一种宽禁带功率器件的多梯级驱动控制方法

文档序号:750173 发布日期:2021-04-02 浏览:7次 >En<

阅读说明:本技术 一种宽禁带功率器件的多梯级驱动控制方法 (Multi-step driving control method of wide bandgap power device ) 是由 董振邦 曹萌萌 邱冬 赖勇 史文萍 于 2020-12-07 设计创作,主要内容包括:本发明一种宽禁带功率器件的多梯级驱动控制方法涉及的是控制方法,尤其是一种优化宽禁带功率器件开关性能的多梯级驱动控制方法。包括应用于器件开通过程的开通方法和应用于器件关断过程的关断方法。实现该方法的多梯级驱动电压控制系统,包含MCU微处理器、多梯级电平器和功率放大器;MCU微处理器用于产生梯级驱动电压的触发脉冲信号,多梯级电平器用于预设多梯级驱动电压,功率放大器对被触发的梯级驱动电压进行功率放大。本发明能够实现器件开关速度的可调节,降低器件保护的设计难度,提升器件工作安全区的利用;有效降低器件开关过程中,电压电流尖峰,减轻电压电流的振荡现象,提高器件利用的安全性能,进而提升了高压大容量电力电子装置的安全性。(The invention discloses a multi-step driving control method of a wide bandgap power device, relates to a control method, and particularly relates to a multi-step driving control method for optimizing the switching performance of the wide bandgap power device. Including turn-on methods applied to device turn-on processes and turn-off methods applied to device turn-off processes. The multi-step driving voltage control system for realizing the method comprises an MCU microprocessor, a multi-step level device and a power amplifier; the MCU microprocessor is used for generating a trigger pulse signal of the step driving voltage, the multi-step level device is used for presetting the multi-step driving voltage, and the power amplifier is used for carrying out power amplification on the triggered step driving voltage. The invention can realize the adjustment of the switching speed of the device, reduce the design difficulty of the device protection and improve the utilization of the working safety area of the device; effectively reduce the device switching in-process, the voltage current peak alleviates voltage current&#39;s oscillation phenomenon, improves the security performance that the device utilized, and then has promoted high voltage large capacity power electronic device&#39;s security.)

一种宽禁带功率器件的多梯级驱动控制方法

技术领域

本发明一种宽禁带功率器件的多梯级驱动控制方法涉及的是控制方法,尤其是一种优化宽禁带功率器件开关性能的多梯级驱动控制方法。

背景技术

在硅基器件逐渐难以突破其物理局限时,宽禁带功率半导体器件应运而生。作为新型的第三代功率半导体器件,具有大功率、高压、高温、低开关损耗等优点。随着电网趋向特高压、大容量、远距离且具有智能性等方向的发展,对高性能电力电子装置的需求也越来越紧迫。宽禁带功率器件应用于电力系统高压大容量电力电子装置时,可以减少功率模块的级联数量,优化系统的拓扑结构,减小电力电子装置的占用空间,实现紧凑化结构设计,提高设备利用效率。

然而宽禁带功率器件由于高开关速度的特性,在开关过程中会产生电压电流尖峰和振荡严重等现象,这会影响器件的有效利用和电力设备的安全稳定性。主要问题在于,当前宽禁带功率器件的驱动方式仍然借鉴传统硅基器件的驱动形式,采用直接脉冲式触发,而未考虑新型器件的开关特点,进行符合器件本身的驱动设计。

发明内容

本发明的目的是针对上述不足之处提供一种宽禁带功率器件的多梯级驱动控制方法,是一种结合宽禁带器件本身的开关特性,从驱动方式切入,提出符合新型器件的多梯级驱动控制方法;在宽禁带功率器件的开关过程中,进行多梯级驱动控制,进而改变器件的开关速度即di/dt和dv/dt的变化,从而提高其器件性能。

实现本发明宽禁带功率器件的多梯级驱动控制方法的多梯级驱动电压控制系统,包含MCU(微处理器)、多梯级电平器和功率放大器。该系统的运行逻辑关系为微处理器发出触发脉冲,对多梯级电平器中的梯级电压进行触发控制,然后将被触发的梯级电压送到功率放大器,对梯级电压进行功率放大后得到功率器件的栅极驱动电压。

所述多梯级驱动电压控制系统由功率器件端向其上游控制端逆向设计,首先根据所使用的SiCMOS管(宽禁带功率器件)器件的开关特性,确定采用梯级驱动电压的梯级数,然后对多梯级电平器进行设计;再根据设定的多梯级驱动电压幅值,对多梯级电平器中的电平电源进行相应设计。多梯级电平器中梯级电压的持续时间,无需在多梯级电平器中单独设计,其可以由微处理器对下一个触发脉冲信号的延时得到。微处理器发出触发脉冲对多梯级电平器中的电平进行触发控制,这需要对触发脉冲信号进行程序设计,给定脉冲信号的时序。

一种宽禁带功率器件的多梯级驱动控制方法,包括应用于器件开通过程的开通方法和应用于器件关断过程的关断方法。

所述开通方法包括如下步骤:

S1-1、在多梯级电平器中对多梯级驱动控制系统的梯级电压进行n次分级,分级后的梯级电压Vn∈(Vth,Vgon),其中n为正整数,Vth为器件的阈值电压,Vgon是器件的正向驱动电压,实现对器件开通过程中漏极电流id的变化率di/dt及其振荡的调节控制;

S1-2、在器件开通过程中,梯级电压的维持时间通过在微处理器中进行控制程序设定,延迟下一梯级电压的脉冲触发信号得到;

S1-3、对步骤S1-1中的漏极电流id的变化率di/dt、漏极电流峰值Ip和电流振荡调节时间tson进行测量,与常规驱动时的对应值进行比较,选取较优值,确定n的取值及梯级驱动电压的幅值,其中n为正整数。所述对应值表示常规的漏极电流变化率、峰值和电流振荡调节时间。

在步骤S1-1中,设定多梯级驱动电压控制系统中多梯级电平器的第一个梯级驱动电压V1,该第一个梯级驱动电压V1的电压值应大于器件的阈值电压Vth

在步骤S1-2中,梯级电压的维持时间在控制程序中的设定依据如公式(1)所示:

式中,τ=Rg*Ciss,Rg为器件的驱动电阻,Ciss为器件的输入电容,Vn为第n梯级的驱动电压,Tn为梯级驱动电压Vn的维持时间,Vno为第n个梯级电压时器件的初始栅源极电压,Vnn为第n个梯级电压时器件的终时栅源极电压,n为正整数。

所述关断方法包括如下步骤:

S2-1、在多梯级电平器中对多梯级驱动控制系统的梯级电压进行m次分级,梯级电压Vm∈(Vgoff,Vmiller),其中m为正整数,Vmiller是米勒平台电压,Vgoff为负向驱动电压,实现对关断过程漏源极电压Vds的变化率dv/dt及其振荡的调节控制;

S2-2、在器件关断过程中,梯级电压的维持时间通过在微处理器中进行控制程序设定,延迟下一梯级电压的脉冲触发信号得到;

S2-3、对步骤S2-1中的漏源极电压Vds的变化率dv/dt、峰值Vp和电压振荡调节时间tsoff进行测量,与常规驱动时的对应值进行比较,选取较优值,确定m的取值及梯级驱动电压的幅值。所述对应值表示常规的漏源极电压变化率、峰值和电压振荡调节时间。

在步骤S2-1中,设定多梯级驱动电压控制系统中多梯级电平器的第m个梯级驱动电压Vm,第m个梯级驱动电压Vm的电压值应小于器件的米勒平台电压Vmiller

在步骤S2-2中,梯级电压的维持时间在控制程序中的设定依据如公式(2)所示。

式中,Vm为第m梯级的驱动电压,Tm为梯级驱动电压Vm的维持时间,Vmo为第m个梯级电压时器件的初始栅源极电压,Vmm为第m个梯级电压时器件的终时栅源极电压,m为正整数。

本发明技术方案,具有如下优点:

1、本发明能够结合宽禁带功率器件具有高速开关过程的特性,以驱动控制为切入点,进行符合器件自身开关特点的驱动控制设计,实现器件开关速度的可调节,降低器件保护的设计难度,提升器件工作安全区的利用。

2、本发明通过在宽禁带功率器件的开通和关断过程中,采取多梯级驱动控制方法,能够有效降低器件开关过程中,电压电流尖峰,减轻电压电流的振荡现象,提高器件利用的安全性能,进而提升了高压大容量电力电子装置的安全性。

附图说明

以下将结合附图对本发明做进一步说明:

图1是实现本发明控制方法的多梯级驱动电压控制系统实施例图;

图2是本发明控制方法的工作原理图;

图3是本发明控制方法与常规驱动开关过程对比示意图;

图4是两梯级驱动与常规驱动开关过程电压电流的对比波形图。

具体实施方式

下面结合附图1~4和具体实施例对本发明做详细说明。

实现本发明宽禁带功率器件的多梯级驱动控制方法的多梯级驱动电压控制系统,包含MCU(微处理器)、多梯级电平器和功率放大器。在微处理器中进行控制程序设定,产生触发梯级电压的脉冲信号;并传送到多梯级电平器,通过在多梯级电平器中预设多梯级驱动电压,接收到触发脉冲信号时能够正确选取梯级驱动电压;功率放大器对被触发的梯级驱动电压进行功率放大,得到功率器件的栅极驱动电压。

如图1中的MCU(微处理器)提供驱动电压的脉冲信号。V1、V2、V3…Vn(V1、V2、V3…Vm)是多梯级驱动电压每一梯级的电压幅值,T1、T2、T3…Tn(T1、T2、T3…Tm)是多梯级驱动电压每一梯级电压幅值的维持时间。SiCMOS管是典型的宽禁带功率器件,也是目前应用于高压大容量电力电子装置的首选第三代功率半导体器件。

图2是本发明控制方法的多梯级驱动的工作原理图,其中Ug为器件的栅极电压,Vgon为正向驱动电压,Vgoff为负向驱动电压。图中的梯级数、每一梯级的电压幅值及其维持时间可根据器件自身开关特性和实际使用条件进行设定。

图3是本发明控制方法的多梯级驱动与常规驱动开关过程对比示意图。图3(a)中id为器件漏极电流,I0为负载电流;图3(b)中Vds为器件漏源极电压,Udc为直流母线电压。从示意图中可以看出,采用多梯级驱动控制方法,能够有效降低器件开关过程中的电压电流尖峰等问题,提高器件的使用性能。

图4中,分别是常规驱动时器件的电压电流波形,以及本发明采用两梯级驱动时器件的电压电流波形。从电压电流波形对比中可以看出,采用梯级驱动控制方法,能够有效改善器件的开关性能。

具体实施例:

功率器件的开关过程,本质上是不同极间电容的充放电过程,而电容两端电压差的变化则是影响其充放电快慢的关键因素,本发明正是利用电容的这一特性进行设计的。

下面以CAS300M17BM2型SiCMOSFET半桥模块器件为例进行两梯级驱动电压控制实施例的说明。在该器件的开关过程中,对其驱动电压进行两梯级设计。触发信号由MCU(微处理器)发出,对两梯级电平器中的电压进行选择触发。该电压包含两个要素,分别是其电压幅值和该电压的维持时间。

在开通过程中,梯级电压要大于器件的阈值电压Vth(2.5V),并且小于正向驱动电压Vgon(20V),将该梯级电压预设为10V。经核算,在微处理器中,对该梯级电压的维持时间程序设定为200ns。

在关断过程中,梯级电压要小于器件的米勒平台电压Vmiller(8V),并且大于正向驱动电压Vgoff(-5V),将该梯级电压预设为0V。经核算,在微处理器中,同样对该梯级电压的维持时间程序设定为200ns。

表1两梯级驱动与常规驱动开通过程参数对比

di/dt(kA/us) I<sub>p</sub>/A t<sub>son</sub>/ns
常规驱动 4.98 270 2520
两梯级驱动 1.78 220 1404

表2两梯级驱动与常规驱动关断过程参数对比

dv/dt(kA/us) V<sub>p</sub>/A t<sub>soff</sub>/ns
常规驱动 15.23 1060 3880
两梯级驱动 7.61 950 2464

表1和表2分别是采用两梯级驱动与常规驱动开关过程参数的对比结果。表1中Ip为SiCMOSFET开通过程中漏极电流id的尖峰值,tson为漏极电流振荡的调节时间;表2中Vp为SiCMOSFET开通过程中漏源极电压Vds的尖峰值,tsoff为漏源极电压振荡的调节时间。从表1中可以看出di/dt降低了64.3%,电流峰值减小了18.52%,电流振荡的调节时间减少了44.3%;从表2中可以看出dv/dt降低50%,电压峰值减小10.4%,电压振荡调节时间减少36.5%。

综合表1和表2的对比结果以及图4中的电压电流对比波形可以看出,多梯级驱动控制方法能够有效控制宽禁带功率器件的开关速度,降低器件的保护设计要求,提升器件的安全使用性能。

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