具体实施方式

《低介电树脂组合物》

低介电树脂组合物为包含液晶聚合物(A)和具有极性基团的接枝改性聚烯烃(B)的树脂组合物。

低介电树脂组合物在10GHz下的相对介电常数为比液晶聚合物(A)在频率10GHz下的相对介电常数低的值。另外，低介电树脂组合物在10GHz下的介电损耗角正切为比接枝改性聚烯烃(B)在频率10GHz下的介电损耗角正切低的值。

另外，低介电树脂组合物在10GHz下的介电损耗角正切优选0.0025以下。前述的介电损耗角正切的下限没有特别限定。介电损耗角正切的下限例如可以为0.0005以上、也可以为0.0010以上。

另外，上述低介电树脂组合物在频率10GHz下的相对介电常数优选为2.80以下。前述的相对介电常数的下限没有特别限定。相对介电常数的下限例如可以为2.00以上、也可以为2.50以上。

上述低介电树脂组合物利用低介电特性，可以适合用于高频带下使用的电气、电子部件、信息通信装置、该信息通信装置的部件等的用途。

上述低介电树脂组合物根据液晶聚合物(A)与接枝改性聚烯烃(B)的混合比率、液晶聚合物(A)的熔点、接枝改性聚烯烃(B)的熔点、液晶聚合物(A)的熔点与接枝改性聚烯烃(B)的熔点的差、将液晶聚合物(A)和接枝改性聚烯烃(B)混合时的温度、接枝改性聚烯烃(B)的改性率等各种条件，可形成各种相态。

在低介电树脂组合物中，优选在至少一部分中形成有包含液晶聚合物(A)和接枝改性聚烯烃(B)的海岛结构。关于海岛结构，可以是液晶聚合物(A)和接枝改性聚烯烃(B)中的任一者为海成分。

此处，在低介电树脂组合物中，在至少一部分中形成有海岛结构是指，用电子显微镜(SEM)观察低介电树脂组合物的试样的截面时，在100μm×100μm的尺寸的任意3个观察对象区域中的至少1个区域中观察到海岛结构。

为该相态的情况下，源自液晶聚合物(A)的性质的各向异性得以缓和，低介电树脂组合物的熔融加工性良好。

在低介电树脂组合物中形成有上述海岛结构的情况下，优选低介电树脂组合物包含液晶聚合物(A)为海成分的海岛结构，或者包含海岛结构且包含液晶聚合物(A)与接枝改性聚烯烃(B)一同形成连续相的共连续结构。

此处，液晶聚合物(A)或接枝改性聚烯烃(B)形成连续相是指，用电子显微镜(SEM)观察低介电树脂组合物的试样的截面时，在视野内，液晶聚合物(A)或接枝改性聚烯烃(B)形成了外周未封闭的区域。

另外，低介电树脂组合物包含海岛结构且包含共连续结构是指，用电子显微镜(SEM)观察低介电树脂组合物的试样的截面时，在为100μm×100μm的尺寸且观察到海岛结构的任意3个观察对象区域中的至少1个区域中观察到共连续结构。

该情况下，液晶聚合物(A)形成海成分或共连续结构中的连续相，由此，低介电树脂组合物容易表现源自液晶聚合物(A)的优异的耐热性。

低介电树脂组合物通过将液晶聚合物(A)和接枝改性聚烯烃(B)混合来制造。

将液晶聚合物(A)和接枝改性聚烯烃(B)混合的方法没有特别限定。作为优选的混合方法，可列举出使用单螺杆挤出机、双螺杆挤出机等熔融混炼装置的方法。

对于将液晶聚合物(A)和接枝改性聚烯烃(B)混合的条件，只要为能够将液晶聚合物(A)和接枝改性聚烯烃(B)均匀地混合且低介电树脂组合物中所含的各成分不会过度地热分解或升华的条件，就没有特别限定。使用熔融混炼装置的情况下，例如，在比液晶聚合物(A)的熔点和接枝改性聚烯烃熔点中的较高一方的熔点优选高5℃以上且100℃以下的温度、更优选高10℃以上且50℃以下的温度下进行熔融混炼。

低介电树脂组合物可以在不阻碍本发明目的的范围内包含除液晶聚合物(A)及接枝改性聚烯烃(B)以外的其他树脂。相对于低介电树脂组合物中所含的树脂成分的总质量，液晶聚合物(A)的质量与接枝改性聚烯烃(B)的质量的合计比例典型地优选80质量％、更优选90质量％以上、进一步优选95质量％以上、特别优选100质量％。

作为其他树脂的例子，可列举出未进行接枝改性的聚烯烃、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯等非液晶性的聚酯、聚酰胺、聚酯酰胺、聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚碳酸酯、聚缩醛、聚苯硫醚、聚苯醚、聚砜、聚醚砜、聚醚酰亚胺、有机硅树脂以及氟树脂等。

低介电树脂组合物中根据需要可以配混无机填充剂。作为无机填充，可列举出碳酸钙、滑石、粘土、二氧化硅、碳酸镁、硫酸钡、氧化钛、氧化铝、蒙脱石、石膏、玻璃片、玻璃纤维、磨碎玻璃纤维、碳纤维、氧化铝纤维、二氧化硅氧化铝纤维、硼酸铝晶须、以及钛酸钾纤维等。无机填充剂可以单独使用，也可以组合使用2种以上。

这些无机填充剂的用量可以在不损害低介电树脂组合物的低介电特性的范围内、根据低介电树脂组合物的用途来适当决定。例如，使用低介电树脂组合物来形成薄膜的情况下，在不显著损害薄膜的机械强度的范围内确定无机填充剂的用量的上限。

低介电树脂组合物中根据需要可以还配混有机填充剂、抗氧化剂、热稳定剂、光稳定剂、阻燃剂、润滑剂、抗静电剂、着色剂、防锈剂、交联剂、发泡剂、荧光剂、表面平滑剂、表面光泽改良剂、以及脱模改良剂等各种添加剂。

这些添加剂可以单独使用，也可以组合使用2种以上。

以下，对液晶聚合物(A)及接枝改性聚烯烃(B)进行说明。

<液晶聚合物>

液晶聚合物为在熔融时显示光学各向异性的聚合物，可以没有特别限制地使用本领域技术人员公认为热致液晶聚合物的聚合物。熔融时的光学各向异性可以通过利用正交偏光件的惯用偏光检查方法来确认。

液晶聚合物典型的是通过使包含具有酚羟基的单体的酰化物的单体混合物缩聚来制造。缩聚优选在催化剂的存在下进行。作为催化剂的例子，可列举出乙酸镁、乙酸亚锡、钛酸四丁酯、乙酸铅、乙酸钠、乙酸钾、三氧化锑等金属化合物、1-甲基咪唑等含氮杂环式化合物。

催化剂的用量例如相对于单体混合物(A)的量100质量份优选0.1质量份以下。

如前述，单体混合物为包含具有酚羟基的单体的酰化物的单体的混合物。单体混合物可以包含以对苯二甲酸、间苯二甲酸为代表的芳香族二羧酸等不具有酚羟基的单体。

作为单体混合物的制备方法，从成本、制造时间的方面来看，优选将包含具有酚羟基的单体的单体混合物酰化从而得到包含具有酚羟基的单体的酰化物的单体混合物的方法。

作为构成液晶聚合物的构成单元，可列举出芳香族氧基羰基单元、芳香族二羰基单元、芳香族二氧基单元、芳香族氨基氧基单元、芳香族二氨基单元、芳香族氨基羰基单元、以及脂肪族二氧基单元等。

需要说明的是，液晶聚合物还可以包含酰胺键、硫酯键作为除酯键以外的键。

芳香族氧基羰基单元为源自芳香族羟基羧酸的单元。

作为芳香族羟基羧酸的适当的具体例，可列举出对羟基苯甲酸、间羟基苯甲酸、邻羟基苯甲酸、6-羟基-2-萘甲酸、5-羟基-2-萘甲酸、3-羟基-2-萘甲酸、4’-羟基苯基-4-苯甲酸、3’-羟基苯基-4-苯甲酸、4’-羟基苯基-3-苯甲酸、它们的烷基、烷氧基或卤素取代体。

芳香羟基羧酸的酯衍生物、酰卤化物等酯形成性衍生物也与芳香族羟基羧酸同样地可以适合使用。

从容易调整得到的液晶聚合物的机械特性、熔点的方面出发，这些芳香族羟基羧酸中，优选对羟基苯甲酸、以及6-羟基-2-萘甲酸。

芳香族二羰基重复单元为源自芳香族二羧酸的单元。

作为芳香族二羧酸的适当的具体例，可列举出对苯二甲酸、间苯二甲酸、2,6-萘二羧酸、1,6-萘二羧酸、2,7-萘二羧酸、1,4-萘二羧酸、以及4,4’-二羧基联苯等芳香族二羧酸、它们的烷基、烷氧基或卤素取代体。

芳香族二羧酸的酯衍生物、酰卤化物等酯形成性衍生物也与芳香族二羧酸同样地可以适合使用。

从容易将得到的液晶聚合物的机械物性、耐热性、熔点温度、成形性调整为适度的水平的方面出发，这些芳香族二羧酸中，优选对苯二甲酸、以及2,6-萘二羧酸。

芳香族二氧基重复单元为源自芳香族二醇的单元。

作为芳香族二醇的适当的具体例，可列举出对苯二酚、间苯二酚、2,6-二羟基萘、2,7-二羟基萘、1,6-二羟基萘、1,4-二羟基萘、4,4’-二羟基联苯、3,3’-二羟基联苯、3,4’-二羟基联苯、4,4’-二羟基联苯醚、它们的烷基、烷氧基或卤素取代体等。

从缩聚时的反应性及得到的液晶聚合物的特性等方面出发，这些芳香族二醇中，优选对苯二酚、间苯二酚、以及4,4’-二羟基联苯。

芳香族氨基氧基单元为源自芳香族羟基胺的单元。

作为芳香族羟基胺的适当的具体例，可列举出对氨基苯酚、间氨基苯酚、4-氨基-1-萘酚、5-氨基-1-萘酚、8-氨基-2-萘酚、4-氨基-4’-羟基联苯等芳香族羟基胺、它们的烷基、烷氧基或卤素取代体等。

芳香族二氨基单元为源自芳香族二胺的单元。

作为芳香族二胺的适当的具体例，可列举出对苯二胺、间苯二胺、1,5-二氨基萘、1,8-二氨基萘等芳香族二胺、它们的烷基、烷氧基或卤素取代体。

芳香族氨基羰基单元为源自芳香族氨基羧酸的单元。

作为芳香族氨基羧酸的适当的具体例，可列举出对氨基苯甲酸、间氨基苯甲酸、6-氨基-2-萘甲酸等芳香族氨基羧酸、它们的烷基、烷氧基或卤素取代体。

芳香族氨基羧酸的酯衍生物、酰卤化物等酯形成性衍生物也可以适合用作液晶聚合物制造用的单体。

作为提供脂肪族二氧基单元的单体的具体例，例如可列举出乙二醇、1,4-丁二醇、1,6-己二醇等脂肪族二醇、以及它们的酰化物。

另外，通过使聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯等含有脂肪族二氧基单元的聚合物与前述的芳香族羟基羧酸、芳香族二羧酸、芳香族二醇、及它们的酰化物、酯衍生物、酰卤化物等反应，也能够得到包含脂肪族二氧基单元的液晶聚合物。

液晶聚合物也可以包含硫酯键。作为提供这样的键的单体，可列举出巯基芳香族羧酸、芳香族二硫醇、及羟基芳香族硫醇等。

这些单体的用量相对于提供芳香族氧基羰基重复单元、芳香族二羰基重复单元、芳香族二氧基重复单元、芳香族氨基氧基重复单元、芳香族二氨基重复单元、芳香族氨基羰基重复单元、芳香族氧基二羰基重复单元、及脂肪族二氧基重复单元的单体的总量优选为10摩尔％以下。

作为液晶聚合物的适当的例子，可列举出以下的1)～25)。

1)4-羟基苯甲酸/2-羟基-6-萘甲酸共聚物

2)4-羟基苯甲酸/对苯二甲酸/4,4’-二羟基联苯共聚物

3)4-羟基苯甲酸/对苯二甲酸/间苯二甲酸/4,4’-二羟基联苯共聚物

4)4-羟基苯甲酸/对苯二甲酸/间苯二甲酸/4,4’-二羟基联苯/对苯二酚共聚物

5)4-羟基苯甲酸/对苯二甲酸/对苯二酚共聚物

6)4-羟基苯甲酸/对苯二甲酸/4,4’-二羟基联苯/对苯二酚共聚物

7)2-羟基-6-萘甲酸/对苯二甲酸/对苯二酚共聚物

8)4-羟基苯甲酸/2-羟基-6-萘甲酸/对苯二甲酸/4,4’-二羟基联苯共聚物

9)2-羟基-6-萘甲酸/对苯二甲酸/4,4’-二羟基联苯共聚物

10)4-羟基苯甲酸/2-羟基-6-萘甲酸/对苯二甲酸/对苯二酚共聚物

11)4-羟基苯甲酸/2-羟基-6-萘甲酸/对苯二甲酸/对苯二酚/4,4’-二羟基联苯共聚物

12)4-羟基苯甲酸/2,6-萘二羧酸/4,4’-二羟基联苯共聚物

13)4-羟基苯甲酸/对苯二甲酸/2,6-萘二羧酸/对苯二酚共聚物

14)4-羟基苯甲酸/2,6-萘二羧酸/对苯二酚共聚物

15)4-羟基苯甲酸/2-羟基-6-萘甲酸/2,6-萘二羧酸/对苯二酚共聚物

16)4-羟基苯甲酸/对苯二甲酸/2,6-萘二羧酸/对苯二酚/4,4’-二羟基联苯共聚物

17)4-羟基苯甲酸/对苯二甲酸/4-氨基苯酚共聚物

18)2-羟基-6-萘甲酸/对苯二甲酸/4-氨基苯酚共聚物

19)4-羟基苯甲酸/2-羟基-6-萘甲酸/对苯二甲酸/4-氨基苯酚共聚物

20)4-羟基苯甲酸/对苯二甲酸/4,4’-二羟基联苯/4-氨基苯酚共聚物

21)4-羟基苯甲酸/对苯二甲酸/乙二醇共聚物

22)4-羟基苯甲酸/对苯二甲酸/4,4’-二羟基联苯/乙二醇共聚物

23)4-羟基苯甲酸/2-羟基-6-萘甲酸/对苯二甲酸/乙二醇共聚物

24)4-羟基苯甲酸/2-羟基-6-萘甲酸/对苯二甲酸/4,4’-二羟基联苯/乙二醇共聚物

25)4-羟基苯甲酸/对苯二甲酸/2,6-萘二羧酸/4,4’-二羟基联苯共聚物。

如前述，优选将包含具有酚羟基的单体的单体混合物酰化从而得到包含具有酚羟基的单体的酰化物的单体混合物。酰化优选通过使酚羟基与脂肪酸酐反应来进行。作为脂肪酸酐，例如，可以使用乙酸酐及丙酸酐。从价格和处理性的方面出发，优选使用乙酸酐。

脂肪酸酐的用量相对于酚羟基的量优选1.0倍当量以上且1.15倍当量以下、更优选1.03倍当量以上且1.10倍当量以下。

通过将包含具有酚羟基的单体的单体混合物与上述脂肪酸酐混合并进行加热而进行酰化，得到包含具有酚羟基的单体的酰化物的单体混合物。

对如上操作而得到的包含具有酚羟基的单体的酰化物的单体混合物进行加热，并且将通过缩聚副产的脂肪酸蒸馏去除，由此得到液晶聚合物。

仅通过熔融缩聚来制造液晶聚合物的情况下，熔融缩聚的温度优选150℃以上且400℃以下、优选250℃以上且370℃以下。

通过熔融缩聚和后述的固相聚合这两个阶段来制造液晶聚合物的情况下，熔融缩聚的温度优选120℃以上且350℃以下、优选200℃以上且300℃以下。对于缩聚反应的时间，只要可得到期望的熔点或期望分子量的液晶聚合物，就没有特别限定。例如，作为缩聚的反应时间，优选30分钟以上且5小时以下。

通过上述方法制造的液晶聚合物根据需要，可以为了进一步高分子量化而以固化的状态(固相)供于进行加热的缩聚。

通过上述方法，得到液晶聚合物(A)。液晶聚合物(A)的熔点在不阻碍本发明的目的的范围内没有特别限定。液晶聚合物(A)的熔点优选250℃以上、更优选280℃以上。另一方面，从加工性的观点、抑制低介电树脂组合物制造时的接枝改性聚烯烃(B)的分解的方面等出发，液晶聚合物(A)的熔点优选400℃以下、更优选350℃以下。

需要说明的是，液晶聚合物(A)的熔点例如为根据利用差示扫描量热计(Differential scanning calorimeter、以下简写为DSC)、以升温速度20℃/分钟测定时的晶体熔融峰求出的温度。更具体而言，在对液晶聚合物的试样自室温起以20℃/分钟的升温条件进行测定时观测到的吸热峰温度(Tm1)的观测后，在比Tm1高20℃以上且50℃以下的温度下保持10分钟，接着，以20℃/分钟的降温条件将试样冷却至室温后，观测再次以20℃/分钟的升温条件测定时的吸热峰，将显示其峰顶的温度作为液晶聚合物的熔点。作为测定用设备，例如，可以使用TA Instruments公司制DSCQ1000等。

<接枝改性聚烯烃(B)>

接枝改性聚烯烃只要为聚烯烃经接枝改性而成的树脂、且具有极性基团，就没有特别限定。

此处极性基团是指有极性的原子团，是该基团存在于有机化合物中时该化合物具有极性的基团。作为可通过接枝导入至聚烯烃中的极性基团的具体例，可列举出源自丙烯酸、甲基丙烯酸、马来酸、富马酸、四氢苯二甲酸、衣康酸、柠康酸、巴豆酸、及异巴豆酸等不饱和羧酸的羧基；源自酸酐、酰卤、酰胺、酰亚胺、及酯等前述不饱和羧酸的衍生物的酸酐基、卤代羰基、羧酸酰胺基、酰亚胺基、及羧酸酯基；源自甲基丙烯酸缩水甘油酯、丙烯酸缩水甘油酯、马来酸单缩水甘油酯、马来酸二缩水甘油酯、衣康酸单缩水甘油酯、衣康酸二缩水甘油酯、烯丙基琥珀酸单缩水甘油酯、烯丙基琥珀酸二缩水甘油酯、对苯乙烯羧酸缩水甘油酯、烯丙基缩水甘油醚、甲基丙烯酰基缩水甘油醚、苯乙烯-对缩水甘油醚、对缩水甘油基苯乙烯、3,4-环氧-1-丁烯、3,4-环氧-3-甲基-1-丁烯、及乙烯基环己烯单氧化物等含环氧基的乙烯基单体的环氧基等。这些极性基团中，从容易得到优选的相态的低介电树脂组合物、在使低介电树脂组合物与其他材料接触而使用时低介电树脂组合物与其他材料的密合性良好等方面出发，优选含有环氧基。

环氧基可以与酚羟基、羧基等液晶聚合物(A)所具有的官能团反应。因此，具有环氧基作为极性基团的接枝改性聚烯烃(B)与液晶聚合物(A)在低介电树脂组合物中适度地亲和，可以容易地形成例如海岛结构那样的优选的相结构。

作为海岛结构中的岛径，优选100μm以下、更优选50μm以下、进一步优选10μm以下。岛径的下限没有特别限定，例如，可以为1μm以上、可以为2μm以上、也可以为3μm以上。

随着各种电气/电子设备的小型化、薄型化，有时应用于所述设备的薄膜也要求例如100μm以下的厚度。考虑到使用低介电树脂组合物形成的薄膜的厚度经常为100μm以下，在能够获得由层结构为海岛结构所带来的效果并且抑制薄膜特性的波动的方面，岛径优选为1μm以上且100μm以下的范围内。

需要说明的是，“岛径为Xμm以下”表示作为非连续区域的岛相的整体的90％以上、通常95％以上、典型而言99％以上的岛相的尺寸为Xμm以下。另外，“岛径为Yμm以上”表示作为非连续区域的岛相的整体的90％以上、通常95％以上、典型而言99％以上的岛相的尺寸为Xμm以上。

此处，“径”通常是指岛的直径。岛的形状与圆形明显不同时将长径(与岛外接的长方形的长边的长度)定义为“径”。此处，长径是指与岛外接的长方形的长边的长度、或与岛外接的正方形的一边的长度。

作为确认岛径的方法，例如，可列举出下述方法：将如后述的实施例那样使用低介电树脂组合物而形成的薄膜包埋于热固性树脂，用离子束对厚度方向的截面进行研磨而使薄膜的截面露出，用扫描型电子显微镜观察薄膜的截面。

具有环氧基的接枝改性聚烯烃(B)的由具有环氧基的乙烯基单体所带来的改性量优选10质量％以下、更优选5质量％以下、进一步优选1质量％以下。前述由具有环氧基的乙烯基单体所带来的改性量的下限在不阻碍本发明目的的范围内没有特别限定。下限例如可以为0.1质量％以上、可以为0.3质量％以上、也可以为0.5质量以上。

具有环氧基的接枝改性聚烯烃(B)的由具有环氧基的乙烯基单体所带来的改性量为0.1质量％以上且10质量％以下的情况下，通过使用接枝改性聚烯烃(B)，特别容易得到加工性及低介电特性优异的低介电树脂组合物。

由具有环氧基的乙烯基单体所带来的改性量可以依据JIS K7236并使用电位差自动滴定装置(京都电子工业株式会社制AT700)进行测定。由具有环氧基的乙烯基单体所带来的改性量的测定中，可以使用利用二甲苯进行了重结晶的接枝改性聚烯烃(B)。

典型的是，接枝改性聚烯烃(B)为聚烯烃在自由基聚合引发剂的存在下利用具有极性基团的乙烯基单体进行了接枝改性的树脂。

接枝改性聚烯烃(B)优选为利用具有极性基团的乙烯基单体及芳香族乙烯基单体进行了接枝改性的聚烯烃，更优选为利用(甲基)丙烯酸缩水甘油酯和苯乙烯进行了接枝改性的聚烯烃。

作为聚烯烃，例如，可列举出聚乙烯、聚丙烯、聚-1-丁烯、聚异丁烯、聚甲基戊烯、丙烯-乙烯共聚物、乙烯-丙烯-二烯共聚物、乙烯/1-丁烯共聚物、及乙烯/辛烯共聚物等链状聚烯烃；环戊二烯与乙烯和/或丙烯的共聚物等环状聚烯烃。

这些聚烯烃中，从改性反应容易的方面出发，优选聚甲基戊烯、聚乙烯、聚丙烯、及丙烯-乙烯共聚物，从耐热性及低介电特性的方面出发，更优选聚甲基戊烯。

作为对聚烯烃进行接枝改性时可使用的自由基聚合引发剂，例如，可列举出甲乙酮过氧化物、及甲基乙酰乙酸酯过氧化物等酮过氧化物；1,1-双(叔丁基过氧化)-3,3,5-三甲基环己烷、1,1-双(叔丁基过氧化)环己烷、4,4-双(叔丁基过氧化)戊酸正丁酯、及2,2-双(叔丁基过氧化)丁烷等过氧化缩酮；PERMENTA过氧化氢、1,1,3,3-四甲基丁基过氧化氢、过氧化氢二异丙苯、及过氧化氢异丙苯等氢过氧化物；二枯基过氧化物、2,5-二甲基-2,5-二(叔丁基过氧化)己烷、α,α’-双(叔丁基过氧化-间异丙基)苯、叔丁基枯基过氧化物、二叔丁基过氧化物、及2,5-二甲基-2,5-二(叔丁基过氧化)-3-己炔等二烷基过氧化物；过氧化苯甲酰等二酰基过氧化物；过氧化二碳酸二(3-甲基-3-甲氧基丁酯)、及过氧化二碳酸二(2-甲氧基丁酯)等过氧化二碳酸酯、过氧化辛酸叔丁酯、过氧化异丁酸叔丁酯、过氧化月桂酸叔丁酯、过氧化-3,5,5-三甲基己酸叔丁酯、过氧化异丙基碳酸叔丁酯、2,5-二甲基-2,5-二(过氧化苯甲酰)己烷、过氧化乙酸叔丁酯、过氧化苯甲酸叔丁酯、及过氧化间苯二甲酸二叔丁酯等过氧化酯等。上述自由基聚合引发剂可以单独使用或混合使用2种以上。

对于自由基聚合引发剂的用量，只要接枝改性反应会良好地进行，就没有特别限定。自由基聚合引发剂的用量相对于聚烯烃100质量份优选0.01质量份以上且10质量份以下、更优选0.2质量份以上且5质量份以下。

作为接枝改性中可使用的具有极性基团的乙烯基单体，可列举出丙烯酸、甲基丙烯酸、马来酸、富马酸、四氢苯二甲酸、衣康酸、柠康酸、巴豆酸、及异巴豆酸等不饱和羧酸；酸酐、酰卤、酰胺、酰亚胺、及酯等这些不饱和羧酸的衍生物；甲基丙烯酸缩水甘油酯、丙烯酸缩水甘油酯、马来酸单缩水甘油酯、马来酸二缩水甘油酯、衣康酸单缩水甘油酯、衣康酸二缩水甘油酯、烯丙基琥珀酸单缩水甘油酯、烯丙基琥珀酸二缩水甘油酯、对苯乙烯羧酸缩水甘油酯、烯丙基缩水甘油醚、甲基丙烯酰基缩水甘油醚、苯乙烯-对缩水甘油醚、对缩水甘油基苯乙烯、3,4-环氧-1-丁烯、3,4-环氧-3-甲基-1-丁烯、及乙烯基环己烯单氧化物等含环氧基的乙烯基单体。

这些之中，优选含环氧基的乙烯基单体，更优选甲基丙烯酸缩水甘油酯、丙烯酸缩水甘油酯，特别优选甲基丙烯酸缩水甘油酯。

上述具有极性基团的乙烯基单体可以单独使用或混合使用2种以上。

聚烯烃的接枝改性中使用的具有极性基团的乙烯基单体的添加量相对于聚烯烃100质量份优选0.1质量份以上且12质量份以下、更优选0.5质量份以上且10质量份以下、特别优选1质量份以上且8质量份以下。

通过使用所述范围内的量的具有极性基团的乙烯基单体进行改性而成的聚烯烃，容易得到为优选的相态、且表现出期望的低介电特性的低介电树脂组合物。

如前述，接枝改性聚烯烃(B)优选为利用具有极性基团的乙烯基单体及芳香族乙烯基单体进行了接枝改性的聚烯烃。

这是因为：通过将具有极性基团的乙烯基单体和芳香族乙烯基单体组合使用，从而接枝反应稳定化，由此，容易使具有极性基团的乙烯基单体以期望的量进行接枝。

作为芳香族乙烯基单体的具体例，可列举出苯乙烯；邻甲基苯乙烯、间甲基苯乙烯、对甲基苯乙烯、α-甲基苯乙烯、β-甲基苯乙烯、二甲基苯乙烯、及三甲基苯乙烯等烷基苯乙烯类；邻氯苯乙烯、间氯苯乙烯、对氯苯乙烯、α-氯苯乙烯、β-氯苯乙烯、二氯苯乙烯、及三氯苯乙烯等氯苯乙烯类；邻溴苯乙烯、间溴苯乙烯、对溴苯乙烯、二溴苯乙烯、及三溴苯乙烯等溴苯乙烯类；邻氟苯乙烯、间氟苯乙烯、对氟苯乙烯、二氟苯乙烯、及三氟苯乙烯等氟苯乙烯类；邻硝基苯乙烯、间硝基苯乙烯、对硝基苯乙烯、二硝基苯乙烯、及三硝基苯乙烯等硝基苯乙烯类；邻羟基苯乙烯、间羟基苯乙烯、对羟基苯乙烯、二羟基苯乙烯、及三羟基苯乙烯等羟基苯乙烯类；邻二乙烯基苯、间二乙烯基苯、对二乙烯基苯、邻二异丙烯基苯、间二异丙烯基苯、及对二异丙烯基苯等二烯基苯类等。

这些芳香族乙烯基单体中，苯乙烯、α-甲基苯乙烯、对甲基苯乙烯、邻二乙烯基苯、间二乙烯基苯、对二乙烯基苯、或二乙烯基苯异构体混合物在廉价的方面是优选的，特别优选苯乙烯。

芳香族乙烯基单体可以单独使用或混合使用2种以上。

聚烯烃的接枝改性中使用的具有极性基团的芳香族乙烯基单体的量相对于聚烯烃100质量份优选0.1质量份以上且12质量份以下、更优选0.5质量份以上且10质量份以下、特别优选1质量份以上且8质量份以下。

从与液晶聚合物(A)的熔融混炼容易的方面出发，接枝改性聚烯烃(B)的熔点优选80℃以上、更优选100℃以上、更优选200℃以上。接枝改性聚烯烃(B)的熔点的上限没有特别限定，优选350℃以下、更优选300℃以下。

以上说明的低介电树脂组合物通过注射成形、挤出成形、吹塑成形、溶液流延法等公知的各种制造方法加工成各种成形品。

以上说明的低介电树脂组合物由于高频带下的低介电特性优异，因此优选加工成薄膜并使用该薄膜制造传输损耗少的挠性印刷电路板。

作为使用低介电树脂组合物制造薄膜的适当的方法，可列举出以下的1)及2)的方法。

1)使用T模的熔融挤出法。

2)溶液流延法。

溶液流延法中，具体而言，将低介电树脂组合物的有机溶剂溶液流延于支撑体上后，通过加热和/或减压等方法从流延的有机溶剂溶液中将有机溶剂去除而得到薄膜。

流延方法没有特别限定，可列举出模涂机、Comma Coater(注册商标)、逆转涂布机、及刀涂机等公知的方法。作为将有机溶剂去除的方法，优选加热。作为加热方法，可列举出使用热风炉、远红外线炉等公知的加热装置的方法。

低介电树脂组合物的有机溶剂溶液例如通过将低介电树脂组合物和二甲苯在80℃左右的温度下混合来得到。需要说明的是，也可以不将低介电树脂组合物与二甲苯混合，而是将构成低介电树脂组合物的2种以上的各材料与二甲苯混合。

由低介电树脂组合物形成的薄膜的厚度没有特别限定，根据薄膜的用途来适当决定。使用薄膜制造挠性印刷电路板的情况下，薄膜的厚度优选5μm以上且200μm以下、更优选10μm以上且100μm以下。

更具体而言，挠性印刷电路板典型的是通过在前述由低介电树脂组合物形成的薄膜与金属箔层叠而成的层叠薄膜中对金属箔进行蚀刻而形成布线来制造。

所述挠性印刷电路板由于传输速度快、传输损耗小，因此可以适合作为应用于高频用途的电路基板使用。

作为得到由低介电树脂组合物形成的薄膜与金属箔层叠而成的层叠薄膜的方法，可列举出以下的I)及II)的方法。

I)通过加热及加压，使由低介电树脂组合物形成的薄膜与金属箔热压接而得到层叠薄膜的方法。

II)将低介电树脂组合物的有机溶剂溶液流延于金属箔上，通过加热和/或减压等方法，从流延的有机溶剂溶液中将有机溶剂去除而得到层叠薄膜的方法。

I)的方法中，关于通过加热及加压使由低介电树脂组合物形成的薄膜和金属箔热压接的方法及条件，可以从以往已知的方法及条件中适宜选择。需要说明的是，通过使低介电树脂组合物包含具有一定程度低的熔点的接枝改性聚烯烃(B)，从而能够将从薄膜剥离金属箔时的剥离强度维持为5N/cm以上的高强度、并且将热压接温度设定为较低。作为热压接温度，优选400℃以下、更优选200℃以下。

II)的方法中，在金属箔上层叠薄膜的方法除了将金属箔作为支撑体以外，与作为溶液流延法在前面叙述的方法同样。

需要说明的是，层叠薄膜中，金属箔层叠于薄膜的至少一个主面即可，可以仅在薄膜的一个主面层叠金属箔，也可以在薄膜的两个主面层叠金属箔。

在由低介电树脂组合物形成的薄膜上贴附的金属箔没有特别限定。作为用于制造电气/电子设备用途的挠性印刷电路板时所使用的金属箔的材料，可列举出铜、铜合金、镍、镍合金(例如42合金)、铝、铝合金、及不锈钢。

从导电性、加工性优异、与薄膜的接合强度高的方面等出发，作为制造挠性印刷电路板时所用的金属箔，优选铜箔。作为铜箔，例如，优选使用压延铜箔、电解铜箔等。

根据需要，可以在以上说明的金属箔的表面设置防锈层、耐热层、及粘接层等功能层。

金属箔的厚度没有特别限定，根据挠性印刷电路板的用途来适宜选择。

对于前述由低介电树脂组合物形成的薄膜与金属箔层叠而成的层叠薄膜，作为金属箔自薄膜的剥离难度的指标的剥离强度优选为5N/cm以上。

剥离强度按照JIS C 6471的“6.5剥离强度”来进行测定。具体而言，通过以90°的剥离角度、100mm/分钟的速度的条件将1mm宽的金属箔部分剥离，测定剥离时的载荷作为剥离强度。

实施例

以下，举出实施例更详细地对本发明进行说明，但本发明不限定于这些实施例。

〔制造例1〕

(改性聚烯烃1的制造)

将(a1)聚甲基戊烯树脂(三井化学株式会社制TPX级MX002)100质量份、(b1)1,3-二(叔丁基过氧化异丙基)苯(日油株式会社制：PERBUTYLP)1.5质量份从料斗口供给至设定为料筒温度230℃、螺杆转速150rpm的双螺杆挤出机(L/D＝63、神户制钢株式会社制)进行熔融混炼时，从料筒中途加入(c1)苯乙烯8质量份、(d1)甲基丙烯酸缩水甘油酯8质量份。其后，从排气口进行真空脱挥，由此得到改性聚烯烃树脂的粒料。

使用使得到的树脂粒料在130℃下溶解于二甲苯后再次冷却至常温时析出的重结晶树脂，依据JIS K7236利用电位差自动滴定装置(京都电子工业株式会社制AT700)测定甲基丙烯酸缩水甘油酯改性量。改性聚烯烃1的甲基丙烯酸缩水甘油酯改性量为2.64质量％。

〔制造例2〕

(改性聚烯烃2的制造)

将(a1)聚甲基戊烯树脂(三井化学株式会社制TPX级MX002)100质量份、(b1)1,3-二(叔丁基过氧化异丙基)苯(日油株式会社制：PERBUTYLP)0.5质量份从料斗口供给至设定为料筒温度230℃、螺杆转速150rpm的双螺杆挤出机(L/D＝63、神户制钢株式会社制)进行熔融混炼时，从料筒中途加入(c1)苯乙烯2质量份、(d1)甲基丙烯酸缩水甘油酯2质量份。其后，从排气口进行真空脱挥，由此得到改性聚烯烃树脂的粒料。

使用使得到的树脂粒料在130℃下溶解于二甲苯后再次冷却至常温时析出的重结晶树脂，依据JIS K7236利用电位差自动滴定装置(京都电子工业株式会社制AT700)测定甲基丙烯酸缩水甘油酯改性量。改性聚烯烃2的甲基丙烯酸缩水甘油酯改性量为0.74质量％。

〔制造例3〕

(改性聚烯烃3的制造)

将(a1)聚甲基戊烯树脂(三井化学株式会社制TPX级MX002)100质量份、(b1)1,3-二(叔丁基过氧化异丙基)苯(日油株式会社制：PERBUTYLP)2.6质量份从料斗口供给至设定为料筒温度230℃、螺杆转速150rpm的双螺杆挤出机(L/D＝63、神户制钢株式会社制)进行熔融混炼时，从料筒中途加入(c1)苯乙烯12.0质量份、(d1)甲基丙烯酸缩水甘油酯12.0质量份。其后，从排气口进行真空脱挥，由此得到改性聚烯烃树脂的粒料。

使用使得到的树脂粒料在130℃下溶解于二甲苯后再次冷却至常温时析出的重结晶树脂，依据JIS K7236利用电位差自动滴定装置(京都电子工业株式会社制AT700)测定甲基丙烯酸缩水甘油酯改性量。改性聚烯烃2的甲基丙烯酸缩水甘油酯改性量为4.29质量％。

〔制造例4〕

(改性聚烯烃4的制造)

将(a1)聚甲基戊烯树脂(三井化学株式会社制TPX级MX002)100质量份、(b1)1,3-二(叔丁基过氧化异丙基)苯(日油株式会社制：PERBUTYLP)0.25质量份从料斗口供给至设定为料筒温度230℃、螺杆转速150rpm的双螺杆挤出机(L/D＝63、神户制钢株式会社制)进行熔融混炼时，从料筒中途加入(c1)苯乙烯1质量份、(d1)甲基丙烯酸缩水甘油酯1质量份。其后，从排气口进行真空脱挥，由此得到改性聚烯烃树脂的粒料。

使用使得到的树脂粒料在130℃下溶解于二甲苯后再次冷却至常温时析出的重结晶树脂，依据JIS K7236利用电位差自动滴定装置(京都电子工业株式会社制AT700)测定甲基丙烯酸缩水甘油酯改性量。改性聚烯烃2的甲基丙烯酸缩水甘油酯改性量为0.35质量％。

〔实施例1～12、及比较例1～6〕

实施例及比较例中，作为液晶聚合物(A)((A)成分)，使用熔点280℃的全芳香族液晶聚酯树脂。另外，实施例中，作为接枝改性聚烯烃(B)((B)成分)，使用制造例1～制造例4中得到的改性聚烯烃1～改性聚烯烃4。

比较例中，作为与液晶聚合物(A)混合的树脂，使用未改性的聚甲基戊烯和乙烯/甲基丙烯酸缩水甘油酯/丙烯酸甲酯/乙酸乙烯酯共聚物(住友化学株式会社制、BONDFAST7L(BF-7L))。BONDFAST 7L是具有环氧基作为极性基团的非接枝改性型的树脂。

将表1～4中记载的量的各材料从料斗口供给至设定为料筒温度300℃、螺杆转速150rpm的双螺杆挤出机(L/D＝40、TECHNOVEL CORPORATION制)并进行熔融混炼，得到各实施例及比较例的树脂组合物。需要说明的是，关于比较例1～4，为液晶聚合物(A)、改性聚烯烃1、改性聚烯烃2、或BONDFAST 7L单独的评价。关于各实施例及各比较例的树脂或树脂组合物，按照以下的方法进行相对介电常数、介电损耗角正切、耐热性、及加工性的评价。将它们的评价结果记载于表1～4。

[相对介电常数、介电损耗角正切]

作为测定装置，使用空腔谐振器摄动法复数介电常数评价装置，测定在下述频率下得到的树脂组合物的介电常数及介电损耗角正切。

测定频率：10GHz

测定条件：温度22℃～24℃、湿度45％～55％

测定试样：使用在前述测定条件下放置24小时的试样。

[耐热性]

作为测定装置，使用动态粘弹性测定装置，测定储能模量为10⁷MPa以下的温度(℃)。

·样品测定范围；宽度5mm、夹具间距离20mm

·测定温度范围；25℃～260℃

·升温速度；5℃/分钟

·应变振幅；0.1％

·测定频率；1Hz

·最小张力/压缩力；0.1g

·力振幅初始值；100g

[加工性]

对使用双螺杆挤出机(L/D＝40、TECHNOVEL CORPORATION制)熔融混炼后的线料进行水冷，如下地评价利用造粒机进行切割时的加工性。

◎：没有裂缝缺损、能取得圆柱状的粒料

○：一部分含有裂缝缺损、成为扁平的形状的粒料。

×：无法切断线料从而不能取得粒料。或粒料的大部分含有毛边、裂缝缺损。

[相结构]

通过显微镜观察对各组合物的相结构进行确认。按照以下的基准将观察结果分类。将观察结果记载于表1。

A：海岛结构((A)成分为海)

B：海岛结构((A)成分为岛)

C：一部分海岛结构及共连续结构

D：相分离

[表1]

[表2]

[表3]

[表4]

根据实施例可知，为含有液晶聚合物(A)和具有极性基团的接枝改性聚烯烃(B)的组合物时，能够兼顾良好的低介电特性和优异的熔融加工性。

另一方面，根据比较例可知，对于单独使用液晶聚合物(A)、具有极性基团的接枝改性聚烯烃、或具有极性基团的非接枝型的树脂，或者在液晶聚合物(A)中混合未改性聚烯烃、具有极性基团的非接枝型的树脂而成的组合物，低介电特性和熔融加工性中的至少一者差。

〔实施例13、及比较例7〕

实施例13中，使用在实施例9中得到的树脂组合物而得到包含由该树脂组合物形成的薄膜和铜箔的双面覆铜层叠薄膜。比较例7中，使用作为比较例1记载的液晶聚合物(A)，与实施例13同样地得到双面覆铜层叠薄膜。

具体而言，按照以下的方法制造双面覆铜层叠薄膜。

作为铜箔，使用厚度12μm、且与树脂组合物的薄膜接触的面的表面粗糙度Ra为0.45μm以下的铜箔。

根据下式算出由铜箔形成的布线的宽度w。

Z＝(d/ε×w)^0.5

上述式中，Z为特性阻抗、为50Ω。D为薄膜的厚度、为100μm。ε为树脂组合物的介电常数。

热压接条件为温度360℃、压力0.8吨、层压速度1m/分钟。

使用通过由树脂组合物形成的薄膜与铜箔得到的双面覆铜层叠薄膜，制作线路长10cm的微带线。

具体而言，经过钻孔、通孔镀覆及图案化工序后，将NIKKAN INDUSTRIES Co.,Ltd.制覆盖薄膜CISV1225在160℃下进行90分钟加热并贴合，并且对测定用焊盘(pad)部位进行镀金，制作微带线形状的试验片。

使用得到的试验片，进行剥离强度的测定和传输损耗的测定。

对于传输损耗，150℃、30分钟干燥后，在调整为23℃、55％RH的试验室内进行24小时以上的试验片的调湿，然后使用网络分析仪E5071C(Keysight Technologies)和探针台(Probe Station)GSG250测定传输损耗S21参数，以测定频率10GHz下的传输损耗(dB/100mm)的形式测定。

使用实施例13的双面覆铜层叠板制作的试验片的传输损耗为-1.9，使用比较例7的双面覆铜层叠板制作的试验片的传输损耗小于-2.1。