具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本申请的实施方式，本领域技术人员可由本申请所揭露的内容轻易地了解本申请的其他优点与功效。本申请还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用系统，本申请中的各项细节也可以根据不同观点与应用系统，在没有背离本申请的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

下面以附图为参考，针对本申请的实施例进行详细说明，以便本申请所属技术领域的技术人员能够容易地实施。本申请可以以多种不同形态体现，并不限定于此处说明的实施例。

在本申请的表示中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的表示意指结合该实施例或示例表示的具体特征、结构、材料或者特点包括于本申请的至少一个实施例或示例中。而且，表示的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本申请中表示的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于表示目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或隐含地包括至少一个该特征。在本申请的表示中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

为了明确说明本申请，省略与说明无关的器件，对于通篇说明书中相同或类似的构成要素，赋予了相同的参照符号。

在通篇说明书中，当说某器件与另一器件“连接”时，这不仅包括“直接连接”的情形，也包括在其中间把其它元件置于其间而“间接连接”的情形。另外，当说某种器件“包括”某种构成要素时，只要没有特别相反的记载，则并非将其它构成要素排除在外，而是意味着可以还包括其它构成要素。

当说某器件在另一器件“之上”时，这可以是直接在另一器件之上，但也可以在其之间伴随着其它器件。当对照地说某器件“直接”在另一器件“之上”时，其之间不伴随其它器件。

虽然在一些实例中术语第一、第二等在本文中用来表示各种元件，但是这些元件不应当被这些术语限制。这些术语仅用来将一个元件与另一个元件进行区分。例如，第一接口及第二接口等表示。再者，如同在本文中所使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文中有相反的指示。应当进一步理解，术语“包含”、“包括”表明存在的特征、步骤、操作、元件、组件、项目、种类、和/或组，但不排除一个或多个其他特征、步骤、操作、元件、组件、项目、种类、和/或组的存在、出现或添加。此处使用的术语“或”和“和/或”被解释为包括性的，或意味着任一个或任何组合。因此，“A、B或C”或者“A、B和/或C”意味着“以下任一个：A；B；C；A和B；A和C；B和C；A、B和C”。仅当元件、功能、步骤或操作的组合在某些方式下内在地互相排斥时，才会出现该定义的例外。

此处使用的专业术语只用于言及特定实施例，并非意在限定本申请。此处使用的单数形态，只要语句未明确表示出与之相反的意义，那么还包括复数形态。在说明书中使用的“包括”的意义是把特定特性、区域、整数、步骤、作业、要素及/或成份具体化，并非排除其它特性、区域、整数、步骤、作业、要素及/或成份的存在或附加。

虽然未不同地定义，但包括此处使用的技术术语及科学术语，所有术语均具有与本申请所属技术领域的技术人员一般理解的意义相同的意义。普通使用的字典中定义的术语追加解释为具有与相关技术文献和当前提示的内容相符的意义，只要未进行定义，不得过度解释为理想的或非常公式性的意义。

本发明要解决的技术问题包括了：

(1)电机或其它汽车、工业应用中，外界共模磁场干扰会造成噪声和影响检测精度。

(2)根据国际按规要求，220V和380或更高电压650V的电器中的电流检测，需要更高的芯片初级侧到次级侧的绝缘耐压

(3)由于高度集成的趋势，业界需要20A以上的大电流单芯片检测方案。

为了解决现有技术中的技术问题，本发明提供一种电流传感器的引线框架，引线框架包括：一引线框架本体和一陶瓷隔离件。引线框架本体具有相对设置的第一侧边和第二侧边，引线框架本体包括一U型电流引线以及若干信号处理引线，U型电流引线的中部具有朝向第二侧边方向突出的突起部形成至少一弯曲部，弯曲部形成支撑芯片的安装区域，U型电流引线的两侧朝向第一侧边方向分叉延展，各自形成一分叉部，分叉部在第一侧边形成若干原边输入引线连接端；信号处理引线在第二侧边分别形成若干副边信号引线连接端，信号处理引线与弯曲部相分离。陶瓷隔离件设置于弯曲部的一侧且至少遮盖安装区域。

在一个优选实施例中，在上述器件以及设备中，U型电流引线的中部具有朝向第二侧边方向突出的突起部形成弯曲部，但不以此为限。

在一个优选实施例中，弯曲部与分叉部汇合的两侧分别设有至少一收腰缺口，但不以此为限。

在一个优选实施例中，收腰缺口向U型电流引线的中轴线延展，伸入安装区域，但不以此为限。

在一个优选实施例中，U型电流引线以及若干信号处理引线由引线框架一体镂空成型的，但不以此为限。

在一个优选实施例中，陶瓷隔离件包括至少一陶瓷片，但不以此为限。

在一个优选实施例中，引线框架还包括相对设置的第三侧边和第四侧边，第三侧边和第四侧边中至少有一侧边设置有相邻框架连接端，引线框架在与相邻的引线框架分离前，各个引线框架通过相邻框架连接端与相邻的引线框架相连接，将引线框架与相邻的引线框架分离后，相邻框架连接端悬空，但不以此为限。

本发明实施例还提供一种电流传感器，电流传感器包括上述的引线框架，电流传感器还包括一电流传感器芯片，电流传感器芯片设置于陶瓷隔离件背离弯曲部的一侧，电流传感器芯片背离陶瓷隔离件的一侧设有若干第二接线部，第二接线部与部分信号处理引线通过导线电连接。

在一个优选实施例中，陶瓷隔离件在U型电流引线的第一投影图案包含电流传感器芯片在U型电流引线的第二投影图案，陶瓷隔离件隔离电流传感器芯片和U型电流引线。

在一个优选实施例中，信号处理引线包括：

若干第一引线，第一引线在朝向第一侧边的端部设有第三接线部；以及

若干第二引线，第二引线在朝向第一侧边的端部设有第一接线部，第一接线部与第二接线部通过导线电连接，第一引线和第二引线间隔排列。

在一个优选实施例中，第二接线部分别沿设置于突起部的两侧的边缘部，第二接线部分别沿一参考直线线性排列，参考直线平行于U型电流引线的中轴线，弯曲部与分叉部汇合的两侧分别设有至少一收腰缺口，收腰缺口向U型电流引线的中轴线延展到达或者超过收腰缺口所在侧对应的参考直线。

在一个优选实施例中，原边输入引线连接端包括电流正向输入端和电流负向输出端，导线的两端分别与电流正向输入端和电流负向输出端相连接；副边信号引线连接端包括参考地电压端、滤波端、输出电压端和芯片电源输入端。

该电流传感器在使用时，被测的电流与原边输入引线连接端，相连接，在导线中输入电流，电流传感器芯片靠近导线设置，即设置于导线周围产生与导线中电流成正比关系的磁场中，芯片将产生与磁场大小成正比关系的输出电压，也就是说将产生与导线中电流成正比的输出电压，输出电压从副边信号引线连接端，输出。输出电压准确反映了原边导线的电流值变化。

本发明不但通过将原边输入引线连接端，和副边信号引线连接端，分别设置在引线框架两个相对的侧边上，能够提高抗共模磁场干扰的能力，并大幅提高了初级侧到次级侧的绝缘耐压隔离效果，可以应用于更高的电压场合。而且，本发明还利用了新的封装框架设计，进一步提高了抗共模磁场干扰的能力，并且通过集成电流铜导线，实现单片霍尔电流传感器芯片；加宽电流铜导线的宽度，使芯片电流检测能力最高能达到100A以上；在业界首次采用采用陶瓷片3做绝缘隔离片材料，大幅提高了初级侧到次级侧的绝缘耐压，达到4800V以上。

图1是本发明一实施例的电流传感器的引线框架的结构示意图。图2是本发明一实施例中若干电流传感器中弯曲部的侧视图。如图1和2所示，本发明实施例还提供一种电流传感器，电流传感器包括一引线框架和一电流传感器芯片40，引线框架包括：一引线框架本体和一陶瓷片30。引线框架本体具有相对设置的第一侧边和第二侧边，引线框架本体包括一U型电流引线20以及若干信号处理引线，U型电流引线20的中部具有朝向第二侧边方向突出的突起部形成至少一弯曲部25，弯曲部25形成支撑芯片的安装区域，U型电流引线20的两侧朝向第一侧边方向分叉延展，各自形成一分叉部27，分叉部27在第一侧边形成若干原边输入引线连接端，分叉部27在第一侧边分叉形成依次排布的若干原边输入引线连接端1、2、3、4、5、6、7、8。信号处理引线在第二侧边分别形成依次排布的若干副边信号引线连接端9、10、11、12、13、14、15，16，信号处理引线与弯曲部25相分离。陶瓷片30设置于弯曲部25的一侧且至少遮盖安装区域。电流传感器芯片40设置于陶瓷片30背离弯曲部25的一侧，电流传感器芯片40背离陶瓷片30的一侧设有若干第二接线部24，第二接线部24与部分信号处理引线通过导线21电连接。原边输入引线连接端1、2、3、4、5、6、7、8和副边信号引线连接端9、10、11、12、13、14、15，16，分别与电流传感器芯片的PAD通过绑定线与框架相连接。本实施例中，副边信号引线连接端10、12、13、15对应的第一接线部22与第二接线部24通过导线21电连接，副边信号引线连接端9、11、14、16对应的第三接线部23悬空。将芯片和引线框架包封，形成新SOW16封装。电流传感器芯片40、陶瓷片30、U型电流引线20的弯曲部25三者形成三明治结构，陶瓷片30位于电流传感器芯片40和弯曲部25之间，利用陶瓷片30超强的绝缘特性，物理隔绝电流传感器芯片40和弯曲部25。陶瓷片30在U型电流引线20的第一投影图案包含电流传感器芯片40在U型电流引线20的第二投影图案，陶瓷片30充分隔离电流传感器芯片40和U型电流引线20，陶瓷片30周围超出电流传感器芯片40的边缘部分有效防止爬电，由于陶瓷片30的存在使得U型电流引线20的超高电压不会影响芯片的工作电压。

本实施例中，弯曲部25与分叉部27汇合的两侧分别设有至少一收腰缺口26，收腰缺口26向U型电流引线20的中轴线延展，伸入安装区域，收腰缺口26的结构能有增强电流传感器的抗干扰能力。并且，第二接线部24分别沿设置于突起部的两侧的边缘部，排成平行的两列，每一列中的多个第二接线部24分别沿一参考直线L线性排列，参考直线L平行于U型电流引线20的中轴线，弯曲部25与分叉部27汇合的两侧分别设有至少一收腰缺口26，收腰缺口26向U型电流引线20的中轴线延展到达或者超过收腰缺口26所在侧对应的参考直线L，该结构能够进一步增强电流传感器的抗干扰能力，但不以此为限。

本实施例中，引线框架为传感器芯片一方面提供机械支持，另一方面提供传感器芯片和外部电路之间的信号传递通路。引线框架中的U型电流导线还将参与形成闭环电流路径，为需要检测的外部电流提供闭环型的电流通路。传感器芯片上的霍尔传感器位于该U型电流路径的内部，形成特定的位置关系，以便于计算被检测电流值。引线框架可使用单片的金属通过冲压、刻蚀等现有的方法形成(一体镂空成型)。

引线框架还包括相对设置的第三侧边和第四侧边，第三侧边和第四侧边中至少有一侧边设置有相邻框架连接端17、18，引线框架在与相邻的引线框架分离前，各个引线框架通过相邻框架连接端17、18与相邻的引线框架相连接，将引线框架与相邻的引线框架分离后，相邻框架连接端17、18悬空，但不以此为限。

原边输入引线连接端包括电流正向输入端和电流负向输出端，导线21的两端分别与电流正向输入端和电流负向输出端相连接；副边信号引线连接端包括参考地电压端、滤波端、输出电压端和芯片电源输入端。原边输入引线连接端中，引线连接端1，2，3，4为电流正流入端Ip+，引线连接端5，6，7，8为电流负流出端Ip-，引线连接端15为参考地电压端，引线连接端13为电源参考端Vref，引线连接端12为输出电压端VOUT，引线连接端10为电源输入端VCC，引线连接端1到16不限于例子提到的功能，也可以为其他组合或其他功能。

该电流传感器在使用时，待测的电流从原边输入引线连接端中的引线连接端1，2，3，4(Ip+)端流入，从引线连接端5，6，7，8(Ip-)端流出，即设置于U型电流引线20中的分叉部27周围产生与U型电流引线20中电流成正比关系的磁场中，电流传感器芯片40通过导线21与框架副边引脚相连，电流传感器芯片40将产生与磁场大小成正比关系的输出电压，也就是说将产生与U型电流引线20中电流成正比例的输出电压，输出电压从副边信号引线连接端输出。所以，最终的输出电压能够准确地实时反映U型电流引线20的电流值变化。

为了量产制作引线框架，增加两个连接端17和18用于连接相邻两个引线框架单元，并提供支撑作用。传感器芯片倒装在引线框架时使用绝缘材料将U型电流导线和另一侧的信号处理引线隔离。从最终裁切下来的单个引线框架单元可以看出，连接端17和18将浮空，一侧U型电流导线和信号处理引线之间的爬电距离只取决与封装体的宽度(从8脚到9脚的距离)，最大化绝缘隔离效果。

而U型铜导线的宽度还将影响其导通电阻。增大铜导线的宽度可以降低导通电阻，在同等的热损耗情况下可以提高可检测电流的绝对值，即增大了电流的检测范围。

图3是本发明一实施例中若干电流传感器的引线框架之间的连接方式的示意图。如图3所示，在实际生产过程中，将多个电流传感器通过一个引线框架母版进行同时制造，在该实施例中，引线框架的第三侧边设置有第一相邻框架连接端17，第四侧边设置有第二相邻框架连接端18。相邻框架连接端也可以为引线框架提供在裁切前的支撑作用。按照裁切框4对每个引线框架进行裁切，即可以得到独立的单个引线框架。在电流传感器芯片倒装在引线框架时采用绝缘材料将U型电流引线4和另一侧的信号处理引线隔离。从最终裁切得到的引线框架可以看出，第一相邻框架连接端17和第二相邻框架连接端18悬空，不会影响电流传感器的爬电距离，U型电流引线和信号处理引线之间的爬电距离只取决于封装体的宽度，最大化绝缘隔离效果。

本发明所提供的电流传感器的引线框架及电流传感器具有如下优点：

本发明将原边输入引线连接端和副边信号引线连接端的爬电距离增大到引线框架的最大宽度，最大化电流传感器的爬电距离，提高隔离效果；通过引线框架的合理排布，加宽原边导线的宽度，降低导线的导通电阻，从而降低芯片的热损耗，拓宽电流测量范围；通过采用U型的导线，可以在导线的拐角处产生更大的磁场，提高传感器的集成度，减小传感器的整体体积。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。