具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

在本发明中需要说明的是，术语“上”“下”“左”“右”“竖直”“水平”“内”“外”等均为基于附图所示的方位或位置关系，仅仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示本发明的装置或元件必须具有特定的方位，因此不能理解为对本发明的限制。

实施例

如图1所示，本发明公开了一种过温保护电路，其包括漏电保护单元及过温保护单元。

如图1所示，所述漏电保护单元包括相连的零序电流互感器ZCT、漏电保护集成电路U4、可控硅SCR及脱扣器TK，所述漏电保护集成电路U4通过节点A接与可控硅SCR的控制极；所述漏电保护集成电路U4为型号为FM2147B的芯片。当然，在其它实施例中，漏电保护集成电路U4也可以是本身的功能及构造上跟FM2147B相同或等同的其它型号或专门制作的漏电保护集成电路U4，此是本领域技术人员可以轻易实现的，不再详细说明。

如图1所示，所述漏电保护单元为A型漏电保护单元，该A型漏电保护单元是当负载发生漏电，或人身触电或设备绝缘损坏时，通过零序电流互感器ZCT一次线圈的电流矢量和不为零时，零序电流互感器ZCT二次线圈产生感应电压，经集成电路U4进行比较和处理，当剩余电流达到整定动作电流值时，从集成电路U4输出稳定可靠的保护信号，该保护信号使可控硅SCR导通，脱扣器TK动作，切断电源起到漏电和触电保护作用，A型漏流指标包括AC型、脉动直流（0º、90º、135º）、6mA平滑直流电流，该漏电保护单元的具体说明如下：

如图1所示，所述零序电流互感器ZCT套设在负载Load之前的火线L和零线N，所述火线L和所述零线N之间还接有压敏电阻MOV，用于避免火线L和零线N浪涌电压，避免雷击而损坏负载。

如图1所示，所述零序电流互感器ZCT的一次线圈的一端接所述火线L，另一端依次串联按键AJ和电阻R1接所述零线N；所述零序电流互感器ZCT的一次线圈的一端还依次串接二极管D1、电阻R2及发光二极管D2后，接零线N；具体的说：所述一次线圈的一端依次接二极管D1的正极后，接二极管D1的负极接电阻R2，再接发光二极管D2的正极，该发光二极管D2的负极接零线N，形成一发光单元，该发光单元用于指示负载接入电源正常工作用及指示正确接线用；

所述零序电流互感器ZTC的二次线圈一端串接电阻R11后接漏电保护集成电路U4的RC11端，另一端通过串接电阻R12后接漏电保护集成电路U4的RC12端；所述漏电保护集成电路U4的RC12端与RC11端并联电容C9；所述零序电流互感器ZCT的二次线圈的两端并联有电阻R10及电容C8；

所述漏电保护集成电路U4的RC12端与GND端并联电容C11，漏电保护集成电路U4的RC11端与GND端并联电容C10，所述漏电保护集成电路U4的DLY端与GND端并联电容C7（所述C7的电容量为300nf），所述漏电保护集成电路U4的GND端为接地端；所述漏电保护集成电路U4的TRIG端依次串接电阻R9及二极管D6后，接所述节点A；具体的说：所述漏电保护集成电路U4的TRIG端接电阻R9后，接二极管D6的正极，该二极管D6的负极接节点A。

如图1所示，所述节点A接可控硅SCR的控制极，可控硅SCR的阳极串接电阻R3后，接漏电保护集成电路U4的VDD端，可控硅SCR的阴极接地；所述可控硅SCR的控制极与地线之间并联电阻R5及电容C1。所述电阻R3与接漏电保护集成电路U4的GND端之间并联稳压二极管D3及有极性电容C5；具体的说：所述极性电容C5的正极接电阻R3的一端，所述稳压二极管D3的负极接电阻R3的一端。

如图1所示，所述脱扣器TK的两个触点开关分别串接在火线L和零线N上；该脱扣器TK的一个控制输入端接火线L，另一控制输入端接桥式整流二极管的一个中间端，所述接桥式整流二极管的另一中间端接零线。所述接桥式整流二极管的阳极接可控硅SCR的阳极，该所述接桥式整流二极管的阴极接地。

如图1所示，所述过温保护单元包括集成电路U2、热敏电阻Rt1、Rt2及集成电路U3；所述集成电路U3为单片机式控制处理电路，其能于单位时间内进行对此温度数据采集，所述集成电路U3为型号为KF8F203的芯片。当然，在其它实施例中，漏电保护集成电路U3也可以是本身的功能及构造上跟KF8F203相同或等同的其它型号或专门制作的集成电路U3，此是本领域技术人员可以轻易实现的，不再详细说明。

如图1所示，所述热敏电阻Rt1串联电阻R6，热敏电阻Rt2串联电阻R7，分别形成第一、第二温控电阻；

所述集成电路U2的GND端为接地端，所述集成电路U2的Vout端与GND端之间并联所述第一、第二温控电阻，所述集成电路U2的Vin端串接电阻R4后接可控硅SCR的阳极；具体的说：所述电阻R6及电阻R7的一端接集成电路U2的Vout端，热敏电阻Rt1及Rt2接集成电路U2的GND端；

所述集成电路U2的Vout端与GND端之间并联有极性电解电容C3及电容C4，该集成电路U2的Vin端与GND端之间并联有串接有极性电解电容C2及稳压二极管D4；具体的说：所述集成电路U2的Vout端接有极性电解电容C3的正极，所述集成电路U2的GND端接有极性电解电容C3的负极。

如图1所示，所述集成电路U3的VSS端为接地端，所述集成电路U3的VDD端与VSS端之间并联所述第一、第二温控电阻；具体的说：集成电路U3的VDD端接电阻R6及电阻R7的一端，集成电路U3的VSS端接热敏电阻Rt1及Rt2；所述热敏电阻Rt1接电阻R6的一端接集成电路U3的P0.0端，热敏电阻Rt2接电阻R7的一端接集成电路U3的P0.1端，所述集成电路U3的P1.1端串接二极管D5的阳极，该二极管D5的阴极接节点A；所述集成电路U3的P1.1端与VSS端并联电阻R8及电容C6。

如图1所示，上述过温保护单元是当电路或负载端的火线或零线的温度过高，通过热敏电阻感应温度，温度越高，热敏电阻阻值越低，加在热敏电阻两端的电压下降，经集成电路U3进行处理，当温度值达到设定值时，从集成电路U3输出稳定可靠的保护信号，该保护信号使可控硅SCR导通，脱扣器TK动作，切断电源起到过温保护作用，热敏电阻Rt1、Rt2均为NTC热敏电阻，即：温度越高，阻值越低。

上述的过温保护电路的控制方法，包括：

漏电保护单元连接外部电源及用电设备；

所述漏电保护单元中漏电保护集成电路U4通过零序电流互感器ZCT获知漏电信号，在漏电发生时，所述漏电保护集成电路U4输出保护信号；

过温保护单元连接漏电保护集成电路U4及可控硅SCR；

所述过温保护单元中集成电路U3通过热敏电阻Rt1、Rt2获知过温信号，所述集成电路U3对在单位时间内采集多个温度点数据对比和处理，在过温发生时，所述集成电路U3输出保护信号；

所述保护信号导通可控硅SCR，脱扣器TK动作，切断电源。

需要注意的是：所述热敏电阻Rt1、Rt2均为NTC，所述单位时间一般为1ms-1s内；

所述过温信号为在1ms-1s的时间内采集多个温度点数据，再取所述多个温度点数据的平均温度值，该平均温度值使各所述NTC两端的电压值产生变化，且电压值的变动数值达到预设电压阈值时，集成电路U3输出保护信号；再，所述零序电流互感器ZCT一次线圈的电流矢量和不为零时，零序电流互感器ZCT二次线圈产生感应电压，产生所述漏电信号。

需要说明的是：1.所述集成电路U2为稳压器集成电路U2；2.所述集成电路U3为单片机U3，其工作原理：当集成电路U3检测过温保护单元的工作，集成电路U3通过热敏电阻Rt1、Rt2受温度变化影响，而改变阻值后，并在单位时间内采集多个温度点的数据，再通过集成电路U3对这些采集的数据进行分析，从而判断是否输出保护电信号来给到可控硅SCR，当给可控硅SCR输出保护信号后，该可控硅SCR控制脱扣器TK,该脱扣器TK的线圈内的铁芯拉动脱扣板，使拉杆脱离脱扣板，动触点离开静触点，使该控制脱扣器TK切断电源，进而具有稳定性更好、精确性更高、有更高的智能化、温度可调节等优点；3、所述漏电集成电路U4及集成电路U3输出的保护信号，均可能导通可控硅SCR，从而控制脱扣器TK,该脱扣器TK的线圈内的铁芯拉动脱扣板，使拉杆脱离脱扣板，动触点离开静触点，使该控制脱扣器TK切断电源。

如图2所示，一种过温保护开关插座，包括底座101、面盖102、三电极插套及三电极插座，所述底座101与面盖102配合装配。

所述面盖102上开设有三个插孔，该三个插孔内还安装有三孔保护门103，该三电极插套与所述三电极插座104配合插接；所述三电极插套包括及零线插套105、火线插套106、地线插套107；所述三个插孔处装配所述三电极插套；

所述底座101具有一安装腔，该安装腔内安装有上述的过温保护电路，该过温保护电路中所述过温保护单元108置于所述三电极插套内，所述过温保护单元中108热敏电阻Rt1、Rt2靠近所述三电极插套中零线插套105及火线插套106设置，使得热敏电阻Rt1、Rt2更好的感应接触片的温度变化；

具体的说：所述面盖102上开设有两个通孔，两个通孔内分别安装有T键及ON键，所述T键及ON键上套装有透明硅胶帽；所述ON键通过拉杆与脱扣器TK中脱扣板与相连，所述脱扣板的两端分别接零线静片及动弹片，所述动弹片的固定端装于一基座109上，该动弹片的弹性端与火线静片接触，所述脱扣器TK的脱扣板装于一脱扣线圈固定的端处；所述基座上还安装有零序电流互感器ZCT，该基座109装于一基板110之上。

以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。