具体实施方式

以下参照附图对实施方式涉及的磁盘装置进行说明。

此外，公开不过是一个例子，对于本领域技术人员而言的保持发明的宗旨的适当变更且能够容易想到的技术方案，当然包含在本发明的范围内。另外，附图为了使说明更加明确，与实际的形态相比，有时示意性地表示各部的宽度、厚度、形状等，但不过是一个例子，并不限定本发明的解释。另外，在本说明书和各图中，对与关于前面的附图已经描述过的要素同样的要素标记同一标号，有时适当省略或者简化详细的说明。

(第1实施方式)

作为磁盘装置，对第1实施方式涉及的硬盘驱动器(以下称为HDD)进行详细的说明。图1是概略性地表示第1实施方式涉及的HDD的框图，图2是表示悬浮状态的磁头和磁盘的侧视图。

如图1所示，HDD10具备矩形形状的框体11、配设在框体11内的作为记录介质的磁盘12、对磁盘12进行支承和使其进行旋转的主轴马达21以及对磁盘12进行数据的写入(write)、读出(read)的多个磁头16。框体11具有上部开口的矩形箱状的基体(省略图示)和覆盖于基体的开口的罩盖(省略图示)。基体例如由矩形形状的底壁和沿着该底壁的周缘立起的侧壁构成，由铝等一体地成形。罩盖例如由多个螺纹件螺纹固定在基体的侧壁上，以气密的方式封闭基体的开口，由不锈钢等成形。

HDD10具备头致动器18，该头致动器18将磁头16移动并定位到磁盘12上的任意的记录磁道上。头致动器18包括对磁头16以能够移动的方式进行支承的滑架组件20、和使滑架组件20转动的音圈马达(以下称为VCM)22。

HDD10具备对磁头16进行驱动的头放大器IC30、主控制器90以及驱动器IC92。头放大器IC30例如设置于滑架组件20，与磁头16电连接。头放大器IC30具备向磁头16的记录线圈供给记录电流的记录电流供给电路(记录电流供给部)91、用于向后述的自旋转矩振荡器(以下称为STO)供给偏置电压(驱动电流)的偏置电压供给电路93、向后述的加热器供给驱动电压的加热器电压供给电路98以及对由磁头16读取到的信号进行放大的未图示的放大器等。

主控制器90和驱动器IC92例如由设置在框体11的背面(基体)侧的未图示的控制电路基板(省略图示)构成。主控制器90具备R/W通道94、硬盘控制器(以下称为HDC)96、微处理器(以下称为MPU)97以及存储器80。主控制器90经由头放大器IC30电连接于磁头16。主控制器90经由驱动器IC92电连接于VCM22以及主轴马达21。HDC96能够连接于主机95。

如图1和图2所示，磁盘12作为垂直磁记录介质来构成。磁盘12例如具有形成为直径88.9mm(3.5英寸)的圆板状的由非磁性体形成的基板101。在基板101的各表面(上下面)，由呈现软磁特性的材料形成的作为基底层的软磁性体层102、相对于磁盘12的表面在垂直方向上具有磁各向异性的磁记录层(记录层)103以及保护膜104从下层向上层按该顺序分别被进行层叠。磁盘12与主轴马达21的毂(hub)以相互同轴的方式相嵌合。磁盘12通过主轴马达21以预定速度在箭头B方向上进行旋转。

滑架组件20具有以能够自由转动的方式支承于框体11的轴承部24、和从轴承部24延伸出来(延出)的多个悬架26。如图2所示，磁头16支承于各悬架26的延出端。磁头16经由设置于滑架组件20的布线部件(挠性件)28电连接于头放大器IC30。

如图2所示，磁头16作为悬浮型的头来构成，具有形成为大致长方体状的滑块42、和在滑块42的流出端(尾)侧的端部形成的头部44。滑块42例如由氧化铝和碳化钛的烧结体(AlTiC)形成，头部44由多层的薄膜形成。滑块42安装于布线部件28的万向架部41。

滑块42具有与磁盘12的表面对置的矩形形状的盘对置面(空气支承面(以下称为ABS))43。滑块42利用通过磁盘12的旋转而产生于盘表面与ABS43之间的空气流C，维持为从磁盘12的表面悬浮预定量的状态。空气流C的方向与磁盘12的旋转方向B一致。滑块42具有位于空气流C的流入侧的前导端42a和位于空气流C的流出侧的尾端42b。伴随着磁盘12的旋转，磁头16相对于磁盘12在箭头A方向(头移动方向)、即与盘的旋转方向B相反的方向上移动。

图3是放大表示磁头16的头部44和磁盘12的剖视图。头部44具有通过薄膜工艺形成于滑块42的尾端42b的读取头(再现头)54和写入头(记录头)58，形成为分离型的磁头。对于读取头54和写入头58，除了在滑块42的ABS43露出的部分之外，由非磁性的保护绝缘膜53覆盖。保护绝缘膜53构成头部44的外形。

将形成于磁盘12的磁记录层103的记录磁道的长尺寸方向定义为循着磁道(downtrack)方向DT，将记录磁道的宽度方向定义为交叉磁道方向WT。

读取头54具有磁阻效应元件55、和在循着磁道方向DT上以夹着磁阻效应元件55的方式配置在磁阻效应元件55的前导侧(流入侧)和尾侧(流出侧)的第1磁屏蔽膜56和第2磁屏蔽膜57。磁阻效应元件55、第1磁屏蔽膜56及第2磁屏蔽膜57相对于ABS43大致垂直地延伸。磁阻效应元件55、第1磁屏蔽膜56以及第2磁屏蔽膜57的下端在ABS43露出。

写入头58相对于读取头54设置在滑块42的尾端44b侧。图4是在磁道中央剖开了写入头58而得到的写入头58的立体图，图5是放大表示写入头58的前端部(ABS侧端部)的剖视图，图6是从ABS侧观察写入头58而得到的俯视图。

如图3和图4所示，写入头58具有对于磁盘12的表面产生垂直方向的记录磁场的主磁极(磁极)60、设置于主磁极60的尾侧并与主磁极60空开写间隙WG对置的尾屏蔽件(写屏蔽件)62、与主磁极60的前导侧对置的前导屏蔽件64、设置在主磁极60的交叉磁道方向CT上的两侧的一对侧屏蔽件63、以及在写间隙WG内设置在主磁极60与尾屏蔽件62之间的高频振荡元件例如自旋转矩振荡器(STO)65。主磁极60和尾屏蔽件62构成形成磁路的第1磁芯，主磁极60和前导屏蔽件64构成形成磁路的第2磁芯。写入头58具有卷绕于第1磁芯的第1记录线圈70和卷绕于第2磁芯的第2记录线圈72。

主磁极60由具有高导磁率、高饱和磁通密度的软磁性材料形成，相对于ABS43大致垂直地延伸。主磁极60的ABS43侧的前端部60a朝向ABS43以前端变细的方式缩窄，形成为相对于其他部分而言宽度窄的柱状。主磁极60的前端面在滑块42的ABS43露出。

如图5和图6所示，主磁极60的前端部60a具有与尾屏蔽件62空开间隙对置的平坦的尾侧端面60b。前端部60a例如截面形成为梯形形状。梯形形状的前端部(前端面)60a具有在交叉磁道方向CT上延伸的尾侧端面60b、与尾侧端面60b对置的前导侧端面60c、以及两侧面60d。在ABS43中，前端部60a的宽度、即交叉磁道方向CT上的尾侧端面60b的宽度WP，大致对应于磁盘12中的记录磁道的磁道宽度。在前端部60a中，尾侧端面60b和前导侧端面60c既可以在与ABS43垂直的方向上延伸，或者也可以相对于与ABS43垂直的方向倾斜地延伸。两侧面60d相对于主磁极60的中心轴线C、即相对于循着磁道方向DT倾斜地延伸。

如图3～图6所示，尾屏蔽件62由软磁性材料形成，是为了经由主磁极60正下的磁盘12的软磁性体层102高效地使磁路闭合而设置的。尾屏蔽件62配置在主磁极60的尾侧。尾屏蔽件62形成为大致L字形状，其前端部62a形成为细长的矩形形状。尾屏蔽件62的前端面在滑块42的ABS43露出。前端部62a具有与主磁极60的前端部60a对置的前导侧端面(磁极端面)62b。前导侧端面62b比主磁极60的前端部60a的宽度WP和磁盘12的磁道宽度足够长，沿着交叉磁道方向CT延伸。前导侧端面62b相对于ABS43垂直地或者稍稍倾斜地延伸。在ABS43中，前导侧端面62b的下端缘与主磁极60的尾侧端面60b空开写间隙WG(循着磁道方向DT的间隙长)而平行地对置。

如图4和图5所示，尾屏蔽件62具有连接于主磁极60的第1连接部50。第1连接部50经由非导电体52以磁的方式连接于主磁极60的上部、即主磁极60的从ABS43离开的部分。第1记录线圈70在第1磁芯中例如卷绕于第1连接部50的周围。在向磁盘12写入信号时，通过在第1记录线圈70中流动记录电流，第1记录线圈70对主磁极60进行激励来在主磁极60中流通磁通。向第1记录线圈70和第2记录线圈72供给的记录电流由主控制器90进行控制。

如图4和图6所示，一对侧屏蔽件63在主磁极60的交叉磁道方向CT上的两侧配置为在物理上与主磁极60断开、且与尾屏蔽件62连接。在本实施方式中，侧屏蔽件63通过高导磁率材料与尾屏蔽件62的前端部62a形成为一体，从前端部62a的前导侧端面62b向滑块42的前导端侧突出。

如图3～图5所示，由软磁性体形成的前导屏蔽件64在主磁极60的前导侧与主磁极60对置地设置。前导屏蔽件64形成为大致L字形状，ABS43侧的前端部64a形成为细长的矩形形状。前端部64a的前端面(下端面)在ABS43露出。前端部64a的尾侧端面64b沿着交叉磁道方向CT延伸。在ABS43中，尾侧端面64b与主磁极60的前导侧端面60c空开间隙对置。在本实施方式中，前导屏蔽件64的前端部64a由高导磁率材料与侧屏蔽件74形成为一体。

另外，前导屏蔽件64具有在从ABS43离开的位置与主磁极60接合的第2连接部68。该第2连接部68例如由软磁性体形成，经由非导电体59以磁的方式连接于主磁极60的上部、即主磁极60的从ABS43离开的部分。由此，第2连接部68与主磁极60以及前导屏蔽件64一起形成磁回路。写入头58的第2记录线圈72例如绕第2连接部68卷绕地配置，对该磁回路施加磁场。

如图5和图6所示，作为高频振荡元件发挥功能的STO65在写间隙WG内设置在主磁极60的前端部60a与尾屏蔽件62的前端部62a之间。STO65具有自旋注入层65a、中间层(非磁性导电层)65b、振荡层65c，从主磁极60侧向尾屏蔽件62侧依次层叠这些层、即沿着磁头16的循着磁道方向DT依次层叠这些层来构成。自旋注入层65a经由非磁性导电层(基底层)67a与主磁极60的尾侧端面60b接合。振荡层65c经由非磁性导电层(盖层)67b与尾屏蔽件62的前导侧端面62b接合。此外，自旋注入层65a、中间层65b、振荡层65c的层叠顺序也可以与上述相反，即也可以从尾屏蔽件62侧向主磁极60侧依次进行层叠。

自旋注入层65a、中间层65b、振荡层65c分别具有在与ABS43交叉的方向、例如正交的方向上延伸的层叠面或者膜面。至少振荡层65c的下端面、在本实施方式中为包括自旋注入层65a、中间层65b、振荡层65c的STO65的整体的下端面在ABS43露出，与ABS43共面(齐平)地延伸。或者，STO65的整体的下端面也可以在从ABS43离开的方向上、例如在相对于ABS43垂直的方向上、且向进深侧后退，也即是也可以位于离开的位置。另外，STO65的下端面不限于平面状，也可以形成为向上方凸的圆弧状。

如图6所示，在ABS43中，STO65的交叉磁道方向CT的宽度WS形成为比主磁极60的尾侧端面60b的宽度WP大(WS＞WP)。在一个例子中，STO65的宽度WS设为主磁极60的宽度WP的1.1～1.6倍左右。另外，STO65配置为覆盖尾侧端面60b的至少一方的端缘(交叉磁道方向的端部)EE1、EE2，即超出端缘地延伸到主磁极60的外侧。在本实施方式中，STO65相对于中心轴线C配置为左右对称，将尾侧端面60b的交叉磁道方向CT的两端缘EE1、EE2覆盖。即，STO65的交叉磁道方向CT上的两端部分别超出尾侧端面60b的端缘EE1、EE2而延伸到主磁极60的外侧。

如图4和图5所示，主磁极60和尾屏蔽件62分别经由布线连接于连接端子45，进一步，经由挠性件28连接于头放大器IC30以及主控制器90。构成了从头放大器IC30通过主磁极60、STO65、尾屏蔽件62而以串联的方式进行STO驱动电流(偏置电压)的通电的电流电路。

第1记录线圈70和第2记录线圈72分别经由布线连接于连接端子45，进一步，经由挠性件28连接于头放大器IC30。第2记录线圈72按与第1记录线圈70相反的方向卷绕。在对磁盘12写入信号时，通过从头放大器IC30的记录电流供给电路91向第1记录线圈70以及第2记录线圈72流通记录电流，对主磁极60进行激励来在主磁极60中流通磁通。向第1记录线圈70以及第2记录线圈72供给的记录电流由主控制器90进行控制。此外，第2记录线圈72也可以与第1记录线圈70串联地连接。另外，第1记录线圈70以及第2记录线圈72也可以被分别进行电流供给控制。

如图4所示，磁头16也可以还具备第1加热器76a和第2加热器76b。第1加热器76a在写入头58的附近、例如第1记录线圈70和第2记录线圈72之间设置在主磁极60的附近。第2加热器76b设置在读取头54的附近。第1加热器76a和第2加热器76b分别经由布线连接于连接端子45，进一步经由挠性件28连接于头放大器IC30。

在如上所述那样构成的HDD10工作时，主控制器90在MPU97的控制下通过驱动器IC92对主轴马达21进行驱动，使磁盘12以预定速度进行旋转。另外，主控制器90通过驱动器IC92对VCM22进行驱动，使磁头16移动以及定位到磁盘12的所希望的磁道上。磁头16的ABS43与盘表面保持间隙而对置。在该状态下，对于磁盘12，通过读取头54进行记录信息的读出，并且，通过写入头58进行信息的写入。

在信息的写入时，头放大器IC30的偏置电压供给电路93通过在MPU97的控制下向主磁极60和尾屏蔽件62施加偏置电压，从而通过连接端子45、布线、主磁极60、STO65、尾屏蔽件62而以串联的方式进行驱动电流的通电。在与STO65的层叠面垂直的方向上流通驱动电流。STO65进行自旋转矩的振荡，产生高频磁场，将该高频磁场施加于磁盘12的磁记录层103。

同时，头放大器IC30的记录电流供给电路91根据从R/W通道94产生的记录信号、记录模式来将记录电流通电到第1记录线圈70、第2记录线圈72。第1记录线圈70、第2记录线圈72对主磁极60进行励磁来使之产生记录磁场，从主磁极60对正下的磁盘12的磁记录层103施加垂直方向的记录磁场。由此，在磁记录层103以所希望的磁道宽度记录信息。通过在记录磁场叠加STO65的高频磁场，能够促进磁记录层103的磁化反转，进行高磁各向异性能量的磁记录。

另外，从STO65振荡产生的自旋转矩朝向与在主磁极60与尾屏蔽件之间产生的间隙磁场的朝向相反的方向。因此，自旋转矩进行作用以降低从主磁极60直接流通到尾屏蔽件62的泄漏磁通。其结果，从主磁极60朝向磁盘12的磁记录层103的磁通的量增大，能够向磁记录层103写入所希望的数据。

在本实施方式中，磁头16的磁极、具体而言为头部44的写入头58的主磁极66，根据磁头16(写入头58)的位置来使磁极宽度不同。在此的磁头16的位置是多个磁盘12在同轴上相互空开预定间隔而排列的方向、也即是与这些磁盘12对应地分别空开预定间隔而排列多个磁头16的方向(并列方向)上的相对位置。以下，将磁盘12和磁头16这样排列的状态称为层叠状态，将这些在同轴上排列的方向称为层叠方向。即，磁盘12和磁头16沿着层叠方向以层叠状态配置。磁极宽度是交叉磁道方向WT上的主磁极60的宽度，是前端部60a的宽度WP，该交叉磁道方向WT是形成于磁盘12的磁记录层(记录层)103的记录磁道的宽度方向。

磁头16的数量与磁盘12的数量相对应。在图7中，作为一个例子示意性地表示如下方式：9片磁盘12在同轴上以层叠状态配置，与各磁盘12的两面对应地各配置一个的共18个磁头16分别以层叠状态配置。

这些磁盘12从位于框体11的基体侧(图7中的下侧)的磁盘12a开始依次以层叠状态配置到位于罩盖侧(图7中的上侧)的磁盘12i。另外，与此对应，磁头16从位于框体11的基体侧的磁头16a开始依次以层叠状态配置到位于罩盖侧的磁头16r。

关于主磁极60的宽度WP，位于从层叠方向的中央附近离得越远的外层的磁头16，其宽度WP越宽。即，宽度WP越宽的磁头16，配置在从层叠方向的中央附近离得越远的外层(从并列方向的中央附近离得越远的靠外位置)。层叠方向的中央是由以层叠状态配置的多个磁头16规定的层叠方向(并列方向)上的中间位置。若采用其他理解方式，则层叠方向的中央相当于在滑架组件20的轴承部24以能够自由转动的方式支承的轴上所产生的扭转的中心(节)的位置。

在图7所示的例子中，以层叠状态配置的18个磁头16a～16r中的磁头16i与磁头16j之间的位置相当于层叠方向上的中央。因此，这些磁头16i、16j相当于层叠方向上的中央附近的磁头16。以下，适当地将这些磁头16i、16j称为中央头以与其他磁头16进行区别。此外，若磁头16的数量为奇数，则配置于层叠方向的中央的磁头16相当于中央头。另外，磁头16a是在层叠方向上位于基体侧的最外层的磁头16，磁头16r是在层叠方向上位于罩盖侧的最外层的磁头16。以下，适当地将这些位于最外层的磁头16a、16r称为外部头以与其他磁头16进行区别。

在18个磁头16中，关于写入头58的主磁极60的宽度WP，从层叠方向的中央附近离得越远的外层的磁头16，其宽度WP越宽。图8是表示18个磁头16a～16r中的写入头58的主磁极60的宽度WP(写芯宽度)的值的一个例子的图。在图8中，Head No的1相当于磁头16a，以后按升序，Head No的18相当于磁头16r。

如图8所示，关于主磁极60的宽度WP，作为中央头的磁头16i、16j最窄(小)，在层叠方向上相对于中央头位于越靠外层侧的磁头16，逐渐地变得越宽，作为外部头的磁头16a、16r最宽(大)。在图8所示的例子中，将宽度WP(写芯宽度)的变化量设为1nm单位，但变化量不限定于此。另外，变化量也可以不是一样的，也可以从中央头到外部头使宽度WP的变化量变动。

在此，例如主磁极60的宽度WP越宽，由对于磁盘12的多次反复记录(写)导致的向相邻磁道的写扩散(写渗透)越容易增加。因此，例如需要进行将磁道宽度设定得大等的调整。另外，位于框体11的越靠基体侧和罩盖侧、也即是越靠层叠方向的两侧(最外层侧)，磁头16的定位精度越容易变差。在该情况下，定位精度相对越低的层叠方向上的外层侧的磁盘12，越容易在一次的记录(写)工作中超出到相邻磁道而被进行记录，因此，需要将磁道间距设定为比定位精度相对高的内层侧的磁盘12的磁道间距宽。

与此相对，在本实施方式中，代替对磁道间距进行调整，越是中央头，越缩窄主磁极60的宽度WP，越是外部头，越加宽主磁极60的宽度WP。因此，即使是在如越是外部头、定位精度比中央头越差那样的情况下，也能够使磁盘12的记录容量增大。另外，由于在一个HDD10混合存在主磁极60的宽度WP不同的磁头16，因此，能够谋求提高磁头16的成品率。

这样，代替越是中央头则越缩窄主磁极60的宽度WP、越是外部头则越加宽主磁极60的宽度WP，而是例如越是中央头则越缩窄主磁极60的磁特性的宽度、越是外部头则越加宽主磁极60的磁特性的宽度，也能够同样地谋求增大磁盘12的记录容量。即，在该情况下，主磁极60的磁特性的宽度越宽的磁头16，配置在从层叠方向的中央附近离得越远的外层(从并列方向上的中央附近离得越远的靠外位置)。例如，关于主磁极60的磁特性的宽度，作为中央头的磁头16i、16j最窄(小)，在层叠方向上相对于中央头位于越靠外层侧的磁头16，逐渐变得越宽，作为外部头的磁头16a、16r最宽(大)。该磁特性的宽度的变化量也可以不是一样的，也可以从中央头到外部头使变化量变动。

主磁极60的磁特性的宽度是：在用磁头16、具体而言为写入头58对记录磁道进行了磁记录的情况下能够用读取头54适当地读出该记录区域的磁特性的交叉磁道方向WT上的记录区域的宽度。对于该宽度，如图9所示，例如在对使STO65的偏置电压断开(off)了时的记录信号输出的偏轨曲线(off-track profile)进行测定之后，被作为其半辐值(50％的位置)等来进行规定。此外，图9所示的交叉磁道位置和信号输出各自的值是一个例子，不限定于此。

接着，对其他实施方式涉及的HDD进行说明。此外，在以下说明的其他实施方式中，其基本构成与上述的第1实施方式是同样的。因此，以下对与第1实施方式不同的其他实施方式的特征性的构成进行说明，关于相同的构成部分，参照在第1实施方式中所对应的附图来省略说明。

(第2实施方式)

在第2实施方式中，对于磁头16，在向HDD10组装之前，其工作性能被进行测试，根据其测试结果被分类为多个组群。在本实施方式中，检测了磁头16的错误率。错误率是在用写入头58对于磁盘12的记录磁道的一次记录(写)工作中超出到与该记录磁道相邻的记录磁道(以下称为相邻记录磁道)而被进行记录的记录模式的比例。

图10是示意性地表示对于相邻记录磁道的记录次数(Write count)与错误率(Error Rate)的关系的图。在图10中将磁头16分类为三个组群A、B、C，示意性地表示各组群中的对于相邻记录磁道的记录次数与该记录次数后的错误率的关系。在图10所示的例子中，错误率按组群A、组群B、组群C的顺序变差。具体而言，随着记录次数增加，例如当超过记录次数N时，与组群A相比，组群B的错误率的恶化变得显著，进一步，与组群B相比，组群C的错误率的恶化变得显著。

在本实施方式中，这样根据错误率对磁头16进行了分类而得到的多个组群中，错误率越高的磁头16所属于的组群，配置在从层叠方向的中央附近离得越远的外层(从并列方向上的中央附近离得越远的靠外位置)。

在此，如图7所示，设想配置有18个磁头16a～16r的方式。在该情况下，这些磁头16a～16r根据错误率，被每预定数量地分类为多个组群。作为一个例子，18个磁头16a～16r被每6个地分类为与图10对应的三个组群A、B、C。具体而言，磁头16g、16h、16i、16j、16k、16l属于组群A。磁头16d、16e、16f、16m、16n、16o属于组群B。磁头16a、16b、16c、16p、16q、16r属于组群C。

因此，在图7所示的方式例中，属于错误率最低的组群A的6个磁头16g～16l配置在层叠方向上的中央附近。在这些磁头16的基体侧(磁头16d、16e、16f的位置)和罩盖侧(磁头16m、16n、16o的位置)，属于错误率比组群A次低的组群B的磁头16分别各配置有3个。进一步，在这些磁头16的基体侧(磁头16a、16b、16c的位置)和罩盖侧(磁头16p、16q、16r的位置)分别各配置有3个属于组群C的磁头16。

由此，磁头16的错误率在层叠方向上从中央头向外部头按组群而变高。此外，对磁头16进行分类的组群的数量不限于3个，既可以为2个，也可以为4个以上。在此，关于在层叠方向上排列配置的磁头16，越是外部头，定位精度越容易变差，优选越加宽记录磁道的间距(磁道间距)。另一方面，与需要加宽磁道间距相应地，越是外部头，越能够缓和边缘特性(在对相邻记录磁道进行了磁记录时错误率劣化)。另外，这样错误率高的磁头16也能够提高线记录密度，降低磁道间距密度。因此，在本实施方式中，代替对磁道间距进行调整，错误率越高的磁头16的组群，配置在从层叠方向的中央附近离得越远的外层。因此，能够使磁盘12的记录容量增大。

(第3实施方式)

在第3实施方式中，关于磁盘12，在向HDD10组装之前，其工作性能被进行测试，根据其测试结果被分类为多个组群。在本实施方式中，检测了表示磁盘12的盖写特性(OW)的指标值。盖写特性以在某频率的记录模式(pattern)上盖写了与该记录模式不同的频率的记录模式时的盖写前后的记录模式的振幅差来指标化，根据其值来判定优劣(写入难度)。例如，在垂直磁记录的情况下，低频信号要比高频信号难以写入，因此，将以dB表示在进行了高频信号的写入之后进行了低频信号的写入时的未完全消失信号而得到的值作为盖写特性的指标即可。

图11是表示基于这样的盖写特性(OW)来对磁盘12进行了分类的情况下的一个例子的图。在图11所示的例子中，根据盖写特性的值的范围、也即是写入难度的程度，来将磁盘12分类为5个组群(Group)。在该情况下，Gr1是最难以被盖写的磁盘12所属于的组群，以下按升序，Gr5是最容易被盖写的磁盘12所属于的组群。此外，图11所示的组群间的阈值为一个例子，不限定于图示的值，可以任意地进行设定。

在本实施方式中，这样根据盖写特性(OW)对磁盘12进行了分类而得到的多个组群中，盖写特性越高的磁盘12所属于的组群，配置在从层叠方向的中央附近离得越远的外层(从并列方向上的中央附近离得越远的靠外位置)。

在此，如图7所示，设想配置有9片磁盘12a～12i的方式。在该情况下，这些磁盘12a～12i根据盖写特性而被每预定片数地分类为多个组群。作为一例，9片磁盘12a～12i被分类为与图11对应的5个组群(Gr1～Gr5)。具体而言，磁盘12e属于Gr1(20≤OW＜23)。同样，磁盘12d、12f属于Gr2(23≤OW＜26)，磁盘12c、12g属于Gr3(26≤OW＜29)，磁盘12b、12h属于Gr4(29≤OW＜32)，磁盘12a、12i属于Gr5(32≤OW＜35)。

因此，在图7所示的方式例中，属于盖写特性最低的Gr1的磁盘12e配置在层叠方向上的中央附近。在磁盘12e的基体侧和罩盖侧分别配置有属于盖写特性比Gr1高的Gr2、Gr3、Gr4的磁盘12。并且，属于盖写特性最高的Gr5的磁盘12a、12i分别配置在层叠方向上的最外层。

由此，磁盘12的盖写特性在层叠方向上从中央附近到最外层按组群而变高。因此，例如与上述的第1实施方式和第2实施方式不同，即使是在磁头16的主磁极60的宽度WP大致一样的情况下、或者错误率大致一样的情况下，也能够使磁盘12的记录容量增大。

(第4实施方式)

在第4实施方式中，头放大器IC30根据磁头16(写入头58)在层叠方向上的位置来使得用于对主磁极60进行激励的记录电流不同。具体而言，在对磁盘12进行磁记录(写入数据)时，从记录电流供给电路(记录电流供给部)91向第1记录线圈70以及第2记录线圈72供给的记录电流由主控制器90进行控制。

图12是表示通过这样的主控制器90进行的记录电流的控制(记录电流控制处理)的一个例子的流程图。如图12所示，在对于磁盘12的数据写入时，主控制器90从主机95接收：指示对于磁盘12进行数据写入的写命令(ST1)。

当接收到写命令时，主控制器90选择数据的写入目的地，基于伺服信息等来确定要被写入数据的磁盘12的记录磁道。由此，主控制器90确定对所确定的记录磁道写入(磁记录)数据的磁头16在层叠方向(并列方向)上的位置(ST2)。

接着，主控制器90对已确定为数据的写入目的地的磁盘12写入数据。具体而言，HDC96经由R/W通道94使头放大器IC30执行数据的信号处理。此时，头放大器IC30根据磁头16(写入头58)在层叠方向上的位置，使从记录电流供给电路91向第1记录线圈70以及第2记录线圈72供给的记录电流的大小变化。由此，主磁极60被进行激励，在主磁极60中流通的磁通的量变化。在主控制器90的存储器80中例如保存有预定的表，该预定的表关联了磁头16(写入头58)在层叠方向上的位置与该位置的最佳的记录电流的值的关系。在记录电流的控制时，MPU97根据表来设定磁头16(写入头58)在层叠方向上的位置处的最佳的记录电流的值，将其作为参数交给头放大器IC30。

在本实施方式中，记录电流供给电路91，关于配置在层叠方向上的越靠外层侧(并列方向的越靠外位置)的磁头16(外部头)，与配置在层叠方向(并列方向)上的中央附近的磁头16(中央头)相比，将对主磁极60进行激励的记录电流提高(增加)越多(ST3)。提高对主磁极60进行激励的记录电流，实现与加宽主磁极60的宽度WP同样的效果。因此，越是外部头，与中央头相比，越增大对主磁极60进行激励的记录电流，由此，能够得到与越是外部头、相对于中央头而言越加宽主磁极60的宽度WP同样的效果。

由此，例如与上述的第1实施方式以及第2实施方式不同，即使是在磁头16的主磁极60的宽度WP大致一样的情况下、或者错误率大致一样的情况下，也能够使磁盘12的记录容量增大。另外，例如与上述的第3实施方式不同，即使是在磁盘12的盖写特性(OW)大致一样的情况下，也能够使磁盘12的记录容量增大。

以上对本发明的几个实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为例子提示的，并不是意在限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其他各种各样的方式来实施，能够在不脱离发明的宗旨的范围内进行各种省略、置换、变更。这些实施方式及其变形包含在发明的范围、宗旨内，并且，包含在权利要求书记载的发明及其等同的范围内。