半导体装置、半导体晶片以及电子设备
阅读说明：本技术 半导体装置、半导体晶片以及电子设备 (Semiconductor device, semiconductor wafer, and electronic apparatus ) 是由 佐藤绘莉 大贯达也 八洼裕人 国武宽司 于 2019-10-15 设计创作，主要内容包括：提供一种能够测量微小电流的半导体装置。一种包括运算放大器及二极管元件的半导体装置,电流被输入的第一端子与运算放大器的反相输入端子及二极管元件的输入端子电连接,电压被输出的第二端子与运算放大器的输出端子及二极管元件的输出端子电连接。作为二极管元件,使用在沟道形成区域中包括金属氧化物的二极管连接的晶体管。因为该晶体管的关态电流极低,所以可以在第一端子和第二端子之间流过微小电流。由此,通过从第二端子输出电压,可以根据该电压估计流过到第一端子的微小电流。(Provided is a semiconductor device capable of measuring a minute current. A first terminal to which a current is input is electrically connected to an inverting input terminal of the operational amplifier and an input terminal of the diode element, and a second terminal to which a voltage is output is electrically connected to an output terminal of the operational amplifier and an output terminal of the diode element. As the diode element, a diode-connected transistor including a metal oxide in a channel formation region is used. Since the off-state current of the transistor is extremely low, a minute current can flow between the first terminal and the second terminal. Thus, by outputting a voltage from the second terminal, a minute current flowing to the first terminal can be estimated from the voltage.)
技术领域
本发明的一个方式涉及一种半导体装置、半导体晶片以及电子设备。
注意，本发明的一个方式不限定于上述技术领域。本说明书等所公开的发明的技术领域涉及一种物体、方法或制造方法。另外，本发明的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。因此，更具体地说，作为本说明书所公开的本发明的一个方式的技术领域的一个例子可以举出半导体装置、显示装置、液晶显示装置、发光装置、蓄电装置、摄像装置、存储装置、信号处理装置、处理器、电子设备、系统、它们的驱动方法、它们的制造方法或它们的检查方法。
背景技术
传感器具有将检测对象物转换为电信号等的功能，通过将关于对象物的信息转换为电信号，可以使用另外的装置进行处理诸如使用显示装置视觉上显示有关对象物的信息、使用存储装置储存有关对象物的信息等。具体而言，传感器可以通过将检测出的对象物转换为电流值并测量该电流值，来检测有关该对象物的量等。专利文献1等已公开了测量电流的装置、方法。
[先行技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利申请公开第2012-137359号公报
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