阅读说明：本技术 一种电磁铁保护电路 (Electromagnet protection circuit ) 是由 刘冰 华坚 陆叶青 潘一鸣 于 2021-01-25 设计创作，主要内容包括：本发明提供了一种电磁铁保护电路,其可以避免当控制信号发生故障而导致电磁铁持续通电过热毁坏自身的情况发生,从而消除了安全隐患,避免造成人身危险；一种电磁铁保护电路,与控制电路的控制信号输入端相连接,所述电磁铁保护电路包括电磁铁L1,所述电磁铁保护电路还包括MOS管Q1、Q2、电阻R1～R3、电容C1,所述电磁铁L1的一端连接电源VCC,所述电磁铁L1的另一端连接所述MOS管Q1的漏极,所述MOS管Q1的栅极与所述电阻R1、R2的一端、MOS管Q2的漏极均相连接后接于所述控制电路的控制信号输入端,所述MOS管Q2的栅极与所述电阻R2的另一端、电容C1、电阻R3的一端均相连接,所述MOS管Q1、Q2的源极与所述电阻R1、R3、电容C1的另一端均相连接后接地。(The invention provides an electromagnet protection circuit which can avoid the situation that an electromagnet is continuously electrified and thermally destroyed when a control signal fails, thereby eliminating potential safety hazards and avoiding personal danger; the electromagnet protection circuit is connected with a control signal input end of a control circuit, comprises an electromagnet L1, and further comprises MOS (metal oxide semiconductor) tubes Q1 and Q2, resistors R1-R3 and a capacitor C1, wherein one end of the electromagnet L1 is connected with a power supply VCC, the other end of the electromagnet L1 is connected with a drain electrode of the MOS tube Q1, a grid electrode of the MOS tube Q1 is connected with one ends of the resistors R1 and R2 and a drain electrode of the MOS tube Q2 and then connected with the control signal input end of the control circuit, a grid electrode of the MOS tube Q2 is connected with the other end of the resistor R2, one ends of the capacitor C1 and the resistor R3, and source electrodes of the MOS tubes Q1 and Q2 are connected with the other ends of the resistors R1, R3 and the capacitor C1 and then grounded.)

一种电磁铁保护电路

技术领域

本发明涉及电子电路技术领域，具体为一种电磁铁保护电路。

背景技术

电磁铁被广泛应用于各种电子电路领域中，且由于它通电时会产生吸力，可以将电能转化为机械能，因此也可以用于电路的通断以及各种机械结构的电子开关等；但是通常使用的线圈绕制的电磁铁，在使用时如果不加合适的保护电路，当控制信号发生故障，使与其连接的控制电路持续导通时，就会造成电磁铁有持续电流通过，从而导致电磁铁过热毁坏自身，甚至造成人身危险。

发明内容

针对上述问题，本发明提供了一种电磁铁保护电路，其可以避免当控制信号发生故障而导致电磁铁持续通电过热毁坏自身的情况发生，从而消除了安全隐患，避免造成人身危险。

其技术方案是这样的：一种电磁铁保护电路，与控制电路的控制信号输入端相连接，所述电磁铁保护电路包括电磁铁L1，其特征在于：所述电磁铁保护电路还包括MOS管Q1、Q2、电阻R1～R3、电容C1，所述电磁铁L1的一端连接电源VCC，所述电磁铁L1 的另一端连接所述MOS管Q1的漏极，所述MOS管Q1的栅极与所述电阻R1、R2的一端、MOS管Q2的漏极均相连接后接于所述控制电路的控制信号输入端，所述MOS管Q2 的栅极与所述电阻R2的另一端、电容C1、电阻R3的一端均相连接，所述MOS管Q1、 Q2的源极与所述电阻R1、R3、电容C1的另一端均相连接后接地。

其进一步特征在于：

所述控制电路包括控制器，所述控制器采用型号为STM32F103RET6单片机，所述MOS管Q1的栅极与所述电阻R1、R2的一端、MOS管Q2的漏极均相连接后接于所述控制器的PA6脚；

所述MOS管Q1、Q2均为NMOS管；

所述电磁铁L1采用额定电压12V、通电电流3A的电磁铁。

本发明的有益效果是，当控制信号输入端发生故障持续输出高电平控制信号时，由电阻R2和电容C1组成的RC充电电路在特定时间后，会将MOS管Q2导通，从而将MOS 管Q1的栅极拉低，MOS管Q1不再导通，电磁铁L1不再通电，也就起到了保护电磁铁的作用，从而避免了当控制信号发生故障而导致电磁铁持续通电过热毁坏自身的情况发生，消除了安全隐患，避免造成人身危险，具有较好的经济使用价值。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明的电路原理图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。

如图1所示，本发明的一种电磁铁保护电路，与控制电路的控制信号输入端en相连接，电磁铁保护电路包括电磁铁L1，电磁铁保护电路还包括MOS管Q1、Q2、电阻R1～R3、电容C1，其中，由电阻R2和电容C1组成RC充电电路；电磁铁L1的一端连接电源VCC，电磁铁L1的另一端连接MOS管Q1的漏极，MOS管Q1的栅极与电阻R1、R2的一端、 MOS管Q2的漏极均相连接后接于控制电路的控制信号输入端en，MOS管Q2的栅极与电阻R2的另一端、电容C1、电阻R3的一端均相连接，MOS管Q1、Q2的源极与电阻R1、 R3、电容C1的另一端均相连接后接地。

控制电路包括控制器，控制器采用型号为STM32F103RET6单片机，采用单片机输出控制信号实现控制电磁铁是业界比较常用的手段，单片机的选型可以根据实际情况来确定，根据单片机的选型可以用多种实施方案，其具体的连接电路不是本发明保护的重点，在此不做具体描述，对于本发明所属技术领域的技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单替换和变更，都应当视为属于本发明由所提交的权利要求书确定的发明保护范围；MOS管Q1的栅极与电阻R1、R2的一端、MOS管Q2的漏极均相连接后接于控制器的PA8脚(也就是控制信号输入端en)；MOS管Q1、Q2均为NMOS管；电磁铁L1采用额定电压12V、通电电流3A的电磁铁；电阻R2为阻值10KΩ的贴片电阻，电容C1为容值0.1μF的贴片电容。

电磁铁L1由通电线圈组成，在通电时产生磁力，断电时磁力消失，由于线圈的电阻很小，若通电时电流很大，长时间通电会发生过热损坏；则本发明中，MOS管Q1的栅极连接到控制器上，当控制器输出的控制信号为高电平时，MOS管Q1导通，电磁铁L1通电；当控制信号为低电平时，控制MOS管Q1关闭，电磁铁L1断电；当控制器出现故障时，控制信号始终为高电平，RC充电电路在特定时间后(由RC充电常数决定，通过选取合适的电阻和电容值可以获得不同的充电时间，例如可选为1秒)会将MOS管Q2导通，从而将MOS管Q1的栅极拉低，MOS管Q1不再导通，电磁铁L1不再通电，从而起到了保护电磁铁的作用。

对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。

此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。