Cem在乳腺导管造影中的应用及验证方法

文档序号:233080 发布日期:2021-11-12 浏览:12次 >En<

阅读说明:本技术 Cem在乳腺导管造影中的应用及验证方法 (Application of CEM in mammary duct angiography and verification method ) 是由 杨帆 陈乐庆 陶娟 朱文颖 刘洁 彭舒怡 杨金荣 于 2021-08-09 设计创作,主要内容包括:本发明公开了CEM在乳腺导管造影中的应用及验证方法,所述验证方法包括以下步骤:选择合适浓度的含碘造影剂,并吸取造影剂,备用;患者取仰卧位,对患侧乳头进行消毒,并促使乳头溢液,以便寻找正确的乳管开口;注入造影剂;进行全视野数字化乳腺摄影,获取延迟期CEM图像。本发明中首次提出了CEM在乳腺导管造影中的应用,并通过实验验证CEM减影图可以消除导管周围致密腺体对病灶的影响,能更好地显示导管内病灶大小、导管远端的分支,在临床手术范围上有一定的指导意义。(The invention discloses an application of CEM in mammary duct angiography and a verification method, wherein the verification method comprises the following steps: selecting an iodine-containing contrast agent with a proper concentration, and sucking the contrast agent for later use; the patient takes the supine position, the nipple on the affected side is disinfected, and the nipple is prompted to discharge liquid, so that the correct opening of the breast duct is found; injecting a contrast agent; full-field digital mammography was performed to obtain delayed-phase CEM images. The invention firstly provides the application of CEM in the mammary duct radiography, and the experiment verifies that the CEM subtraction map can eliminate the influence of the compact glands around the duct on the focus, can better display the size of the focus in the duct and the branch at the far end of the duct, and has certain guiding significance in the clinical operation range.)

CEM在乳腺导管造影中的应用及验证方法

技术领域

本发明涉及CEM的应用,尤其涉及CEM在乳腺导管造影中的应用及验证方法。

背景技术

对比增强乳腺X线摄影(contrast-enhanced mammography,CEM)是利用碘的K边缘效应,通过静脉注射造影剂后快速进行高、低能双能曝光,并经后处理后获得低能图和减影图的一种新兴的乳腺成像技术。

乳头溢液是乳腺疾病中较常见的症状,其发病原因主要有肿瘤、导管扩张、炎症、增生症等等,乳腺导管造影是目前主要的检查方法。乳腺导管造影术是将对比剂注入乳腺导管后进行钼靶摄片,根据对比剂的充盈情况来显示导管内病变的形态、扩张程度、病变位置和分布特点等,继而推断病变性质的一种检查方法,对乳腺导管内病变的定位、定性和治疗具有较强的临床实用价值【周丹阳,陈志安乳腺导管内乳头状瘤的造影检查和诊断[J]中国临床医学影像杂志,2002,13(4):292-293】。

但目前采用的常规方法存在一些局限性:乳腺导管存在重叠干扰,影响病变诊断;致密乳腺患者导管病变的显示可能受其腺体遮蔽的影响。

发明内容

本发明的目的是为了解决现有技术中存在的问题,而提出的CEM在乳腺导管造影中的应用及验证方法。

为了实现上述目的,本发明采用的技术方案如下:

CEM在乳腺导管造影中的应用。

本发明还提供一种验证CEM在乳腺导管造影中的应用的方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:

步骤一:选择合适浓度的含碘造影剂,并吸取造影剂,备用;

步骤二:患者取仰卧位,对患侧乳头进行消毒,并促使乳头溢液,以便寻找正确的乳管开口;

步骤三:注入造影剂;

步骤四:进行全视野数字化乳腺摄影,获取延迟期CEM图像。

优选的是,所述步骤一具体为:选择浓度为300mg/ml的含碘造影剂,用1ml注射器联合尖端磨平的4号针头吸取造影剂,排空气体,置于弯盘中备用。

优选的是,所述步骤二具体为:患者取仰卧位,依据无菌原则对患侧乳头进行消毒,操作者戴无菌手套,轻柔挤压乳晕附近以及乳头,促使乳头溢液,以便寻找正确的乳管开口。

优选的是,所述步骤三具体为:自乳管开口插入磨平的4号针头,注药时捏紧患者乳头,避免造影剂外溢,缓慢推注造影剂,患者的乳腺胀感明显时将针头抽出,造影剂剂量依据患者感觉及乳头造影剂回流情况确定,如在乳腺X线检查中发现造影剂浓度不理想,则从原始排出孔再次注射造影剂。

优选的是,所述步骤四具体为:注射造影剂后,取头尾位(CC)和内外侧位(ML)进行全视野数字化乳腺摄影(full-field digital mammography,FFDM),在导管造影后的4-6小时内获取延迟期CEM图像,所述CEM图像包含低能图及后处理获得的减影图

本发明具有的有益效果是:

首次提出了CEM在乳腺导管造影中的应用,并通过实验验证CEM减影图可以消除导管周围致密腺体对病灶的影响,能更好地显示导管内病灶大小、导管远端的分支,在临床手术范围上有一定的指导意义。

附图说明

图1、图3为不利用CEM状态下乳腺导管造影成像图;

图2、图4为利用CEM状态下乳腺导管造影成像图。

具体实施方式

下文将结合具体实施例对本发明的技术方案做更进一步的详细说明。应当理解,下列实施例仅为示例性地说明和解释本发明,而不应被解释为对本发明保护范围的限制。凡基于本发明上述内容所实现的技术均涵盖在本发明旨在保护的范围内。

本发明主要为CEM在乳腺导管造影中的应用及验证方法。

本发明通过以下实施例中所阐述的实验来验证CEM在乳腺导管造影中的应用,并提供一种验证方法。

本发明提供的验证CEM在乳腺导管造影中的应用的方法,主要包括以下步骤:

步骤一:选择合适浓度的含碘造影剂,并吸取造影剂,备用;

步骤二:患者取仰卧位,对患侧乳头进行消毒,并促使乳头溢液,以便寻找正确的乳管开口;

步骤三:注入造影剂;

步骤四:进行全视野数字化乳腺摄影,获取延迟期CEM图像。

由于乳腺导管存在重叠干扰,容易影响病变诊断,尤其致密乳腺患者导管病变的显示可能受其腺体遮蔽的影响,图1和图3为常规乳腺导管造影(即不利用CEM技术,下述简称空白对照组)的成像图,在进行下述对比实验前,申请人进行了多次空白对照组实验,结果均显示较为明显的重叠干扰现象,故申请人拟将CEM与乳腺导管造影结合作为实验组,以验证CEM在乳腺导管造影中的作用。

对比增强乳腺X线摄影(contrast-enhanced mammography,CEM)是利用碘的K边缘效应,通过静脉注射造影剂后快速进行高、低能双能曝光,并经后处理后获得低能图和减影图的一种新兴的乳腺成像技术。结合相关技术分析,在下述实施例中,利用CEM的成像特点,结合乳腺导管造影及CEM两种检查,在不进行静脉注射造影剂的情况下,于导管造影后4-6小时获取延迟期CEM图像。

实施例一:

步骤一:选择合适浓度的含碘造影剂,用1ml注射器联合尖端磨平的4号针头吸取造影剂,排空气体,置于弯盘中备用,此实施例中的含碘造影剂浓度为300mg/ml。

步骤二:患者取仰卧位,依据无菌原则对患侧乳头进行消毒,操作者戴无菌手套,轻柔挤压乳晕附近以及乳头,促使乳头溢液,以便寻找正确的乳管开口。

步骤三:自乳管开口插入磨平的4号针头约0.5~1cm,注药时捏紧患者乳头,避免造影剂外溢,缓慢推注造影剂,患者的乳腺胀感明显时将针头抽出,造影剂剂量依据患者感觉及乳头造影剂回流情况确定。如在乳腺X线检查中发现造影剂浓度不理想,则从原始排出孔再次注射造影剂。

步骤四:注射造影剂后,取头尾位(CC)和内外侧位(ML)进行全视野数字化乳腺摄影(full-field digital mammography,FFDM);在导管造影后的4-6小时内获取延迟期CEM图像(若患者导管纤细,则在2小时完成延迟期CEM图像),包含低能图及后处理获得的减影图,如图2和图4所示。

综上实验结果可知,本发明首次提出了CEM在乳腺导管造影中的应用,并通过实验验证CEM减影图可以消除导管周围致密腺体对病灶的影响,能更好地显示导管内病灶大小、导管远端的分支,在临床手术范围上有一定的指导意义,不存在给出任何启示的可能,具备突出的实质性特点,用于乳腺患者的检查显然具有显著的进步。

以上,对本发明的实施方式进行了说明。但是,本发明不限定于上述实施方式。凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

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