具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

图1为一实施例的复合钝化膜的结构图，如图1所示，本实施例提供了一种复合式钝化膜的制作方法，所述方法包括：

获取的包含硅分子的平面结构器件；

在所述平面结构器件上平铺第一钝化层，所述第一钝化层为氧化硅层；

在所述第一钝化层上平铺第二钝化层，所述第二钝化层为磷硅层；

在所述第二钝化层上平铺第三钝化层，所述第三钝化层为氮硅层；

在所述第三钝化层上平铺绝缘薄膜。

本发明中，第一钝化层为氧化硅层，可以为器件提供了最初的保护，能与硅之间实现很好的粘附，并能降低与其他钝化层之间的界面应力，为后续各层钝化膜的淀积和功能实现提供基础；淀积形成的中间层磷硅层和氮硅层分别具有吸收和隔离外部杂质离子的作用；最上面的绝缘薄膜层则能够为下方各钝化层乃至整个器件起到综合性保护作用。该类结构能使器件承受高电压并保持很低的漏电流。

在一实施例中，所述平面结构器件优选为只包含硅分子。在另一实施例中，平面结构器件也可以是除了包含硅分子外的其它分子。需要说明的是，本实施例主要应用于包含硅分子的平面结构器件。对应的，本实施例涉及的钝化工艺采用平铺叠加方式，应用于延伸型终端结构(通常采用平面工艺制作，最为传统的结构为场限环、场板或两者相结合)。

在另一实施例中，所述第一钝化层为二氧化硅层。第一钝化层优选为二氧化硅层，可以为器件提供了最初的保护，能与硅之间实现很好的粘附，并能降低与其他钝化层之间的界面应力，为后续各层钝化膜的淀积和功能实现提供基础；

在另一实施例中，所述第二钝化层为PSG(Phospho Silicate Glass)层，所述第三钝化层为Si3N4层。淀积形成的中间PSG层和Si3N4层分别具有吸收和隔离外部杂质离子的作用。

在另一实施例中，所述绝缘薄膜为PI层。最上面的PI层则能够为下方各钝化层乃至整个器件起到综合性保护作用。该类结构能使器件承受高电压并保持很低的漏电流。

本实施例还提供了一种复合式钝化膜，应用于包含硅分子的平面结构器件，其特征在于，所述复合式钝化膜包括：

平铺于所述平面结构器件上的第一钝化层，所述第一钝化层为氧化硅层；

平铺于所述第一钝化层上平铺第二钝化层，所述第二钝化层为磷硅层；

平铺于所述第二钝化层上平铺第三钝化层，所述第三钝化层为氮硅层；

平铺于所述第三钝化层上平铺绝缘薄膜。

在一实施例中，所述第一钝化层为二氧化硅层。

在另一实施例中，所述第二钝化层为PSG层。

在另一实施例中，所述第三钝化层为Si3N4层。

在另一实施例中，所述绝缘薄膜为PI层。

本实施例中，所述复合式钝化膜采用以上方法实施例进行制作，具体可以参照以上方法实施例的内容。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。