一种无衬底超薄镍-63放射源的制备方法

文档序号:36777 发布日期:2021-09-24 浏览:35次 >En<

阅读说明:本技术 一种无衬底超薄镍-63放射源的制备方法 (Method for preparing substrate-free ultrathin nickel-63 radioactive source ) 是由 苏冬萍 梁帮宏 罗婷 张劲松 甘泉 李顺涛 陈云明 王国华 姚亮 周春林 于 2021-06-23 设计创作,主要内容包括:本发明公开了一种无衬底超薄镍-63放射源的制备方法,包括以下步骤:S1、将电沉积液中的镍金属离子沉积在铜衬底的一侧形成镍层;S2、在镍层上覆一层有机膜,即在镍层的两个对称面上分别为铜衬底和有机膜;S3、将步骤S2制备的镍-63放射源浸没在衬底去除溶液中去除铜衬底;S4、去除步骤S3制备的无衬底镍-63放射源上的有机膜,获得无衬底超薄镍-63放射源。本发明制备得到无衬底超薄镍-63放射源为双面放射源,厚度小于2μm,表面平整,无褶皱和破损,镍层致密均匀,有金属光泽;本发明工艺简便,操作简单,电沉积率大于90%。(The invention discloses a preparation method of a substrate-free ultrathin nickel-63 radioactive source, which comprises the following steps: s1, depositing nickel metal ions in the electrodeposition solution on one side of the copper substrate to form a nickel layer; s2, covering a layer of organic film on the nickel layer, namely, a copper substrate and an organic film are respectively arranged on two symmetrical surfaces of the nickel layer; s3, immersing the nickel-63 radioactive source prepared in the step S2 in a substrate removing solution to remove the copper substrate; s4, removing the organic film on the substrate-free nickel-63 radioactive source prepared in the step S3 to obtain the substrate-free ultrathin nickel-63 radioactive source. The substrate-free ultrathin nickel-63 radioactive source prepared by the invention is a double-sided radioactive source, the thickness is less than 2 mu m, the surface is flat, no fold or damage exists, the nickel layer is compact and uniform, and the nickel layer has metallic luster; the invention has simple and convenient process and simple operation, and the electrodeposition rate is more than 90 percent.)

一种无衬底超薄镍-63放射源的制备方法

技术领域

本发明涉及放射源制备

技术领域

,具体涉及一种无衬底超薄镍-63放射源的制备方法。

背景技术

目前,微型机械电子系统(MEMS)技术广泛应用于空间、深海、极地等特殊环境探索以及生物医疗中,且由于所处环境的极端性,电池难以进行维护及更换,因此主要采用微型核电池供能。镍-63微型核电池是微型核电池研制中的重要攻关方向,而镍-63放射源是该微型核电池的核心能量部件。镍-63发射低能纯β射线,半衰期为100.2a,其β粒子能量适中,对半导体换能部件无损害,具有使用寿命长、安全性能好、易于微型化和集成化等优点,是辐射伏特电池中使用最为广泛的放射源。

目前,电沉积法是制备镍-63放射源的主要方法之一,通过将63Ni2+离子转变成金属63Ni,沉积至金属衬底上,使镍层与金属衬底结合紧密,从而制备得到镍-63平面源。

现有工艺方法制备的镍-63放射源有两个不足之处:一是放射源存在衬底,衬底是放射源的支撑材料;二是放射源较厚,除衬底厚度外,镍层厚度一般大于10μm。具体如下:

(1)存在衬底的缺点:由于镍-63发射的是低能β射线,穿透距离很短,衬底将完全阻挡放射源的β射线,现有方法制备的放射源只有一面可以为核电池提供能量。为了提高核电池的能量利用率,减小核电池体积,就需要使用双面放射源。若采用现有方法制备双面放射源,则需在衬底的另一面再次进行镍-63的电沉积,将导致原料浪费,且人员工作量、放射性受照剂量成倍增加。此外,衬底还增加了放射源的厚度,使电池的体积、重量增大,不利于电池的小型化和轻量化。

(2)厚度大的缺点:由于镍-63存在自吸收效应,当镍层厚度超过2μm时,镍层下部的β射线将被屏蔽,厚度的增加不仅不能增加表面发射率,反而会造成镍-63原料的严重浪费。

发明内容

本发明的目的在于提供一种无衬底超薄镍-63放射源的制备方法,解决现有制备方法导致镍-63存在衬底且厚度大,进而导致镍-63利用率低的问题。

本发明通过下述技术方案实现:

一种无衬底超薄镍-63放射源的制备方法,包括以下步骤:

S1、将电沉积液中的镍金属离子沉积在铜衬底的一侧形成镍层;

S2、在镍层上覆一层有机膜,即在镍层的两个对称面上分别为铜衬底和有机膜;

S3、将步骤S2制备的镍-63放射源浸没在衬底去除溶液中去除铜衬底;

S4、去除步骤S3制备的无衬底镍-63放射源上的有机膜,获得无衬底超薄镍-63放射源。

本发明所述的超薄具体是指厚度小于2μm。

通过本发明所述制备方法制备的无衬底超薄镍-63放射源为双面放射源,厚度小于2μm,能够提高镍-63放射源的利用率,且表面平整,无褶皱和破损,镍层致密均匀,有金属光泽。

本发明将覆膜和衬底溶解技术相结合,避免了微米级镍层产生褶皱和破损,确保了无衬底支撑的超薄镍-63放射源的完整性和平整性,如果不覆有机膜则会出现铜衬底溶解后镍层破碎的情况,且转移过程镍层也易损坏。

进一步地,步骤S1中,所述电沉积液的配方为:

镍0.1g/L~0.8g/L,硫酸0.5g/L~3.5g/L,氨基磺酸0.02g/L~0.1g/L,硼酸20g/L~60g/L;

所述电沉积液的pH值调节至3.5~5.5。

进一步地,步骤S1中,所述铜衬底的厚度为10μm~50μm,用乙醇浸泡10min~60min,用去离子水清洗干净,自然晾干。

进一步地,步骤S1中,所述沉积采用电沉积制源,具体过程如下:

将铜衬底固定在电沉积槽底部,向电沉积槽内加入电沉积液进行电沉积,电沉积的电流密度为1.5A/dm2~8.0A/dm2,铂电极转速为50r/min~120r/min,电沉积时间为40min~100min。

上述电沉积参数用于沉积本申请的沉积液,不仅能够实现电沉积液沉积形成镍层,且镍层面平整,无褶皱和破损,镍层致密均匀,有金属光泽,同时沉积率大于90%,现有方法的电沉积率为60%左右。

进一步地,步骤S2中,覆膜的具体过程如下:

在镍层上滴加膜溶液,滴加量为0.1mL/cm2~0.5mL/cm2,然后采用匀胶机对膜溶液进行旋涂,最后进行烘干处理形成有机膜,烘干温度为130℃~220℃,烘干时间为0.5h~2h。

进一步地,膜溶液为将成膜剂溶解在溶剂中获得,膜溶液中成膜剂的含量为10g/L~100g/L。

成膜剂为聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA),溶剂为苯甲醚(C7H8O)。

进一步地,旋涂过程为:

先设置转速为100r/min~400r/min,匀胶时间为10s~20s;再设置转速为1000r/min~5000r/min。

旋涂就是通过离心力将有机溶剂均匀的在镍层上附着,需要1000r/min~5000r/min的转速才可使镍层上附着薄薄的一层有机膜,薄的有机膜既利于去除又可起到保护微米级镍层的效果。将有机成膜剂溶液直接滴加至镍层上,若旋涂机转速直接调至1000r/min~5000r/min,则大量的有机成膜剂溶液被甩至镍层外,导致有机成膜剂溶液大量损失,无法在镍层上均匀附着。因此,旋涂有机成膜剂溶液时,先慢速,使有机成膜剂溶液填满整个镍层,再快速旋转,使多余的有机成膜剂溶液被甩出,最终使镍层上附着薄薄的一层有机膜。

进一步地,骤S3中,所述衬底去除溶液为衬底去除剂溶解于水中获得,衬底去除溶液中衬底去除剂的含量为10g/L~100g/L,衬底去除剂为氯化铁、过硫酸铵或过硫酸钾。

进一步地,步骤S3中,浸没时间为10min~60min。

进一步地,步骤S4中,去除有机膜的具体过程如下:

用丙酮溶液润湿脱脂棉擦拭有机膜,然后采用干燥脱脂棉将溶液吸干,重复上述擦拭、吸干步骤2~3次,有机膜即可完全去除。

本发明与现有技术相比,具有如下的优点和有益效果:

1、本发明制备获得的无衬底超薄镍-63放射源,不仅镍-63镍层厚度更小,而且没有衬底;可显著减小核电池供能部件的体积和质量,减小镍-63的自吸收效应,避免镍-63原料的浪费。

2、与现有单面放射源相比,本发明制备获得的无衬底超薄镍-63放射源为双面放射源,两面均可使用,相同活度的镍-63可释放出双倍的能量;由于两面均发射β射线,可放置于两片换能部件中间,使核电池的能量利用率成倍增加。

3、本发明将覆膜和衬底溶解技术相结合,避免了微米级镍层产生褶皱和破损,确保了无衬底支撑的超薄镍-63放射源的完整性和平整性。

4、与现有方法相比,本发明的电沉积率高。

5、本发明制备获得的无衬底超薄镍-63放射源品质优良,镍层致密均匀,有金属光泽。

6、本发明工艺流程简便,操作简单,易于实现。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白,下面结合实施例,对本发明作进一步的详细说明,本发明的示意性实施方式及其说明仅用于解释本发明,并不作为对本发明的限定。

实施例1:

一种无衬底超薄镍-63放射源的制备方法,包括以下步骤:

第一步:电沉积液的配制

1.1配制电沉积液L1:依次向10mL玻璃烧杯中加入以下溶液:1mL镍含量为1.1g/L的镍-63溶液(配制的电沉积液中镍含量为0.22g/L),3μL98%浓硫酸(配制的电沉积液中硫酸含量为1.08g/L),10μL20 g/L的氨基磺酸溶液(配制的电沉积液中氨基磺酸含量为0.04g/L),4mL 35g/L的硼酸溶液(配制的电沉积液中硼酸含量为28g/L)。将溶液搅拌均匀,得到电沉积液L1。

1.2调节pH值:向溶液L1中加入氢氧化钠(NaOH)溶液和/或硫酸(H2SO4),每次添加量均为微升级,最终pH值为3.9,得到溶液L2。

第二步:铜衬底放射源的制备

2.1铜衬底的预处理:取一块全新的圆形紫铜衬底,厚度为20μm,直径为20mm,用乙醇浸泡20min,用去离子水清洗干净,自然晾干。

2.2电沉积制源:采用电沉积仪制源,将2.1所得铜衬底固定在电沉积槽底部,向电沉积槽内加入5mL溶液L2。电沉积的电流密度为1.5A/dm2,铂电极转速为60r/min,电沉积时间为60min。

2.3清洗:在完成步骤2.2后,取出铜衬底,用去离子水冲洗铜衬底表面,得到铜衬底放射源Y1。

第三步:覆膜

3.1配制膜溶液L3:称量聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)固体,用苯甲醚(C7H8O)溶解上述固体,使溶液中聚甲基丙烯酸甲酯含量为50g/L,该溶液即为膜溶液L3。

3.2滴加膜溶液L3:将Y1置于匀胶机载物台中部,向Y1表面上滴加溶液L3,滴加量为0.5mL。

3.3旋涂:启动匀胶机,先设置转速为200r/min,匀胶时间为20s;再设置转速为4000r/min,匀胶时间为40s。得到旋涂了膜溶液L3的放射源Y2。

3.4膜液烘干:将Y2置于鼓风烘箱内,烘干温度为180℃,烘干时间为1h,使放射源表面形成有机膜,得到覆盖有机膜的放射源Y3。

第四步:衬底去除

4.1配制衬底去除溶液L4:称量过硫酸钾(K2(SO4)2)固体,用去离子水溶解上述固体,使溶液中过硫酸钾的含量为50g/L,得到衬底去除溶液L4。

4.2衬底去除:将覆盖有机膜的放射源Y3置于衬底去除溶液L4内,使L4完全浸没Y3,反应时间为20min。铜衬底完全溶解,镍层完好无损。

4.3清洗:在完成步骤4.2后,取出镍层,用去离子水清洗镍层表面,得到覆盖有机膜的无衬底超薄镍-63放射源Y4。

第五步:有机膜清除

5.1放置放射源:将Y4放置在平整表面上,将覆盖有机膜的一面朝上;

5.2擦拭放射源:用丙酮溶液润湿脱脂棉,使用镊子夹取脱脂棉,轻轻擦拭Y4上表面的有机膜;采用干燥脱脂棉将Y4上表面溶液吸干。重复以上步骤三次,可将有机膜清除,得到无衬底超薄镍-63放射源Y5,该放射源可双面使用,安装于微型核电池的两片换能器件中间。

本次实验所得无衬底双面镍-63源片表面光亮且结合紧密,镍层厚度约0.6μm,电沉积率为94%,实际应用中应根据场景对镍-63源片的活度要求来控制镍层厚度。

实施例2:

一种无衬底超薄镍-63放射源的制备方法,包括以下步骤:

第一步:电沉积液的配制

1.1配制电沉积液L1:依次向20mL玻璃烧杯中加入以下溶液:4mL镍含量为1.0g/L的镍-63溶液(配制的电沉积液中镍含量为0.40g/L),10μL 98%浓硫酸(配制的电沉积液中硫酸含量为1.80g/L),40μL 20g/L的氨基磺酸溶液(配制的电沉积液中氨基磺酸含量为0.08g/L),6mL 35g/L的硼酸溶液(配制的电沉积液中硼酸含量为21g/L)。将溶液搅拌均匀,得到电沉积液L1。

1.2调节pH值:向溶液L1中加入氢氧化钠(NaOH)溶液和/或硫酸(H2SO4),每次添加量均为微升级,最终pH值为3.5,得到溶液L2。

第二步:铜衬底放射源的制备

2.1铜衬底的预处理:取一块全新的圆形紫铜衬底,厚度为10μm,直径为20mm,用乙醇浸泡30min,用去离子水清洗干净,自然晾干。

2.2电沉积制源:采用电沉积仪制源,将2.1所得铜衬底固定在电沉积槽底部,向电沉积槽内加入10mL溶液L2,电沉积的电流密度为2.5A/dm2,铂电极转速为80r/min,电沉积时间为40min。

2.3清洗:在完成步骤2.2后,取出铜衬底,用去离子水冲洗铜衬底表面,得到铜衬底放射源Y1。

第三步:覆膜

3.1配制膜溶液L3:称量聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)固体,用苯甲醚(C7H8O)溶解上述固体,使溶液中聚甲基丙烯酸甲酯含量为20g/L,该溶液即为膜溶液L3。

3.2滴加膜溶液L3:将Y1置于匀胶机载物台中部,向Y1表面上滴加溶液L3,滴加量为0.2mL。

3.3旋涂:启动匀胶机,先设置转速为100r/min,匀胶时间为10s;再设置转速为2000r/min,匀胶时间为100s。得到旋涂了膜溶液L3的放射源Y2。

3.4膜液烘干:将Y2置于鼓风烘箱内,烘干温度为150℃,烘干时间为1.2h,使放射源表面形成有机膜,得到覆盖有机膜的放射源Y3。

第四步:衬底去除

4.1配制衬底去除溶液L4:称量过硫酸钾(K2(SO4)2)固体,用去离子水溶解上述固体,使溶液中过硫酸钾的含量为20g/L,得到衬底去除溶液L4。

4.2衬底去除:将覆盖有机膜的放射源Y3置于衬底去除溶液L4内,使L4完全浸没Y3,反应时间为20min。铜衬底完全溶解,镍层完好无损。

4.3清洗:在完成步骤4.2后,取出镍层,用去离子水清洗镍层表面,得到覆盖有机膜的无衬底超薄镍-63放射源Y4。

第五步:有机膜清除

5.1放置放射源:将Y4放置在平整表面上,将覆盖有机膜的一面朝上;

5.2擦拭放射源:用丙酮溶液润湿脱脂棉,使用镊子夹取脱脂棉,轻轻擦拭Y4上表面的有机膜;采用干燥脱脂棉将Y4上表面溶液吸干。重复以上步骤两次,可将有机膜清除,得到无衬底超薄镍-63放射源Y5,该放射源可双面使用,安装于微型核电池的两片换能器件中间。

本次实验所得无衬底双面镍-63源片表面光亮且结合紧密,镍层厚度约2μm,电沉积率为91%。

实施例3:

一种无衬底超薄镍-63放射源的制备方法,包括以下步骤:

第一步:电沉积液的配制

1.1配制电沉积液L1:依次向10mL玻璃烧杯中加入以下溶液:2mL镍含量为1.5g/L的镍-63溶液(配制的电沉积液中镍含量为0.6g/L),7.8μL 98%浓硫酸(配制的电沉积液中硫酸含量为2.81g/L),25μL 20g/L的氨基磺酸溶液(配制的电沉积液中氨基磺酸含量为0.1g/L),3mL 60g/L的硼酸溶液(配制的电沉积液中硼酸含量为36g/L)。将溶液搅拌均匀,得到电沉积液L1。

1.2调节pH值:向溶液L1中加入氢氧化钠(NaOH)溶液和/或硫酸(H2SO4),每次添加量均为微升级,最终pH值为4.2,得到溶液L2。

第二步:铜衬底放射源的制备

2.1铜衬底的预处理:取一块全新的圆形紫铜衬底,厚度为10μm,直径为20mm,用乙醇浸泡10min,用去离子水清洗干净,自然晾干。

2.2电沉积制源:采用电沉积仪制源,将2.1所得铜衬底固定在电沉积槽底部,向电沉积槽内加入5mL溶液L2,电沉积的电流密度为3.5A/dm2,铂电极转速为100r/min,电沉积时间为100min。

2.3清洗:在完成步骤2.2后,取出铜衬底,用去离子水冲洗铜衬底表面,得到铜衬底放射源Y1。

第三步:覆膜

3.1配制膜溶液L3:称量聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)固体,用苯甲醚(C7H8O)溶解上述固体,使溶液中聚甲基丙烯酸甲酯含量为40g/L,该溶液即为膜溶液L3。

3.2滴加膜溶液L3:将Y1置于匀胶机载物台中部,向Y1表面上滴加溶液L3,滴加量为0.3mL。

3.3旋涂:启动匀胶机,先设置转速为300r/min,匀胶时间为15s;再设置转速为3000r/min,匀胶时间为100s。得到旋涂了膜溶液L3的放射源Y2。

3.4膜液烘干:将Y2置于鼓风烘箱内,烘干温度为180℃,烘干时间为0.8h,使放射源表面形成有机膜,得到覆盖有机膜的放射源Y3。

第四步:衬底去除

4.1配制衬底去除溶液L4:称量过硫酸铵((NH4)2(SO4)2)固体,用去离子水溶解上述固体,使溶液中过硫酸钾的含量为80g/L,得到衬底去除溶液L4。

4.2衬底去除:将覆盖有机膜的放射源Y3置于衬底去除溶液L4内,使L4完全浸没Y3,反应时间为10min。铜衬底完全溶解,镍层完好无损。

4.3清洗:在完成步骤4.2后,取出镍层,用去离子水清洗镍层表面,得到覆盖有机膜的无衬底超薄镍-63放射源Y4。

第五步:有机膜清除

5.1放置放射源:将Y4放置在平整表面上,将覆盖有机膜的一面朝上;

5.2擦拭放射源:用丙酮溶液润湿脱脂棉,使用镊子夹取脱脂棉,轻轻擦拭Y4上表面的有机膜;采用干燥脱脂棉将Y4上表面溶液吸干。重复以上步骤三次,可将有机膜清除,得到无衬底超薄镍-63放射源Y5,该放射源可双面使用,安装于微型核电池的两片换能器件中间。

本次实验所得无衬底双面镍-63源片表面光亮且结合紧密,镍层厚度约1.6μm,电沉积率为96%。

本发明采用电沉积法,以微米级的铜片为衬底,衬底无需经过预电沉积处理,可简化放射源的制备步骤,降低人员剂量,提高制源效率;本发明中,电沉积时镍含量为0.1g/L~0.8g/L,所得Ni-63放射性片状源沉积率可达90%以上,实现了低镍浓度下的高品质制源;且本发明可通过溶解去除铜衬底,制备获得无衬底超薄镍-63放射源为双面放射源,两面均可使用,相同活度的镍-63可释放出双倍的能量。

与已有专利“一种Ni-63放射性片状源的电沉积方法,专利号CN 108893762 B”对比,该专利亦采用电沉积法,以不锈钢衬底,衬底需经过预电沉积处理,电沉积时镍含量为1.5g/L~100g/L,所得Ni-63放射性片状源沉积率可达60%,且该方法并未进行不锈钢衬底的去除,镍-63原料利用率低。具体对比结果见表1。

电沉积工艺的两大关键技术为:电沉积液配方和电解参数。从表1可以看出,本发明与对比专利CN 108893762 B的电沉积液配方和电解参数完全不同。配方成分、含量、比例、pH范围均不一致,没有相近之处。本发明镍含量远低于对比专利;本发明使用了氨基磺酸,而对比专利使用十二烷基硫酸钠和盐酸;本发明使用铜衬底,而对比专利使用不锈钢衬底。电沉积工艺的两大关键技术均不相同,可以得出结论,本发明的方法为全新的具有创造性的方法。

表1 本发明与对比专利的区别

对比例1:

采用不锈钢衬底在本发明的实验条件下进行镍-63放射源的制备,由于不锈钢衬底预处理步骤对其电沉积性能影响大,若不进行不锈钢衬底的预处理,将导致电沉积实验失败,为进行对比,故增加不锈钢衬底预处理步骤,具体处理方式与专利“一种Ni-63放射性片状源的电沉积方法,专利号CN 108893762 B”一致。其余实验条件均与本发明保持一致,具体步骤如下:

第一步:电沉积液的配制

1)配制电沉积液L1:依次向10mL玻璃烧杯中加入以下溶液:1mL镍含量为1.1g/L的镍-63溶液(配制的电沉积液中镍含量为0.22g/L),3μL98%浓硫酸(配制的电沉积液中硫酸含量为1.08g/L),10μL20 g/L的氨基磺酸溶液(配制的电沉积液中氨基磺酸含量为0.04g/L),4mL 35g/L的硼酸溶液(配制的电沉积液中硼酸含量为28g/L)。将溶液搅拌均匀,得到电沉积液L1。

2)调节pH值:向溶液L1中加入氢氧化钠(NaOH)溶液和/或硫酸(H2SO4),每次添加量均为微升级,最终pH值为3.9,得到溶液L2。

第二步:不锈钢衬底的预处理

1)配制预电沉积液:使得溶液中NiSO4·6H2O含量为300g/L、HCl含量为200g/L。

2)不锈钢衬底的清洗:取一块干净完好的不锈钢衬底,用去离子水冲洗干净后,依次采用丙酮浸泡10min,再用无水乙醇浸泡5min,再用去离子水清洗干净。

3)不锈钢衬底的预电沉积:将不锈钢衬底安置于电沉积仪上,在电沉积槽中加入5mL预电沉积液,使不锈钢衬底在室温下浸泡5min,控制电流密度为0.4A/dm2,预电沉积5min,移除预电沉积液后,用去离子水冲洗不锈钢衬底。

第三步:不锈钢衬底放射源的制备

1)电沉积制源:采用电沉积仪制源,将预电沉积后的不锈钢固定在电沉积槽底部,向电沉积槽内加入5mL溶液L2,电沉积的电流密度为1.5A/dm2,铂电极转速为60r/min,电沉积时间为60min。

2)清洗:在完成步骤2.2后,取出不锈钢衬底,用去离子水冲洗源片底表面,得到不锈钢衬底放射源。

由于本发明采用溶解法去除铜衬底,而不锈钢在本发明的衬底去除溶液中无法良好的溶解。若采用其他衬底去除溶液使不锈钢溶解,但镍层也会被溶解,无法找到既能溶解不锈钢又可保持镍层完整的衬底去除液配方。反过来证明了本发明选择铜作为衬底材料是经过优选的关键条件。因此该对比例中不考虑不锈钢衬底的去除。

实施例1和对比例1的结果对比如表2所示,在本发明的实验条件上,若采用已有专利中的不锈钢衬底开展镍-63放射源的制备,会增加不锈钢衬底的预电沉积步骤,且电沉积率仅为76%,比本发明中的电沉积率94%低很多。且采用本发明可实现衬底的去除,进一步的提高镍-63的利用率。

实施例1和对比例1的结果对比如表2所示:

表2 实施例1和对比例1的结果对比

对比例2:

为证明本发明关键参数范围的重要性和有益效果,在已有专利“一种Ni-63放射性片状源的电沉积方法,专利号CN 108893762 B”中的镍浓度,其余实验条件与本发明保持一致,开展镍的电沉积实验,具体操作如下:

第一步:电沉积液的配制

1)配制电沉积液L1:依次向10mL玻璃烧杯中加入以下溶液:0.25mL镍含量为81.4g/L的镍-63溶液(配制的电沉积液中镍含量为4.07g/L),7.8μL 98%浓硫酸(配制的电沉积液中硫酸含量为2.81g/L),25μL 20g/L的氨基磺酸溶液(配制的电沉积液中氨基磺酸含量为0.1g/L),3mL 60g/L的硼酸溶液(配制的电沉积液中硼酸含量为36g/L)。将溶液搅拌均匀,得到电沉积液L1。

1.2调节pH值:向溶液L1中加入氢氧化钠(NaOH)溶液和/或硫酸(H2SO4),每次添加量均为微升级,最终pH值为4.2,得到溶液L2。

第二步:铜衬底放射源的制备

2.1铜衬底的预处理:取一块全新的圆形紫铜衬底,厚度为10μm,直径为20mm,用乙醇浸泡10min,用去离子水清洗干净,自然晾干。

2.2电沉积制源:采用电沉积仪制源,将2.1所得铜衬底固定在电沉积槽底部,向电沉积槽内加入5mL溶液L2。电沉积的电流密度为3.5A/dm2,铂电极转速为100r/min,电沉积时间为100min。

2.3清洗:在完成步骤2.2后,取出铜衬底,用去离子水冲洗铜衬底表面,得到铜衬底放射源Y1。经检测,Y1镀层发黑、疏松,未形成致密均匀镀层,放射源制备失败。

采用已有专利“一种Ni-63放射性片状源的电沉积方法,专利号CN 108893762 B”中的镍浓度,其他参数与本发明保持一致,无法获得致密均匀镀层;本发明中所述镍-63放射源的电沉积方法,可实现低镍浓度的优质镍-63放射源的制备,电沉积配方与电沉积参数相互耦合,各配方和参数之间具有关联性,改变其中的任何优化参数,将导致电沉积失败或镀层质量下降。

以上所述的具体实施方式,对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本发明的具体实施方式而已,并不用于限定本发明的保护范围,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

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