一种应用于激光雷达的电源板

文档序号:1941065 发布日期:2021-12-07 浏览:16次 >En<

阅读说明:本技术 一种应用于激光雷达的电源板 (Power panel applied to laser radar ) 是由 杨少辰 龙传德 朱威威 于 2021-09-28 设计创作,主要内容包括:本申请公开了一种应用于激光雷达的电源板,该电源板通过各个电压转换模块在对应的驱动信号接收端口的信号控制下,将24V直流电源输出模块所提供的24V直流电压转换为激光雷达当前所需的直流或交流电压;另外,该电源板通过继电器驱动模块在对应的驱动信号接收端口的信号控制下和24V直流电源输出模块的供电下,产生继电器控制信号以驱动对应的继电器从而驱动当前工作模式下的所述激光雷达。由于该电源板只需要一个24V直流电源输出模块进行供电,占用空间更小,有利于供电电路的整体集成化。(The application discloses a power panel applied to a laser radar, which converts 24V direct current voltage provided by a 24V direct current power output module into direct current or alternating current voltage required by the laser radar currently under the control of signals of corresponding driving signal receiving ports through various voltage conversion modules; in addition, the power panel generates a relay control signal to drive a corresponding relay through the relay driving module under the signal control of a corresponding driving signal receiving port and the power supply of the 24V direct current power supply output module, so as to drive the laser radar in the current working mode. Because the power panel only needs one 24V direct current power supply output module for supplying power, the occupied space is smaller, and the power panel is beneficial to the integral integration of a power supply circuit.)

一种应用于激光雷达的电源板

技术领域

本申请涉及激光雷达设备领域,特别涉及一种应用于激光雷达的电源板。

背景技术

激光雷达,是以发射激光束探测目标的位置、速度等特征量的雷达系统。其工作原理是向目标发射探测信号,然后将接收到的从目标反射回来的目标回波与发射信号进行比较,作适当处理后,就可获得目标的有关信息,如目标距离、方位、高度、速度、姿态、甚至形状等参数,从而对飞机、导弹等目标进行探测、跟踪和识别。用激光器作为发射光源,采用光电探测技术手段的主,激光雷达是激光技术与现代光电探测技术结合的先进探测方式,由发射系统、接收系统、信息处理等部分组成。发射系统是各种形式的激光器,如二氧化碳激光器、掺钕钇铝石榴石激光器、半导体激光器及波长可调谐的固体激光器以及光学扩束单元等组成;接收系统采用望远镜和各种形式的光电探测器,如光电倍增管、半导体光电二极管、雪崩光电二极管、红外和可见光多元探测器件等组合。

激光雷达在不同工作模式下的供电需求不同,因此激光雷达的供电系统需要根据当前的工作模式控制输出对应需求的电压,为激光雷达供电。但是现有的供电控制电路控制流程复杂、占用空间大,不利于供电电路的整体集成化。

发明内容

本申请的目的在于提供一种应用于激光雷达的电源板,其能够改善上述问题。

本申请的实施例是这样实现的:

本申请提供一种应用于激光雷达的电源板,其包括:

电源模块、驱动信号接收端、24V直流电源输出模块、锁存器、继电器驱动模块和多个电压转换模块;

所述电源模块用于为所述电源板上的其他器件供电;

所述驱动信号接收端包括多个驱动信号接收端口,所述驱动信号接收端口的数量与所述电压转换模块的数量一致;各个所述驱动信号接收端口分别与所述锁存器的各个输入端电连接,所述锁存器的各个输出端分别与对应的所述电压转换模块或所述继电器驱动模块的控制端电连接;

各个所述电压转换模块的电压输入端均与所述24V直流电源输出模块的输出端电连接,用于在所述控制端的控制下将所述24V直流电源输出模块的输出电压转换成对应的目标电压为激光雷达供电;

各个所述继电器驱动模块的电压输入端均与所述24V直流电源输出模块的输出端电连接,用于在所述控制端的控制下产生继电器控制信号以驱动对应的继电器从而驱动所述激光雷达。

可以理解,本申请公开了一种应用于激光雷达的电源板,该电源板通过各个电压转换模块在对应的驱动信号接收端口的信号控制下,将24V直流电源输出模块所提供的24V直流电压转换为激光雷达当前所需的直流或交流电压;另外,该电源板通过继电器驱动模块在对应的驱动信号接收端口的信号控制下和24V直流电源输出模块的供电下,产生继电器控制信号以驱动对应的继电器从而驱动当前工作模式下的所述激光雷达。由于该电源板只需要一个24V直流电源输出模块进行供电,占用空间更小,有利于供电电路的整体集成化。

在本申请可选的实施例中,电源模块包括5V电压供应模块和3.3V电压供应模块;5V电压供应模块的输入端与24V直流电源输出模块的输出端电连接,3.3V电压供应模块的输入端与5V电压供应模块的输出端电连接。

其中,5V电压供应模块通过型号为TPS54302DDCR的开关稳压器将24V直流电源输出模块所输出的24V直流电压转换为5V直流电压,用于为电源板上的其他器件供电;3.3V电压供应模块通过型号为TPS563249DDCR的开关稳压器将5V电压供应模块所输出的5V直流电压继续转换为3.3V直流电压,用于为电源板上的其他器件供电。

在本申请可选的实施例中,所述驱动信号接收端包括:12V直流电驱动信号接收端口、5V直流电驱动信号接收端口、220V交流电驱动信号接收端口和继电器驱动信号接收端口;所述电压转换模块包括220V交流电电压转换模块、12V直流电电压转换模块和5V直流电电压转换模块。

其中,220V交流电电压转换模块用于在220V交流电驱动信号接收端口的信号控制下,将24V直流电源输出模块所提供的24V直流电压转换为激光雷达当前所需的220V交流电压;12V直流电电压转换模块用于在12V直流电驱动信号接收端口的信号控制下,将24V直流电源输出模块所提供的24V直流电压转换为激光雷达当前所需的12V直流电压;5V直流电电压转换模块用于在5V直流电驱动信号接收端口的信号控制下,将24V直流电源输出模块所提供的24V直流电压转换为激光雷达当前所需的5V直流电压;继电器驱动模块用于在继电器驱动信号接收端口的信号控制下产生继电器控制信号以驱动对应的继电器从而驱动所述激光雷达。

在本申请可选的实施例中,所述220V交流电电压转换模块包括第一正输入端、第一负输入端、第一正输出端、第一负输出端、第一控制端、交流模块电阻、第一P型MOS场效应管、第一N型MOS场效应管、第一双极结型晶体管和交流模块电容;

所述第一控制端与所述220V交流电驱动信号接收端口电连接;所述第一正输入端和所述第一负输入端与所述24V直流电源输出模块电连接;

所述第一正输入端与所述第一双极结型晶体管的发射极电连接,所述第一双极结型晶体管的发射极与基极之间并联有两个所述交流模块电阻,所述第一双极结型晶体管的基极和集电极之间并联有一个所述交流模块电阻;

所述第一双极结型晶体管的基极与所述第一P型MOS场效应管的源极电连接,所述第一双极结型晶体管的集电极与所述第一P型MOS场效应管的栅极电连接,所述第一P型MOS场效应管的漏极与所述第一正输出端电连接;

所述第一P型MOS场效应管的栅极和所述第一负输入端之间电连接有一个所述交流模块电阻,所述第一负输入端与所述第一N型MOS场效应管的源极电连接,所述第一N型MOS场效应管的漏极与所述第一负输出端电连接,所述第一N型MOS场效应管的栅极和源极之间并联有一个所述交流模块电阻和一个所述交流模块电容。所述第一N型MOS场效应管的栅极通过一个所述交流模块电阻与所述所述第一控制端电连接。

其中,所述第一P型MOS场效应管和所述第一N型MOS场效应管的源极和漏极之间均电连接有一个所述交流模块二极管。

其中,第一P型MOS场效应管为P沟道增强型金属氧化物合成半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor,MOSFET),第一N型MOS场效应管为N沟道增强型MOS场效应管。

其中,第一双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor,BJT)为PNP型BJT管。

在本申请可选的实施例中,所述12V直流电电压转换模块包括型号为KUB48-QB-10A的第一电压转换芯片;所述第一电压转换芯片的控制端为第二控制端,所述第二控制端与所述12V直流电驱动信号接收端口电连接;所述第一电压转换芯片的正输入端和负输入端分别为第二正输入端和第二负输入端;所述第二正输入端和所述第二负输入端与所述24V直流电源输出模块电连接;所述第一电压转换芯片的正输出端和负输出端分别为第二正输出端和第二负输出端,所述第二负输出端接地。

其中,KUB48-QB-10A系列产品输出电流为10A,宽电压输入范围,效率高达97%,允许工作温度为-40℃至85℃,有输入欠压保护、输出短路保护、输出过流保护功能,广泛应用于机器人、电池供电设备等领域。

在本申请可选的实施例中,所述5V直流电电压转换模块包括型号为VRB-LD-30WR3的第二电压转换芯片;所述第二电压转换芯片的控制端为第三控制端,所述第三控制端与所述5V直流电驱动信号接收端口电连接;所述第二电压转换芯片的正输入端和负输入端分别为第三正输入端和第三负输入端;所述第三正输入端和所述第三负输入端与所述24V直流电源输出模块电连接;所述第二电压转换芯片的正输出端和负输出端分别为第三正输出端和第三负输出端,所述第三负输出端接地。

其中,VRB-LD-30WR3系列产品输出功率为30W,2:1宽电压输入范围,效率高达90%,1500VDC的常规隔离电压,允许工作温度为-40℃至80℃,有输出短路保护、输出过压保护、输出过流保护功能,广泛应用于数据传输设备、电池驱动设备、通讯设备、分布式电源系统等领域。

在本申请可选的实施例中,所述继电器驱动模块包括第四正输入端、第四负输入端、第四正输出端、第四负输出端、第四控制端、继电器驱动模块电阻、第二P型MOS场效应管、第二N型MOS场效应管、第二双极结型晶体管和继电器驱动模块电容;

所述第四控制端与所述继电器驱动信号接收端口电连接;所述第四正输入端和所述第四负输入端与所述24V直流电源输出模块电连接;所述第四正输出端和所述第四负输出端用于控制对应的继电器;

所述第四正输入端与所述第二双极结型晶体管的发射极电连接,所述第二双极结型晶体管的发射极与基极之间并联有两个所述继电器驱动模块电阻,所述第二双极结型晶体管的基极和集电极之间并联有一个所述继电器驱动模块电阻;

所述第二双极结型晶体管的基极与所述第二P型MOS场效应管的源极电连接,所述第二双极结型晶体管的集电极与所述第二P型MOS场效应管的栅极电连接,所述第二P型MOS场效应管的漏极与所述第四正输出端电连接;

所述第二P型MOS场效应管的栅极和所述第四负输入端之间电连接有一个所述继电器驱动模块电阻,所述第四负输入端与所述第二N型MOS场效应管的源极电连接,所述第二N型MOS场效应管的漏极与所述第四负输出端电连接,所述第二N型MOS场效应管的栅极和源极之间并联有一个所述继电器驱动模块电阻和一个所述继电器驱动模块电容。所述第二N型MOS场效应管的栅极与所述第四控制端电连接

其中,所述第二P型MOS场效应管和所述第二N型MOS场效应管的源极和漏极之间均电连接有一个所述继电器驱动模块二极管。

其中,第二P型MOS场效应管为P沟道增强型MOS场效应晶体管,第二N型MOS场效应管为N沟道增强型MOS场效应管。

其中,第二双极结型晶体管为PNP型BJT管。

在本申请可选的实施例中,所述驱动信号接收端还包括锁存器使能控制信号接收端口,所述锁存器使能控制信号接收端口与所述锁存器的使能端电连接。可以理解,锁存器在锁存器使能控制信号接收端口的信号控制下开启。

在本申请可选的实施例中,所述驱动信号接收端还包括继电器控制信号接收端口;所述电源板还包括继电器控制模块;所述继电器控制模块的输入端与所述继电器控制信号接收端口电连接,所述继电器控制模块用于根据所述继电器控制信号接收端口所接收的继电器控制信号控制所述继电器控制模块中的目标继电器运行,从而驱动所述激光雷达。

其中,所述继电器控制模块包括继电器控制模块电阻、继电器控制模块电容、目标继电器和继电器驱动芯片;所述继电器驱动芯片的两个信号输入端分别与对应的两个所述继电器控制信号接收端口电连接,所述继电器驱动芯片的两个信号输出端分别与所述目标驱动器的两个输入控制端电连接。其中,所述继电器驱动芯片的型号为BL8023F。

有益效果:

本申请公开了一种应用于激光雷达的电源板,该电源板通过各个电压转换模块在对应的驱动信号接收端口的信号控制下,将24V直流电源输出模块所提供的24V直流电压转换为激光雷达当前所需的直流或交流电压;另外,该电源板通过继电器驱动模块在对应的驱动信号接收端口的信号控制下和24V直流电源输出模块的供电下,产生继电器控制信号以驱动对应的继电器从而驱动当前工作模式下的所述激光雷达。由于该电源板只需要一个24V直流电源输出模块进行供电,占用空间更小,有利于供电电路的整体集成化。

为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举可选实施例,并配合所附附图,作详细说明如下。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本申请的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1是本申请提供的一种应用于激光雷达的电源板的结构示意图;

图2是5V电压供应模块的结构示意图;

图3是3.3V电压供应模块的结构示意图;

图4是220V交流电电压转换模块的结构示意图;

图5是12V直流电电压转换模块的结构示意图;

图6是5V直流电电压转换模块的结构示意图;

图7是第一继电器驱动模块的结构示意图;

图8是继电器控制模块的结构示意图。

附图标号:

驱动信号接收端10、24V直流电源输出模块20、锁存器30、第一继电器驱动模块40、220V交流电电压转换模块51、12V直流电电压转换模块52、5V直流电电压转换模块53、5V电压供应模块61、3.3V电压供应模块62、继电器控制模块70、继电器驱动芯片71、目标继电器72。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。

如图1所示,本申请提供一种应用于激光雷达的电源板,其包括:电源模块(图中未示出)、驱动信号接收端10、24V直流电源输出模块20、锁存器30、继电器驱动模块和多个电压转换模块。电源模块用于为电源板上的其他器件供电。

图1中示出了4个继电器驱动模块:第一继电器驱动模块40、第二继电器驱动模块、第三继电器驱动模块和第四继电器驱动模块,后续说明中,以第一继电器驱动模块40为例进行介绍。

驱动信号接收端10包括多个驱动信号接收端口P0至P8,驱动信号接收端口的数量与电压转换模块的数量一致;各个驱动信号接收端口分别与锁存器30的各个输入端电连接,锁存器30的各个输出端分别与对应的电压转换模块或继电器驱动模块40的控制端电连接。其中,锁存器30的各个输入端可以通过分压电阻R与对应的驱动信号接收端口电连接,锁存器30的各个输出端也可以通过分压电阻R与对应的电压转换模块或继电器驱动模块40电连接。

各个电压转换模块的电压输入端均与24V直流电源输出模块20的输出端电连接,用于在控制端的控制下将24V直流电源输出模块20的输出电压转换成对应的目标电压为激光雷达供电。

各个继电器驱动模块40的电压输入端均与24V直流电源输出模块20的输出端电连接,用于在控制端的控制下产生继电器控制信号以驱动对应的继电器从而驱动激光雷达。

可以理解,本申请公开了一种应用于激光雷达的电源板,该电源板通过各个电压转换模块在对应的驱动信号接收端口的信号控制下,将24V直流电源输出模块20所提供的24V直流电压转换为激光雷达当前所需的直流或交流电压;另外,该电源板通过继电器驱动模块40在对应的驱动信号接收端口的信号控制下和24V直流电源输出模块20的供电下,产生继电器控制信号以驱动对应的继电器从而驱动当前工作模式下的激光雷达。由于该电源板只需要一个24V直流电源输出模块20进行供电,占用空间更小,有利于供电电路的整体集成化。

在本申请可选的实施例中,驱动信号接收端10包括:12V直流电驱动信号接收端口P5和P6、5V直流电驱动信号接收端口P7、220V交流电驱动信号接收端口P4和继电器驱动信号接收端口P0至P3;电压转换模块包括220V交流电电压转换模块51、12V直流电电压转换模块52和5V直流电电压转换模块53。

图1中示出了一个220V交流电电压转换模块51、一个5V直流电电压转换模块53和两个12V直流电电压转换模块52。

其中,220V交流电电压转换模块51用于在220V交流电驱动信号接收端口P4的信号控制下,将24V直流电源输出模块20所提供的24V直流电压转换为激光雷达当前所需的220V交流电压;12V直流电电压转换模块52用于在12V直流电驱动信号接收端口P5的信号控制下,将24V直流电源输出模块20所提供的24V直流电压转换为激光雷达当前所需的12V直流电压;5V直流电电压转换模块53用于在5V直流电驱动信号接收端口P7的信号控制下,将24V直流电源输出模块20所提供的24V直流电压转换为激光雷达当前所需的5V直流电压;继电器驱动模块40用于在继电器驱动信号接收端口P0的信号控制下产生继电器控制信号以驱动对应的继电器从而驱动激光雷达。

在本申请可选的实施例中,如图2和图3所示,电源模块包括5V电压供应模块61和3.3V电压供应模块62;5V电压供应模块61的输入端与24V直流电源输出模块20的输出端电连接,3.3V电压供应模块62的输入端与5V电压供应模块61的输出端电连接。

其中,5V电压供应模块61通过型号为TPS54302DDCR的开关稳压器将24V直流电源输出模块20所输出的24V直流电压转换为5V直流电压,用于为电源板上的其他器件供电;3.3V电压供应模块62通过型号为TPS563249DDCR的开关稳压器将5V电压供应模块61所输出的5V直流电压继续转换为3.3V直流电压,用于为电源板上的其他器件供电。

在本申请可选的实施例中,如图4所示,220V交流电电压转换模块51包括第一正输入端A1、第一负输入端A2、第一正输出端A3、第一负输出端A4、第一控制端A0、交流模块电阻r1、第一P型MOS场效应管T11、第一N型MOS场效应管T12、第一双极结型晶体管T13和交流模块电容C1。第一控制端A0与220V交流电驱动信号接收端口P4电连接。

第一正输入端A1和第一负输入端A2与24V直流电源输出模块20电连接;第一正输入端A1与第一双极结型晶体管T13的发射极电连接,第一双极结型晶体管T13的发射极与基极之间并联有两个交流模块电阻r1,第一双极结型晶体管T13的基极和集电极之间并联有一个交流模块电阻r1。

第一双极结型晶体管T13的基极与第一P型MOS场效应管T11的源极电连接,第一双极结型晶体管T13的集电极与第一P型MOS场效应管T11的栅极电连接,第一P型MOS场效应管T11的漏极与第一正输出端A3电连接。

第一P型MOS场效应管T11的栅极和第一负输入端A2之间电连接有一个交流模块电阻r1,第一负输入端A2与第一N型MOS场效应管T12的源极电连接,第一N型MOS场效应管T12的漏极与第一负输出端A4电连接,第一N型MOS场效应管T12的栅极和源极之间并联有一个交流模块电阻r1和一个交流模块电容C1。所述第一N型MOS场效应管T12的栅极通过一个所述交流模块电阻与所述所述第一控制端A0电连接。

其中,第一P型MOS场效应管T11和第一N型MOS场效应管T12的源极和漏极之间均电连接有一个交流模块二极管D1。

其中,第一P型MOS场效应管T11为P沟道增强型金属氧化物合成半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor,MOSFET),第一N型MOS场效应管T12为N沟道增强型MOS场效应管。

其中,第一双极结型晶体管T13(Bipolar Junction Transistor,BJT)为PNP型BJT管。

在本申请可选的实施例中,如图5所示,12V直流电电压转换模块52包括型号为KUB48-QB-10A的第一电压转换芯片;第一电压转换芯片的控制端为第二控制端Ctrl,第二控制端Ctrl与12V直流电驱动信号接收端口P5电连接;第一电压转换芯片的正输入端和负输入端分别为第二正输入端+Vin和第二负输入端-Vin;第二正输入端+Vin和第二负输入端-Vin与24V直流电源输出模块20电连接;第一电压转换芯片的正输出端和负输出端分别为第二正输出端+Vo和第二负输出端-Vo,第二负输出端接地。

其中,KUB48-QB-10A系列产品输出电流为10A,宽电压输入范围,效率高达97%,允许工作温度为-40℃至85℃,有输入欠压保护、输出短路保护、输出过流保护功能,广泛应用于机器人、电池供电设备等领域。

在本申请可选的实施例中,如图6所示,5V直流电电压转换模块53包括型号为VRB-LD-30WR3的第二电压转换芯片;第二电压转换芯片的控制端为第三控制端Ctrl,第三控制端Ctrl与5V直流电驱动信号接收端口P7电连接;第二电压转换芯片的正输入端和负输入端分别为第三正输入端+Vin和第三负输入端-Vin;第三正输入端+Vin和第三负输入端-Vin与24V直流电源输出模块20电连接,第三输入端-Vin接地;第二电压转换芯片的正输出端和负输出端分别为第三正输出端+Vo和第三负输出端-Vo,第三输出端-Vo接地。

其中,VRB-LD-30WR3系列产品输出功率为30W,2:1宽电压输入范围,效率高达90%,1500VDC的常规隔离电压,允许工作温度为-40℃至80℃,有输出短路保护、输出过压保护、输出过流保护功能,广泛应用于数据传输设备、电池驱动设备、通讯设备、分布式电源系统等领域。

在本申请可选的实施例中,如图7所示,继电器驱动模块40包括第四正输入端B1、第四负输入端B2、第四正输出端B3、第四负输出端B4、第四控制端B0、继电器驱动模块电阻r2、第二P型MOS场效应管T21、第二P型MOS场效应管T22、第二双极结型晶体管T23和继电器驱动模块电容C2。

第四控制端B0与继电器驱动信号接收端口P0电连接;第四正输入端B1和第四负输入端B2与24V直流电源输出模块20电连接;第四正输出端B3和第四负输出端B4用于控制对应的继电器。

第四正输入端B1与第二双极结型晶体管T23的发射极电连接,第二双极结型晶体管T23的发射极与基极之间并联有两个继电器驱动模块电阻r2,第二双极结型晶体管T23的基极和集电极之间并联有一个继电器驱动模块电阻r2。

第二双极结型晶体管T23的基极与第二P型MOS场效应管T21的源极电连接,第二双极结型晶体管T23的集电极与第二P型MOS场效应管T21的栅极电连接,第二P型MOS场效应管T21的漏极与第四正输出端B3电连接。

第二P型MOS场效应管T21的栅极和第四负输入端B2之间电连接有一个继电器驱动模块电阻r2,第四负输入端B2与第二P型MOS场效应管T22的源极电连接,第二P型MOS场效应管T22的漏极与第四负输出端B4电连接,第二P型MOS场效应管T22的栅极和源极之间并联有一个继电器驱动模块电阻r2和一个继电器驱动模块电容C2。,所述第二N型MOS场效应管T22的栅极与所述第四控制端电连接。

其中,第二P型MOS场效应管T21和第二P型MOS场效应管T22的源极和漏极之间均电连接有一个继电器驱动模块40二极管。

其中,第二P型MOS场效应管T21为P沟道增强型MOS场效应晶体管,第二P型MOS场效应管T22为N沟道增强型MOS场效应管。

其中,第二双极结型晶体管T23为PNP型BJT管。

在本申请可选的实施例中,驱动信号接收端10还包括锁存器使能控制信号接收端口P8,锁存器使能控制信号接收端口P8与锁存器30的使能端LE电连接。可以理解,锁存器30在锁存器使能控制信号接收端口P8的信号控制下开启。其中,锁存器30的型号可以是74HC573PW。

在本申请可选的实施例中,如图8所示,驱动信号接收端10还包括继电器控制信号接收端口P9和P10;电源板还包括继电器控制模块70;继电器控制模块70的输入端分别与继电器控制信号接收端口P9和P10电连接,继电器控制模块70用于根据继电器控制信号接收端口P9和P10所接收的继电器控制信号控制继电器控制模块70中的目标继电器72运行,从而驱动激光雷达。

其中,继电器控制模块70包括继电器控制模块电阻r3、继电器控制模块电容C3、目标继电器72和继电器驱动芯片71;继电器驱动芯片71的两个信号输入端A和B分别与对应的两个继电器控制信号接收端口电连接,继电器驱动芯片71的两个信号输出端OA和OB分别与目标驱动器的两个输入控制端电连接。其中,继电器驱动芯片71的型号可以是BL8023F,目标继电器72的型号可以是HF3FI/5-1HL1T。

有益效果:

本申请公开了一种应用于激光雷达的电源板,该电源板通过各个电压转换模块在对应的驱动信号接收端口的信号控制下,将24V直流电源输出模块20所提供的24V直流电压转换为激光雷达当前所需的直流或交流电压;另外,该电源板通过继电器驱动模块40在对应的驱动信号接收端口的信号控制下和24V直流电源输出模块20的供电下,产生继电器控制信号以驱动对应的继电器从而驱动当前工作模式下的激光雷达。由于该电源板只需要一个24V直流电源输出模块20进行供电,占用空间更小,有利于供电电路的整体集成化。

本申请中的各个实施例均采用递进的方式描述,各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其,对于装置、设备和介质类实施例而言,由于其基本相似于方法实施例,所以描述的比较简单,相关之处参见方法实施例的部分说明即可,这里就不再一一赘述。

至此,已经对本主题的特定实施例进行了描述。其它实施例在所附权利要求书的范围内。在一些情况下,在权利要求书中记载的动作可以按照不同的顺序来执行并且仍然可以实现期望的结果。另外,在附图中描绘的过程不一定要求示出的特定顺序或者连续顺序,以实现期望的结果。在某些实施方式中,多任务处理和并行处理可以是有利的。

在本公开的各种实施方式中所使用的表述“第一”、“第二”、“所述第一”或“所述第二”可修饰各种部件而与顺序和/或重要性无关,但是这些表述不限制相应部件。以上表述仅配置为将元件与其它元件区分开的目的。例如,第一用户设备和第二用户设备表示不同的用户设备,虽然两者均是用户设备。例如,在不背离本公开的范围的前提下,第一元件可称作第二元件,类似地,第二元件可称作第一元件。

当一个元件(例如,第一元件)称为与另一元件(例如,第二元件)“(可操作地或可通信地)联接”或“(可操作地或可通信地)联接至”另一元件(例如,第二元件)或“连接至”另一元件(例如,第二元件)时,应理解为该一个元件直接连接至该另一元件或者该一个元件经由又一个元件(例如,第三元件)间接连接至该另一个元件。相反,可理解,当元件(例如,第一元件)称为“直接连接”或“直接联接”至另一元件(第二元件)时,则没有元件(例如,第三元件)插入在这两者之间。

以上描述仅为本申请的可选实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解,本申请中所涉及的发明范围,并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案,同时也应涵盖在不脱离上述发明构思的情况下,由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。

以上所述仅为本申请的可选实施例而已,并不用于限制本申请,对于本领域的技术人员来说,本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本申请的保护范围之内。

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