具体实施方式

以下，参照附图对实施方式进行说明。此外，附图是一个例子，并不限定发明的范围。

(实施方式)

图1是表示实施方式涉及的磁盘装置1的构成的框图。

磁盘装置1具备后述的头盘组件(HDA)、驱动器IC20、头放大器集成电路(以下记载为头放大器IC或者预放大器)30、易失性存储器70、缓冲存储器(缓存)80、非易失性存储器90以及作为一个芯片的集成电路的系统控制器130。另外，磁盘装置1与主机系统(主机)100连接。磁盘装置1例如是二维记录(Two-Dimensional Magnetic Recording:TDMR)方式的磁盘装置。

HAD具有磁盘(以下记载为盘)10、主轴马达(SPM)12、搭载头15的臂13以及音圈马达(VCM)14。盘10安装于主轴马达12，通过主轴马达12的驱动进行旋转。臂13和VCM14构成致动器。致动器通过VCM14的驱动，将搭载于臂13的头15移动控制到盘10的预定位置。盘10和头15也可以设置有2个以上的数量。

盘10对其能够写入数据的区域分配有能够由用户利用的用户数据区域10a和写入系统管理所需要的信息的系统区10b。以下，将盘10的沿着圆周的方向称为圆周方向，将与圆周方向交叉的方向称为半径方向。有时也将盘10的预定的圆周方向上的位置称为圆周位置，将盘10的预定的半径方向上的位置称为半径位置。另外，有时也将半径位置和圆周位置一并简称为位置。盘10(的用户数据区域10a)按半径方向上的预定范围被区分为多个区域(以下有时也称为分区(zone))。分区包括多个磁道(柱面)。另外，磁道包括多个扇区。“磁道”以在盘10的半径方向上区分而得到的多个区域内的一个区域、盘10的预定的半径位置处的头15的路径、在盘10的预定的半径位置所写入的盘10的1周量的数据、在盘10的预定的半径位置沿着圆周方向延长的数据、在磁道中所写入的数据、其他各种含义来使用。“扇区”以将磁道在圆周方向上区分而得到的多个区域内的一个区域、在盘10的预定位置所写入的数据、在扇区所写入的数据、其他各种含义来使用。将“预定磁道的半径方向上的宽度”称为“磁道宽度”。将“预定扇区的半径方向上的宽度”称为“扇区宽度”。既有时将“预定磁道的预定的圆周位置处的磁道宽度的中心位置”称为“磁道中央”，也有时将“将预定磁道的各圆周位置处的各磁道宽度的中心连接的线”称为“磁道中央”。例如，“磁道中央”相当于预定扇区的扇区宽度的中心位置。

头15将滑块作为主体，具备安装于该滑块的写入头15W和读取头15R。写入头15W对盘10写入数据。读取头15R取得在盘10所记录的数据。读取头15R具有多个读取头15R、例如两个读取头15R1、15R2。读取头15R1例如设置在距写入头15W最远离的位置。读取头15R2例如是设置在距写入头15W为比读取头15R1次远的位置。换言之，读取头15R2位于写入头15W和读取头15R1之间。此外，读取头15R也可以具有3个以上的读取头。既有时将多个读取头15R、例如2个读取头15R1、15R2一并称为读取头15R，也有时将多个读取头15R、例如读取头15R1和15R2中的某一个简称为读取头15R。以下，也有时将多个读取头15R中的在读处理时成为定位基准的读取头15R称为主读取头15R。另外，也有时将多个读取头15R中的主读取头15R以外的读取头15R称为子读取头15R。

图2是表示本实施方式涉及的头15相对于盘10的配置的一个例子的示意图。如图2所示，将在半径方向上朝向盘10的外周的方向称为外方向(外侧)，将与外方向相反的方向称为内方向(内侧)。另外，如图2所示，在圆周方向上，将盘10进行旋转的方向称为旋转方向。此外，在图2所示的例子中，旋转方向由逆时针方向表示，但也可以是相反方向(顺时针方向)。在图2中，用户数据区域10a被区分为位于内方向的内周区域IR、位于外方向的外周区域OR以及位于内周区域IR与外周区域OR之间的中周区域MR。在图2所示的例子中，示出了半径位置IRP、半径位置RP0、以及半径位置ORP。半径位置IRP是比半径位置RP0靠内方向的位置，半径位置ORP是比半径位置RP0靠外方向的位置。在图2所示的例子中，半径位置RP0位于中周区域MR，半径位置ORP位于外周区域OR，半径位置IRP位于内周区域IR。此外，半径位置RP0既可以位于外周区域OR，也可以位于内周区域IR。半径位置IRP也可以分别位于中周区域MR。在图2中表示了通过半径位置IRP的路径IIL、通过半径位置RP0的路径IL0以及通过半径位置ORP的路径OIL。路径IIL、OIL以及IL0相对于盘10配置为同心圆状。例如，路径IIL、OIL以及IL0分别为正圆。以下，有时也将相对于盘10配置为同心圆状的路径称为目标路径。

盘10具有多个伺服模式SV。以下，有时也将伺服模式SV称为伺服扇区、伺服区域。多个伺服模式SV在盘10的半径方向上呈放射状延伸，在圆周方向上空开预定间隔而离散地配置。伺服模式SV包含用于将头15定位于盘10的预定的半径位置的伺服数据等。以下，有时也将在伺服扇区SV以外的用户数据区域所写入的伺服数据以外的数据称为用户数据。

伺服数据例如包含伺服标记(Servo Mark)、地址数据以及突发数据(burst data)等。地址数据由预定磁道的地址(柱面地址)和预定磁道的伺服扇区的地址构成。突发数据是为了检测相对于预定磁道的磁道中央的、头15的半径方向上的位置偏移(位置误差)而使用的数据(相对位置数据)，由预定周期的重复模式构成。突发数据跨对外相邻的磁道而被交错状地进行写入。在此，“相邻”包括数据、物体、区域以及空间等以相接或者接触的方式排列，也包括空开预定间隔而连续地排列。

在头15位于半径位置RP0的情况下，扭斜角例如成为0°。以下，有时也将半径位置RP0称为基准位置RP0。在头15位于半径位置ORP的情况下，扭斜角例如成为正的值。在头15位于半径位置IRP的情况下，扭斜角例如成为负的值。此外，在头15位于半径位置ORP的情况下，扭斜角也可以为负的值。另外，在头15位于半径位置IRP的情况下，扭斜角也可以为正的值。

图3是表示将读取头15R1配置在了基准位置RP0的情况下的写入头15W和两个读取头15R1、15R2的几何学上的配置的一个例子的示意图。在图3中，读取头15R1相当于主读取头15R1，读取头15R2相当于子读取头15R2。在图3中表示了写入头15W的中心部WC、读取头(主读取头)15R1的中心部RC1以及读取头(子读取头)15R2的中心部RC2。以下，有时也将读取头15R1的中心部RC1与读取头15R2的中心部RC2之间的圆周方向上的间隔称为循着磁道间隔(Down Track Separation：DTS)。另外，有时也将读取头15R1的中心部RC1与读取头15R2的中心部RC2之间的半径方向上的间隔称为交叉磁道间隔(Cross Track Separation：CTS)。在图3中，由DTSy表示将主读取头15R1配置在了预定的半径位置的情况下的循着磁道间隔，由CTSx表示将主读取头15R1配置在了预定的半径位置的情况下的交叉磁道间隔。另外，在图3中，由θsw表示将主读取头15R1配置在了预定的半径位置的情况下的头15(写入头15W和读取头15R)的扭斜角。以下，为了便于说明，有时也将“写入头的中心部”简称为“写入头”，将“读取头的中心部”简称为“读取头”。

在图3所示的例子中，在将主读取头15R1配置在了基准位置RP0的情况下，头15以扭斜角θsw＝θ0(＝0)在圆周方向上倾斜。换言之，在将主读取头15R1配置在了基准位置RP0的情况下，头15在圆周方向上不倾斜。在图3中，在将主读取头15R1配置在了基准位置RP0的情况下，写入头15W、主读取头15R1以及子读取头15R2沿着圆周方向排列。在该情况下，主读取头15R1和子读取头15R2在半径方向上不错开。在图3所示的例子中，在将主读取头15R1配置在了基准位置RP0的情况下，主读取头15R1和子读取头15R2以交叉磁道间隔CTSx＝CTS0(＝0)在半径方向上错开。此外，在将主读取头15R1配置在了基准位置RP0的情况下，写入头15W和读取头15R(主读取头15R1以及子读取头15R2)也可以在半径方向上错开。另外，在将主读取头15R1配置在了基准位置RP0的情况下，主读取头15R1和子读取头15R2也可以在半径方向上错开。

在图3所示的例子中，在将主读取头15R1配置在了基准位置RP0的情况下，写入头15W和主读取头15R1以间隔GP0在圆周方向上分开。在将主读取头15R1配置在了基准位置RP0的情况下，主读取头15R1和子读取头15R2以循着磁道间隔DTSy＝DTS0在圆周方向上分开。

图4是表示将读取头15R1配置在了半径位置ORP的情况下的写入头15W和两个读取头15R1、15R2的几何学的配置的一个例子的图。

在图4所示的例子中，在将主读取头15R1配置在了半径位置ORP的情况下，头15以扭斜角θsw＝θ1在圆周方向的外方向上倾斜。在图4中，在将主读取头15R1配置在了半径位置ORP的情况下，写入头15W、主读取头15R1以及子读取头15R2在圆周方向的外方向上错开。在该情况下，主读取头15R1和子读取头15R2在半径方向上错开。在图4所示的例子中，在将主读取头15R1配置在了半径位置ORP的情况下，主读取头15R1和子读取头15R2以交叉磁道间隔CTSx＝CTS1在半径方向的外方向上错开。

在图4所示的例子中，在将主读取头15R1配置在了半径位置ORP的情况下，写入头15W和主读取头15R1以循着磁道间隔DTSy＝DTS1(＝DTS0×cоsθ1)在圆周方向上分开。

此外，在将主读取头15R1配置在了半径位置IRP的情况下，也与将主读取头15R1配置在了半径位置ORP的情况同样地，写入头15W和两个读取头15R1、15R2可能以预定的扭斜角θsw在内方向上倾斜。在将主读取头15R1配置在了半径位置IRP的情况下，主读取头15R1和子读取头15R2可能以预定的交叉磁道间隔CTSx在半径方向上错开。另外，在将主读取头15R1配置在了半径位置IRP的情况下，主读取头15R1和子读取头15R2可能以预定的循着磁道间隔DTSx在圆周方向上分开。

驱动器IC20按照系统控制器130(详细而言为后述的MPU40)的控制，对SPM12和VCM14的驱动进行控制。

头放大器IC(预放大器)30具备读放大器和写驱动器。读放大器对从盘10读出的读信号进行放大，并输出至系统控制器130(详细而言为后述的读/写(R/W)通道60)。写驱动器向头15输出与从R/W通道60输出的写数据相应的写电流。

易失性存储器70是当电力供给被切断时、所保存的数据会丢失的半导体存储器。易失性存储器70保存磁盘装置1的各部的处理所需要的数据等。易失性存储器70例如是DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机访问存储器)或者SDRAM(SynchronousDynamic Random Access Memory，同步动态随机访问存储器)。

缓冲存储器80是暂时性地记录在磁盘装置1与主机100之间收发的数据等的半导体存储器。此外，缓冲存储器80也可以与易失性存储器70构成为一体。缓冲存储器80例如是DRAM、SRAM(Static Random Access Memory，静态随机访问存储器)、SDRAM、FeRAM(Ferroelectric Random Access memory，铁电随机访问存储器)或者MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory，磁阻随机访问存储器)等。

非易失性存储器90是即使电力供给被切断、也记录所保存的数据的半导体存储器。非易失性存储器90例如是NOR型或者NAND型的闪速ROM(Flash Read Only Memory：FROM)。

系统控制器(控制器)130例如可使用多个元件集成于单一芯片的被称为片上系统(System-on-a-Chip(SoC))的大规模集成电路(LSI)来实现。系统控制器130包括微处理器(MPU)40、硬盘控制器(HDC)50以及读/写(R/W)通道60。MPU40、HDC50以及R/W通道60分别相互电连接。系统控制器130例如电连接于驱动器IC20、头放大器IC30、易失性存储器70、缓冲存储器80、非易失性存储器90以及主机系统100等。

MPU40是对磁盘装置1的各部进行控制的主控制器。MPU40经由驱动器IC20对VCM14进行控制，执行头15的定位。MPU40对向盘10写入数据的写动作进行控制，并且，选择从主机100传送的数据(以下有时也称为写数据)的保存目的地。另外，MPU40对从盘10读取数据的读动作进行控制，并且，对从盘10传送至主机100的数据(以下有时也称为读数据)的处理进行控制。MPU40基于固件来执行处理。MPU40连接于磁盘装置1的各部。例如，MPU40电连接于HDC50和R/W通道60，对这些的处理进行控制。

HDC50按照来自后述的MPU40的指示，对主机100与R/W通道60之间的数据传送进行控制。HDC50例如电连接于易失性存储器70、缓冲存储器80以及非易失性存储器90等。

R/W通道60按照来自MPU40的指示，执行读数据以及写数据的信号处理。R/W通道60具有对读数据的信号品质进行测定的电路或者功能。R/W通道60能够对主读取头和子读取头的R/W通道60中的设定(以下有时也称为读取头内部设定)进行变更。读取头内部设定例如相当于表示用多个读取头15R中的某一个读取头15R作为主读取头和子读取头来在R/W通道60内进行处理的设定。例如，R/W通道60进行设定以使得将多个读取头15R中的预定的读取头15R作为主读取头来进行处理，进行设定以使得将多个读取头15R中的主读取头以外的至少一个读取头15R作为子读取头来进行处理。R/W通道60能够在将主读取头定位在了预定的半径位置的情况下，针对设定为了作为主读取头进行处理的读取头15R，对设定进行变更以使得将多个读取头15R中的其他读取头15R作为主读取头来进行处理。R/W通道60例如电连接于头放大器IC30等。

以下，在头15、头放大器IC30以及控制器130中，有时也将向主机100传送从盘10读出的读数据的系统称为读系统。

图5是表示实施方式涉及的R/W通道60的读系统RSY的构成例的框图。

R/W通道60包括读系统RSY。读系统RSY具有FIR(Finite impulse response，有限冲击响应)滤波器A0、FIR(Finite impulse response)存储器A1、解码器A2、重构或者再构建(Re-construction)器A3、比较器及度量存储器A4、以及LDPC(Low Density ParityCheck，低密度奇偶校验)器A5。此外，读系统RSY也可以具有FIR滤波器A0、FIR存储器A1、解码器A2、重构器A3、比较器及度量存储器A4、以及LDPC器A5以外的构成。

FIR滤波器A0例如按与从头放大器IC30等输入的所读取到的数据对应的信号的预定区间(以下有时也称为片段(segment))来对信号的波形进行最佳化(例如平均化或者均衡化)，向FIR存储器A1输出各片段的进行了最佳化(例如平均化或者均衡化)后的采样的信号(以下有时也称为FIR采样信号或者FIR波形)。

FIR存储器A1暂时性地记录从FIR滤波器A0输出的各片段的FIR采样信号。FIR存储器A1暂时性地记录各片段的最佳的FIR采样信号(以下有时也称为最佳FIR采样信号)和与所读取到的数据对应的各片段的FIR采样信号。例如，FIR存储器A1记录各片段的当前的最佳FIR采样信号(以下有时也称为当前最佳FIR采样信号)和与新读取到的数据对应的各片段的FIR采样信号(以下有时也称为新FIR采样信号)。FIR存储器A1按各片段对当前最佳FIR采样信号和新FIR采样信号进行比较，从各片段的当前最佳FIR采样信号和各片段的新FIR采样信号按各片段新选择最佳FIR采样信号(以下有时也称为新最佳FIR采样信号)。FIR存储器A1执行生成(或者取得)将所选择的各片段的最佳FIR采样信号接合(或者合成)而得到的最佳FIR采样(以下有时也称为合成FIR采样信号)的处理(以下有时也称为FIR信号接合处理、FIR信号合成处理、接合处理或者合成处理)。例如，FIR存储器A1根据来自后述的比较器及度量存储器A4的输出来选择各片段的最佳FIR采样信号，生成通过FIR信号接合处理对所选择的各片段的最佳FIR采样信号进行接合而得到的合成FIR采样信号。FIR存储器A1向解码器A2输出合成FIR采样信号。另外，FIR存储器A1将各片段的当前最佳FIR采样信号和各片段的新FIR采样信号输出到比较器及度量存储器A4。此外，FIR存储器A1也可以将合成FIR采样信号输出到比较器及度量存储器A4。另外，FIR存储器A1也可以向解码器A2输出各片段的当前最佳FIR采样信号和各片段的新FIR采样信号。以下，既有时将最佳FIR采样信号、当前最佳FIR采样信号、新最佳FIR采样信号以及新FIR采样信号等分别称为FIR采样信号，也有时将最佳FIR采样信号、当前最佳FIR采样信号、新最佳FIR采样信号以及新FIR采样信号等一并称为FIR采样信号。

解码器A2对从FIR存储器A1输入的合成FIR采样信号执行解码化处理。解码器A2将执行了解码化处理后的合成FIR采样信号(以下有时也称为解码化信号)输出到LDPC器A5。解码器A2将通过对解码化信号执行硬判决处理、对解码化信号执行硬判决处理来得到的信号(以下有时也称为硬判决信号)输出到重构器A3。解码器A2将通过对解码化信号执行对数似然比(Log likelihood ratio：LLR)处理、对解码化信号执行LLR处理来得到的信号(以下有时也称为LLR信号)输出到比较器及度量存储器A4。

重构器A3对硬判决信号执行重构(Re-construct)处理，向比较器及度量存储器A4输出执行了重构处理后的硬判决信号(以下有时也称为重构信号)。

比较器及度量存储器A4记录各片段的当前最佳FIR采样信号和各片段的新FIR采样信号。比较器及度量存储器A4基于LLR信号、重构信号以及FIR采样信号(例如新FIR采样信号)，按各片段算出与SNR(Signal to Noise Ratio：信噪比)对应的度量(Metric)或者测定值，记录所算出的各片段的度量。

比较器及度量存储器A4按各窗口(window)对度量进行比较，选择最佳的度量(以下有时也称为最佳度量)。窗口例如既可以对应于一个片段，也可以对应于多个片段。例如，比较器及度量存储器A4按各片段算出相当于重构信号和FIR采样信号的平方误差的度量(以下有时也称为新度量)，记录所算出的各片段的新度量。在此，相当于重构信号和FIR采样信号的平方误差的度量相当于理想值和观测值的差分。此外，度量也可以相当于LLR信号的绝对值。LLR(LLR信号)处于－∞～+∞的范围。比较器及度量存储器A4例如基于各片段的度量来算出各窗口的新度量的平均值(以下有时也简称为新度量)，记录所算出的各窗口的新度量。比较器及度量存储器A4按各窗口对各窗口的新度量和各窗口的当前的最佳的度量(以下有时也称为当前最佳度量)的平均值(以下有时也简称为当前最佳度量)进行比较，从各窗口的新度量和各窗口的当前最佳度量按各窗口新选择最佳度量(以下有时也称为新最佳度量)的平均值(以下有时也简称为新最佳度量)。比较器及度量存储器4执行生成(或者取得)将所选择的各窗口的最佳度量(新最佳度量)接合(或者合成)而得到的最佳度量(以下有时也称为合成度量)的处理(以下有时也称为度量接合处理、度量合成处理、接合处理或者合成处理)。以下，既有时将新度量、最佳度量、当前最佳度量以及新最佳度量等分别称为度量，也有时将新度量、最佳度量、当前最佳度量以及新最佳度量等一并称为度量。另外，也有时将各窗口(或者片段)的度量的平均值简称为度量。比较器及度量存储器A4将合成度量输出至FIR存储器A1。

LDPC器A5对从解码器A2输入的解码化信号执行LDPC处理，将执行了LDPC处理后的解码化信号(以下有时也称为LDPC信号)输出至HDC50。

系统控制器130从多个读取头15R选择主读取头15R。例如，系统控制器130将读取头15R1和15R2中的读取头15R1选择为主读取头，将读取头15R1和15R2中的读取头15R2选择为子读取头。另外，例如系统控制器130将读取头15R1和15R2中的读取头15R2选择为主读取头，将读取头15R1和15R2中的读取头15R1选择为子读取头。

例如，系统控制器130将读取头15R1和15R2中的特性、例如与读处理时的BER(BitError Rate，位错误率)对应的特性(以下有时也称为BER特性)最佳的读取头15R1选择为子读取头，将读取头15R1和15R2中的BER特性不是最佳的读取头15R2选择为主读取头。另外，例如系统控制器130将读取头15R1和15R2中的BER特性最佳的读取头15R2选择为子读取头，将读取头15R1和15R2中的BER特性不是最佳的读取头15R1选择为主读取头。此外，系统控制器130既可以将多个读取头中的BER特性最佳的读取头选择为主读取头，也可以将多个读取头中的BER特性不是最佳的读取头选择为子读取头。

例如，在将多个读取头15R中的BER特性不是最佳的读取头15R选择为主读取头15R、在多个读取头15R中将特性BER特性最佳的读取头15R选择为子读取头的情况下，系统控制器130将主读取头配置在预定磁道的预定的半径位置，在对该磁道进行读取的情况下将子读取头配置在成为比配置在配置主读取头的半径位置来进行了读取时的SNR小的SNR的半径位置。在一个例子中，在将多个读取头15R中的BER特性不是最佳的读取头15R选择为主读取头15R、在多个读取头15R中将特性BER特性最佳的读取头15R选择为子读取头的情况下，系统控制器130在半径方向上相邻的磁道(以下有时也称为相邻磁道)所挤压(squeeze)、偏移、接近或者重叠的磁道中，将主读取头配置在该磁道的磁道中央，将子读取头配置在相邻磁道侧的半径位置。

系统控制器130在判定为无法读取数据或者无法正常地读取数据的情况下执行对相同的数据再次进行读取的读重试(或者有时也称为读重试处理)。在对预定磁道执行读重试的情况下，系统控制器130对多个读取头15R的主读取头和子读取头进行变更。另外，在对预定磁道执行读重试的情况下，系统控制器130对读取头内部设定进行变更。

例如，系统控制器130在判定为无法对预定磁道的预定扇区进行读取、或者无法正常地进行读取的情况下，对包括判定为无法读取或者无法正常地读取的扇区(以下有时也称为读重试扇区)的磁道执行读重试。系统控制器130一边对多个读取头15R中的主读取头和子读取头进行变更，一边将读取头15R(主读取头)配置在该磁道的磁道宽度的范围内的多个半径位置来对该磁道反复进行读重试。换言之，系统控制器130一边对多个读取头15R中的主读取头和子读取头进行变更，一边使读取头15R(主读取头)从该磁道的磁道中央在半径方向上偏移(或者偏置)多个偏移量(或者偏置量)来配置而对该磁道反复进行读重试。在将主读取头配置在预定磁道的磁道宽度的范围内的多个半径位置来执行读重试时，系统控制器130一边对读取头内部设定进行变更来对R/W通道60内的主读取头和子读取头的设定进行切换，一边执行该磁道的读重试。在一个例子中，系统控制器130通过在R/W通道60内对与主读取头对应的FIR滤波器中的Tap系数使用所保存的参数，使与子读取头对应的FIR滤波器中的Tap系数全部为0，从而对读取头内部设定进行变更来对R/W通道60中的主读取头和子读取头的设定进行切换。另外，在一个例子中，系统控制器130通过对与主读取头对应的圆周方向上的Delay量和与子读取头对应的圆周方向上的Delay量进行更换，从而对读取头内部设定进行变更来对R/W通道60中的主读取头和子读取头的设定进行切换。这样，在TDMR方式的盘装置1中，通过对R/W通道60的读取头内部设定进行变更来对R/W通道60中的主读取头和子读取头的设定进行切换而对预定磁道进行读重试，从而有可能通过ITIC(Inter track Interference Cancellation，磁道间干扰消除)效果来在对数据进行了读取时得到良好的BER。

系统控制器130在对预定磁道执行读重试时，一边对多个读取头15R的主读取头和子读取头进行变更，一边将头15配置在多个半径位置，并且，一边对读取头的内部设定进行变更，一边从与所读取到的数据对应的各片段的多个FIR采样信号按各片段选择最佳FIR采样信号，生成将所选择的各片段的最佳FIR采样信号接合而得到的合成FIR采样信号。系统控制器130对将所生成的合成FIR采样信号解码化(或者解码)而得到的解码化信号执行LDPC处理，经由HDC50将执行了LDPC处理后的LDPC信号作为读取数据输出到主机100等。

图6是表示读取头15R1和15R2的BER特性的一个例子的概要图。在图6中，纵轴表示错误率、例如BER，横轴表示半径位置。在图6中，BER随着向大的箭头的前端侧前进而变大，随着向小的箭头的前端侧前进而变小。在图6的纵轴上表示了BER BR1和BER BR2。BER BR2比BER BR1大。在图6中，半径位置随着向外方向的箭头的前端侧前进而向外方向行进，随着向内方向的箭头的前端侧前进而向内方向行进。在图6的横轴上表示了半径位置RP01和RP02。半径位置RP01位于比半径位置RP02靠内方向的位置。换言之，半径位置RP02位于比半径位置RP01靠外方向的位置。在图6中表示了将读取头15R1定位在半径位置RP01来对该磁道进行了读取的情况下的BER的变化BRL1、将读取头15R2定位在半径位置RP02来对该磁道进行了读取的情况下的BER的变化BRL2、对BER的变化BRL1和BER的变化BRL2进行合成而得到的BER的变化BRL12。BER的变化BRL1呈在半径位置RP01成为顶点的向下凸的抛物线状进行变化。BER的变化BRL2呈在半径位置RP02成为顶点的向下凸的抛物线状进行变化。BER的变化BRL12从比半径位置RP01靠内方向的位置开始朝向半径位置RP01而呈抛物线状变小，从半径位置RP01朝向半径位置RP02逐渐变大，从半径位置RP02朝向外方向呈抛物线状变大。

在图6所示的例子中，BER的变化BRL1的BER比BER的变化BRL2的BER小。换言之，读取头15R1的BER特性比读取头15R2的BER特性好。此外，读取头15R2的BER特性也可以比读取头15R1的BER特性好。

图7是表示本实施方式涉及的读重试处理的一个例子的示意图。如图7所示，有时也将在圆周位置(圆周方向)上头15相对于盘10行进的方向、也即是进行读/写的方向称为行进方向。在图7中表示了圆周位置CPS和CPE。在图7中表示了磁道TR0和在磁道TR0的外方向上被进行了写入的磁道TR1。磁道TR0和磁道TR1相互相邻。磁道TR0沿着目标路径(半径位置)TRR0通过写入头15W被进行写入。在图7中表示了磁道TR0的扇区SC0。在图7中，扇区SC0也可以是读重试扇区。在图7中，磁道TR0的扇区SC0从圆周位置CPS到圆周位置CPE沿着圆周方向呈带状延伸。在图7中，为了便于说明，扇区SC0表示为在圆周方向上呈直线状延伸，但实际上沿着盘10的形状弯曲。扇区SC0沿着盘10呈圆状配置。此外，扇区SC0也可以是一边在半径方向上变动、一边在圆周方向上延伸的波状。

在图7中表示了磁道TR1的扇区SC1。在图7中，扇区SC1沿着目标路径(半径位置)TRR1被由写入头15W进行写入，随着在行进方向上前进而在内方向上挤压或者偏移来被进行写入。换言之，扇区SC1随着在行进方向上前进而从目标路径(半径位置)TRR1向磁道TR0侧偏移来被进行写入。扇区SC1在圆周位置CPS相对于目标路径(半径位置)TRR1大致不偏移，但在圆周位置CPE从目标路径(半径位置)TRR1偏移为与磁道TR0的一部分重叠的程度。扇区SC1从圆周位置CPS到圆周位置CPE呈带状延伸。在图7中，为了便于说明，扇区SC1表示为呈直线状延伸，但实际上沿着盘10的形状弯曲。此外，扇区SC1也可以是一边在半径方向上变动、一边延伸的波状。

在图7中，扇区SC0包括从目标路径(半径位置)TRR0向内方向以偏置量ROS11偏置的半径位置RP11、从目标路径(半径位置)TRR0向外方向以偏置量ROS12偏置的半径位置RP12、以及从目标路径(半径位置)TRR0向内方向以偏置量ROS21偏置的半径位置RP21。既有时将半径位置RP11称为沿着圆周方向延伸的路径(以下有时也称为半径路径)RP11，也有时将半径位置RP12称为沿着圆周方向延伸的半径路径RP12，还有时将半径位置RP21称为沿着圆周方向延伸的半径位置RP21。半径位置RP11位于比半径位置RP21靠内方向的位置。换言之，偏置量ROS11比偏置量ROS21大。半径位置RP11和半径位置RP21分别即使为在行进方向上进行了延伸，也位于扇区SC0和扇区SC1不重叠的半径方向上的区域。换言之，半径位置RP11和RP21分别即使为在行进方向上进行了延伸，也位于比扇区SC0和扇区SC1重叠的半径方向上的区域靠内方向的位置。半径位置RP12在行进方向上的圆周位置、例如圆周位置CPE位于磁道TR0和TR1重叠的半径方向上的区域。在图7中表示了配置在了半径位置TRR0的读取头15R1、和将读取头15R1配置在了半径位置TRR0的情况下的读取头15R2。在图7中表示了配置在了半径位置RP11的读取头15R1、和将读取头15R1配置在了半径位置RP11的情况下的读取头15R2。在图7中表示配置在了半径位置RP12的读取头15R1、和将读取头15R1配置在了半径位置RP12的情况下的读取头15R2。在图7中表示了配置在了半径位置RP21的读取头15R2、和将读取头15R2配置在了半径位置RP21的情况下的读取头15R1。在图7中，用全面涂抹了斜线的矩形形状表示主读取头，用留白(未全面涂抹)的矩形形状表示子读取头。

系统控制器130例如将读取头15R1设定为主读取头，将读取头15R2设定为子读取头。在该情况下，系统控制器130例如将读取头15R1配置在半径位置TRR0来对扇区SC0进行读取。

此外，在将读取头15R1配置在半径位置TRR0而判定为无法对扇区SC0进行读取或者无法正常地进行读取时对磁道TR0执行读重试的情况下，系统控制器130也可以对读取头内部设定进行变更，将读取头15R1设定为在R/W通道60内作为子读取头进行处理，并将读取头15R2设定为作为主读取头进行处理来对扇区SC0进行读取。换言之，在将读取头15R1配置在半径位置TRR0而判定为无法对扇区SC0进行读取或者无法正常地进行读取时对磁道TR0执行读重试的情况下，系统控制器130也可以对读取头15R1和读取头15R2的读取头内部设定进行切换，设定为在R/W通道60将读取头15R1作为子读取头来进行处理，并设定为在R/W通道60将读取头15R2作为主读取头来进行处理来对扇区SC0进行读取。

系统控制器130在将读取头15R1配置在半径位置TRR0而判定为无法对扇区SC0进行读取或者无法正常地进行读取时对磁道TR0执行读重试的情况下，将读取头15R1设定为主读取头，将读取头15R2设定为子读取头。在该情况下，系统控制器130例如将读取头15R1配置在半径位置RP11来对扇区SC0进行读取。

此外，在将读取头15R1配置在半径位置RP11而判定为无法对扇区SC0进行读取或者无法正常地进行读取时对磁道TR0执行读重试的情况下，系统控制器130也可以对读取头内部设定进行变更，将读取头15R1设定为在R/W通道60内作为子读取头进行处理，并将读取头15R2设定为作为主读取头进行处理来对扇区SC0进行读取。换言之，在将读取头15R1配置在半径位置RP11而判定为无法对扇区SC0进行读取或者无法正常地进行取得时对磁道TR0执行读重试的情况下，系统控制器130也可以对读取头15R1和读取头15R2的读取头内部设定进行切换，设定为在R/W通道60将读取头15R1作为子读取头进行处理，并设定为在R/W通道60将读取头15R2作为主读取头进行处理来对扇区SC0进行读取。

系统控制器130在将读取头15R1配置在半径位置TRR0而判定为无法对扇区SC0进行读取或者无法正常地进行读取时对磁道TR0执行读重试的情况下，将读取头15R1设定为主读取头，将读取头15R2设定为子读取头。在该情况下，系统控制器130例如在将读取头15R1配置在半径位置RP12而读取头15R2位于半径位置RP21的状态下对扇区SC0进行读取。

系统控制器130在将读取头15R1配置在半径位置RP11而判定为无法对扇区SC0进行读取或者无法正常地进行读取时对磁道TR0执行读重试的情况下，对读取头内部设定进行变更，将读取头15R1设定为在R/W通道60内作为子读取头进行处理，并将读取头15R2设定为使得读取头15R1位于半径位置RP12、该读取头15R2在R/W通道60内作为主读取头进行处理，在将读取头15R2配置在了半径位置RP21的状态下对扇区SC0进行读取。

图8是表示度量存储器A4中的处理的一个例子的概要图。如图8所示，度量存储器A4保持当前最佳度量MCB1、MCB2、MCB3以及MCB4、新度量MN1、MN2、MN3以及MN4、新最佳度量MNB1、MNB2、MNB3以及MNB4。当前最佳度量MCB1、新度量MN1以及新最佳度量MNB1对应于片段Seg1。当前最佳度量MCB2、新度量MN2以及新最佳度量MNB2对应于片段Seg2。当前最佳度量MCB3、新度量MN3以及新最佳度量MNB3对应于片段Seg3。当前最佳度量MCB4、新度量MN4以及新最佳度量MNB4对应于片段Seg4。

系统控制器130在执行读重试时将头15配置在预定磁道的磁道宽度的范围内的半径位置来对该磁道进行读取的情况下，将该磁道的各扇区分割为多个窗口，将各窗口分割为至少一个片段，按各片段对度量(例如新度量)进行记录。系统控制器130对与各片段对应的各当前最佳度量和与各片段对应的各新度量进行比较，从各当前最佳度量和各新度量选择并记录各新最佳度量。

在图8所示的例子中，系统控制器130记录与片段Seg1对应的新度量MN1，对当前最佳度量MCB1和新度量MN1进行比较，从当前最佳度量MCB1和新度量MN1选择并记录新最佳度量MNB1。

在图8所示的例子中，系统控制器130记录与片段Seg2对应的新度量MN2，对当前最佳度量MCB2和新度量MN2进行比较，从当前最佳度量MCB2和新度量MN2选择并记录新最佳度量MNB2。

在图8所示的例子中，系统控制器130记录与片段Seg3对应的新度量MN3，对当前最佳度量MCB3和新度量MN3进行比较，从当前最佳度量MCB3和新度量MN3选择并记录新最佳度量MNB3。

在图8所示的例子中，系统控制器130记录与片段Seg4对应的新度量MN4，对当前最佳度量MCB4和新度量MN4进行比较，从当前最佳度量MCB4和新度量MN4选择并记录新最佳度量MNB4。

图9是表示本实施方式涉及的度量接合处理的一个例子的示意图。图9所示的例子对应于图7。在图9中，纵轴表示度量，横轴表示时间。在图9的纵轴上，度量随着向大的箭头的前端侧前进而变大，随着向小的箭头的前端侧前进而变小。在图9的纵轴上表示了度量M0、M1、M2、M3、M4、M5、M6、M7、M8以及M9。在图9的纵轴上，度量M1比度量M0大，度量M2比度量M1大，度量M3比度量M2大，度量M4比度量M3大，度量M5比度量M4大，度量M6比度量M5大。此外，度量M1和M2也可以相同，度量M5和M6也可以相同。度量M7比度量M6大，度量M8比度量M7大，度量M9比度量M8大。在图9的纵轴上，对于相当于重构信号和FIR采样信号的平方误差的度量，例如更小的一方的信号的品质、例如SNR良好。此外，对于相当于LLR的度量，例如更大的一方的信号的品质、例如SNR良好。在图9的横轴上，时间随着向箭头的前端前进而经过。在图9的横轴上表示了时间t0、t1、t2、t3、t31、t32以及t4。在图9的横轴上，时间t1是时间t0后的时间，时间t2是时间t1后的时间，时间t3是时间t2后的时间，时间t31是时间t3后的时间，时间t32是时间t31后的时间，时间t4是时间t32后的时间。在图9的横轴上，窗口WD0相当于时间t0～时间t1的期间，窗口WD1相当于时间t1～时间t2的期间，窗口WD2相当于时间t2～时间t3的期间，窗口WD3相当于时间t3～时间t4的期间。在图9中，时间t1～时间t4的期间例如相当于预定磁道的一个扇区的圆周方向上的长度。

在图9中表示了如图7所示那样将读取头15R1配置在半径位置TRR0来对扇区SC0进行读取而取得的度量的变化(以下有时也简称为度量的变化)RPL10、如图7所示那样将读取头15R1配置在半径位置RP11来对扇区SC0进行读取而取得的度量的变化RPL11、如图7所示那样将读取头15R1配置在半径位置RP12来对扇区SC0进行读取而取得的度量的变化RPL12、以及度量的变化RPL21，该度量的变化RPL21是在如图7所示那样将读取头15R1配置在半径位置RP12而读取头15R2位于半径位置RP21的状态下对读取头内部设定进行变更、设定为在R/W通道60将读取头15R1作为子读取头进行处理、且设定为在R/W通道60将读取头15R2作为主读取头进行处理来对扇区SC0进行读取而取得的度量的变化。度量RPL10在时间t0为度量M0，在时间t31为度量M3，在时间t32为度量M4，在时间t4为度量M8。度量RPL11在时间t0为度量M3，在时间t32为度量M4，在时间t4为度量M7。度量RPL12在时间t0为度量M6，在时间t4为度量M9。度量RPL21在时间t0为度量M1，在时间t31为度量M2，在时间t4为度量M5。另外，在图9中表示了将各窗口WD0、WD1、WD2以及WD3中的最佳度量接合而得到的合成度量的变化(以下有时也简称为合成度量)CSL。

在图9所示的例子中，系统控制器130在对图7所示的扇区SC0进行读取时执行了读重试的情况下，如图7所示那样将读取头15R1配置在半径位置TRR0来对扇区SC0进行读取而取得度量的变化RPL10，如图7所示那样将读取头15R1配置在半径位置RP11来对扇区SC0进行读取而取得度量的变化RPL11，如图7所示将读取头15R1配置在半径位置RP12来对扇区SC0进行读取而取得度量的变化RPL12，在图7所示那样将读取头15R1配置在半径位置RP12而读取头15R2位于半径位置RP21的状态下对读取头内部设定进行变更，设定为在R/W通道60将读取头15R1作为子读取头进行处理，并且，设定为在R/W通道60将读取头15R2作为主读取头进行处理，对扇区SC0进行读取来取得度量的变化RPL21。

在图9所示的例子中，系统控制器130在窗口WD0中，选择将读取头15R1或者15R2配置在扇区SC0的扇区宽度的范围内的多个半径位置TRR0、RP11、RP12以及RP21而分别取得的多个度量中最小的度量的变化RPL10的度量来作为最佳度量。系统控制器130在窗口WD1中，选择将读取头15R1或者15R2配置在扇区SC0的扇区宽度的范围内的多个半径位置TRR0、RP11、RP12以及RP21而分别取得的多个度量中最小的度量的变化RPL10的度量来作为最佳度量。系统控制器130在窗口WD2中，选择将读取头15R1或者15R2配置在扇区SC0的扇区宽度的范围内的多个半径位置TRR0、RP11、RP12以及RP21而分别取得的多个度量中最小的度量的变化RPL10的度量来作为最佳度量。系统控制器130在窗口WD3中，选择将读取头15R1或者15R2配置在扇区SC0的扇区宽度的范围内的多个半径位置TRR0、RP11、RP12以及RP21而分别取得的多个度量中最小的度量的变化RPL21的度量来作为最佳度量。系统控制器130将作为窗口WD0的最佳度量所选择的窗口WD0的度量的变化RPL10的度量、作为窗口WD1的最佳度量所选择的窗口WD1的度量的变化RPL10的度量、作为窗口WD2的最佳度量所选择的窗口WD2的度量的变化RPL10的度量以及作为窗口WD3的最佳度量所选择的窗口WD3的度量的变化RPL21的度量接合来取得(或者生成)合成度量CSL。

此外，在度量相当于LLR信号的绝对值的情况下，系统控制器130在各窗口中，选择将读取头15R1或者15R2配置在预定扇区的扇区宽度的范围内的多个半径位置而分别取得的多个度量中最大的度量来作为最佳度量。系统控制器130将在各窗口所选择的各最佳度量接合来取得(或者生成)合成度量。

图10是表示本实施方式涉及的读处理的一个例子的流程图。

系统控制器130对预定磁道进行读重试(B1001)，判定是否能够对预定磁道进行读取(B1002)。例如，系统控制器130在预定磁道检测到读重试扇区的情况下，对该磁道执行读重试，判定是否能够对该磁道的读重试扇区进行读取。在判定为能够对预定磁道进行读取的情况下(B1002：是)，系统控制器130结束处理。例如，在判定为能够对预定磁道的读重试扇区进行读取的情况下，系统控制器130结束处理。在判定为无法对预定磁道进行读取的情况下(B1002：否)，系统控制器130对主读取头进行变更(B1003)。换言之，在判定为无法对预定磁道进行读取的情况下，系统控制器130对主读取头和子读取头进行变更。例如，在判定为无法对预定磁道的读重试扇区进行读取的情况下，系统控制器130对主读取头和子读取头进行变更。系统控制器130对预定磁道进行读重试(B1004)，判定是否能够对预定磁道进行读取(B1005)。例如，系统控制器130对预定磁道的读重试扇区进行读重试，判定是否能够对该磁道的读重试扇区进行读取。在判定为能够对预定磁道进行读取的情况下(B1005：是)，系统控制器130结束处理。例如，在判定为能够对预定磁道的读重试扇区进行读取的情况下，系统控制器130结束处理。在判定为无法对预定磁道进行读取的情况下(B1005：否)，系统控制器130执行接合处理(B1006)，结束处理。例如，在判定为无法对预定磁道的读重试扇区进行读取的情况下，系统控制器130执行FIR信号接合处理，结束处理。

图11是表示本实施方式涉及的接合处理的一个例子的流程图。图11相当于图10的B1006所示的接合处理。

系统控制器130以预定的偏置量配置主读取头(B1101)，用主读取头对预定磁道进行读取(B1102)。换言之，系统控制器130在预定磁道的磁道宽度的范围内将主读取头配置在预定的半径位置来通过主读取头对该磁道进行读取。系统控制器130对与将主读取头配置在预定磁道的预定的半径位置来读取到的数据(或者扇区)对应的各片段的FIR采样信号进行比较，选择各片段的最佳FIR采样信号(B1103)。换言之，系统控制器130从与将主读取头配置在预定磁道的预定的半径位置来通过主读取头读取到的数据(或者扇区)对应的各片段的当前最佳FIR采样信号和各片段的新FIR采样信号按各片段选择新最佳FIR采样信号，将各片段的新最佳FIR采样信号接合来生成合成FIR采样信号。

系统控制器130判定是否对读取头内部设定进行变更(B1104)。换言之，系统控制器130判定是否对R/W通道60内的主读取头和子读取头的设定进行变更。在判定为对读取头内部设定进行变更的情况下(B1104：是)，系统控制器130在R/W通道60内对主读取头进行变更(B1105)，进入B1102的处理。换言之，在判定为对读取头内部设定进行变更的情况下，系统控制器130对R/W通道60内的主读取头和子读取头的设定进行切换(或者变更)，进入B1102的处理。例如，在判定为对读取头内部设定进行变更的情况下，系统控制器130将在R/W通道60内作为主读取头进行处理的读取头15R从读取头15R1变更为读取头15R2，将在R/W通道60内作为子读取头进行处理的读取头15R从读取头15R2变更为读取头15R1，进入B1102的处理。

在判定为不对读取头内部设定进行变更的情况下(B1104：否)，系统控制器130判定是否以其他偏置量来通过主读取头对预定磁道进行读取(B1103)。换言之，系统控制器130判定是否在预定磁道中将主读取头配置在其他半径位置来对该磁道进行读取。在判定为以其他偏置量来通过主读取头对预定磁道进行读取的情况下(B1103：是)，系统控制器130对偏置量进行变更，进入B1102的处理。换言之，在判定为将主读取头配置在其他半径位置来通过主读取头对预定磁道进行读取的情况下，系统控制器对配置主读取头的半径位置进行变更，进入B1102的处理。在判定为不以其他偏置量来通过主读取头对预定磁道进行读取的情况下(B1103：否)，系统控制器130对合成FIR采样信号进行解码化处理(B1104)，结束处理。换言之，在判定为不将主读取头配置在其他半径位置来通过主读取头对预定磁道进行读取的情况下，系统控制器130对合成FIR采样信号进行解码化处理，结束处理。

根据本实施方式，磁盘装置1对预定磁道进行读重试。磁盘装置1在判定为无法对预定磁道进行读取的情况下，在多个读取头15R中对主读取头和子读取头进行变更，对该磁道进行读重试。磁盘装置1以预定的偏置量来通过主读取头对预定磁道进行读取。换言之，磁盘装置1将主读取头配置在预定磁道的磁道宽度的范围内的预定的半径位置，通过主读取头对该磁道进行读取。磁盘装置1对与将主读取头配置在预定磁道的预定的半径位置来读取到的数据对应的各窗口的度量进行比较，选择各窗口的最佳度量来生成合成度量。磁盘装置1根据合成度量，对与将主读取头配置在预定磁道的预定的半径位置来读取到的数据对应的各片段的FIR采样信号进行比较，选择各片段的最佳FIR采样信号来生成合成FIR采样信号。磁盘装置1判定是否对读取头内部设定进行变更。在判定为对读取头内部设定进行变更的情况下，磁盘装置1在R/W通道60内对主读取头和子读取头的设定进行变更，通过主读取头对该磁道进行读取。磁盘装置1对与变更读取头内部设定来通过主读取头读取到的数据对应的各窗口的度量进行比较，选择各窗口的最佳度量来生成合成度量。磁盘装置1根据合成度量，对与将主读取头配置在预定磁道的预定的半径位置来读取到的数据对应的各片段的FIR采样信号进行比较，选择各片段的最佳FIR采样信号来生成合成FIR采样信号。磁盘装置1对将合成FIR采样信号解码化后的解码化信号执行LDCP处理，执行读处理。因此，磁盘装置1能够提高读处理中的信号品质。因此，磁盘装置1能够提高读处理的品质。

以上对几个实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为例子提示的，并不是意在限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其他各种各样的方式来实施，能够在不脱离发明的宗旨的范围内进行各种省略、置换、变更。这些实施方式及其变形包含在发明的范围、宗旨内，并且，包含在权利要求书记载的发明及其等同的范围内。