会聚离子束装置
阅读说明：本技术 会聚离子束装置 (Converging ion beam device ) 是由 石井晴幸 上本敦 麻畑达也 于 2020-09-25 设计创作，主要内容包括：提供如下的会聚离子束装置：能够针对会聚离子束的多个照射位置,分别自动且高精度地与共心高度对齐。会聚离子束装置具有电子束镜筒、会聚离子束镜筒、以及能够以倾斜轴为中心倾斜且能够沿高度方向移动的试样载台,其中,会聚离子束装置还具有：坐标取得单元,在试样上指定了照射会聚离子束的多个照射位置时,其取得各照射位置的平面坐标；移动量计算单元,其根据平面坐标,针对各照射位置计算使所述试样载台移动到共心高度以使所述共心高度与如下的交叉位置一致的移动量,所述交叉位置是电子束和会聚离子束一致的位置；以及试样载台移动控制单元,其针对各照射位置,根据移动量使试样载台移动到共心高度。(Providing a converging ion beam apparatus as follows: the plural irradiation positions of the converged ion beam can be automatically and highly accurately aligned with the center of the ion beam. The focused ion beam apparatus includes an electron beam column, a focused ion beam column, and a sample stage that can be tilted about a tilt axis and can be moved in a height direction, and includes: a coordinate acquisition unit which acquires plane coordinates of each irradiation position when a plurality of irradiation positions for irradiating the focused ion beam are designated on the sample; a movement amount calculation unit that calculates, for each irradiation position, a movement amount by which the sample stage is moved to a concentric height so that the concentric height coincides with an intersection position where the electron beam and the focused ion beam coincide, based on the plane coordinates; and a sample stage movement control unit that moves the sample stage to the concentric height in accordance with the movement amount for each irradiation position.)
技术领域
本发明涉及具有电子束镜筒和会聚离子束镜筒的会聚离子束装置。
背景技术
以往，使用如下的FIB-SEM装置：针对扫描型电子显微镜(SEM)，进一步安装了对试样照射会聚离子束(FIB)而形成截面的会聚离子束镜筒。由此，从SEM对利用会聚离子束加工后的截面照射电子束，能够在一个装置内进行试样的截面加工、并在该装置内进行截面的观察或测定。
另外，在使用FIB装置通过载台驱动使试样倾斜来进行试样的特定位置的加工或观察的情况下，有时会由于倾斜动作而使特定位置从视野偏离。
因此，开发了如下的FIB装置：具有在共心高度配置试样的载台机构，使得不会因倾斜动作使特定位置从视野偏离(专利文献1)。
这里，“共心高度”是在试样载台上载置了试样的状态下、即使在观察时使试样倾斜、观察像上的特定位置也不会发生移动时的试样载台的高度。在FIB-SEM装置的情况下，对该载台的高度进行调整，以使会聚离子束和电子束的交叉位置与处于共心高度的载台上的试样位置(共心位置)一致。即，共心位置是在共心高度中加上了试样的厚度(在使用试样保持架的情况下还加上试样保持架的厚度)而得到的高度。
由此，即使一边进行倾斜动作一边进行试样的特定位置的FIB加工和SEM观察，在倾斜动作的前后，特定位置也不会从FIB和SEM的视野偏离。由此，能够高效地进行加工观察。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2016-72089号公报
发明内容
发明要解决的课题
但是，在利用会聚离子束对试样进行加工时，存在希望在试样表面的多个位置进行加工这样的期望，每当使试样载台移动到各位置时都要使试样载台的倾斜轴与共心高度对齐是烦杂的。
此外，有时会视作在最初的位置对齐的共心高度在其他位置也是不变的，并在这一前提下进行测定。但是，共心高度会由于试样的凹凸等而变化，因此，在使试样倾斜时，对象部位可能从视野偏离。
本发明正是为了解决上述课题而完成的，其目的在于，提供如下的会聚离子束装置：针对会聚离子束在试样上的多个照射位置中的各个照射位置，能够使它们自动且高精度地与共心高度对齐。
用于解决课题的手段
为了实现上述目的，本发明的会聚离子束装置具有：电子束镜筒，其用于对试样照射电子束；会聚离子束镜筒，其用于对所述试样照射会聚离子束；以及试样载台，其直接或间接地载置所述试样，能够以与所述电子束和所述会聚离子束正交的倾斜轴为中心倾斜，并且能够沿高度方向移动，其特征在于，所述会聚离子束装置还具有：坐标取得单元，在针对所述试样指定了照射所述会聚离子束的多个照射位置时，该坐标取得单元取得各照射位置的平面坐标；移动量计算单元，其根据所述平面坐标，针对所述各照射位置计算使所述试样载台移动到共心高度Zs以使所述共心高度Zs与如下的交叉位置一致的移动量，所述交叉位置是所述电子束和所述会聚离子束一致的位置；以及试样载台移动控制单元，其针对所述各照射位置，根据所述移动量使所述试样载台移动到共心高度Zs。
根据该会聚离子束装置，能够在使试样表面的照射位置成为共心位置的状态下照射会聚离子束并进行各种加工和沉积等后，使照射位置倾斜规定角度来进行观察等。
而且，当照射位置的加工、观察结束后，在下一次的照射位置处会分别自动地与共心高度对齐，因此，作业效率提高。此外，与手动设定共心高度的情况相比，能够抑制各照射位置从共心高度偏离的情况，能够抑制在使试样倾斜时各照射位置从视野偏离的情况。
在本发明的会聚离子束装置中，所述试样载台移动控制单元可以使所述试样载台沿Y轴方向移动，以对所述照射位置向与所述试样载台的水平面平行且与所述倾斜轴正交的所述Y轴方向偏移的偏移量L进行补偿。
例如在各个会聚离子束装置中，会因试样载台的安装误差(机差)引起在针对各照射位置使试样载台的移动机构移动时的偏移、和构成移动机构的压电元件、步进马达等致动器的实际的移动量的偏移，除此以外还由于生成求出共心高度时生成试样的SEM图像的电子束从射束轴起的弯曲等，有时会导致朝向Y轴方向产生偏移量L。
因此，根据该会聚离子束装置，对偏移量L进行补偿，因此，能够抑制从试样的观察位置等偏离。
在本发明的会聚离子束装置中，也可以是，所述试样载台移动控制单元以反映出因所述偏移量L引起的所述共心高度Zs的变动的方式，计算出所述移动量。
根据该会聚离子束装置，对偏移量L进行补偿，因此，共心高度Zs的测定精度提高。
在本发明的会聚离子束装置中，所述偏移量L可以是估计出的规定的值或所述移动量计算单元在计算所述共心高度Zs时求出的计算值。
所述会聚离子束装置也可以还具有存储部，所述存储部存储配置于所述试样载台的所述试样的表面的规定的平面坐标处的所述共心高度Zse，所述移动量计算单元参照所述存储部中存储的所述共心高度Zse，根据所述规定的平面坐标与所述各照射位置之间的坐标的差，估计所述各照射位置处的所述共心高度Zs。
根据该会聚离子束装置，不需要针对多个照射位置在每次加工时都计算共心高度Zs，能够使多个照射位置的连续加工和观察变得自动化。
在本发明的会聚离子束装置中，也可以是，所述存储部将所述规定的平面坐标处的所述偏移量Le与所述共心高度Zse相关联地存储起来，所述移动量计算单元参照所述存储部中存储的所述偏移量Le，然后根据所述规定的平面坐标与所述各照射位置之间的坐标的差，估计所述各照射位置处的所述偏移量L。
根据该会聚离子束装置，即使不针对多个照射位置在每次加工时都计算共心高度Zs，也能够估计偏移量L。
在本发明的会聚离子束装置中，也可以是，所述存储部按照旋转角R值将旋转角R值、所述偏移量Le与所述共心高度Zse相关联地存储起来，该旋转角R值是测定所述规定的平面坐标处的所述共心高度Zse时绕与该平面正交的轴旋转的旋转角的值，所述移动量计算单元参照所述存储部中存储的所述R值，根据所述规定的平面坐标的所述R值与所述各照射位置的所述R值之间的相似度，估计所述各照射位置处的所述偏移量L。
根据该会聚离子束装置，考虑对偏移量L造成影响的R值的相似度而从存储部中提取规定的平面坐标，因此，偏移量L的估计精度提高。
发明效果
根据本发明，能够针对试样中的会聚离子束的多个照射位置，分别自动且高精度地与共心高度对齐。
附图说明
图1是示出本发明的实施方式的会聚离子束装置的整体结构的图。
图2是试样载台的放大立体图。
图3是示出本发明的第1实施方式的会聚离子束装置的处理流程的图。
图4是示出第1实施方式中的共心高度Zs的计算方法的一例的图。
图5是示出倾斜前后的照射位置的图。
图6是示出共心高度Zs和高度方向的移动量的计算顺序的一例的图。
图7是示出产生Y轴方向的偏移L时的倾斜前后的照射位置的图。
图8是示出第2实施方式中的共心高度Zs的计算方法的一例的图。
图9是示出以2个倾斜角使试样表面倾斜从而一并计算出Zs和L的方法的图。
图10是示出用于估计L的表(映射)的图。
图11是示出载置于试样载台的试样的XY平面图。
图12是示出表示存储部中存储的试样的规定的平面坐标处的共心高度和偏移量的表的数据结构的图。
图13是示出使用图12的表的R值的共心高度的估计方法的图。
标号说明
6：控制单元；
6A：坐标取得单元；
6B：移动量计算单元；
6C：试样载台移动控制单元；
6M：存储部；
10：电子束镜筒；
10A：电子束；
20：会聚离子束镜筒；
20A：会聚离子束；
50：试样载台；
100：会聚离子束装置；
200：试样；
P1、P2、P3：照射位置；
TA：倾斜轴。
具体实施方式
下面，参照附图对本发明的实施方式进行说明。
图1是示出本发明的实施方式的会聚离子束装置100的整体结构的框图。在图1中，会聚离子束装置100具有电子束镜筒(SEM镜筒)10、会聚离子束镜筒(FIB镜筒)20、气体离子束镜筒30、二次电子检测器4、气枪5、控制单元6、显示单元7、输入单元8、试样载台50和配置于试样载台50上的试样台(试样保持架)51。
会聚离子束装置100的各结构部分的一部分或全部配置于真空室40内，真空室40内被减压至规定的真空度。
试样载台50将试样台51支承为能够移动，在试样台51上载置试样200。而且，试样载台50具有能够使试样台51进行5轴移位的移动机构。
具体而言，该移动机构具有使试样台51沿着与水平面平行且彼此正交的X轴和Y轴分别移动的XY移动机构50xy、使试样台51沿着与X轴和Y轴正交的Z轴(高度方向)移动的Z移动机构50z、使试样台51绕Z轴旋转的旋转机构50r、以及使试样台51绕与X轴平行的倾斜轴TA旋转的倾斜机构50t。另外，倾斜轴TA与电子束10A和会聚离子束20A的照射方向正交。
上述移动机构能够通过压电元件、步进马达等各种致动器实现。
试样载台50通过使试样台51进行5轴移位，使试样200移动到电子束10A、离子束20A和气体离子束30A的多个照射位置(图2所示的各照射束10A～30A交叉的照射点P1、P2、P3)。
在照射点P1～P3，对试样200的表面(截面)照射电子束10A、会聚离子束20A和气体离子束30A(在图2中仅示出电子束10A、会聚离子束20A)，进行加工或SEM观察。
控制单元6能够由计算机构成，该计算机具有作为中央运算处理装置的CPU、存储数据和程序等的存储部6M(RAM和ROM)、以及与外部设备进行信号的输入输出的输入端口和输出端口。通过由CPU根据存储部6M中存储的程序执行各种运算处理，从而控制单元6对会聚离子束装置100的各结构部分进行控制。而且，控制单元6与电子束镜筒1、会聚离子束镜筒2、气体离子束镜筒30、二次电子检测器4和试样载台50的控制布线等电连接。
控制单元6具有后述的坐标取得单元6A、移动量计算单元6B和试样载台移动控制单元6C。
此外，控制单元6能够根据软件的指令或操作员的输入对试样载台50进行驱动，对试样200的位置和姿态进行调整，对电子束10A、离子束20A和气体离子束30A对试样200表面照射的照射位置和照射角度进行调整。
另外，在控制单元6连接有取得操作员的输入指示的键盘等输入单元8和显示试样的图像等的显示单元7。
虽然没有图示，但是，SEM镜筒10具有放出电子的电子源、以及使从电子源放出的电子成形为射束状并进行扫描的电子光学系统。通过对试样200照射从电子束镜筒10射出的电子束10A，从试样200产生二次电子。能够利用镜筒内的二次电子检测器(未图示)或镜筒外的二次电子检测器4检测该产生的二次电子，取得试样200的像。此外，能够利用镜筒内的反射电子检测器14检测反射电子从而取得试样200的像。
电子光学系统例如构成为具有使电子束10A会聚的聚光透镜、缩小电子束10A的光圈、对电子束10A的光轴进行调整的对准器、使电子束10A会聚于试样200的物镜、以及使电子束10A在试样200上扫描的偏转器。
虽然没有图示，但是，FIB镜筒20具有产生离子的离子源、以及使从离子源放出的离子成形为会聚离子束并进行扫描的离子光学系统。当从FIB镜筒20对试样200照射作为带电粒子束的会聚离子束20A时，从试样200产生二次离子或二次电子等二次带电粒子。利用二次电子检测器4检测该二次带电粒子，取得试样200的像。此外，FIB镜筒20通过增加会聚离子束20A的照射量，对照射范围内的试样200进行蚀刻加工(截面加工)。
离子光学系统具有公知的结构，例如构成为具有使会聚离子束20A会聚的聚光透镜、缩小会聚离子束20A的光圈、对会聚离子束20A的光轴进行调整的对准器、使会聚离子束20A会聚于试样的物镜、以及使会聚离子束20A在试样上扫描的偏转器。
虽然没有图示，但是，气体离子束镜筒30例如具有产生作为氩离子的离子的离子源、使来自离子源的离子束会聚的聚光透镜、消隐器、缩小离子束的孔、以及使离子束会聚的物镜。
气枪5向试样200放出蚀刻气体等规定的气体。一边从气枪5供给蚀刻气体，一边对试样200照射电子束10A、会聚离子束20A或气体离子束30A，由此，能够提高通过照射射束进行的试样的蚀刻的蚀刻速度。此外，通过一边从气枪5供给化合物气体，一边对试样200照射电子束10A、会聚离子束20A或气体离子束30A，能够在射束的照射区域附近进行局部气体成分的沉积(沉淀)。
<第1实施方式>
接着，参照图3对本发明的第1实施方式的会聚离子束装置100的处理流程进行说明。
首先，如图2所示，用户在试样200上指定照射会聚离子束20A的多个照射位置P1～P3。关于该指定，例如当用户在显示单元7上的试样200的SEM像上点击规定位置后，控制单元6能够取得该位置。
控制单元6(坐标取得单元6A)取得被指定的照射位置P1～P3后，取得各照射位置P1～P3的平面(XY)坐标(步骤S2)。
接着，控制单元6(移动量计算单元6B)计算各照射位置P1～P3处的共心高度(Eucentric Height)Zs和高度方向上的移动量(步骤S4)。
该移动量是使试样载台50沿高度方向移动以成为共心高度Zs的移动量，由此，试样的各照射位置P1～P3(图2)成为共心位置。
这里，参照图4对各照射位置P1～P3处的各共心高度Zs的计算方法的一例进行说明。另外，图4的方法应用于如下情况：视作在计算共心高度Zs时未产生(或者能够忽略)Y轴方向上的偏移L的情况。
在图4中，首先，在倾斜前的试样表面S0，从规定方向(图4中为垂直方向)照射电子束10A，取得照射位置P1的Y坐标(Y0)。Y坐标的取得相当于图3的步骤S2。
接着，控制单元6沿着倾斜轴TA使试样倾斜角度Θ，试样表面倾斜至S0t。此时，照射位置P1的Y坐标移动ΔY而成为YΘ0(图4中向右侧移动)。
此时的移动量能够利用下式近似：
式2：ΔY＝Y0-YΘ0≒Zs×sinΘ
Y0、YΘ0、Θ已知。因此，能够利用下式求出Zs。
式3：Zs＝(Y0-YΘ0)/sinΘ
另外，式2记录于存储部6M，或者记录于共心高度Zs的计算程序中，控制单元6读出该式。
然后，控制单元6(试样载台移动控制单元6C)对Z移动机构50z进行控制，使试样表面S0沿高度方向移动共心高度(+Zs)的量，使试样表面S1(照射位置P1)成为共心位置(图3的步骤S6、S8)。
另外，即使观察SEM像，通常也无法判别YΘ0本身。因此，在P1本身具有特征形状(能够与周围进行区分的凹部等)的情况下，计算在倾斜前后该特征形状在Y轴方向上的移动量即可。
此外，如图5所示，在P1本身不具有特征形状的情况下，计算在倾斜前后P1附近的特征形状PF在Y轴方向上的移位即可。
这样，能够在使试样表面的照射位置P1成为共心位置的状态下照射会聚离子束20A并进行各种加工和沉积等后，使照射位置P1倾斜规定角度来照射电子束10A，对照射位置P1进行观察。
而且，当照射位置P1的加工、观察结束时，在下一次的照射位置P2、P3处会分别自动地与共心高度Zs对准，因此，作业效率提高。此外，与手动设定共心高度的情况相比，能够抑制各照射位置P1～P3从共心高度Zs偏离，能够抑制在使试样倾斜时各照射位置P1～P3从视野偏离。
另外，在图3的步骤S4中，关于共心高度Zs和高度方向上的移动量的计算，如图6中的(A)所示，可以在图3的步骤S2中取得各照射位置P1～P3的XY坐标后，在P1处的FIB照射和SEM像测定之前，一次性计算各P1～P3的共心高度Zs。
此外，如图6中的(B)所示，可以在图3的步骤S2中取得各照射位置P1～P3的XY坐标后，依次在P1处的FIB照射和SEM像测定之前，计算P1的共心高度Zs，在P1处的FIB照射和SEM像测定结束后，计算P2的共心高度Zs。
<第2实施方式>
接着，参照图7、图8对本发明的第2实施方式的会聚离子束装置100中的共心高度Zs的计算方法(图3的步骤S4)进行说明。另外，除了上述步骤S4中的共心高度Zs的计算方法不同以外，第2实施方式与第1实施方式相同。
第2实施方式适用于在计算共心高度Zs时在Y轴方向产生了偏移L的情况，与图4的方法相比，Zs的计算精度提高。
这里，关于偏移L，例如除了由各个会聚离子束装置中的试样载台50的安装误差(机差)引起的使试样载台50的移动机构移动到各照射位置P1～P3时的偏移、构成移动机构的压电元件、步进马达等致动器的实际的移动量的偏移以外，还因求出上述Y0和YΘ0时的生成SEM图像的电子束10A从射束轴弯曲等原因而引起。
此外，电子束10A从射束轴起的弯曲是由于加速电压或孔等的测定条件而引起的。
图7是示出产生了Y轴方向的偏移L时、在倾斜了角度Θ前后、照射位置P1的变化的示意图，图8是示出产生了Y轴方向的偏移L时的共心高度Zs的计算方法的图。
如图7所示，当产生Y轴方向上的偏移L时，在倾斜前的试样表面S0中，由于偏移L而使电子束10A的照射位置偏移到V1。从而倾斜前的照射位置P1的Y坐标成为从Y0(没有偏移L的情况下的理想位置、相当于图4)移动了L后的Y1。而且，倾斜后的照射位置P1的Y坐标成为从YΘ0(没有偏移L的情况下的理想位置、相当于图4)移动了L×cosΘ后的YΘ1。
参照图8对这些位置关系的详细情况进行说明。
首先，在倾斜前的试样表面S0，由于偏移L而使电子束10A的照射位置偏移到V1，照射位置P1的Y坐标成为下式：
式4：Y1＝Y0+L、
接着，关于倾斜了角度Θ后的试样表面S0t上的照射位置P1，由于偏移L也倾斜了角度Θ，因此，偏移L的Y轴成分成为L×cosΘ。因此，倾斜后的照射位置P1的Y坐标成为下式：
式5：YΘ1＝YΘ0+L×cosΘ
这里，当在式5中代入式2、式4后，成为下式：
式1：YΘ1＝(Y0-Zs×sinΘ)+L×cosΘ
＝Y1-L-Zs×sinΘ+L×cosΘ
＝Y1-Zs×sinΘ+(cosΘ-1)×L
在式1中，Y1、sinΘ、cosΘ已知，Zs和L是未知的。
因此，如图9所示，针对同一个照射位置P1，只要取得以不同的2个倾斜角Θ(Θ1、Θ2)倾斜而得的试样表面S0t1、S0t2中的各个YΘ1(YΘ11、YΘ12)，则会得到2个式1。
因此，在2个联立方程式中未知数为2个(Zs和L)，因此，能够一并计算Zs和L。
而且，通过该Zs和L能够得到高精度的共心高度Zs，并且会得知Y轴方向的偏移L，因此，试样载台移动控制单元6C只要使试样载台50沿Y轴方向移动L后进行倾斜、以对偏移量L进行补偿即可。
由此，即使在Y轴方向上产生了偏移L，也能够抑制使试样倾斜时对象部位从视野偏离。
另外，由于L远远小于Zs，因此，通过将L作为已知的值分配，能够利用式1仅通过1个倾斜角Θ简便地求出Zs。
这里，如上所述，L是由于各个会聚离子束装置中的试样载台50的安装误差(机差)、电子束镜筒10的测定条件(加速电压等)而引起的。
因此，例如如图10所示，也可以按照各个会聚离子束装置，利用表、映射或关系式等在存储部6M中预先存储与机差对应的L的估计量、加速电压与L的关系等，在图3的步骤S4中，控制单元6读出这些表或关系式来估计L。
另外，例如可以如图10的(A)那样，仅采用基于会聚离子束装置所固有的机差的估值L，也可以如图10的(B)那样，仅采用基于SEM的加速电压的估值L。此外，也可以对图10的(A)、(B)这两个估值L的值进行简单相加，或者进行规定的加权并对两者进行相加。
以此方式，使得式1是1个联立方程式，未知数为1个(Zs)，因此，能够计算出Zs。
当然，也可以代替L而将Zs作为已知的值来分配，计算未知的L。
接着，参照图11～图13对简便地估计共心高度Zs的方法进行说明。
如上所述，例如能够使用第1实施方式中的式3或第2实施方式中的式1，具体地计算各照射位置P1～P3的共心高度Zs，但是，在照射位置的数量较多的情况下等，计算需要时间，有时作业效率降低。
此外，当在多个照射位置P1～P3处进行FIB加工和观察等的情况下，需要在照射位置P1处对准共心高度并进行加工后，移动试样载台50并在照射位置P2处重新对准共心高度并进行加工，很难使多个照射位置P1～P3的连续加工和观察自动化。
因此，针对载置于试样载台50(的试样台51)上的试样200的规定的平面坐标而预先计算出共心高度Zse并事先存储在映射(表)等中，从而只要根据共心高度Zs0估计出实际的各照射位置P1～P3处的共心高度Zs即可，作业效率会提高。此外，针对多个照射位置P1～P3，不需要在每次加工时都计算共心高度Zs，能够使多个照射位置P1～P3的连续加工和观察自动化。
另外，也可以仅估计共心高度Zs，但是，优选在产生偏移量L的情况下还一并估计偏移量L，因此，下面，对一并估计共心高度Zs和偏移量L的情况进行说明。
图11是载置于试样载台50(上的试样台51)的试样200的XY平面图，图12示出存储部6M中存储的表6T。
如图11所示，预先计算出试样载台50上的试样200的规定的平面坐标Eu1、Eu2、Eu3、Eu4...处的共心高度Zse和偏移量Le，并与平面坐标(X、Y)一起存储在存储部6M中而作为图12所示的表6T。另外，图12的Re值在后面叙述。
接着，移动量计算单元6B参照存储部6M的共心高度Zse、偏移量Le，估计实际的照射位置P1处的共心高度Zs、偏移量L。
关于该估计，例如如图11所示，能够按照在XY方向上距照射位置P1从近到远的顺序，从表6T中提取2个平面坐标Eu3、Eu4，例如根据Y坐标的Eu3、Eu4、P1的排列顺序，通过外插法或内插法，根据Zse、Le估计Zs、L。
其他照射位置P2、P3…也能够同样地估计。
由此，如图11所示，能够针对多个照射位置P1～P3使连续加工和观察变得自动化。
另外，每当更换试样200时，再次测定共心高度Zse，并按照每个试样生成表6T。
另外，在照射位置P1…处的FIB加工或观察中，为了容易观察，有时希望在XY平面上在使试样200倾斜的状态下照射离子束20A而进行加工。该情况下，使用使试样台51绕Z轴旋转的旋转机构50r，使试样200在XY平面上旋转。
但是，如图13所示，例如在以旋转角φ进行了旋转的情况下，存在Y方向上的偏移量L与不旋转的情况不同这样的问题。即，在旋转角＝0的情况下，偏移量L1是沿着Y方向的值。另一方面，在旋转角＝φ的情况下，偏移量L1成为沿着与Y方向之间呈角度φ的方向的值，Y轴方向的成分成为L1×cosφ，与L1不同。
而且，在这种情况下，如果参照了在表6T中的旋转角＝0时测定出的偏移量Le，那么实际的照射位置P1处的偏移量L的估计精度会降低。
因此，在图12的表6T中，按照不同的R值(旋转角)预先计算出平面坐标Eu1、Eu2、Eu3、Eu4...处的共心高度Zse和偏移量Le，在估计实际的照射位置P1处的偏移量L时，取得照射位置P1处的R值，从表6T中提取具有接近该R值的R的数据并将其用于估计，由此，估计精度提高。
例如，Eu2和Eu7涉及相同的XY坐标，R值不同。因此，使用Eu2和Eu7中的、与实际的照射位置P1的R值接近的一方的共心高度Zse和偏移量Le来进行估计即可。
此外，虽然说明了按照在XY方向上距照射位置P1从近到远的顺序从表6T中提取2个平面坐标Eu3、Eu4的情况，但是，也可以综合地估计XY方向的距离和R值的相似度来决定要提取的数据。
本发明不限于上述实施方式，当然涉及本发明的思想和范围内包含的各种变形和等同内容。
例如，共心高度的计算方法不限于上述方法。
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