具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。

请参阅图2至图5。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，虽图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的形态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局形态也可能更为复杂。

实施例一

如图2所示，本实施例提供一种可控硅调光LED驱动系统，所述可控硅调光LED驱动系统1包括：

LED负载，其正极端接入输入电压Vin；

恒流控制模块10，连接于所述LED负载的负极端，用于对所述LED负载进行恒流控制；

储能电容Co，其上极板连接于所述LED负载的正极端，用于在所述输入电压Vin小于所述储能电容Co上的电压时向所述LED负载放电；

充电电流控制模块20，连接于所述LED负载的负极端及所述储能电容Co的下极板，用于根据检测到的所述输入电压Vin及所述储能电容Co的放电电压调整所述储能电容Co的充电电流；

泄放电流控制模块30，连接于所述恒流控制模块10及所述充电电流控制模块20，用于在所述可控硅调光LED驱动系统1的输入端接入可控硅时开启，在所述可控硅调光LED驱动系统1的输入端未接入所述可控硅时关断；并在开启时，通过调控泄放电流使其与所述LED负载的输出电流及所述储能电容Co的充电电流之和不小于设定电流以维持所述可控硅导通，同时根据所述可控硅的导通角大小调控所述恒流控制模块10的基准电压以控制所述LED负载的输出电流。

作为示例，如图2所示，所述可控硅调光LED驱动系统1还包括：整流模块40，用于对交流电源AC_IN进行整流以得到所述输入电压Vin，其中，所述输入电压Vin为正弦电压整流后的整流电压。

具体的，如图2所示，所述整流模块40包括整流桥结构BD1及保险丝F1，所述整流桥结构BD1包括并联的两组二极管组，各二极管组包括串联的两个二极管，所述交流电源AC_IN经所述保险丝F1后连接于各二极管组的两个二极管之间。

作为示例，如图2所示，所述可控硅调光LED驱动系统1还包括：隔直二极管D1，连接于所述输入电压Vin和所述LED负载之间(其阳极端接入所述输入电压Vin，其阴极端连接于所述LED负载的正极端)，用于将所述输入电压Vin进行隔直处理后转换为母线电压Vbus；其中，所述隔直二极管D1将所述输入电压Vin和所述母线电压Vbus隔开。

作为示例，如图2所示，所述可控硅调光LED驱动系统1还包括：工作电压产生模块50，连接于所述隔直二极管D1的阴极端，用于根据所述母线电压Vbus为所述可控硅调光LED驱动系统1提供工作电压。本示例中，所述母线电压Vbus通过所述工作电压产生模块50产生所述工作电压VDD，以为所述可控硅调光LED驱动系统1供电。

作为示例，如图2所示，所述LED负载的正极端连接于所述隔直二极管D1的负极端以接入所述母线电压Vbus，所述LED负载包括串联的多个LED；当然，所述LED负载也可以是多个LED的串并联结构，本示例对此并不做限定。本示例中，在所述LED负载两端的电压达到其导通电压时，所述LED负载中的LED点亮，起到照明作用。

作为示例，如图2所示，所述恒流控制模块10包括：第一功率开关管Q1、第一采样电阻Rs1、第一运算放大器OP1及基准电压产生单元11，所述第一功率开关管Q1的漏极端连接于所述LED负载的负极端，所述第一功率开关管Q1的源极端连接于所述第一采样电阻Rs1的一端，所述第一采样电阻Rs1的另一端接地，所述第一功率开关管Q1的栅极端连接于所述第一运算放大器OP1的输出端，所述第一运算放大器OP1的同相输入端连接于所述基准电压产生单元11的输出端以接入所述基准电压Vref，所述第一运算放大器OP1的反相输入端连接于所述第一功率开关管Q1的源极端；其中，所述基准电压产生单元11受控于所述泄放电流控制模块30。本示例中，所述第一采样电阻Rs1对流经所述LED负载的电流进行采样以得到采样电压，所述第一运算放大器OP1将所述采样电压与所述基准电压Vref进行比较以控制流经所述LED负载的电流大小，从而实现恒流控制；在恒流控制期间，若所述可控硅调光LED驱动系统1的输入端接入所述可控硅，此时所述基准电压产生单元11受控于所述泄放电流控制模块30，以实现根据所述可控硅的导通角大小来调整其输出的所述基准电压Vref的大小，从而控制所述LED负载的输出电流，使所述LED负载的输出电流跟随可控硅导通角的变化而变化，实现可控硅调光的同时实现无频闪输出。

具体的，如图2所示，所述基准电压产生单元11包括：基准电压设定部分111，用于根据所述泄放电流控制模块30检测的可控硅导通角大小来产生相应的基准电压Vref以输出。具体应用时，本示例所述基准电压产生单元11还可包括：调节电阻Rcs，其一端连接于所述基准电压设定部分111、其另一端接地，用于通过改变所述调节电阻Rcs的阻值来调整所述基准电压设定部分111产生的基准电压Vref。

作为示例，如图2所示，所述储能电容Co的上极板连接于所述LED负载的正极端，所述储能电容Co的下极板连接所述充电电流控制模块20。本示例中，在所述输入电压Vin大于所述储能电容Co上的电压时，所述输入电压Vin给所述储能电容Co充电，同时所述输入电压Vin为所述LED负载供电；在所述输入电压Vin小于所述储能电容Co上的电压时，所述储能电容Co为所述LED负载供电。

作为示例，如图2所示，所述充电电流控制模块20包括：

放电电压检测单元21，连接于所述LED负载的负极端，用于根据所述LED负载的负极端电压判断所述储能电容Co的放电电压大小并产生相应控制信号；

输入电压检测单元22，用于对所述输入电压Vin进行电压检测；

充电电流控制单元23，连接于所述放电电压检测单元21的输出端、所述输入电压检测单元22的输出端及所述储能电容Co的下极板，用于根据所述控制信号及输入电压检测值调整所述储能电容Co的充电电流。本示例中，在所述可控硅调光LED驱动系统1包括隔直二极管D1时，所述输入电压检测单元22对所述母线电压Vbus进行电压检测，所述充电电流控制单元23则根据所述控制信号及母线电压检测值调整所述储能电容Co的充电电流。

具体的，如图2所示，所述放电电压检测单元21包括：

检测部分211，连接于所述LED负载的负极端，用于对所述LED负载的负极端电压进行检测；

比较部分212，连接于所述检测部分211的输出端，用于在负极端电压检测值大于第一预设电压Vref1时产生第一控制信号，在所述负极端电压检测值小于第二预设电压Vref2时产生第二控制信号，其中，所述第一预设电压Vref1大于所述第二预设电压Vref2。

其中，如图2所示，所述检测部分211包括：第一分压电阻R1及第二分压电阻R2，所述第一分压电阻R1的一端连接于所述LED负载的负极端，所述第一分压电阻R1的另一端连接于所述第二分压电阻R2的一端，同时作为所述检测部分211的输出端，所述第二分压电阻R2的另一端接地。本示例中，所述第一分压电阻R1和所述第二分压电阻R2串联于所述LED负载的负极端与地之间，通过分压方式获取所述负极端电压检测值。

其中，如图2所示，所述比较部分212包括：第一比较器CMP1及第二比较器CMP2，所述第一比较器CMP1的同相输入端连接于所述检测部分211的输出端，所述第一比较器CMP1的反相输入端接入所述第一预设电压Vref1，所述第一比较器CMP1的输出端作为所述比较部分212的第一输出端以产生所述第一控制信号，所述第二比较器CMP2的同相输入端接入所述第二预设电压Vref2，所述第二比较器CMP2的反相输入端连接于所述检测部分211的输出端，所述第二比较器CMP2的输出端作为所述比较部分212的第二输出端以产生所述第二控制信号。本示例中，在所述负极端电压检测值大于所述第一预设电压Vref1时，所述第一比较器CMP1输出高电平，此时所述第一控制信号有效；反之，在所述负极端电压检测值小于所述第一预设电压Vref1时，所述第一比较器CMP1输出低电平，此时所述第一控制信号无效；在所述负极端电压检测值大于所述第二预设电压Vref2时，所述第二比较器CMP2输出低电平，此时所述第二控制信号无效；反之，在所述负极端电压检测值小于所述第二预设电压Vref2时，所述第二比较器CMP2输出高电平，此时所述第二控制信号有效。

具体的，如图2所示，所述输入电压检测单元22包括：第三分压电阻R3及第四分压电阻R4，所述第三分压电阻R3的一端接入所述母线电压Vbus，所述第三分压电阻R3的另一端连接于所述第四分压电阻R4的一端，同时作为所述输入电压检测单元22的输出端，所述第四分压电阻R4的另一端接地。本示例中，所述第三分压电阻R3及所述第四分压电阻R4串联于所述整流模块40的输出端与地之间，通过分压方式获取所述母线电压检测值。

具体的，如图2所示，所述充电电流控制单元23包括：

补偿部分231，连接于所述放电电压检测单元21的输出端，用于根据所述放电电压检测单元21产生的相应控制信号产生相应的补偿电压；

电流调节部分232，连接于所述输入电压检测单元22的输出端及所述补偿部分231的输出端，用于根据所述补偿电压与输入电压检测值的差值调整所述储能电容Co的充电电流。

本示例中，在所述可控硅调光LED驱动系统1包括隔直二极管D1时，所述电流调节部分232根据所述补偿电压与母线电压检测值的差值调整所述储能电容Co的充电电流。其中，如图2所示，所述补偿部分231包括：第一电流源I1、第二电流源I2、补偿电容Ccomp及补偿电压产生电路2311，所述第一电流源I1的控制端连接于所述放电电压检测单元21的第一输出端，所述第一电流源I1的第一连接端接地，所述第一电流源I1的第二连接端连接于所述第二电流源I2的第一连接端及所述补偿电容Ccomp的上极板，所述补偿电容Ccomp的下极板接地，所述第二电流源I2的控制端连接于所述放电电压检测单元21的第二输出端，所述第二电流源I2的第二连接端接入工作电压，所述补偿电压产生电路2311的输入端连接于所述补偿电容Ccomp的上极板，所述补偿电压产生电路2311的输出端作为所述补偿部分231的输出端。本示例中，在所述放电电压检测单元21输出的所述第一控制信号有效时，所述第一电流源I1导通并对所述补偿电容Ccomp放电；在所述放电电压检测单元21输出的所述第二控制信号有效时，所述第二电流源I2导通并对所述补偿电容Ccomp充电；利用所述第一电流源I1及所述第二电流源I2对所述补偿电容Ccomp的充放电，来调整所述补偿电压产生电路2311产生的所述补偿电压的大小。需要注意的是，所述补偿电容Ccomp可以设置在芯片外部，也可以用数字滤波技术集成到芯片内部，以减少外围元件，使系统最简化。

其中，如图2所示，所述补偿部分231还包括：第三比较器CPM3及第三电流源I3，所述第三比较器CPM3的同相输入端连接于所述恒流控制模块10中第一功率开关管Q1的栅极端，所述第三比较器CPM3的反相输入端接入第三预设电压Vref3，所述第三比较器CPM3的输出端连接于所述第三电流源I3的控制端，所述第三电流源I3的第一连接端连接于所述补偿电容Ccomp的上极板，所述第三电流源I3的第二连接端接入工作电压。本示例中，在所述第一功率开关管Q1的栅极端电压大于所述第三预设电压Vref3时，所述第三比较器CMP3输出高电平，此时所述第三控制信号有效，并控制所述第三电流源I3导通。

其中，如图2所示，所述电流调节部分232包括：减法器、第二运算放大器OP2、第二功率开关管Q2及第二采样电阻Rs2，所述减法器的第一输入端连接于所述补偿部分231的输出端，所述减法器的第二输入端连接于所述输入电压检测单元22的输出端，所述减法器的输出端连接于所述第二运算放大器OP2的同相输入端，所述第二运算放大器OP2的反相输入端连接于所述第二功率开关管Q2的源极端，所述第二运算放大器OP2的输出端连接于所述第二功率开关管Q2的栅极端，所述第二功率开关管Q2的漏极端连接于所述储能电容Co的下极板，所述第二功率开关管Q2的源极端连接于所述第二采样电阻Rs2的一端，所述第二采样电阻Rs2的另一端接地。本示例中，所述减法器对所述补偿电压及所述母线电压检测值进行减法运算以得到两者的差值，所述第二采样电阻Rs2对流经所述储能电容Co的电流进行采样以得到采样电压，所述第二运算放大器OP2对所述采样电压及所述减法器输出的所述补偿电压与所述母线电压检测值的差值进行比较以调整所述储能电容Co的充电电流。

作为示例，如图2所示，所述泄放电流控制模块30包括：

相位检测单元31，用于对所述输入电压Vin进行相位检测以判断所述可控硅调光LED驱动系统1的输入端是否接入所述可控硅，并在所述可控硅调光LED驱动系统1的输入端接入所述可控硅时产生开启信号，同时根据相位检测值判断所述可控硅的导通角大小以此调控所述恒流控制模块10的基准电压，在所述可控硅调光LED驱动系统1的输入端未接入所述可控硅时产生关断信号；

设定电流产生单元32，连接于所述相位检测单元31的输出端，用于在所述开启信号的控制下产生所述设定电流I_ref；

泄放电流控制单元33，连接于所述设定电流产生单元32的输出端、所述恒流控制模块10中第一采样电阻Rs1的一端及所述充电电流控制模块20中第二采样电阻Rs2的一端，用于检测所述泄放电流、所述LED负载的输出电流及所述储能电容Co的充电电流，并通过调控所述泄放电流使其与所述LED负载的输出电流及所述储能电容Co的充电电流之和不小于所述设定电流I_ref以维持所述可控硅导通。

具体的，所述相位检测单元31对所述输入电压Vin进行相位检测，以根据检测到的相位检测值判断所述输入电压Vin是否发生切相；并在所述输入电压Vin发生切相时，判定所述可控硅调光LED驱动系统1的输入端接入所述可控硅，此时产生开启信号以输出；在所述输入电压Vin未发生切相时，判定所述可控硅调光LED驱动系统1的输入端未接入所述可控硅，此时产生关断信号以输出。而在所述可控硅调光LED驱动系统1的输入端接入所述可控硅时，所述相位检测单元31还根据检测到的相位检测值判断所述可控硅的导通角大小，以此调控所述恒流控制模块10的基准电压Vref的大小。

具体的，如图2所示，所述设定电流产生单元32包括：设定电流产生部分321，用于在所述可控硅调光LED驱动系统1的输入端接入所述可控硅时，根据所述相位检测单元31产生的所述开启信号产生所述设定电流I_ref以输出。具体应用时，所述设定电流产生单元32还可包括：调节电阻Rdn，其一端连接于所述设定电流产生部分321、其另一端接地，用于通过改变所述调节电阻Rdn的阻值来调整所述设定电流产生部分321产生的设定电流I_ref的大小。

具体的，如图2所示，所述泄放电流控制单元33包括：第三功率开关管Q3、第三采样电阻Rs3、第三运算放大器OP3、第一检测电阻Rc1、第二检测电阻Rc2及第三检测电阻Rc3，所述第三功率开关管Q3的漏极端接入所述输入电压Vin，所述第三功率开关管Q3的源极端连接于所述第三采样电阻Rs3的一端，所述第三采样电阻Rs3的另一端接地，所述第三功率开关管Q3的栅极端连接于所述第三运算放大器OP3的输出端，所述第三运算放大器OP3的同相输入端连接于所述设定电流产生单元32的输出端，所述第三运算放大器OP3的反相输入端分别连接于所述第一检测电阻Rc1的一端、所述第二检测电阻Rc2的一端及所述第三检测电阻Rc3的一端，所述第一检测电阻Rc1的另一端连接于所述第三采样电阻Rs3的一端，所述第二检测电阻Rc2的另一端连接于所述恒流控制模块10中第一采样电阻Rs1的一端，所述第三检测电阻Rc3的另一端连接于所述充电电流控制模块20中第二采样电阻Rs2的一端。本示例中，所述第三功率开关管Q3及所述第三采样电阻Rs3构成所述可控硅的泄放支路，所述泄放电流控制单元33通过所述第一检测电阻Rc1检测流经所述泄放支路的泄放电流，通过所述第二检测电阻Rc2检测流经所述LED负载的输出电流，通过所述第三检测电阻Rc3检测所述储能电容Co所在支路的充电电流，并通过所述第三运算放大器OP3将三者之和(即所述泄放电流、所述LED负载的输出电流及所述储能电容Co的充电电流之和)与所述设定电流I_ref进行比较以调控所述泄放支路的泄放电流，使三者之和不小于所述设定电流I_ref，从而维持所述可控硅导通，避免因关断而导致闪烁。

本实施例中，由于所述储能电容Co的放电电流等于所述LED负载的输出电流，因此，设置所述第一采样电阻的阻值等于所述第二采样电阻的阻值(即Rs1＝Rs2)，所述第一检测电阻的阻值等于所述第二检测电阻的阻值等于所述第三检测电阻的阻值(即Rc1＝Rc2＝Rc3)，以在所述储能电容Co放电时不会影响泄放电流的控制(Rs1和Rs2在储能电容Co放电时产生的信号互相抵消，只有Rs3起作用)。

图3为图2所示可控硅调光LED驱动系统1的实际应用框图，其中，所述补偿电容Ccomp设置在芯片外部，当然，其也可以用数字滤波技术集成到芯片内部，以减少外围元件，使系统最简化。具体应用中，如图4所示，还可进一步将二极管D1和整流模块集成到芯片内部，调节电阻Rcs和Rdn也集成到芯片内部做成固定电流输出，从而使整个应用系统外围可以非常简单。

实施例二

如图2和图5所示，本实施例提供一种可控硅调光LED驱动方法，所述LED驱动方法包括：

在对可控硅调光LED驱动系统1中的LED负载进行可控硅调光时，

若所述可控硅调光LED驱动系统1的输入端接入可控硅，则开启泄放电流控制模块30并基于所述泄放电流控制模块30调控泄放电流，使其与所述LED负载的输出电流及储能电容Co的充电电流之和不小于设定电流I_ref以维持所述可控硅导通，避免因关断而导致闪烁，同时根据所述可控硅的导通角大小调控恒流控制模块10的基准电压以控制所述LED负载的输出电流，使所述LED负载的输出电流跟随可控硅导通角的变化而变化，实现可控硅调光的同时实现无频闪输出；

若所述LED驱动系统的输入端未接入可控硅，则关断所述泄放电流控制模块30，以减少泄放电流损耗来提高系统效率。

作为示例，基于相位检测单元31对所述输入电压Vin进行相位检测以判断所述可控硅调光LED驱动系统1的输入端是否接入所述可控硅，同时根据相位检测值判断所述可控硅的导通角大小。

具体的，所述相位检测单元31对所述输入电压Vin进行相位检测以根据相位检测值判断所述输入电压Vin是否发生切相；若所述输入电压Vin发生切相，则判定所述可控硅调光LED驱动系统1的输入端接入所述可控硅；若所述输入电压Vin未发生切相，则判定所述可控硅调光LED驱动系统1的输入端未接入所述可控硅。而在所述可控硅调光LED驱动系统1的输入端接入所述可控硅时，所述相位检测单元31还根据相位检测值判断所述可控硅的导通角大小，以此调控所述恒流控制模块10的基准电压Vref的大小。

具体的，在所述可控硅调光LED驱动系统1的输入端接入所述可控硅时，所述设定电流产生单元32在所述相位检测单元31产生的开启信号的控制下产生所述设定电流I_ref，所述泄放电流控制单元33通过所述第一检测电阻Rc1检测流经泄放支路的泄放电流，通过所述第二检测电阻Rc2检测流经所述LED负载的输出电流，通过所述第三检测电阻Rc3检测所述储能电容Co所在支路的充电电流，并将三者之和(即所述泄放电流、所述LED负载的输出电流及所述储能电容Co的充电电流之和)与所述设定电流I_ref进行比较以调控所述泄放支路的泄放电流，使三者之和不小于所述设定电流I_ref，从而维持所述可控硅导通。

作为示例，在对所述可控硅调光LED驱动系统1中的LED负载进行可控硅调光时，所述LED驱动方法还包括：

在输入电压Vin小于LED负载的导通电压时，储能电容Co对所述LED负载放电，并基于恒流控制模块10对所述LED负载进行恒流控制；

在所述输入电压Vin大于所述LED负载的导通电压时，所述输入电压Vin为所述LED负载供电，并基于所述恒流控制模块10对所述LED负载进行恒流控制，同时所述输入电压Vin为所述储能电容Co充电；

在所述输入电压Vin小于所述储能电容Co的电压时，所述储能电容Co对所述LED负载放电，并基于所述恒流控制模块10对所述LED负载进行恒流控制。

具体的，在所述输入电压Vin小于所述LED负载的导通电压时，所述输入电压Vin不足以导通所述LED负载，此时所述储能电容Co对所述LED负载放电以导通所述LED负载，并通过所述恒流控制模块10对流经所述LED负载的电流进行恒流控制。其中，所述恒流控制模块10通过所述第一采样电阻Rs1对流经所述LED负载的电流进行采样以得到采样电压，所述第一运算放大器OP1将所述采样电压与所述基准电压Vref进行比较以控制流经所述LED负载的电流大小，从而实现恒流控制，确保流经LED负载的电流恒定不变以消除频闪。本示例中，正常工作期间，所述储能电容Co上的电压不会降得很低，因此在所述输入电压Vin的谷底期间可以给芯片内部供电，以保证在所述输入电压Vin的谷底期间仍由电流流过所述LED负载。

具体的，随着所述输入电压Vin逐渐增大，在所述输入电压Vin大于所述LED负载的导通电压时，所述输入电压Vin为所述LED负载供电，同时为所述储能电容Co充电。本示例中，通过所述第二功率开关管Q2、所述第二运算放大器OP2及所述第二采样电阻Rs2控制所述储能电容Co的充电电流，从而扩展输入电流的导通角来提高功率因数。

其中，在所述输入电压Vin为所述储能电容Co充电时，所述输入电压检测单元22检测所述母线电压VbusHV，在所述母线电压Vbus过高时降低所述储能电容Co的充电电流直至为零，从而减小所述第二功率开关管Q2的损耗，提高系统的整体效率。为了保证系统效率的最高，所述储能电容Co的放电电压不能太高，为了输出LED电流保持恒定，因此所述储能电容Co放电电压也不能太低，本示例通过LED负极端电压来判断所述储能电容Co放电电压(VOUT＝Vin-VLED)。更具体地，通过所述检测部分211检测LED负载的负极端电压，当检测到的负极端电压高于第一预设电压Vref1时，说明所述储能电容Co的放电电压比较高，所述第一比较器CMP1控制所述第一电流源I1导通，对所述补偿电容Ccomp进行放电，降低所述补偿电压产生电路2311输出的所述补偿电压，以减小所述储能电容Co的充电电流，从而降低所述储能电容Co的放电电压；当检测到的负极端电压低于第二预设电压Vref2时，说明所述储能电容Co的放电电压比较低，所述第二比较器CMP2控制所述第二电流源I2导通，对所述补偿电容Ccomp进行充电，提高所述补偿电压产生电路2311输出的所述补偿电压，以增大所述储能电容Co的充电电流，从而提高所述储能电容Co的放电电压。为了滤除工频纹波，所述补偿电容Ccomp比较大，环路响应比较慢；当输出电压偏低较多时LED电流会下降，此时所述第一功率开关管Q1的栅极电压会升得比较高(尤其在刚启动时所述补偿电压比较低)，所述第三比较器CMP3检测到所述第一功率开关管Q1的栅极电压超过第三预设电压Vref3时，控制所述第三电流源I3导通(本示例中，流过所述第三电流源的电流大于流过所述第二电流源的电流，即I3>I2)，快速提高所述补偿电压产生电路2311输出的所述补偿电压，增加所述储能电容Co的充电电流，以快速提高所述储能电容Co的放电电压。

具体的，所述输入电压Vin达到峰值后逐渐减小，当所述输入电压Vin小于所述储能电容Co的电压时，所述储能电容Co对所述LED负载放电，直至所述输入电压Vin重新大于LED负载的导通电压或所述储能电容Co上的电压小于所述LED负载的导通电压。

图5为本实施例所述LED驱动方法的工作波形图：

如图5所示，当所述可控硅调光LED驱动系统1的输入端未接入可控硅时，基准电压Vref为最大电压值，Vref＝Ref clamp；此时，所述LED驱动方法的工作波形图见t0-t3时刻。

如图5所示，当所述可控硅调光LED驱动系统1的输入端接入可控硅，且可控硅的导通角逐渐增大时，基准电压Vref的值随着导通角增大由Ref clamp逐渐减小至0；此时，所述LED驱动方法的工作波形图见t4-t26时刻。

综上所述，本发明的一种可控硅调光LED驱动系统及其方法，具有以下有益效果：1、本发明的可控硅调光LED驱动系统及其方法检测LED负载的负极端电压以控制储能电容的充电电流，在保证输出LED无频闪的情况下控制恒流功率开关管的损耗最低。2、本发明的可控硅调光LED驱动系统及其方法检测恒流功率开关管的栅极电压以加快环路响应速度，保证快速启动。3、本发明的可控硅调光LED驱动系统及其方法在输入电压谷底通过储能电容为LED负载供电，同时在输入电压为高压时减小储能电容的充电电流，使得系统具有高功率因数的同时具有较高的效率。4、本发明的可控硅调光LED驱动系统及其方法通过相位检测进行泄放电流的外部控制，在LED负载的输出电流和储能电容的充电电流减小导致输入电流不足时，可通过调控泄放电流来维持可控硅导通，防止可控硅因关断而出现闪烁的问题，在满足可控硅调光需求的同时优化了调光性能，并且使得调光全程无频闪。5、本发明的可控硅调光LED驱动系统的外围电路最简化，系统成本低。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。

上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。