一种igbt过流保护电路
阅读说明：本技术 一种igbt过流保护电路 (IGBT overcurrent protection circuit ) 是由 杨凯 余文毅 柳岸明 定渊博 杨帆 于 2020-12-18 设计创作，主要内容包括：本发明公开了一种IGBT过流保护电路,包括解耦保护电路、基准电平生成电路、故障信号生成电路和硬件封锁电路；解耦保护电路用于根据采集的IGBT下管的栅极和漏极电压生成保护电压信号；故障信号生成电路将保护电压信号与基准电压信号进行比较,当保护电压信号大于基准电压信号时形成故障信号；硬件封锁电路在故障信号的触发下将下管的栅极电压钳位至下管驱动电源的负电源,使下管关断；本发明采用分离的模拟电路器件配置可解耦的过流保护电路的三种工作模式,在IGBT发生过流故障时、正常工作时、不工作时的三种现实工况中灵活切换,在不使用驱动芯片的情况下实现过流保护,并可通过调节电路参数来调节执行电压范围和响应时间值。(The invention discloses an IGBT overcurrent protection circuit, which comprises a decoupling protection circuit, a reference level generation circuit, a fault signal generation circuit and a hardware lockout circuit, wherein the decoupling protection circuit is connected with the reference level generation circuit; the decoupling protection circuit is used for generating a protection voltage signal according to the collected grid and drain voltage of the IGBT lower tube; the fault signal generation circuit compares the protection voltage signal with the reference voltage signal and forms a fault signal when the protection voltage signal is greater than the reference voltage signal; the hardware locking circuit clamps the grid voltage of the lower tube to a negative power supply of the lower tube driving power supply under the trigger of the fault signal to turn off the lower tube; the invention adopts three working modes of a decoupled over-current protection circuit configured by separated analog circuit devices, flexibly switches among three practical working conditions of over-current fault occurrence, normal working and non-working of the IGBT, realizes over-current protection without using a driving chip, and can adjust the execution voltage range and the response time value by adjusting circuit parameters.)
技术领域
本发明属于电子电路技术领域，更具体地，涉及一种采用分立器件硬件实现的变频器用IGBT过流保护电路。
背景技术
随着变频技术的普及，IGBT过流保护电路越来越多的应用到电源电路中，现有的IGBT过流保护电路一般利用驱动芯片中的受控直流源进行设计，这种软件保护的方式具有保护执行电压范围、保护响应时间均固定不可调节的缺点。在大功率变频器功率模块裸片化、并联化或将IGBT模块换为碳化硅模块后，原有的基于驱动芯片中的保护方案已不再能满足响应时间的要求，也无法自主设置保护电压范围。
发明内容
针对现有技术的至少一个缺陷或改进需求，本发明提供了一种IGBT过流保护电路，可通过RC网络参数及二极管选型变化来调节保护执行电压的范围以及设置响应时间。
为实现上述目的，按照本发明的一个方面，提供了一种IGBT过流保护电路，包括解耦保护电路、基准电平生成电路、故障信号生成电路和硬件封锁电路；
所述解耦保护电路分别连接IGBT下管的栅极和漏极，根据采集的IGBT下管的栅极电压和漏极电压生成保护电压信号；
所述基准电平生成电路用于提供基准电压信号；
所述故障信号生成电路分别连接解耦保护电路、基准电平生成电路和硬件封锁电路，将解耦保护电路提供的所述保护电压信号与基准电平生成电路提供的所述基准电压信号进行比较，当保护电压信号的值大于基准电压信号时形成故障信号并发送给硬件封锁电路；
所述硬件封锁电路与IGBT下管的栅极相连，在所述故障信号的触发下将所述IGBT下管的栅极电压钳位至下管驱动电源的负电源，使IGBT下管关断。
优选的，上述IGBT过流保护电路，所述解耦保护电路包括第一二极管D1、第一电阻R1、第二二极管D2、第四电阻R4、第三二极管D3、第五电阻R5；
所述第一二极管D1的负极连接IGBT下管的漏极，负极通过所述第一电阻R1连接第二二极管D2的正极；所述第二二极管D2的负极输出保护电压信号；
所述第四电阻R4与第三二极管D3并联，第四电阻R4的第一端及第三二极管D3的正极与第一二极管D1的正极相连，第四电阻R4的第二端及第三二极管D3的负极连接IGBT下管的栅极；
所述第五电阻R5的第一端连接下管驱动电源的负电源，第二端与第二二极管D2的正极相连。
优选的，上述IGBT过流保护电路，所述解耦保护电路具有三种工作模式：
当IGBT下管不动作时，IGBT下管的漏极电压将第一二极管D1击穿，第四电阻R4连接下管驱动电源的负电源进行钳位；第一二极管D1的击穿能量通过第三二极管D3和第五电阻R5向下管驱动电源的负电源进行泄放；第二二极管D2输出的保护电压信号被限位至(-V2-VD2+X)；其中，-V2表示下管驱动电源的负电源，VD2表示第二二极管D2的导通电压，X的大小取决于第一电阻R1、第四电阻R4和第五电阻R5的阻值；
当IGBT下管动作且不发生短路时，IGBT下管的漏极电压为其导通压降，第一二极管D1未被击穿，第四电阻R4的第二端及第三二极管D3的负极连接下管驱动电源的正电源，第二二极管D2输出的保护电压信号被限位至(-V2-VD2)；
当IGBT下管动作且发生短路时，IGBT下管的漏极电压将第一二极管D1击穿，第四电阻R4的第二端及第三二极管D3的负极连接下管驱动电源的正电源，第一二极管D1的击穿能量通过第五电阻R5向下管驱动电源的负电源进行泄放；第二二极管D2输出的保护电压信号被限位至(V2+X*Y/Udc-VD2)；其中，V2表示下管驱动电源的正电源，Udc表示母线电压，Y表示IGBT下管的漏极电压。
优选的，上述IGBT过流保护电路，所述基准电压生成电路包括第二电阻R2和第五二极管D5；所述第二电阻R2的一端下管驱动电源的参考电压，另一端与第五二极管D5的负极相连；所述第五二极管D5的正极连接下管驱动电源的负电源。
优选的，上述IGBT过流保护电路，所述故障信号生成电路包括第一比较器、第八电阻、第六二极管和第九电阻；
所述第一比较器的正相输入端用以接收保护电压信号，反相输入端用以接收基准电压信号；
所述第八电阻、第六二极管串接在第一比较器的正相输入端与输出端之间，第一比较器的输出端输出的故障电压信号被传输给去干扰电路，所述故障电压信号经第九电阻转换为对应的故障电流信号并传输给硬件封锁电路。
优选的，上述IGBT过流保护电路，所述硬件封锁电路包括第一三极管Q1、第二十一电阻R21、MOS管Q3、第十八电阻R18、第七电容C7；
所述第一三极管Q1的基极接收故障信号生成电路输出的故障信号，集电极接收下管驱动电源的参考电压，发射极通过所述第二十一电阻R21连接下管驱动电源的负电源；
所述MOS管Q3的栅极连接第一三极管Q1的发射极，源极连接下管驱动电源的负电源，漏极依次串接第十八电阻R18、第七电容C7后与IGBT下管的栅极相连。
优选的，上述IGBT过流保护电路还包括滤波电路；所述滤波电路的输入端连接解耦保护电路，输出端连接故障信号生成电路；
该滤波电路对解耦保护电路输出的保护电压信号进行滤波和分压处理，以输出与故障信号生成电路的输入电阻范围相匹配的保护电压信号。
优选的，上述IGBT过流保护电路，所述滤波电路包括第十电阻R10、第五电容C5、第十三电阻R13、第十一电阻R11；
所述第十电阻R10的第一端连接解耦保护电路的输出端，接收保护电压信号，第二端连接第十一电阻R11；所述第十一电阻R11的另一端作为滤波电路的输出端；
所述第五电容C5与第十三电阻R13并联后，其一端连接第十电阻R10的第二端，另一端连接IGBT下管的栅极；
其中，第十电阻R10、第五电容C5、第十三电阻R13构成一阶RC滤波电路和电阻分压电路，将解耦保护电路输出的保护电压信号进行滤波和分压处理；第十一电阻R11为输出匹配电阻，确保输出的保护电压信号与故障信号生成电路的输入电阻范围相匹配。
优选的，上述IGBT过流保护电路还包括控制器和复位电路；
所述控制器连接故障信号生成电路，根据故障信号生成电路输出的故障信号生成复位信号并发送给复位电路；
所述复位电路的输出端连接故障信号生成电路，根据所述复位信号将故障信号生成电路中的保护电压信号钳位至下管驱动电源的负电源，使故障信号的能量向下管驱动电源的负电源进行泄放，以解除故障信号。
优选的，上述IGBT过流保护电路，所述复位电路包括光耦和第二三极管Q2；
所述光耦的第一输入端接收控制器输出的复位信号，第二输入端接地，第一输出端连接第二三极管Q2的基极，第二输出端连接第二三极管Q2的发射极；所述第二三极管Q2的发射极连接下管驱动电源的负电源，集电极连接故障信号生成电路中第一比较器的正相输入端。
优选的，上述IGBT过流保护电路还包括去干扰电路；
所述去干扰电路用于将故障信号生成电路输出的故障信号与基准电压信号进行比较，将比较结果作为有效的故障信号发送给控制器。
优选的，上述IGBT过流保护电路，所述去干扰电路包括第十六电阻R16、第六电容C6和第二比较器U1B；
所述第十六电阻R16、第六电容C6构成一阶RC低通滤波电路，对故障信号生成电路产生的故障电压信号进行滤波；
所述第二比较器U1B的正相输入端用以接收滤波处理后的故障电压信号，反相输入端用以接收基准电压信号，输出端连接控制，以将有效的故障信号发送给控制器。
优选的，上述IGBT过流保护电路还包括IGBT驱动电路，用于控制IGBT上管、IGBT下管的开通与关断；
所述IGBT驱动电路包括第一电容C1、第三电阻R3、第四二极管D4、第七电阻R7、第二电容C2和第六电阻R6；
其中，所述第一电容C1、第三电阻R3并联连接构成IGBT开通电路，用以调节IGBT开通速度；所述第七电阻R7与第四二极管D4串联连接后与第一电容C1、第三电阻R3并联，第七电阻R7、第四二极管D4串联构成IGBT关断电路；第一电容C1、第三电阻R3和第七电阻R7的公共连接端与IGBT上管或IGBT下管的栅极相连；
所述第二电容C2与第六电阻R6并联连接后，其第一端连接第一电容C1、第三电阻R3和第七电阻R7的公共连接端，第二端接地，第三端与IGBT上管或IGBT下管的源极相连；
第六电阻R6和第二电容C2构成IGBT内部容感网络补偿电路，用以调节IGBT上管或IGBT下管的开关波形并保证IGBT上管或IGBT下管可靠关断。
总体而言，通过本发明所构思的以上技术方案与现有技术相比，能够取得下列有益效果：
本发明提供的IGBT过流保护电路，采用分离的模拟电路器件配置可解耦的过流保护电路的三种工作模式，在IGBT发生过流故障时、正常工作时、不工作时的三种现实工况中灵活切换，在不使用驱动芯片的情况下实现过流保护，并可通过调节电路参数及二极管选型来调节执行电压范围和设置响应时间值。
附图说明
图1是常见的变频器的功率电路图；
图2是本发明实施例提供的第一种IGBT过流保护电路的组成结构示意图；
图3是本发明实施例提供的上管驱动电路和下管驱动电路的电路结构示意图；
图4是本发明实施例提供的解耦保护电路的结构示意图；
图5是本发明实施例提供的解耦保护电路的三种不同工作模式示意图；
图6是本发明实施例提供的滤波电路的结构示意图；
图7是本发明实施例提供的基准电压生成电路的结构示意图；
图8是本发明实施例提供的故障信号生成电路的结构示意图；
图9是本发明实施例提供的硬件封锁电路的结构示意图；
图10是本发明实施例提供的第二种IGBT过流保护电路的组成结构示意图；
图11是本发明实施例提供的复位电路的结构示意图；
图12是本发明实施例提供的去干扰电路的结构示意图；
图13是并联驱动时的变频器半桥驱动信号位置示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。此外，下面所描述的本发明各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。
图1为常见的变频器的功率电路图，参见图1，选取针对A相半桥的上下管设计的IGBT过流保护电路作为示例进行说明，该IGBT过流保护电路需要使用A相半桥的上下管的状态信号D1(上管漏极电压信号)、G1(上管栅极电压信号)、S1(上管源极电压信号)、D2(下管漏极电压信号)、G2(下管栅极电压信号)、S2(下管源极电压信号)。
图2是本实施例提供的一种IGBT过流保护电路的组成结构示意图，如图2所示，该IGBT过流保护电路包括上管驱动电路和下管驱动电路，上管驱动电路用于控制IGBT上管的开通与关断，下管驱动电路用于控制IGBT下管的开通与关断。
图3是本实施例提供的上管驱动电路和下管驱动电路的电路结构示意图，如图3所示，上管驱动电路和下管驱动电路的拓扑结构相同，下面以上管驱动电路为例进行说明。
上管驱动电路包括第一电容C1、第三电阻R3、第四二极管D4、第七电阻R7、第二电容C2和第六电阻R6；
其中，第一电容C1、第三电阻R3并联连接构成IGBT开通电路，用以调节IGBT开通速度；第七电阻R7与第四二极管D4串联连接后与第一电容C1、第三电阻R3并联，第七电阻R7、第四二极管D4串联构成IGBT关断电路；其中，第四二极管D4优选采用100ns响应级以下的肖特基二极管。第一电容C1、第三电阻R3和第七电阻R7的公共连接端与IGBT上管的栅极相连；
第二电容C2与第六电阻R6并联连接后，其第一端连接第一电容C1、第三电阻R3和第七电阻R7的公共连接端，第二端接地，第三端与IGBT上管的源极相连；第六电阻R6和第二电容C2构成IGBT内部容感网络补偿电路，用以调节IGBT上管的开关波形并保证驱动信号G1高阻时，IGBT上管可靠关断。
作为过流保护的核心部分，该IGBT过流保护电路还包括解耦保护电路、基准电平生成电路、故障信号生成电路和硬件封锁电路；
其中，解耦保护电路用于采集IGBT下管的栅极电压和漏极电压，根据该栅极电压、漏极电压生成保护电压信号；
基准电平生成电路用于提供基准电压信号；
故障信号生成电路用于将保护电压信号与基准电压信号进行比较，当保护电压信号的值大于基准电压信号时形成故障信号；
硬件封锁电路用于在故障信号的触发下将所述IGBT下管的栅极电压钳位至下管驱动电源的负电源，使IGBT下管关断，实现过流保护。
图4是本实施例提供的解耦保护电路的结构示意图，参见图4，该解耦保护电路包括第一二极管D1、第一电阻R1、第二二极管D2、第四电阻R4、第三二极管D3、第五电阻R5；
第一二极管D1的负极连接IGBT下管的漏极，负极通过第一电阻R1连接第二二极管D2的正极；所述第二二极管D2的负极输出保护电压信号SignalA；
第四电阻R4与第三二极管D3并联，第四电阻R4的第一端及第三二极管D3的正极与第一二极管D1的正极相连，第四电阻R4的第二端及第三二极管D3的负极连接IGBT下管的栅极；
第五电阻R5的第一端连接下管驱动电源的负电源，第二端与第二二极管D2的正极相连。
参见图5，本实施例中，解耦保护电路具有三种工作模式：
工作模式1：当IGBT下管不动作时，此时IGBT下管的漏极电压VD2的电压值接近母线电压的电压值Udc，IGBT下管的漏极电压将第一二极管D1击穿，第四电阻R4连接下管驱动电源的负电源-V2进行钳位；通过R4和R1的分压调节，保证状态信号S的电压值不至达到保护限制电压值。第一二极管D1的击穿能量通过第三二极管D3和第五电阻R5向下管驱动电源的负电源进行泄放；最终，状态信号S的电压值被限位至-V2+X附近，第二二极管D2输出的保护电压信号SignalA被限位至(-V2-VD2+X)；其中，-V2表示下管驱动电源的负电源，VD2表示第二二极管D2的导通电压，X的大小取决于第一电阻R1、第四电阻R4和第五电阻R5的阻值；
工作模式2：当IGBT下管动作且不发生短路时，IGBT下管的漏极电压VD2为IGBT导通时的导通压降，一般很小接近于0，使IGBT下管的漏极电压VD2的电压值接近下管驱动电源的参考值Ground2，此时第一二极管D1未被击穿，第四电阻R4的第二端及第三二极管D3的负极连接下管驱动电源的正电源，状态信号S的电压值接近下管驱动电源的负电源-V2，第二二极管D2输出的保护电压信号SignalA被限位至(-V2-VD2)；
工作模式3：当IGBT下管动作且发生过流短路时，需要向控制器MCU发出需要进行过流保护的信息；此时IGBT下管的漏极电压VD2为小于母线电压Udc的某一较大值Y，第一二极管D1被击穿，第四电阻R4的第二端及第三二极管D3的负极连接下管驱动电源的正电源，第一二极管D1的击穿能量通过第五电阻R5向下管驱动电源的负电源进行泄放；最终，状态信号S的电压值限位至(V2+X*Y/Udc)，第二二极管D2输出的保护电压信号被限位至(V2+X*Y/Udc-VD2)；其中，V2表示下管驱动电源的正电源，Y表示IGBT下管的漏极电压。
综上，在正常工作情况下，解耦保护电路的工作状态在工作模式1与工作模式2之间进行切换，SignalA处的保护电压信号在(-V2-VD2)至(-V2-VD2+X)间变化。
本实例的电路应用条件[母线电压UDC：600V、下管驱动正电源V2(相对于参考电压Ground2)：15V)、下管驱动负电源-V2(相对于参考电压Ground2)：-4V、第二二极管D2的导通电压VD2：0.3V]；
本实例中，通过配置第一电阻R1、第四电阻R4和第五电阻R5的电阻值，将X配置为6V，则正常工作情况时SignalA处的保护电压信号在-4.3V至1.7V(参考与Ground2)间变化。
若在IGBT开通时发生过流故障，则解耦保护电路工作在模式3，此时SignalA处的保护电压信号被限位至15.6V。
通过本发明的电路拓扑配置方式，将保护电压信号SignalA根据IGBT的工作情况划分了明确的电压区域。
作为一个优选的示例，该IGBT过流保护电路还包括滤波电路；该滤波电路用于对解耦保护电路输出的保护电压信号SignalA进行滤波和分压处理，以输出与故障信号生成电路的输入电阻范围相匹配的保护电压信号A。
图6是本实施例提供的滤波电路的电路结构示意图，参见图6，该滤波电路包括第十电阻R10、第五电容C5、第十三电阻R13、第十一电阻R11；
第十电阻R10的第一端连接解耦保护电路的输出端，接收保护电压信号SignalA，第二端连接第十一电阻R11；第十一电阻R11的另一端作为滤波电路的输出端；
第五电容C5与第十三电阻R13并联后，其一端连接第十电阻R10的第二端，另一端连接IGBT下管的栅极；
其中，第十电阻R10、第五电容C5、第十三电阻R13构成一阶RC滤波电路和电阻分压电路，将解耦保护电路输出的保护电压信号SignalA进行滤波和分压处理；第十一电阻R11为输出匹配电阻，确保输出的保护电压信号A与故障信号生成电路的输入电阻范围相匹配。
作为一个具体的示例，滤波电路通过电阻R10、电阻R13、电容C5对保护电压信号SignalA进行分压滤波，R10的阻值等于R13，R11看作为下级比较器电路的驱动电阻，此时滤波电路输出的信号A在正常工作情况下电压值为-2.15V至0.85V，在故障时电压值为7.8V，在模式过渡情况下，滤波后的保护电压信号的电压值在上述三个电压值间进行过渡，过渡范围为(-2.15V至7.8V)。
图7是本实施例提供的基准电压生成电路的电路结构示意图，参见图7，该基准电压生成电路用来设置电压阈值范围，其包括第二电阻R2和第五二极管D5；第二电阻R2的一端下管驱动电源的参考电压，另一端与第五二极管D5的负极相连；第五二极管D5的正极连接下管驱动电源的负电源-V2，该第五二极管D5为稳压二极管，通过第二电阻R2和稳压二极管D5产生相对于Ground2的基准电压信号B(如3V)。
图8是本实施例提供的故障信号生成电路的电路结构示意图，参见图8，该故障信号生成电路包括运算放大器U1A、第八电阻R8、第六二极管D6和第九电阻R9；
运算放大器U1A的正相输入端用以接收保护电压信号A，反相输入端用以接收基准电压信号B；当保护电压信号A的电压值大于基准电压信号B时认为发生了过流故障；
第八电阻R8、第六二极管D6串接在运算放大器U1A的正相输入端与输出端之间，运算放大器U1A的输出端输出故障电压信号C，该故障电压信号C经第九电阻R9转换为对应的故障电流信号Fault2并传输给硬件封锁电路。
图9是本实施例提供的硬件封锁电路的电路结构示意图，参见图9，该硬件封锁电路包括第一三极管Q1、第二十一电阻R21、MOS管Q3、第十八电阻R18、第七电容C7；
第一三极管Q1的基极接收故障信号生成电路输出的故障电流信号Fault2，集电极接收下管驱动电源的参考电压Ground2，发射极通过第二十一电阻R21连接下管驱动电源的负电源-V2；
MOS管Q3的栅极连接第一三极管Q1的发射极，源极连接下管驱动电源的负电源-V2，漏极依次串接第十八电阻R18、第七电容C7后与IGBT下管的栅极相连。
故障信号生成电路输出的故障电流信号Fault2驱动硬件封锁电路，使电路中第一三极管Q1导通，通过电阻R21使MOS管Q3的栅极电压为5V2，MOS管Q3导通，将下管栅极信号钳位至-V2，保证下管关断，实现了先于向控制器MCU发送最终确认信号前先将IGBT管关断，保证了IGBT的安全性，不至损坏。其中，R18和C7的作用是实现软关断，不至产生过大电压尖峰使IGBT损坏。
本实施例中，通过调节解耦保护电路中的电阻R4、R1、R5的阻值大小来改变保护执行电压的范围，通过调整故障信号生成电路中的R9、以及硬件封锁电路中的R21和R18的阻值大小来设置响应时间。
参见图10，作为一个优选的实施例，上述IGBT过流保护电路还包括控制器MCU和复位电路；
其中，控制器MCU用于根据故障信号生成电路输出的故障电压信号C生成复位信号并将其发送给复位电路；
复位电路用于根据复位信号将故障信号生成电路中的保护电压信号钳位至下管驱动电源的负电源-V2，使故障信号的能量向下管驱动电源的负电源进行泄放，以解除故障信号。
图11是本实施例提供的复位电路的电路结构示意图，参见图11，该复位电路包括光耦U507和第二三极管Q2；
其中，光耦U507的第一输入端1接收控制器MCU输出的复位信号RESET_Sig，第二输入端2接地，第一输出端4连接第二三极管Q2的基极，第二输出端5连接第二三极管Q2的发射极；第二三极管Q2的发射极连接下管驱动电源的负电源-V2，集电极连接故障信号生成电路中运算放大器U1A的正相输入端。
在控制器MCU尝试进行软件复位时，若过流故障已消失，复位电路将MCU发送的故障指令RESET_Sig通过电阻R19、电容C8、光耦U507和电阻R17、电阻R20、电容C9传输给三极管Q2，将三极管Q2导通，此时保护电压信号A被拉低至-V2，故障信号生成电路中的故障电压信号C通过电阻R8和二极管D6，将能量向下管驱动电源的负电源-V2进行泄放，使故障电压信号C最终跌落至-V2，从而将过流故障解除。
进一步的，为了避免干扰的影响，本实施例提供的IGBT过流保护电路还包括去干扰电路；该去干扰电路用于将故障信号生成电路输出的故障电压信号与基准电压信号进行比较，将比较结果作为有效的故障信号发送给控制器。
图12是本实施例提供的去干扰电路的电路结构示意图，参见图12，该去干扰电路包括第十六电阻R16、第六电容C6和第二比较器U1B；
第十六电阻R16、第六电容C6构成一阶RC低通滤波电路，对故障信号生成电路产生的故障电压信号C进行滤波；
比较器U1B的正相输入端用以接收滤波处理后的故障电压信号C，反相输入端用以接收基准电压信号B，输出端连接控制器MCU，以将有效的故障信号D(高电平有效)发送给控制器，确认发生了过流故障。
图13是并联驱动时的变频器半桥驱动信号位置示意图，如图13所示，多管并联时，将下管状态信号D2分离为D21和D22，按照上述解耦保护电路的结构，针对D21、G2、S2和D22、G2、S2分别搭建相同的IGBT过流保护电路，其中的解耦保护电路、基准电平生成电路、故障信号生成电路、硬件封锁电路等电路结构、信号处理方式与上文所述完全相同，多个IGBT过流保护电路使用同一个控制器MCU，并通过或门向控制器MCU发送故障信号。
本领域的技术人员容易理解，以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。