具体实施方式

＜第一实施方式＞

以下，参照附图来说明本发明的第一实施方式。图1是示出根据本发明的第一实施方式的电子装置中的光锁存电路的结构例的概略框图。

在该图1中，光锁存电路1具备电压传感器11、光发电元件12和反馈电阻13。通过从光锁存电路1的输出端子OUT供应的驱动控制信号，来驱动或停止驱动对象电路200。驱动和停止中的每一个通过例如是否进行电源供应等来控制。在本实施方式中，驱动对象电路200例如在驱动控制信号的信号水平为“H”水平的情况下驱动，在“L”水平的情况下停止。

电压传感器11将施加到输入端子INPUT1的发电电压VI1（后述）与预先设定的阈值电压VTH1进行比较，在发电电压VI1超过了阈值电压VTH1的情况下，使从判定输出端子OUTPUT输出的驱动控制信号SC从“L”水平转变为“H”水平（输出了置位信号）。

光发电元件12例如是发光二极管（GaAs（gallium arsenide，所谓砷化镓）类等），阳极连接到输入端子INPUT1，阴极连接到接地点。即，光发电元件12在输入端子INPUT1和接地点之间，针对接地点正向连接。此外，光发电元件12通过光被照射时的光电动势（photovoltage），针对输入端子INPUT1输出与所照射的光的强度对应的电压水平的发电电压VI1。

光发电元件12可以不是上述的发光二极管，而是光电二极管或太阳能电池。然而，关于由光电动势输出的电压，发光二极管最高，并且价格便宜，因此，优选的是，利用发光二极管。

在反馈电阻13中，一端连接到判定输出端子OUTPUT，另一端连接到输入端子INPUT1。

以下说明光锁存电路1的工作。图2是示出根据本发明的第一实施方式的光锁存电路1的锁存处理的工作例的流程图。在初始状态下，光锁存电路1从判定输出端子OUTPUT输出“L”水平的驱动控制信号SC。

步骤S101：光锁存电路1进行施加到输入端子INPUT1的发电电压VI1是否超过阈值电压VTH的判定。

此时，在针对光发电元件12照射超过规定光强度的光的情况下，光发电元件12供应到输入端子INPUT1的发电电压VI1超过阈值电压VTH1。

由此，在光锁存电路1中，由于发电电压VI1超过阈值电压VTH1，所以使处理前进到步骤S102。

另一方面，在针对光发电元件12未照射超过规定光强度的光的情况下，光发电元件12供应到输入端子INPUT1的发电电压VI1为阈值电压VTH1以下。

由此，在电压传感器11中，由于发电电压VI1未超过阈值电压VTH，所以重复步骤S101的处理。

步骤S102：电压传感器11使从判定输出端子OUTPUT输出的驱动控制信号SC从“L（电源VSS的电压）”水平变化为“H（电源VDD的电压）”水平。

步骤S103：由于电压传感器11使驱动控制信号SC的电压水平从“L”水平变化为“H”水平，所以该电压水平的变化经由反馈电阻13传播到电压传感器11的输入端子INPUT1。

步骤S104：由于驱动控制信号SC的电压为“H”水平，所以向输入端子INPUT1供应超过阈值电压TTH1的电压。

因此，即使针对光发电元件12未照射超过规定光强度的光，电压传感器11也将从判定输出端子OUTPUT输出的驱动控制信号SC保持（锁存）为“H”水平。

由此，光锁存电路1从输出端子OUT向驱动对象电路200供应保持为“H”水平的驱动控制信号SC，继续地使驱动对象电路200驱动。

根据本实施方式，使用光发电元件12与光的强度对应地通过光电动势所生成的发电电压VI1来进行感测光的强度是否变为规定光强度，因此，只要电子装置在库存期间或非工作期间（也包含搬送中），不被照射规定光强度的光，就不会如以往那样从电池流动消耗电流，从而能够大幅地增加电池的寿命。

即，只要不照射规定光强度的光，消耗的就限定于光发电元件12生成的发电电力，不进行对电压传感器11输出的驱动控制信号SC的电压水平进行变更的工作，因此，不会消耗电池的电力。

图3是示出本发明的第一实施方式中的电压传感器11的结构例的电路图。在图3中，电压传感器11具备MOS（metal oxide semiconductor，金属氧化物半导体）晶体管Q1、Q2、Q3和Q4、引线电阻111、以及反相器112。

MOS晶体管Q1和G2是增强型的P沟道MOS晶体管。

此外，MOS晶体管Q3是耗尽型的N沟道MOS晶体管。MOS晶体管Q4是增强型的N沟道MOS晶体管。

反相器112例如是由MOS晶体管构成的NOT门电路。

在MOS晶体管Q1中，源极连接到电源VDD，栅极连接到MOS晶体管Q2的漏极、MOS晶体管Q4的漏极和反相器112的输入端子T112I，漏极连接到MOS晶体管Q3的漏极和MOS晶体管Q2的栅极。

在MOS晶体管Q2中，源极连接到电源VDD，栅极连接到MOS晶体管Q1的漏极和MOS晶体管Q3的漏极，漏极连接到MOS晶体管Q1的栅极、MOS晶体管Q4的漏极和反相器112的输入端子T112I。

在MOS晶体管Q3中，漏极连接到MOS晶体管Q1的漏极和MOS晶体管Q2的栅极，栅极连接到电源VSS（接地点），源极连接到输入端子INPUT1。

在MOS晶体管Q4中，漏极连接到MOS晶体管Q1的栅极、MOS晶体管Q2的漏极和反相器112的输入端子T112I。

在引线电阻111中，一端连接到输入端子T112I，另一端连接到电源VSS（接地点）。

在反相器112中，输入端子T112I连接到MOS晶体管Q1的栅极、MOS晶体管Q2的漏极和MOS晶体管Q4的漏极。

以下，说明图3所示的电压传感器11针对施加到输入端子INPUT1的发电电压VI1的电压感测的工作。在预先设计中设定了想要使驱动对象电路200开始驱动的光强度。因此，预先测量了在照射想要开始驱动的光强度时光发电元件12所输出的发电电压VI1。

然后，MOS晶体管Q1、Q2、Q3和Q4的晶体管尺寸和阈值电压被设定为使得与该测量的发电电压VI1相同的电压（或具有某种程度盈余的电压）成为光锁存电路1使驱动控制信号SC从“L”水平变化为“H”水平的阈值电压VTH1。

由于照射到光发电元件12的光的强度上升，从而供应到输入端子INPUT1的发电电压VI1也上升。

由此，MOS晶体管Q3的源极的电压上升，在MOS晶体管Q3中流动的漏极电流ID3降低。

此外，MOS晶体管Q4的栅极的电压上升，在MOS晶体管Q4中开始流动漏极电流ID4。

然后，在照射到光发电元件12的光的强度超过预先设定的强度的情况下，发电电压VI1超过阈值电压VTH1。

此时，在MOS晶体管Q4中流动的漏极电流ID4的电流值大于在MOS晶体管Q2中流动的漏极电流ID2，因此，连接点N2的电压变为“L”水平。

由此，在反相器112中，向输入端子T112I施加“L”水平的电压，因此，从输出端子T112O输出“H”水平的电压（驱动控制信号SC的“H”水平的输出）。

此外，MOS晶体管Q3由于施加到源极的发电电压VI1超过阈值电压，所以关断。

由此，向MOS晶体管Q4的栅极施加“L”水平，因此，MOS晶体管Q1导通，连接点N1变为“H”水平。

然后，MOS晶体管Q2由于向栅极施加“H”水平的电压，所以关断。

通过上述处理，在照射到光发电元件12的光的强度超过预先设定的强度的情况下，连接点N1的电压从“L”水平变化为“H”水平，连接点N2的电压从“H”水平变化为“L”水平（光锁存电路1的置位）。

因此，通过MOS晶体管Q2的阈值电压和漏极电流ID2、以及MOS晶体管Q4的阈值电压和漏极电流ID4，与从输入端子INPUT1供应的发电电压VI1对应地设定阈值电压VTH1。

如上所述，在本实施方式中的电压传感器11中，采用进行照射到光发电元件12的光的强度是否变为预先设定的强度的检测的结构，向作为耗尽型的MOS晶体管Q3的源极施加发电电压VI1。由此，例如，在照射到光发电元件12的光的强度超过预先设定的强度时的发电电压VI1是“0.4V”的情况下，MOS晶体管Q3的阈值电压为“-0.3V”，MOS晶体管Q4的阈值电压为“0.4V”。在该情况下，在发电电压VI1上升到“0.4V”之前，MOS晶体管Q4不导通，因此，基本上，不会从电源VDD（即，电池）流动消耗电流。此外，此时，由于MOS晶体管Q1关断，所以在MOS晶体管Q3中也不流动消耗电流。

＜第二实施方式＞

以下，参照附图来说明本发明的第二实施方式。图4是示出根据本发明的第二实施方式的光锁存电路的结构例的概略框图。

在该图4中，光锁存电路1A具备电压传感器11、光发电元件12、14和反馈电阻13。在本实施方式中，与图1的电子装置同样，驱动对象电路200例如在驱动控制信号SC的信号水平为“H”水平的情况下驱动，在“L”水平的情况下停止。

图4所示的光锁存电路1A与第一实施方式的光锁存电路1不同的结构在于新附加了光发电元件14这一点。

该光发电元件14具有与第一实施方式中说明的光发电元件12同样的特性，由与所照射的光的光强度对应的光电动势来生成发电电压VI2。

关于与光强度对应地输出的上述发电电压VI2，作为绝对值，是与第一实施方式中的发电电压VI1相同的电压，但是，由于在输入端子INPUT1和接地点之间反向安装，所以电压的极性相反。

例如，在照射到光发电元件12的光的强度超过预先设定的强度时的发电电压VI1是“0.4V”的情况下，在照射了同样的光强度的光时，光发电元件14输出“-0.4V”的发电电压VI2。

此外，光锁存电路11A将供应到输入端子INPUT1的发电电压VI2与阈值电压VTH2进行比较。

然后，光锁存电路11A在发电电压VI2为阈值电压VTH2（即，-0/4V）不足的情况下，使驱动控制信号SC的电压水平从“H”水平变化为“L”水平。

与对光发电元件14照射的光的强度超过预先设定的强度时的发电电压VI2对应地设定上述阈值电压VTH2。

第一实施方式的光锁存电路1如已经说明的那样，进行使驱动控制信号SC从“L”水平变化为“H”水平的仅单方向的工作。

然而，在实施方式中，光锁存电路1A能进行使驱动控制信号SC从“L”水平变化为“H”水平（置位）以及从“H”水平变化为“L”水平的（复位）双方向的变化。

由此，根据本实施方式，能够使驱动控制信号SC在“L”水平和“H”水平之间切换，从而能够使图1的驱动对象电路200驱动或停止。

此外，根据本实施方式，与第一实施方式同样，分别使用光发电元件12或14与光的强度对应地通过光电动势生成的发电电压VI1、VI2来进行感测光的强度是否变为规定光强度，因此，只要电子装置在库存期间或非工作期间（也包含搬送中），不被照射规定光强度的光，就不会如以往那样从电池流动消耗电流，从而能够大幅地增加电池的寿命。

在本实施方式的情况下，光锁存电路1A通过向光发电元件12照射规定强度的光时的发电电压VI1而置位，通过向光发电元件14照射规定强度的光时的发电电压VI2而置位。

因此，在向光发电元件12和14双方同时照射规定光强度的光的情况下，可能会误工作。

因此，在电子装置中，光发电元件12配置的位置和光发电元件14配置的位置被分离地设置，以使得不会向光发电元件12和14双方同时照射光。

在通常的室内的荧光灯或LED（light emitting diode，发光二极管）照明的光环境下，光发电元件12的发电电压VI1不会超过阈值电压VTH1，此外，光发电元件14的发电电压VI2不会变为阈值电压VTH2不足。

在本实施方式的情况下，例如，使用向规定范围呈点状照射光的光照射装置，以用于仅向分离地设置的光发电元件12或14中的任一者照射所照射的光的强度超过预先设定的强度的光。

此外，也可以构成为通过遮光部件遮盖光发电元件12和14，取下任一个的遮光部件来向任一个照射光。

使用图3和图4来说明如下的工作：在驱动控制信号SC以“H”水平从电压传感器11输出的状态下，在对光发电元件14照射规定强度的光时，驱动控制信号SC变化为“L”水平。此时，不向光发电元件12照射规定强度的光。

因此，向电压传感器11的输入端子INPUT1施加发电电压VI2。

经由反馈电阻13向输入端子INPUT1施加“H”水平的电压。

因此，在由于向光发电元件14照射光而使由光发电元件14所生成的发电电压VI2降低时，如果在光发电元件14中流动的电流大于在反馈电阻13中流动的电流，则施加到电压传感器11的输入端子INPUT1的发电电压VI2变为阈值电压VTH2不足。

由于发电电压VI2变为阈值电压VTH2不足，从而MOS晶体管Q4关断，MOS晶体管Q3导通。

然后，在MOS晶体管Q1中流动的漏极电流ID1大于MOS晶体管Q3中流动的漏极电流ID3，MOS晶体管Q2导通，MOS晶体管Q1关断。

其结果是，连接点N1从“H”水平变化为“L”水平，连接点N2从“L”水平变化为“H”水平。

由此，在反相器112中，由于向输入端子T112I施加“H”水平的电压，所以从输出端子T112O输出“L”水平的电压（驱动控制信号SC的“L”水平的输出）。

通过上述处理，在照射到光发电元件14的光的强度超过预先设定的强度的情况下，连接点N1的电压从“H”水平变化为“L”水平，连接点N2的电压从“L”水平变化为“H”水平。

因此，通过MOS晶体管Q1的阈值电压和漏极电流ID1、MOS晶体管Q3的阈值电压和漏极电流ID3、以及反馈电阻13的电阻值（例如，以10MΩ为中心的规定范围的电阻值等），与从输入端子INPUT1供应的发电电压VI2对应地设定阈值电压VTH2。

＜第三实施方式＞

以下，参照附图来说明本发明的第三实施方式。图5是示出根据本发明的第三实施方式的光锁存电路的结构例的概略框图。

在该图5中，光锁存电路1B具备电压传感器11、光发电元件12、16、电流镜电路17和反馈电阻13。在本实施方式中，与图1的电子装置同样，驱动对象电路200例如在驱动控制信号SC的信号水平为“H”水平的情况下驱动，在“L”水平的情况下停止。

图5所示的光锁存电路1B与第一实施方式的光锁存电路1不同的结构在于新附加了光发电元件16、以及由MOS晶体管Q5和Q6构成的电流镜电路17这一点。MOS晶体管Q5和Q6是增强型的N沟道MOS晶体管。

该光发电元件16具有与第一实施方式中说明的光发电元件12同样的特性，通过与所照射的光的光强度对应的光电动势来生成发电电压VI4。

与光强度对应地输出的上述发电电压VI4在输入端子INPUT2和接地点之间正向安装，因此，生成与发电电压VI1相同极性并且相同电压的发电电压VI4。

在光发电元件16中，阳极连接到电流镜电路17的电流输入端子TI1，阴极连接到接地点。

在MOS晶体管Q5中，漏极和栅极连接到电流输入端子TI1和MOS晶体管Q6的栅极，源极连接到接地点。

在MOS晶体管Q6中，漏极连接到电流输出端子TO1，栅极连接到MOS晶体管Q5的漏极和栅极，源极连接到接地点。

在电流镜电路17中，电流输出端子TO1连接到电压传感器11的输入端子INPUT1。

使用图3和图5来说明如下的工作：在驱动控制信号SC以“H”水平从电压传感器11输出的状态下，对光发电元件16照射规定强度的光时，驱动控制信号SC变化为“L”水平。此时，不向光发电元件12照射规定强度的光。

因此，向电压传感器11的输入端子INPUT1施加发电电压VI4。

经由反馈电阻13向输入端子INPUT1施加“H”水平的电压。

在此，由于向光发电元件16照射光，而由光发电元件14所生成的发电电压VI4上升，在MOS晶体管Q5中流动与发电电压VI4对应的电流。由此，与MOS晶体管Q5和Q6的晶体管尺寸之比对应，在MOS晶体管Q6中流动在MOS晶体管Q5中流动的电流乘以晶体管尺寸之比的电流。

因此，即使在MOS晶体管Q5中流动的电流小于经由反馈电阻13流动的反馈电流If的情况下，也能够通过使MOS晶体管Q6的晶体管尺寸大于MOS晶体管Q5，从而使输入端子INPUT1降低到“L”水平。

由此，如在第二实施方式中说明的那样，输入端子INPUT1变为“L”水平，MOS晶体管Q4关断，MOS晶体管Q3导通。因此，由于发电电压VI2变为阈值电压VTH2不足，从而MOS晶体管Q4关断，MOS晶体管Q3导通。

然后，在MOS晶体管Q1中流动的漏极电流ID1大于在MOS晶体管Q3中流动的漏极电流ID3，MOS晶体管Q2导通，MOS晶体管Q1关断。

其结果是，连接点N1从“H”水平变化为“L”水平，连接点N2从“L”水平变化为“H”水平。

由此，在反相器112中，由于向输入端子T112I施加“H”水平的电压，所以从输出端子T112O输出“L”水平的电压（驱动控制信号SC的“L”水平的输出）。

通过上述处理，在照射到光发电元件16的光的强度超过预先设定的强度的情况下，连接点N1的电压从“H”水平变化为“L”水平，连接点N2的电压从“L”水平变化为“H”水平。

因此，通过MOS晶体管Q1的阈值电压和漏极电流ID1、MOS晶体管Q3的阈值电压和漏极电流ID3、以及反馈电阻13的电阻值（例如，10MΩ中心规定范围的电阻值等），与从输入端子INPUT1供应的发电电压VI2对应地设定阈值电压VTH2。

根据本实施方式，能够使驱动控制信号SC在“L”水平和“H”水平之间切换，从而能够使图1的驱动对象电路200驱动或停止。

＜第四实施方式＞

以下，参照附图来说明本发明的第四实施方式。图6是示出根据本发明的第四实施方式的光锁存电路的结构例的概略框图。

在该图6中，光锁存电路1C具备电压传感器11、光发电元件12、反馈电阻13和二极管18。在本实施方式中，与图1的电子装置同样，驱动对象电路200例如在驱动控制信号SC的信号水平为“H”水平的情况下驱动，在“L”水平的情况下停止。

图6所示的光锁存电路1C与第一实施方式的光锁存电路1不同的结构在于新附加了二极管18这一点。

该二极管18与反馈电阻13串联连接地插进判定输出端子OUTPUT和输入端子INPUT1之间。在此，二极管18从判定输出端子OUTPUT针对输入端子INPUT1正向连接。在二极管18中，例如，阳极连接到判定输出端子OUTPUT，阴极连接到反馈电阻13的一端。反馈电阻13的另一端连接到输入端子INPUT1。

在输入端子INPUT1为“H”水平并且判定输出端子OUTPUT为“L”水平的情况下，通过设置二极管18，来阻止从输入端子INPUT1经由反馈电阻13向输出端子OUT的电流流动。

由此，在从判定输出端子OUTPUT输出的驱动控制信号SC为“L”水平的情况下，能够防止光发电元件12输出的发电电压VI1的减少，光发电元件12的光电动势至少能够使输入端子INPUT1的电压上升。

向输入端子INPUT1施加“H”水平的驱动控制信号SC时的电压传感器11的工作与第一实施方式同样，因此，省略说明。

此外，通过使二极管18的正向电压变高，能够减少在锁存的状态下的引线电阻111中流动的电流，即减少驱动控制信号SC为“H”水平下的消耗电流，从而能够减少驱动对象电路200的驱动状态下的电池的功耗。

此外，在从判定输出端子OUTPUT输出的驱动控制信号SC为“H”水平的情况下，是正向，因此，经由二极管18和反馈电阻13针对输入端子INPUT1传播“H”水平的信号，从判定输出端子OUTPUT输出的驱动控制信号SC保持（锁存）为“H”水平。

即，根据本实施方式，即使照射到光发电元件16的光的强度降低预先设定的强度，入射到光发电元件12的光是弱的光强度，也能够使驱动控制信号SC从“L”水平变化为“H”水平，并且，使从判定输出端子OUTPUT输出的驱动控制信号SC保持（锁存）为“H”水平。

＜第五实施方式＞

以下，参照附图来说明本发明的第五实施方式。图7是示出根据本发明的第五实施方式的光锁存电路的结构例的概略框图。

在该图6中，光锁存电路1D具备电压传感器11、光发电元件12、反馈电阻13和延迟（延时）电路18。在本实施方式中，与图1的电子装置同样，驱动对象电路200例如在驱动控制信号SC的信号水平为“H”水平的情况下驱动，在“L”水平的情况下停止。

图7所示的光锁存电路1D与第一实施方式的光锁存电路1不同的结构在于新附加了延迟电路19这一点。

该延迟电路19与反馈电阻13串联连接地插进判定输出端子OUTPUT和输入端子INPUT1之间。在此，在延迟电路19中，例如，一端连接到判定输出端子OUTPUT，另一端连接到反馈电阻13的一端。反馈电阻13的另一端连接到输入端子INPUT1。

在所照射的光的强度超过预先设定的强度的光被照射的情况下，光发电元件12输出超过阈值电压VTH1的发电电压VI1。

电压传感器11在发电电压VI1超过阈值电压VTH1的情况下，使从判定输出端子OUTPUT输出的驱动控制信号SC从“L”水平变化为“H”水平。

此时，在超过延迟电路19的延迟时间而未针对光发电元件12照射超过预先设定的强度的光的情况下，即使驱动控制信号SC是“H”水平，延迟电路19也将从输出端子OUTD输出的延迟信号DSC维持为“L”水平，不使驱动控制信号SC的从“L”水平到“H”水平的变化经由反馈电阻13传播到输入端子INPUT1。

另一方面，在超过延迟电路19的延迟时间而针对光发电元件12照射了超过预先设定的强度的光的情况下，延迟电路19经由反馈电阻13，使驱动控制信号SC的从“L”水平到“H”水平的变化作为“H”水平的延迟信号DSC而传播到输入端子INPUT1。

向输入端子INPUT1施加“H”水平的驱动控制信号SC时的电压传感器11的工作与第一实施方式相同，因此，省略说明。

图9是示出光锁存电路1D中的延迟电路19所进行的驱动控制信号SC的传播延迟的工作的时间图。在以下的说明中，使从输入了延迟电路19的信号起到输出该信号为止的延迟时间Td为1sec（秒）。

在图9（a）中，纵轴示出了光发电元件12输出的发电电压VI1的电压值，横轴示出了时间。

在图9（b）中，纵轴示出了从电压传感器11的判定输出端子OUTPUT输出的驱动控制信号SC的电压水平，横轴示出了时间。

在图9（c）中，纵轴示出了从延迟电路19的输出端子OUTD输出的延迟信号DSC的电压水平，横轴示出了时间。

在时刻t1，向光发电元件12照射超过预先设定的强度的光。

由此，光发电元件12生成超过阈值电压VTH1的发电电压VI1。

然后，在电压传感器11中，向输入端子INPUT1供应上述发电电压VI1，使从判定输出端子OUTPUT输出的驱动控制信号SC的电压水平从“L”水平变化为“H”水平。

此时，在延迟电路19中，由于未经过延迟时间Td，所以将从输出端子OUTD输出的延迟信号DSC的电压水平维持为“L”水平。

此外，在光锁存电路1D中，使从输出端子OUT输出的驱动控制信号SC的电压水平从“L”水平变化为“H”水平。

在时刻t2，不向光发电元件12照射超过预先设定的强度的光。

由此，光发电元件12生成阈值电压VTH1以下的发电电压VI1。然后，在电压传感器11中，向输入端子INPUT1供应上述发电电压VI1，使从判定输出端子OUTPUT输出的驱动控制信号SC的电压水平从“H”水平变化为“L”水平。

此时，在延迟电路19中，由于未经过延迟时间Td，驱动控制信号SC的电压水平从“H”水平变化为“L”水平，所以使从输出端子OUTD输出的延迟信号DSC的电压水平维持为“L”水平。

此外，在光锁存电路1D中，使从输出端子OUT输出的驱动控制信号SC的电压水平从“H”水平变化为“L”水平。

在时刻t3，与时刻t1的情况相同，向光发电元件12照射强度超过预先设定的强度的光。

由此，光发电元件12生成超过阈值电压VTH1的发电电压VI1。

然后，在电压传感器11中，向输入端子INPUT1供应上述发电电压VI1，使从判定输出端子OUTPUT输出的驱动控制信号SC的电压水平从“L”水平变化为“H”水平。

此时，在延迟电路19中，由于未经过延迟时间Td，所以将从输出端子OUTD输出的延迟信号DSC的电压水平维持为驱动控制信号SC的“L”水平。

在时刻t4，从开始针对光发电元件12照射超过预先设定的强度的光的时刻t3起的经过时间超过了延迟电路19的延迟时间Td。

此时，在电压传感器11中，向输入端子INPUT1供应超过阈值电压VTH1的发电电压VI1，因此，将从判定输出端子OUTPUT输出的驱动控制信号SC的电压水平维持为“H”水平。

由此，在延迟电路19中，由于经过了延迟时间Td，所以使从输出端子OUTD输出的延迟信号DSC的电压水平从“L”水平变化为“H”水平。

在时刻t5，不向光发电元件12照射超过预先设定的强度的光。

由此，光发电元件12生成阈值电压VTH1以下的发电电压VI1。然而，在电压传感器11中，从延迟电路19的输出端子OUTD经由反馈电阻13向输入端子INPUT1供应“H”水平的延迟信号DSC。因此，在电压传感器11中，从判定输出端子OUTPUT输出的驱动控制信号SC的电压水平维持为“H”水平。

通过上述处理，在光锁存电路1D中，即使从光发电元件12供应的发电电压VI1为阈值电压VTH1以下，从输出端子OUT输出的驱动控制信号SC的电压水平也锁存为“H”水平，继续地输出“H”水平的驱动控制信号SC。

如上所述，在本实施方式中，在针对光发电元件12照射超过预先设定的强度的光的时间为延迟电路19中设定的延迟时间Td不足的情况下，即使能够仅在照射该光的时间范围内，从光锁存电路1D输出“H”水平的驱动控制信号SC，即，光锁存电路1D输出“H”水平，如果在延迟时间Td的范围内，则还是能够使驱动控制信号SC变化为“L”水平。

通过该结构，根据本实施方式，在图1中的电子装置中，在进行光锁存电路1D的工作试验和驱动对象电路200的工作试验时，通过使针对光发电元件12照射超过预先设定的强度的光的时间为延迟电路19中设定的延迟时间Td不足，从而在该延迟时间Td内进行工作试验，由此，光锁存电路1D不使驱动控制信号SC锁存为“H”水平，因此，能够在工作试验之后，使电子装置变为库存或非工作期间。

以上，参照附图详述了本发明的实施方式，但是，具体结构不限于该实施方式，还包含不脱离本发明的主旨的范围的设计等。

附图标记的说明

1、1A、1B、1B、1C、1D…光锁存电路

11…电压传感器

12、14、16…光发电元件

13…反馈电阻

17…电流镜电路

18…二极管

19…延迟电路

111…引线电阻

112…反相器

200…驱动对象电路

Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6…MOS晶体管。