfone)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)、聚醚酰亚胺(polyetherimide)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethyelenen napthalate)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethyeleneterepthalate)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide)、聚芳酯(polyarylate)、聚酰亚胺(polyimide)、聚碳酸酯(polycarbonate)或者醋酸丙酸纤维素(cellulose acetate propionate)的高分子树脂。包括高分子树脂的基板21可以具有柔性、可卷曲或者可折叠特性。基板21可以是具有包括包含前述的高分子树脂的层以及无机层(未示出)的多层结构。

在基板21上形成薄膜晶体管TFT，形成有钝化膜27以覆盖薄膜晶体管TFT，并在该钝化膜27上可以形成有有机发光元件28。

在基板21的上面还形成有利用有机化合物和/或无机化合物构成的缓冲层22，可以利用SiO_x(x≥1)、SiN_x(x≥1)形成。

在该缓冲层22上形成以预定图案排列的活性层23之后，活性层23通过栅极绝缘层24被掩埋。活性层23具有源极区域23A和漏极区域23C，在两者中间还包括沟道区域23B。

这种活性层23可以形成为包括多种物质。例如，活性层23可以包括诸如非晶硅或者结晶硅的无机半导体物质。作为另一示例，活性层23可以包括氧化物半导体。作为又一示例，活性层23可以包括有机半导体物质。然而，为了便于说明，下面以活性层23利用非晶硅形成的情形为中心进行详细说明。

这种活性层23可以通过如下方式形成：在缓冲层22上形成非晶硅膜之后将其结晶化而形成多晶硅膜，并图案化该多晶硅膜。所述活性层23根据驱动TFT(未示出)、开关TFT(未示出)等TFT种类，其源极区域23A和漏极区域23C通过杂质而被掺杂。

在栅极绝缘层24的上面形成有与活性层23对应的栅电极25和将其掩埋的层间绝缘层26。

并且，在层间绝缘层26和栅极绝缘层24形成接触孔H1之后，在层间绝缘层26上形成分别与源极区域23A和漏极区域23C接触的源电极27A和漏电极27B。

在这样形成的所述薄膜晶体管的上部形成有钝化膜27，在该钝化膜27上部形成有有机发光元件(OLED)28的像素电极28A。该像素电极28A通过形成在钝化膜27的过孔(viahole)H2与TFT的漏电极27B接触。所述钝化膜27可以形成为无机物和/或有机物、单层或者两个层以上，可以与下部膜的弯曲无关地形成为平坦化膜以使上面平坦，相反，也可以形成为沿着位于下部的膜的弯曲而弯曲。并且，该钝化膜27优选为利用透明绝缘体形成，以达成共振效果。

在钝化膜27上形成像素电极28A之后，可以通过有机物和/或无机物形成像素限定膜29以覆盖该像素电极28A和钝化膜27，并且所述像素限定膜29被开口以暴露像素电极28A。

并且，至少在所述像素电极28A上形成中间层28B以及对电极28C。作为另一实施例，对电极28C也可以形成在显示基板D的全部表面。在此情形下，对电极28C可以形成在中间层28B、像素限定膜29上。为了便于说明，下面以对电极28C形成在中间层28B、像素限定膜29上的情形为中心进行详细说明。

像素电极28A起到阳电极的作用，对电极28C起到阴电极的作用，当然，这些像素电极28A和对电极28C的极性即便相反也无妨。

像素电极28A和对电极28C通过所述中间层28B而彼此绝缘，并且向中间层28B施加彼此不同的极性的电压而实现在有机发光层的发光。

中间层28B可以配备有机发光层。作为选择性的其他示例，中间层28B配备有机发光层(organic emission layer)，此外还可以配备空穴注入层(HIL：hole injectionlayer)、空穴传输层(hole transport layer)、电子传输层(electron transport layer)以及电子注入层(electron injection layer)中的至少一个。本实施例并不限于此，中间层28B配备有有机发光层，还可以配备有其他多种功能层(未示出)。

如上所述的中间层28B可以配备有多个，多个中间层28B可以形成显示区域DA。此时，多个中间层28B可以布置为在显示区域DA内部彼此相隔。

此外，一个单位像素由多个子像素构成，多个子像素可以发出多种颜色的光。例如，多个子像素分别可以配备发出红色、绿色以及蓝色的光的子像素，并且可以配备发出红色、绿色、蓝色以及白色的光的子像素(未示出)。这些各子像素可以分别包括在上方说明的像素电极28A、中间层28B以及对电极28C。

在上方说明的显示装置的制造装置可以在显示基板D形成中间层28B所包括的至少一个层中的至少一个。具体地，显示装置的制造装置100可以形成中间层28B中的有机发光层、空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层以及功能层中的至少一个。

此外，薄膜封装层E可以包括多个无机层或者包括无机层以及有机层。

薄膜封装层E的所述有机层可以包括聚合物(polymer)系列的物质。聚合物系列的材料可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸系树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)或者其任意组合。

薄膜封装层E的所述无机层可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一个以上的无机绝缘物质。

薄膜封装层E中向外部暴露的最上层可以利用无机层形成，以防止湿气渗透到有机发光元件。

薄膜封装层E可以包括在至少两个无机层之间插入有至少一个有机层的至少一个三明治结构。作为另一示例，薄膜封装层E可以包括在至少两个有机层之间插入有至少一个无机层的至少一个三明治结构。作为又一示例，薄膜封装层E还可以包括在至少两个无机层之间插入有至少一个有机层的三明治结构以及在至少两个有机层之间插入有至少一个无机层的三明治结构。

薄膜封装层E可以从有机发光元件(OLED)28的上部依次包括第一无机层、第一有机层、第二无机层。

作为另一示例，薄膜封装层E可以从有机发光元件(OLED)28的上部依次包括第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层、第三无机层。

作为又一示例，薄膜封装层E可以从所述有机发光元件(OLED)28的上部依次包括第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层、第三无机层、第三有机层、第四无机层。

在有机发光元件(OLED)28和第一无机层之间可以额外包括包含LiF的卤化金属层。所述卤化金属层可以在以溅射方式形成第一无机层时防止所述有机发光元件(OLED)28损伤。

第一有机层的面积可以比第二无机层窄，所述第二有机层的面积也可以比第三无机层窄。

在如上所述地配备有多个无机层的情形下，无机层可以以在显示装置20的边角区域彼此直接接触的方式沉积，并且可以使有机层不被暴露到外部。

因此，显示装置20可以呈现精密的图像。

本发明虽然参考附图中示出的一实施例进行了说明，但其仅为示例性的，只要是在本领域中具有普通知识的技术人员，便可以理解能够据此实现多种变形以及实施例的变形。因此，本发明的真正的技术保护范围应当根据所记载的权利要求书的技术思想而被确定。