阅读说明：本技术 一种内引脚粗化工艺 (Inner pin coarsening process ) 是由 马文龙 康亮 康小明 孙飞鹏 于 2021-07-12 设计创作，主要内容包括：本发明,公开了一种内引脚粗化工艺,属于引线框架粗化技术领域,其工艺步骤如下：(1)除油；(2)三级水洗；(3)酸洗；(4)三级水洗；(5)风切；(6)上干膜；(7)曝光；(8)斩板；(9)显影；(10)蚀刻；(11)三级水洗；(12)粗化；(13)三级水洗；(14)酸洗；(15)三级水洗；(16)退膜；(17)三级水洗；(18)酸洗；(19)三级水洗；(20)吸干；(21)烘干；蚀刻完成后进行粗化,可以在不借助任何其他元素的条件下实现内引脚粗化,且内引脚的尺寸不会发生变化,整条框架经过蚀刻药水的腐蚀,再次粗化时减少粗化面积,从而降低生产成本。(The invention discloses an inner pin coarsening process, belonging to the technical field of coarsening of lead frames, which comprises the following process steps: (1) removing oil; (2) washing with water in a third stage; (3) acid washing; (4) washing with water in a third stage; (5) wind cutting; (6) applying a dry film; (7) exposing; (8) chopping the plate; (9) developing; (10) etching; (11) washing with water in a third stage; (12) coarsening; (13) washing with water in a third stage; (14) acid washing; (15) washing with water in a third stage; (16) removing the film; (17) washing with water in a third stage; (18) acid washing; (19) washing with water in a third stage; (20) sucking to dry; (21) drying; coarsening is carried out after etching is finished, coarsening of the inner pins can be realized without any other elements, the size of the inner pins cannot be changed, and the coarsening area is reduced when the whole frame is coarsened again through corrosion of etching liquid medicine, so that the production cost is reduced.)

一种内引脚粗化工艺

技术领域

本发明属于引线框架粗化技术领域，具体涉及一种内引脚粗化工艺。

背景技术

IC引线框架用来作为芯片载体，并通过引线键和(键合金线或铜线)使芯片内部电路通过引线框架上的引脚与外部PCB电路连接，是半导体封装重要的部件。在完整的IC封装体中，引线框架起着固定芯片、传递电路信号、提供散热路径，同时对芯片电路结构起保护作用。因为集成电路的可靠性等级往往是由多个因素决定，但集成电路芯片的封装工艺对引线框架的要求就比较高，并且引线框架的性能对于提升MSL可靠性等级起着主导作用。近年来越来越多的半导体封装客户要求集成电路芯片的可靠性必须达到MSL1级的要求，其中关键的改善在于提高引线框架与封装树脂的结合强度。实现提高芯片可靠性的方法就是增加引线框架表面的粗糙度，通过机械互锁原理从而增强引线框架基材与封装树脂的结合力，避免在MSL1级可靠性试验中，出现“爆米花效应”导致引线框架与封装树脂分层的失效模式。

引线框架蚀刻完成后需要粗化处理，粗化处理后可得到内引脚粗化，粗化后增加封装可靠性，目前的工艺主要以表面粗化、镀粗铜和棕化工艺为主来实现表面凹凸形状以增加封装可靠性，随着封装技术要求更高，分层框架越来越多，因此需要为了改变这一现状对引线框架内引脚粗化工艺进行优化。

发明内容

为解决上述背景技术中提出的问题，本发明提供了一种内引脚粗化工艺，通过使整条框架经过蚀刻药水的腐蚀，再次粗化时可减少粗化面积，从而降低生产成本。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种内引脚粗化工艺，其工艺步骤如下：(1)除油；(2)三级水洗；(3)酸洗；(4)三级水洗；(5)风切；(6)上干膜；(7)曝光；(8)斩板；(9)显影；(10)蚀刻；(11)三级水洗；(12)粗化；(13)三级水洗；(14)酸洗；(15)三级水洗；(16)退膜；(17)三级水洗；(18)酸洗；(19)三级水洗；(20)吸干；(21)烘干。

为了在粗化过程中保持蚀刻溶液的稳定性，作为本发明一种内引脚粗化工艺优选的，所述步骤(12)粗化过程中使用酸洗粗化液浸泡引线框架，酸洗粗化液主要成分包括甲酸、氯化铜、氯化钠、氯化铵、乙二胺、柠檬酸盐、酒石酸盐。

为了提高粗化药水测量的准确性，作为本发明一种内引脚粗化工艺优选的，所述酸洗粗化药水测量方式采用EDTA滴定法。

为了延长粗化缸体设备的使用寿命，作为本发明一种内引脚粗化工艺优选的，所述步骤(12)粗化过程中使用缸体设备材质为钛金属。

为了方便缸体设备压力适用于不同大小的框架进行粗化工作，作为本发明一种内引脚粗化工艺优选的，所述缸体设备压力可根据框架大小进行调节。

与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：

1)生产过程中，引线框架蚀刻完成后完全暴露内引脚，将整体引线框架浸泡在酸洗粗化液中进行粗化，进而在不借助任何其他元素的条件下实现内引脚粗化，内引脚与引线框架表面同时粗化后粗化效果相同，进而避免了内引脚尺寸变化的现象；

2)将粗化步骤安排在蚀刻步骤之后进行，整条框架经过蚀刻药水的腐蚀，再次粗化时可减少引线框架粗化的面积，以便减少对酸洗粗化液的浪费，从而降低生产成本。

附图说明

图1是本发明的引线框架内引脚粗化工艺流程图。

图2是传统的引线框架粗化工艺流程图。

具体实施方式

下面将结合附图以及具体实施例来详细说明本发明，在此本发明的示意性实施例以及说明来解释本发明，但并不作为对本发明的限定。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

请参阅图1-2，本发明提供以下技术方案：一种内引脚粗化工艺，其工艺步骤如下：(1)除油；(2)三级水洗；(3)酸洗；(4)三级水洗；(5)风切；(6)上干膜；(7)曝光；(8)斩板；(9)显影；(10)蚀刻；(11)三级水洗；(12)粗化；(13)三级水洗；(14)酸洗；(15)三级水洗；(16)退膜；(17)三级水洗；(18)酸洗；(19)三级水洗；(20)吸干；(21)烘干。

本实施例中：生产过程中，引线框架蚀刻完成后完全暴露内引脚，将整体引线框架浸泡在酸洗粗化液中进行粗化，进而在不借助任何其他元素的条件下实现内引脚粗化，内引脚与引线框架表面同时粗化后粗化效果相同，进而避免了内引脚尺寸变化的现象，将粗化步骤安排在蚀刻步骤之后进行，可减少引线框架粗化的面积，以便减少对酸洗粗化液的浪费。

作为本发明的一种技术优化方案，所述步骤(12)粗化过程中使用酸洗粗化液浸泡引线框架，酸洗粗化液主要成分包括甲酸、氯化铜、氯化钠、氯化铵、乙二胺、柠檬酸盐、酒石酸盐，所述酸洗粗化药水测量方式采用EDTA滴定法。

本实施例中：EDTA滴定法亦称"乙二胺四乙酸滴定法"，乙二胺四乙酸是一种很强的络合剂,能和许多金属离子形成稳定的络合物，利用它和金属离子的络合反应为基础,采用金属指示剂的变色或电学、光学方法确定滴定终点,根据标准溶液的用量计算被测物质的含量；测量酸洗粗化药水后，将蚀刻后的引线框架置入酸洗粗化液中浸泡35分钟，乙二胺用于与铜离子或亚铜离子络合形成络合物，参与腐蚀反应，并保持蚀刻溶液的稳定，粗化液中无铜离子时，微蚀速度很慢，微蚀深度浅，二水合氯化铜使微蚀速度趋于稳定，氯化钠和氯化铵用于控制蚀刻速度，提高蚀刻效率。

作为本发明的一种技术优化方案，所述步骤(12)粗化过程中使用缸体设备材质为钛金属，所述缸体设备压力可根据框架大小进行调节。

本实施例中：钛金属外观似钢，钛具有强度大，密度小，硬度大，熔点高的特点，同时钛有很强的耐酸碱腐蚀能力，可在海水中浸5年不锈蚀，通过设置缸体设备材质为钛金属可延长设备的使用寿命。

以上对本发明实施例所提供的技术方案进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明实施例的原理以及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只适用于帮助理解本发明实施例的原理；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明实施例，在具体实施方式以及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。