具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。

参阅图1所示，为本发明实施例的人工耳蜗植入体失效分析方法整体流程示意图，其包括：电性能分析、扫频分析、漏电流分析、循环测试、解剖分析、气密性分析以及半导体特性分析。

电性能分析，指基本功能和性能的测试分析，这里包含人工耳蜗植入体ID遥测分析、刺激输出测试分析、阻抗遥测分析及植入体顺应性测试分析。通过电性能分析，定位植入体的失效机理。

扫频分析，使用信号分析仪对人工耳蜗植入体进行扫频测试，测试人工耳蜗植入体的固有频率是否存在偏差，来判断植入体接收电路的完整性。

漏电流分析，将人工耳蜗植入体所有电极处于开路状态，即置于空气中，使用人工耳蜗调试软件进行植入体顺应性电流测试，查看人工耳蜗植入体反馈的电流值，此时的电流值为漏电流。如果此时的漏电流为0或小于20μA，对人工耳蜗植入体电极分段进行漏电流测试，分析是否在某一段内具有短路。

循环测试，将人工耳蜗植入体依次置于95℃水浴和85℃烘箱进行48小时存储试验，每次结束后进行电性能测试，如此循环两次，将循环试验的数据对比。

解剖分析，对人工耳蜗植入体的密封硅胶和钛壳进行解剖，进一步的对内部电路进行测试分析。

气密性分析，使用氦质谱检漏仪对植入体刺激器进行气密性测试，验证刺激器气密性指标情况。

半导体特性分析，使用半导体分析仪对刺激器内部电路进行半导体特性测试，分析电路中的半导体器件是否有击穿情况。

参阅图2所示，为本发明实施例提供的分析系统连接示意图。植入体为被测样品，语音处理器通过适配器与安装有人工耳蜗调试软件的电脑连接，语音处理器发射线圈通过无线耦合方式与植入体接收线圈连接，植入体电极通道设置1kΩ的电阻，示波器探头可连接任意一个电极通道。分析测试系统中的人工耳蜗植入体接收线圈与测试声音处理器发射线圈耦合，人工耳蜗植入体电极端设置一标准负载。电性能分析具体分析步骤如下：

在调试软件中执行ID遥测，通过ID遥测结果，对人工耳蜗植入体的ID遥测电路进行判断分析，分析如下：如结果为数值与字母组合的字符，表示ID遥测电路正常，如结果为FFFFF,表示ID遥测电路异常，此时可以对遥测电路有个初步的判断，执行以下步骤。

在调试软件中执行阻抗遥测，通过阻抗遥测结果，对人工耳蜗植入体的阻抗遥测电路进行判断分析：将人工耳蜗植入体电极置于生理盐水中，如阻抗遥测结果大于等于20000Ω，由此判断植入体电极开路；将人工耳蜗植入体电极置于空气中，如阻抗遥测结果小于等于20000Ω，表示人工耳蜗植入体电极存在短路情况。执行以下步骤。

在调试软件中执行顺应性测试，通过植入体顺应性测试结果，对人工耳蜗植入体的电流源电路进行判断分析：将人工耳蜗植入体电极置于生理盐水中，执行顺应性测试，测试幅度设置为255CL，如测试电流为0或小于1500μA,表示人工耳蜗植入体顺应性测试异常，由此判断芯片或电极存在开路或半开路状态；将人工耳蜗植入体电极置于空气中，执行顺应性测试，测试幅度设置为255CL，如测试电流大于50μA,此时判断芯片或电极存在短路情况。执行以下步骤。

在调试软件中执行刺激输出测试，使用示波器测量电极输出的信号幅度。通过测量人工耳蜗植入体输出的波形幅度和宽度，如输出波形幅度或宽度异常，则说明植入体的正向解码电路存在故障。

参阅图3所示，为本发明提供的漏电流分析流程示意图。分析步骤如下：

人工耳蜗植入体电极置于在空气中，其他部位浸入生理盐水中，在调试软件中执行顺应性测试，通过顺应性测试结果，分析植入体内部是否存在短路情况，如是，结束漏电流分析，否则，执行以下步骤。

人工耳蜗植入体所有电极置于生理盐水中，在调试软件中执行顺应性测试，通过顺应性测试结果，对植入体顺应性输出电流进行判断分析，如正常，结束漏电流分析，否则，执行以下步骤。

人工耳蜗植入体1-5号电极置于空气中，在调试软件中执行顺应性测试，通过顺应性测试结果，分析人工耳蜗植入体1-5号电极是否与其他电极存在短路情况，如是，结束漏电流分析，否则，执行以下步骤。

人工耳蜗植入体1-15号电极置于空气中，在调试软件中执行顺应性测试，通过顺应性测试结果，分析人工耳蜗植入体1-15号电极是否与其他电极存在短路情况，如是，结束漏电流分析，否则，执行以下步骤。

人工耳蜗植入体1-22号电极置于空气中，在调试软件中执行顺应性测试，通过顺应性测试结果，分析人工耳蜗植入体除电极外的其他部位是否存在短路情况。

参阅图4所示，为本发明提供的循环测试示意图。测试过程如下：将失效植入体置于95℃水浴中放置48小时，取出后按照电性能测试方法进行电性能测试，记录测试数据；将人工耳蜗植入体置于85℃烘箱中进行烘烤48小时，取出后按照电性能测试方法进行电性能测试，记录测试数据。将上述前两步骤循环两次，取四次试验的数据进行对比，观察数据是否受水气影响。数据对比，如果满足下表中的情况则说明样品受到水汽影响，由此判断样品存在气密性不良。反之则说明不受水汽影响。

改变水浴温度、烘箱温度以及放置时间，继续测试，过程如下：将失效植入体置于90℃水浴中放置40小时，取出后按照电性能测试方法进行电性能测试，记录测试数据；将人工耳蜗植入体置于80℃烘箱中进行烘烤40小时，取出后按照电性能测试方法进行电性能测试，记录测试数据。将上述前两步骤循环两次，取四次试验的数据进行对比，观察数据是否受水气影响。数据对比，如果满足下表中的情况则说明样品受到水汽影响，由此判断样品存在气密性不良。反之则说明不受水汽影响。

改变水浴温度、烘箱温度以及放置时间，继续测试，过程如下：将失效植入体置于100℃水浴中放置50小时，取出后按照电性能测试方法进行电性能测试，记录测试数据；将人工耳蜗植入体置于90℃烘箱中进行烘烤50小时，取出后按照电性能测试方法进行电性能测试，记录测试数据。将上述前两步骤循环两次，取四次试验的数据进行对比，观察数据是否受水气影响。数据对比，如果满足下表中的情况则说明样品受到水汽影响，由此判断样品存在气密性不良。反之则说明不受水汽影响。

参阅图5所示，本发明提供的半导体特性分析示意图。半导体分析仪上Force1与Sence2短接后连接人工耳蜗植入体刺激电路的一个I/O口，Force3与Sence4短接后连接到人工耳蜗植入体刺激电路的地上，依次对刺激芯片的所有输入输出端对地进行半导体特性分析测试。如测试结果无二极管特性，则说明该I/O口二极管保护失效。

至此，已经结合附图所示的优选实施方式描述了本发明的技术方案，但是，本领域技术人员容易理解的是，本发明的保护范围显然不局限于这些具体实施方式。在不偏离本发明的原理的前提下，本领域技术人员可以对相关技术特征做出等同的更改或替换，这些更改或替换之后的技术方案都将落入本发明的保护范围之内。

以上所述仅为本发明的优选实施例，并不用于限制本发明；对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。