具体实施方式

以下，参照附图对本实施方式进行说明。另外，公开只不过是一例，关于本领域技术人员对保持发明的主旨的适当变更能够容易地想到的形态，当然包含在本发明的范围中。此外，附图为了使说明更明确而有与实际形态相比示意性地表示各部的宽度、厚度、形状等的情况，但只不过是一例，不限定本发明的解释。此外，在本说明书和各图中，有时对发挥针对在先附图描述过的构成要素相同或类似的功能的构成要素赋予同一标记而适当省略重复的详细说明。

图1是表示一实施方式的液晶显示装置DSP的平面图。在一例中，第1方向X、第2方向Y及第3方向Z相互正交，但也可以以90度以外的角度交叉。第1方向X及第2方向Y相当于与构成液晶显示装置DSP的基板的主面平行的方向，第3方向Z相当于液晶显示装置DSP的厚度方向。在本说明书中，将表示第3方向Z的箭头的前端侧的位置称作上，将与箭头的前端相反侧的位置称作下。此外，假设观察液晶显示装置DSP的观察位置处于表示第3方向Z的箭头的前端侧，将从该观察位置朝向由第1方向X及第2方向Y规定的X－Y平面进行观察的情况称作平面观察。

如图1所示，液晶显示装置DSP具备显示面板PNL、IC芯片1和布线基板F1。

显示面板PNL具备第1基板SUB1、第2基板SUB2、液晶层LC和密封件SE。在图1中，液晶层LC及密封件SE由不同的斜线表示。显示面板PNL具备在第2方向Y上排列的第1区域A1及第2区域A2。

第1基板SUB1具有沿着第1方向X延伸的端部E11及E12和沿着第2方向Y延伸的端部E13及E14。第2基板SUB2具有沿着第1方向X延伸的端部E21及E22和沿着第2方向Y延伸的端部E23及E24。端部E21相当于位于第1区域A1与第2区域A2的边界的基板端。即，第1区域A1相当于由端部E21、E12、E13及E14包围的区域。第2区域A2相当于由端部E11、E21、E13及E14包围的区域。此外，第1区域A1也可以称作第1基板SUB1与第2基板SUB2重合的显示面板PNL的两片部分，第2区域A2也可以称作第1基板SUB1从第2基板SUB2露出的显示面板PNL的一片部分。

第1区域A1包括对图像进行显示的显示区域DA和将显示区域DA包围的边框状的边框区域FA。

显示区域DA用实质为四边形的区域表示，但4个角可以具有圆度，也可以是四边形以外的多边形或圆形。此外，在端部E12及端部E22可以形成相机用的槽口。显示区域DA位于由密封件SE包围的内侧。显示区域DA具有沿着第1方向X延伸的边ED1及ED2和沿着第2方向Y延伸的边ED3及边ED4。边ED1接近于端部E21，边ED2接近于端部E22，边ED3接近于端部E23，边ED4接近于端部E24。

在第1方向(列方向)X及第2方向(行方向)Y上以矩阵状(行列状)配置的多个像素PX位于显示区域DA。这里的像素PX表示能够根据像素信号单独地控制的最小单位，有时称作副像素。像素PX例如是显示红色的红像素、显示绿色的绿像素、显示蓝色的蓝像素或显示白色的白像素的某一种。

密封件SE位于边框区域FA，将第1基板SUB1与第2基板SUB2接合并将液晶层LC密封。密封件SE具有沿着第1方向X延伸的第1密封件部P1及第2密封件部P2和沿着第2方向Y延伸的第3密封件部P3及第4密封件部P4。第1密封件部P1位于边ED1与端部E21之间，具有实质上一定的宽度W1。在图示的例子中，第1密封件部P1从端部E21离开。第2密封件部P2与端部E22重叠，具有实质上一定的宽度W2。第3密封件部P3与端部E23重叠，具有实质上一定的宽度W3。第4密封件部P4与端部E24重叠，具有实质上一定的宽度W4。这里，宽度W1至W4相当于沿着与密封件SE的延伸方向正交的方向的长度。在图示的例子中，宽度W1比宽度W2至W4都小。作为一例，宽度W1约350μm，宽度W2至W4分别约400μm。另外，宽度W1也可以与宽度W2至W4分别同等。

近来，包括液晶显示装置的显示装置被要求使边框区域FA的宽度变窄的窄边框化，随着边框区域FA的窄边框化，密封件SE的宽度也变细。进而，窄边框化并不单单限于面板上边框/左右边框，优选的是使下边框也变窄到与上左右同样程度。在本说明中，面板上边框是由第1基板SUB1的端部E12及第2基板SUB2的端部E22形成的面板上边和显示区域DA的边ED2构成的具有宽度WF2的边框区域。在本说明中，面板左边框是由第1基板SUB1的端部E13及第2基板SUB2的端部E23形成的面板左边和显示区域DA的边ED3构成的具有宽度WF3的边框区域。在本说明中，面板右边框是由第1基板SUB1的端部E14及第2基板SUB2的端部E24形成的面板右边和显示区域DA的边ED4构成的具有宽度WF4的边框区域。在本说明中，面板下边框是由第1基板SUB1的第2区域A2、作为面板下边本身的第1基板SUB1的端部E11、还有第2基板SUB2的端部E21和显示区域DA的边ED1构成的边框区域。这里，第2基板SUB2的端部E21和显示区域DA的边ED1也可以称作第2基板SUB2的端子边侧边框，第2基板SUB2的端子边侧边框具有宽度WF1。这里，宽度WF1比宽度WF2至宽度WF4都小。在一例中，宽度WF2至WF4是0.7～1.0mm，宽度WF1设为0.4～0.69mm。如果考虑第1基板SUB1的第2区域A2，则为了面板的上下左右边框区域的窄边框化，宽度WF1尽可能小是优选的。在本实施例中，由于有IC芯片1及布线基板F1的安装，所以第1基板SUB1的第2区域A2的窄边框化存在制约，关注于使第2基板SUB2的端部E21与显示区域的边ED1之间的宽度WF1变窄。

IC芯片1及布线基板F1虽有读出来自显示面板PNL的信号的情况，但主要作为向显示面板PNL供给信号的信号源发挥功能。这些信号源安装在第2区域A2。在图示的例子中，布线基板F1及IC芯片1分别安装在第2区域A2。另外，IC芯片1也可以安装于布线基板F1。IC芯片1内置有在对图像进行显示的图像显示模式中输出图像显示所需要的信号的显示器驱动器DD。此外，在图示的例子中，IC芯片1内置有对接触感测模式进行控制的接触控制器TCN，所述接触感测模式对物体向液晶显示装置DSP的接近或接触进行检测。图中，显示器驱动器DD及接触控制器TCN由虚线表示。布线基板F1是可弯折的柔性印刷基板。

本实施方式的显示面板PNL是具备使来自第1基板SUB1的背面侧的光有选择地透射从而对图像进行显示的透射显示功能的透射型显示面板PNL、具备使来自第2基板SUB2的前面侧的光有选择地反射从而对图像进行显示的反射显示功能的反射型显示面板PNL、或者具备透射显示功能及反射显示功能的半透射型显示面板PNL的哪种都可以。

此外，关于显示面板PNL的详细结构，这里省略说明，但显示面板PNL具备与以下显示模式对应的哪种结构都可以，所述显示模式是：利用沿着基板主面的横电场的显示模式、利用沿着基板主面的法线的纵电场的显示模式、利用相对于基板主面向斜向倾斜的倾斜电场的显示模式、以及将上述的横电场、纵电场及倾斜电场适当组合而利用的显示模式。这里的基板主面是与由第1方向X及第2方向Y规定的X－Y平面平行的面。

此外，显示面板PNL并不限于液晶显示装置DSP，只要具有第1基板SUB1、第2基板SUB2和密封件SE，对于有机EL(Electro Luminescence)显示装置、微型LED(LightEmitting Diode)显示装置那样的自发光型的显示装置也能够应用。在有机EL显示装置中，例如密封件SE也可以是用于液晶显示装置的树脂密封件，可以考虑玻璃粉(glass frit)。

图2是表示图1所示的像素PX的基本结构及等价电路的图。

如图2所示，多条扫描线G与扫描线驱动电路GD连接，多条信号线S与信号线驱动电路SD连接。扫描线GE是与扫描线驱动电路GD连接的扫描线G中的与图1所示的端部E21最接近的扫描线。在本实施方式中，扫描线GE位于显示区域DA与边框区域FA的边界，沿着显示区域DA的边ED1延伸。

扫描线G及信号线S分别由铝(Al)、钛(Ti)、银(Ag)、钼(Mo)、钨(W)、铜(Cu)、铬(Cr)等金属材料、或组合了这些金属材料的合金等形成。扫描线G及信号线S分别可以是单层构造，也可以是多层构造。另外，扫描线G及信号线S也可以并不一定直线地延伸，它们的一部分也可以弯曲。

对多个像素PX配置有共通电极CE。共通电极CE与电压供给部CD及图1所示的接触控制器TCN连接。在图像显示模式中，电压供给部CD向共通电极CE供给公共电压(Vcom)。在接触感测模式中，接触控制器TCN向共通电极CE供给与公共电压不同的接触驱动电压。

各像素PX具备开关元件SW、像素电极PE、共通电极CE、液晶层LC等。开关元件SW例如由TFT构成，与扫描线G及信号线S电连接。扫描线G与在第1方向X上排列的像素PX各自的开关元件SW电连接。信号线S与在第2方向Y上排列的像素PX各自的开关元件SW电连接。扫描线G被供给用来对开关元件SW进行控制的控制信号。信号线S被供给作为与控制信号不同的信号的影像信号。像素电极PE与开关元件SW电连接。液晶层LC被在像素电极PE与共通电极CE之间产生的电场驱动。电容CS例如形成在与共通电极CE同电位的电极、以及与像素电极PE同电位的电极之间。

图3是表示图1所示的显示面板PNL的一结构例的剖视图。图示的例子相当于应用了利用横电场的显示模式之一即FFS(Fringe Field Switching)模式的例子。

如图3所示，第1基板SUB1具备绝缘基板10、绝缘层11至16、半导体层SC、信号线S、金属布线ML、共通电极CE、像素电极PE、取向膜AL1等。绝缘基板10是玻璃基板或挠性树脂基板等透明基板。绝缘层11位于绝缘基板10之上。半导体层SC位于绝缘层11之上，被绝缘层12覆盖。半导体层SC例如由多晶硅形成，但也可以由非晶硅或氧化物半导体形成。绝缘层12被绝缘层13覆盖。图2所示的扫描线G位于绝缘层12及13之间。绝缘层14具有下表面14A和下表面14A的相反侧的上表面14B。绝缘层15具有与上表面14B对置的下表面15A以及下表面15A的相反侧的上表面15B。信号线S位于绝缘层13之上，被绝缘层14覆盖。金属布线ML位于上表面14B，被绝缘层15覆盖。金属布线ML例如由铝(Al)、钛(Ti)、银(Ag)、钼(Mo)、钨(W)、铜(Cu)、铬(Cr)等金属材料、或组合了这些金属材料的合金等形成。金属布线ML可以是单层构造，也可以是多层构造。金属布线ML分别与信号线S平行地延伸，位于信号线S的正上方。

共通电极CE位于上表面15B，被绝缘层16覆盖。像素电极PE位于绝缘层16之上，被取向膜AL1覆盖。像素电极PE分别隔着绝缘层16而与共通电极CE对置。共通电极CE及像素电极PE例如由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等的透明导电材料形成。像素电极PE是线状电极，共通电极CE是对多个像素PX共通地设置的平板状的电极。另外，也可以是使像素电极PE为平板状的电极、在像素电极PE与液晶层LC之间设置线状的共通电极的构造。

绝缘层11、绝缘层12、绝缘层13及16是由硅氧化物(SiO)、硅氮化物(SiN)、硅氮氧化物(SiON)等无机绝缘材料形成的无机绝缘层。绝缘层16例如由硅氮化物形成。绝缘层11、绝缘层12、绝缘层13及16可以是单层构造，也可以是多层构造。绝缘层14及15例如是由丙烯酸树脂等有机绝缘材料形成的有机绝缘层。上表面14B、下表面15A及上表面15B分别被平坦化。绝缘层15具有厚度H1。厚度H1相当于在第3方向Z上从下表面15A到上表面15B的距离。厚度H1例如是1.5μm。

第2基板SUB2具备绝缘基板20、滤色器CF、遮光层BM、透明层OC和取向膜AL2。绝缘基板20是玻璃基板或挠性树脂基板等透明基板。滤色器CF、遮光层BM及透明层OC位于绝缘基板20与液晶层LC之间。取向膜AL2与液晶层LC相接。取向膜AL1及AL2例如由呈水平取向性的材料形成。透明层OC将滤色器CF及遮光层BM覆盖。透明层OC例如是透明的有机绝缘层。另外，在图示的例子中，滤色器CF设于第2基板SUB2，但也可以设于第1基板SUB1。滤色器CF包括红滤色器CFR、绿滤色器CFG及蓝滤色器CFB。绿滤色器CFG与像素电极PE对置。红滤色器CFR及蓝滤色器CFB也分别与未图示的其他像素电极PE对置。

液晶层LC位于第1基板SUB1及第2基板SUB2之间，被保持在取向膜AL1与取向膜AL2之间。液晶层LC具备液晶分子LM。液晶层LC由正型(介电常数各向异性为正)的液晶材料、或负型(介电常数各向异性为负)的液晶材料构成。

在这样的显示面板PNL中，在像素电极PE与共通电极CE之间没有形成电场的关闭(OFF)状态下，液晶分子LM在取向膜AL1及AL2之间在规定的方向上初始取向。在这样的关闭状态下，从照明装置IL朝向显示面板PNL照射的照明光被光学元件OD1及OD2吸收，成为暗显示。另一方面，在像素电极PE与共通电极CE之间形成有电场的开启(ON)状态下，液晶分子LM在电场的作用下在与初始取向方向不同的方向上取向，其取向方向被电场控制。在这样的开启状态下，来自照明装置IL的照明光的一部分透射过光学元件OD1及OD2，成为明显示。

图4是图1所示的第2基板SUB2的平面图，是用来说明显示区域DA的图。

如图4所示，遮光层BM分别延伸至端部E21至E24，设于整个第1区域A1。遮光层BM具有多个开口OP。各开口OP分别与图2及图3所示的各像素PX对应。例如，在第1方向X上作为构成1个像素的单位的红滤色器CFR、绿滤色器CFG、蓝滤色器CFB以依次排列的方式配置在各开口OP。边ED1位于与接近于端部E21的多个开口OP的最外边相同的线上，边ED2位于与接近于端部E22的多个开口OP的最外边相同的线上。此外，显示区域DA也可以称作包括遮光层BM的多个开口OP的区域。

图5是表示图1所示的液晶显示装置DSP的平面图，是用来说明槽部GR1与布线群WG的位置关系的图。

如图5所示，显示面板PNL具备槽部GR1和布线群WG。

槽部GR1设于边框区域FA，沿着端部E22至E24分别延伸。槽部GR1具有端部EG1及EG2。端部EG1及EG2位于端部E21与边ED1之间。

布线群WG包括图3所示的多个信号线S及多个金属布线ML，与IC芯片1连接。布线群WG位于端部EG1与端部EG2之间。

如在图5中放大表示的那样，多个信号线S在与第1方向X及第2方向Y交叉的方向上隔开间隔DS而排列。信号线S形成为具有实质上一定的宽度WS的带状，沿着与第1方向X及第2方向Y交叉的方向延伸。这里，间隔DS及宽度WS相当于沿着与信号线S的延伸方向正交的方向的长度。作为一例，间隔DS是2.5μm，宽度WS是2.0μm。

多个金属布线ML在与第1方向X及第2方向Y交叉的方向上隔开间隔DM而排列。金属布线ML形成为具有实质上一定的宽度WM的带状，沿着与第1方向X及第2方向Y交叉的方向延伸。这里，间隔DM及宽度WM相当于沿着与金属布线ML的延伸方向正交的方向的长度。作为一例，间隔DM是3.5μm，宽度WM是2.0μm。

图6是表示图5所示的液晶显示装置DSP的平面图，是用来说明槽部GR1与凹部CC的位置关系的图。密封件SE由斜线表示。

如图6所示，显示面板PNL具有多个凹部CC。凹部CC在第1方向X上位于端部EG1与端部EG2之间，在第2方向Y上位于边ED1与端部E21之间。各凹部CC在平面观察时分别与密封件SE的第1密封件部P1重叠，位于第1密封件部P1的内侧。在图示的例子中，两个凹部CC相互离开而设置，但也可以是1个凹部CC。槽部GR1在平面观察时与第2密封件部P2至第3密封件部P4分别重叠。

图7是沿着图6所示的A－B线的显示面板PNL的剖视图。在图7中，省略了信号线S及金属布线ML的图示。

如图7所示，绝缘层15具有第1部15P。第1部15P位于端部E21与显示区域DA的边ED1之间，与密封件SE的第1密封件部P1重叠。第1部15P具有主面15C、主面15D和多个凹部CC。主面15C相当于图3所示的下表面15A，主面15D相当于图3所示的上表面15B。凹部CC分别与密封件SE对置，是在主面15D中开口并在第3方向Z上从第2基板SUB2朝向第1基板SUB1凹陷的部分。凹部CC具有底面BP。底面BP在第3方向Z上位于主面15C与主面15D之间。绝缘层15在底面BP存在的区域中具有厚度H2。厚度H2在第3方向Z上相当于从主面15C到底面BP的距离。厚度H2例如是1.0μm。凹部CC的深度D1是0.5μm。深度D1相当于在第3方向Z上从底面BP到主面15D的距离。在图示的例子中，深度D1是厚度H1的约33.3％。深度D1在厚度H1的20％以上且50％以下的范围内，优选的是厚度H1的50％。换言之，从主面15C到底面BP的距离在从主面15C到主面15D的距离的50％以上且80％以下的范围内。

第1基板SUB1还具备多个透明导电层MPA。透明导电层MPA由ITO、IZO等透明导电材料形成。透明导电层MPA在与第1部15P重叠的位置上形成在绝缘层16的上方，被取向膜AL1覆盖。透明导电层MPA与绝缘层16及取向膜AL1分别相接。在图示的例子中，透明导电层MPA没有形成在主面15C的上方，但也可以形成在主面15C的上方。各透明导电层MPA隔开间隔排列，是电浮置状态。由于透明导电层MPA与取向膜AL1的粘接强度比绝缘层15与取向膜AL1的粘接强度强，所以取向膜AL1能够抑制受到与密封件SE的第1密封件部P1的粘接所带来的应力而从绝缘层16剥离的可能性。

遮光层BM具有贯通至绝缘基板20的狭缝ST1。通过形成狭缝ST1，能够防止水分从外部沿着遮光层BM渗入到显示区域DA。此外，遮光层BM在与液晶层LC重叠的区域中具有狭缝ST2。通过形成狭缝ST2，能够阻断经由遮光层BM向显示区域DA的电荷的移动。由此，在显示面板PNL的制造工序中，能够抑制静电集中于显示区域DA而抑制显示面板PNL的损伤。此外，红滤色器CFR及蓝滤色器CFB在第3方向Z上重叠而配置在狭缝SL2内。因此，能够抑制光从狭缝SL2泄漏。

多个间隔件SP(SP1、SP2、…)位于第1基板SUB1与第2基板SUB2之间，从透明层OC的下表面朝向第1基板SUB1突出。间隔件SP由树脂材料形成。

间隔件SP1具有连续于端部E21的侧面SF。在图示的例子中，间隔件SP1设在透明层OC的下表面，位于第2基板SUB2与绝缘层15之间，不与密封件SE相接。另外，间隔件SP1也可以与密封件SE相接。密封件SE位于侧面SF与显示区域DA之间。在将第1基板SUB1和第2基板SUB2用密封件SE接合时，间隔件SP1用来抑制密封件SE延伸到比端部E21靠第2区域A2侧。

间隔件SP2与滤色器GFB对置，位于主面15C与透明层OC之间，在第1方向X上沿着端部E21延伸。间隔件SP2用来维持第1基板SUB1与第2基板SUB2之间的单元(cell)间隙。

间隔件SP3位于密封件SE的第1密封件部P1与显示区域DA的边ED1之间。在图示的例子中，间隔件SP3不与密封件SE相接，但也可以相接。在将第1基板SUB1与第2基板SUB2用密封件SE接合时，间隔件SP3用来抑制密封件SE向显示区域DA侧的扩散。

根据本实施方式，在显示区域DA的边ED1与端部E21之间，有机绝缘层15具有从第2基板SUB2朝向第1基板SUB1凹陷的凹部CC。与有机绝缘层15不具有凹部CC的情况相比，能够增加在边框区域FA中能够接纳的密封件SE的体积。由此，在边框区域FA中，能够使密封件SE的宽度W1变窄，能够使显示面板PNL窄边框化。此外，在密封件SE例如通过分配器(dispenser)而被涂布时，由于密封件SE向凹部CC流入，所以能够抑制密封件SE向第2区域A2或显示区域DA的扩散。因此，能够抑制由于IC芯片1的端子被密封件SE覆盖从而引起的IC芯片1的接触不良、或由于密封件SE延伸到显示区域DA从而引起的显示面板PNL的显示不良，能够实现液晶显示装置DSP的制品成品率的提高。

凹部CC的深度D1越大，越能够增加可接纳的密封件SE的体积，但如果厚度H2过小，则凹部CC有可能将绝缘层15贯通。此外，如果凹部CC的深度D1过小，则不怎么能够增加可接纳的密封件SE的体积，无法使密封件SE的宽度W1变小。根据本实施方式，从主面15C到凹部CC的底面BP的距离(厚度H2)是从主面15C到主面15D的距离(厚度H1)的50％以上且80％以下。凹部CC的深度D1是厚度H1的20％以上50％以下。由此，能够抑制上述的制品成品率的下降。

图8是沿着图6所示的C－D线的显示面板PNL的剖视图。

如图8所示，第1基板SUB1还具备金属布线WR1及透明导电层MPB。金属布线WR1位于绝缘层12的上方，被绝缘层13覆盖。金属布线WR1由于位于狭缝ST1的正下方，所以能够抑制光从狭缝ST1泄漏。此外，金属布线WR1由于比各种布线更接近于端部E13，所以作为防止静电或来自外部的电场作用于显示区域DA的保护环而发挥功能。

槽部GR1将绝缘层14及15分别贯通。绝缘层14在槽部GR1中具有多个突出部14E。突出部14E形成为朝向第2基板SUB2而变细的形状，被绝缘层16覆盖。因此，即使在制造时向第1基板SUB1涂布了取向膜AL1，取向膜AL1也不残留在位于突出部14E上端的正上方的区域，所以绝缘层16从取向膜AL1露出。在贴合了第1基板SUB1与第2基板SUB2时，位于突出部14E的上端的绝缘层16与密封件SE直接粘接。由于密封件SE与绝缘层16的粘接力比密封件SE与取向膜AL1的粘接力强，所以液晶显示装置DSP能够形成能够以充分的粘接强度进行粘接的区域。

透明导电层MPB位于绝缘层16之上，被取向膜AL1覆盖。由于透明导电层MPB与取向膜AL1的粘接强度比绝缘层15与取向膜AL1的粘接强度强，所以取向膜AL1能够抑制受到与密封件SE的第3密封件部P3的粘接所带来的应力而从绝缘层16剥离的可能性。

这里，说明了密封件SE的第3密封件部P3的周边构造，但第2密封件部P2的周边构造及第4密封件部P4的周边构造与第3密封件部P3的周边构造是同样的。

在上述的构成例中，端部E21相当于第1端部，端部E22至E24相当于第2端部，金属布线ML相当于金属布线，绝缘层14相当于第1有机绝缘层，绝缘层15相当于第2有机绝缘层，主面15D相当于第1主面，主面15C相当于第2主面，间隔件SP1相当于第1间隔件，间隔件SP3相当于第2间隔件，间隔件SP2相当于第3间隔件。

图9是用来说明本实施方式的变形例的间隔件SP2的平面图。凹部CC由单点划线表示。

如图9所示，本实施方式的变形例与本实施方式相比不同点在于，间隔件SP2不连续地延伸，由隔开间隔排列的多个间隔件SPM构成。

在这样的变形例中，也能得到与上述的本实施方式同样的效果。除此以外，由于密封件SE能够在相邻的间隔件SPM之间延伸，所以能够进一步增加在边ED1与端部E21之间能够接纳的密封件SE的体积。

如以上说明的那样，根据本实施方式，能够提供实现窄边框化、进而能够提高制品成品率的显示装置。

另外，说明了本发明的几个实施方式，但这些实施方式是作为例子提示的，不是要限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其他各种各样的形态实施，在不脱离发明的主旨的范围内能够进行各种省略、替换、变更。这些实施方式及其变形包含在发明的范围及主旨中，并且包含在权利要求所记载的发明及其等价的范围中。