具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，以下结合附图及具体实施例，对本发明作进一步地详细说明。

如图1，本发明提供一种蜂鸣器高可靠性驱动电路，包括限流器件、二极管D1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、放大器、频率发生电路、栅极控制电路、驱动NMOS管，所述限流器件一端连接电源，限流器件另一端连接二极管D1正极，二极管D1负极接地线，电阻R2一端连接二极管D1正极，电阻R2另一端连接信号线V2，电阻R3一端连接信号线V2，电阻R3另一端连接地线，放大器负输入端连接信号线V2，放大器正输入端连接信号线V1，放大器输出端连接信号线Y，频率发生电路输出信号线F连接栅极控制电路一个输入端，栅极控制电路另一个输入端连接信号线Y，栅极控制电路输出信号线G连接驱动NMOS管栅极，驱动NMOS管漏极连接输出OUT，驱动NMOS管源极连接信号线V1，驱动NMOS管衬底连接地线，电阻R1一端连接信号线V1，电阻R1另一端连接地线。

结合图1，如果流经驱动NMOS管电流在正常范围内，电阻R1上的压降比电阻R3上的压降小，即信号线V1的电压小于信号线V2的电压，放大器的输出Y为低电平，表示驱动NMOS管的电流正常，如果驱动NMOS管电流过大，电阻R1上的压降比电阻R3上的压降大，即信号线V1的电压大于信号线V2的电压，放大器的输出Y为高电平，表示流经驱动NMOS管的电流过大；由于二极管正向压降的负温度特性，当温度升高时，电阻R3上的压降变低，在电阻R1上的压降不变的情况下，当温度过高时，电阻R3上的压降变的低于电阻R1上的压降，即信号线V1的电压大于信号线V2的电压，放大器的输出Y为高电平，表示芯片温度过高，可见如图1所示信号线V1、信号线V2的连接方式，放大器的输出Y为高电平表示芯片温度过高或者流经驱动NMOS管的电流过大。如果把信号线V1、信号线V2连接到放大器正负输入端位置对调，即信号线V1连接放大器负输入端，号线V2连接放大器正输入端，信号线V1、信号线V2与电阻R1、电阻R2、电阻R3的连接关系不变，则放大器的输出Y为低电平表示芯片温度过高或者流经驱动NMOS管的电流过大。当放大器的输出表示芯片温度和驱动NMOS管的电流都正常时，栅极控制电路使得频率发生电路输出信号F正常通过，即频率发生电路输出信号F与栅极控制电路输出信号线G的频率相同，驱动NMOS管正常驱动蜂鸣器，当放大器的输出表示芯片温度过高或者流经驱动NMOS管的电流过大时，栅极控制电路输出信号线G使得驱动NMOS管截止，以降低电路功耗，以防止芯片及系统被损坏。

本发明的第一实施例，如图2所示，包括电阻R4、二极管D1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、放大器、频率发生电路、栅极控制电路、驱动NMOS管，所述电阻R4一端连接电源，电阻R4另一端连接二极管D1正极，二极管D1负极接地线，电阻R2一端连接二极管D1正极，电阻R2另一端连接信号线V2，电阻R3一端连接信号线V2，电阻R3另一端连接地线，放大器负输入端连接信号线V2，放大器正输入端连接信号线V1，放大器输出端连接信号线Y，频率发生电路输出信号线F连接栅极控制电路一个输入端，栅极控制电路另一个输入端连接信号线Y，栅极控制电路输出信号线G连接驱动NMOS管栅极，驱动NMOS管漏极连接输出OUT，驱动NMOS管源极连接信号线V1，驱动NMOS管衬底连接地线，电阻R1一端连接信号线V1，电阻R1另一端连接地线。

本发明的第一实施例，结合图2，电阻R4为限流器件，流经电阻R4的电流使得二极管D1正极的电压常温下稳定在约为0.7伏，如果流经驱动NMOS管的电流在正常范围内，电阻R1上的压降比电阻R3上的压降小，即信号线V1的电压小于信号线V2的电压，放大器的输出Y为低电平，表示流经驱动NMOS管的电流正常；如果流经驱动NMOS管的电流过大，电阻R1上的压降比电阻R3上的压降大，即信号线V1的电压大于信号线V2的电压，放大器的输出Y为高电平，表示流经驱动NMOS管的电流过大；由于二极管正向压降是负温度特性，当温度升高时，电阻R3上的压降变低，在电阻R1上的压降不变的情况下，当温度过高时，电阻R3上的压降变的低于电阻R1上的压降时，即信号线V1的电压大于信号线V2的电压，放大器的输出Y为高电平，表示芯片温度过高；可见放大器的输出Y为高电平表示芯片温度过高或者流经驱动NMOS管的电流过大。当放大器的输出低电平时，栅极控制电路使得频率发生电路输出信号F正常通过，即频率发生电路输出信号F与栅极控制电路输出信号G的频率相同，驱动NMOS管正常驱动蜂鸣器，当放大器的输出高电平时，栅极控制电路输出信号G为低电平使驱动NMOS管截止，以降低电路功耗，以防止芯片及系统被损坏。

本发明的第二实施例，如图3所示，包括电阻R4、PNP管Q1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、放大器、频率发生电路、栅极控制电路、驱动NMOS管，电阻R4一端连接电源，电阻R4另一端连接PNP管Q1发射极，PNP管Q1集电极接地线，PNP管Q1基极接地线，电阻R2一端连接PNP管Q1发射极，电阻R2另一端连接信号线V2，电阻R3一端连接信号线V2，电阻R3另一端连接地线，放大器负输入端连接信号线V1，放大器正输入端连接信号线V2，放大器输出端连接信号线Y，频率发生电路输出信号线F连接栅极控制电路一个输入端，栅极控制电路另一个输入端连接信号线Y，栅极控制电路输出信号线G连接驱动NMOS管栅极，驱动NMOS管漏极连接输出，驱动NMOS管源极连接信号线V1，驱动NMOS管衬底连接地线，电阻R1一端连接信号线V1，电阻R1另一端连接地线。

本发明的第二实施例，结合图3和图1，图3中使用三极管PNP管Q1的二极管连法代替图1中二极管D1，电阻R4为限流器件，流经电阻R4的电流使得PNP管Q1的发射极与基极之间的二极管正向压降常温下稳定在约为0.7伏，如果驱动管电流在正常范围内，电阻R1上的压降比电阻R3上的压降小，即信号线V1的电压小于信号线V2的电压，放大器的输出Y为高电平，表示驱动NMOS管的电流正常；如果流经驱动NMOS管的电流过大，电阻R1上的压降比电阻R3上的压降大，即信号线V1的电压大于信号线V2的电压，放大器的输出Y为低电平，表示流经驱动NMOS管的电流过大；由于二极管正向压降是负温度特性，当温度升高时，电阻R3上的压降变低，在电阻R1上的压降不变的情况下，当温度过高时，电阻R3上的压降变的低于电阻R1上的压降，即信号线V1的电压大于信号线V2的电压，放大器的输出Y为低电平，表示芯片温度过高；可见放大器的输出Y为低电平表示芯片温度过高或者流经驱动NMOS管的电流过大。当放大器的输出高电平时，栅极控制电路使得频率发生电路输出信号F正常通过，即频率发生电路输出信号F与栅极控制电路输出信号线G的频率相同，驱动NMOS管正常驱动蜂鸣器，当放大器的输出低电平时，栅极控制电路输出信号线G为低电平，使驱动NMOS管截止，以降低电路功耗，以防止芯片及系统被损坏。

本发明的第三实施例，如图4所示，包括PMOS管P1、NMOS管N1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、放大器、频率发生电路、栅极控制电路、驱动NMOS管，其中PMOS管P1源极和衬底连接电源，PMOS管P1漏极连接NMOS管N1漏极，NMOS管N1栅极与漏极短接，NMOS管N1源极和衬底连接地线，电阻R2一端连接NMOS管N1漏极，电阻R2另一端连接信号线V2，电阻R3一端连接信号线V2，电阻R3另一端连接地线，放大器负输入端连接信号线V2，放大器正输入端连接信号线V1，放大器输出端连接信号线Y，频率发生电路输出信号线F连接栅极控制电路一个输入端，栅极控制电路另一个输入端连接信号线Y，栅极控制电路输出信号线G连接驱动NMOS管栅极，驱动NMOS管漏极连接输出OUT，驱动NMOS管源极连接信号线V1，驱动NMOS管衬底连接地线，电阻R1一端连接信号线V1，电阻R1另一端连接地线。

本发明的第三实施例，结合图4和图1，图4中使用NMOS管N1的二极管连法代替图1中二极管D1，PMOS管P1为限流器件，流经PMOS管P1的电流使得NMOS管N1漏极和栅极电压常温下稳定在NMOS管阈值电压附近，如果驱动管电流在正常范围内，电阻R1上的压降比电阻R3上的压降小，即信号线V1的电压小于信号线V2的电压，放大器的输出Y为低电平，表示流经驱动NMOS管的电流正常；如果流经驱动NMOS管电流过大，电阻R1上的压降比电阻R3上的压降大，即信号线V1的电压大于信号线V2的电压，放大器的输出Y为高电平，表示流经驱动NMOS管的电流过大；由于NMOS管的阈值电压是负温度特性，当温度升高时，电阻R3上的压降变低，在电阻R1上的压降不变的情况下，当芯片温度过高时，电阻R3上的压降变的低于电阻R1上的压降，即信号线V1的电压大于信号线V2的电压，放大器的输出Y为高电平，表示芯片温度过高；可见放大器的输出Y为高电平表示芯片温度过高或者流经驱动NMOS管的电流过大。当放大器的输出低电平时，栅极控制电路使得频率发生电路输出信号F正常通过，即频率发生电路输出信号F与栅极控制电路输出信号线G的频率相同，驱动NMOS管正常驱动蜂鸣器，当放大器的输出高电平时，栅极控制电路输出信号线G为低电平使驱动NMOS管截止，以降低电路功耗，以防止芯片及系统被损坏。

综上所述，本发明提供的一种蜂鸣器高可靠性驱动电路，当驱动管电流过大或者芯片温度过时高都会关断驱动管以降低功耗，以防止芯片及系统被损坏，本电路具有可靠性高和成本低的优点。

以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的权利要求范围之内。