具体实施方式

以下结合附图对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。

实施例一

本实施例提供了一种LED负载均流保护电路，用于各支路负载均流的同时保护LED负载，LED负载包括一路或多路不同的LED负载支路，多路LED负载保护电路包括：

电源模块1；

断路检测模块6，与LED负载支路5连接，用于检测LED负载支路5的开路故障信息或者正常工作信息；

开关模块3，与电源模块1、断路检测模块6连接，用于根据开路故障断开或根据正常工作信息闭合；

恒流驱动模块4，与开关模块3、LED负载支路5连接，在开关模块3断开时，恒流驱动模块4断开与电源模块1连接；在开关模块3闭合时，恒流驱动模块4通过开关模块3与电源模块1连接，并驱动LED负载支路5；

均流模块7，与恒流驱动模块4连接，用于在开关模块3闭合时，受恒流驱动模块4的驱动对LED负载支路5实现均流控制。

具体的，均流三级管各基极相连后与均流电阻相连平衡各支路的压差，继而为LED负载支路5提供高精度均流控制。

示例性的，多路LED负载中，当出现LED串并数较多、LED负载各支路的颗数不同、LED负载各支路并联的LED型号不同等情况时，每一LED负载支路5的均流成为目前急需解决的问题。本实施例以3条LED负载支路5为例，第一LED负载支路5由6个LED串联(LED1，LED2，……，LED6)，第二LED负载支路5由5个LED串联(LED7，LED8，……，LED11)，第三LED负载支路5由4个LED串联(LED12，LED13，……，LED15)，对本实施例作进一步说明。

具体的，均流模块7包括均流电阻R14、3个均流三极管：第七三极管Q7、第八三极管Q8、第九三极管Q9；均流三极管可以是但不限制于NPN三极管。第一LED负载支路5通过第九三极管Q9的CE结接地，第二LED负载支路5通过第八三极管Q8的CE结接地，第三LED负载支路5通过第七三极管Q7的CE结接地。恒流驱动模块4通过均流电阻R14与第七三极管Q7、第八三极管Q8、第九三极管Q9的基极连接，用于让均流三极管导通时工作在放大区。支路三极管的基极连在一起，均流电阻R14从LED输入端取电，均流电阻R14可根据实际LED负载情况设定阻值可用于调节均流精度，使第七三极管Q7、第八三极管Q8、第九三极管Q9一直处于放大区，且由于第七三极管Q7、第八三极管Q8、第九三极管Q9的基极相同，集电极的电流也相同，能够平衡各支路产生的压差，实现高精度均流。

在上述实施例中，电源模块1包括：滤波防反模块2；滤波防反模块2的输入端与电源模块1连接，滤波防反模块2的输出端与开关模块3连接。滤波防反模块2包括第一电容C1、第二电容C2、泄流电阻R1、TVS管TVS1、防反二极管D1、第三电容C3；电源模块1通过第一电容C1、第二电容C2接地；电源模块1通过泄流电阻R1接地；电源模块1通过TVS管接地；电源模块1通过防反二极管D1、第三电容C3接地；防反二极管D1的负端为滤波防反模块2的输出。通过防反滤波电路，能为后续的电路提供稳定的电源输入。

在上述实施例中，断路检测模块6包括检测三极管(第四三极管Q4、第五三极管Q5、第六三极管Q6)、检测二极管(第二二极管D2、第三二极管D3、第四二极管D4)、第二MOS管Q2、第三MOS管Q3、上拉电阻(第八电阻R8、第九电阻R9、第十电阻R10)、第一分压电阻R6、第二分压电阻R5、基极二极管(第五二极管D5和第六二极管D6、第七二极管D7和第八二极管D8、第九二极管D9和第十二极管D10)；

第四三极管Q4的基极与第一LED负载支路5中的LED6的负端连接，发射极接地，集电极连接第二二极管D2的正端；第五三极管Q5的基极与第二LED负载支路5中的LED11的负端连接，发射极接地，集电极连接第三二极管D3的正端；第六三极管Q6的基极与第三LED负载支路5中的LED15的负端连接，发射极接地，集电极连接第四二极管D4的正端；第二二极管D2的负端、第三二极管D3的负端、第四二极管D4的负端均连接第三MOS管Q3的栅极，第三MOS管Q3源极接地，第三MOS管Q3的漏极与第二MOS管Q2的栅极连接，第二MOS管Q2的源极接地，第二MOS管的Q2漏极与开关模块3连接；第二MOS管的栅极Q2通过第一分压电阻R6接地，第二MOS管Q2的栅极通过第二分压电阻连R5接电源模块1。

检测三极管的基极通过一组基极二极管和均流三极管接地，基极二极管和均流三极管的压降之和为检测三极管的基极，基极二极管和均流三极管的压降之和只需满足检测三极管的导通压降。

在上述实施例中，开关模块3包括第一MOS管Q1；第一MOS管Q1的栅极与第二MOS管Q2的漏极连接，第一MOS管Q1的源极与电源模块1连接，第一MOS管Q1的漏极与恒流驱动模块4连接。

具体的，断路检测模块6中，基极二极管为检测三极管提供检测电压，各支路LED负载正常工作时，检测三极管Q4、Q5、Q6基极检测的电压为各支路LED负载的基极二极管和均流三极管的压降之和；压降之和满足检测三极管导通压降，此时检测三极管Q4、Q5、Q6导通，检测三极管的集电极的电压被拉到地，给检测二极管D2、D3、D4输出一个低电平至第三MOS管Q3，Q3可以是但不限制于N-MOS，由于MOS管是电压控制性器件，此时Q3栅极和源极之间没有导通压差，Q3处于截止区，漏极反馈一个高电平给N-MOS的第二MOS管Q2，Q2栅极和源极之间有导通压差，Q2处于导通状态，Q2的漏极被拉到地，反馈给开关模块3中P-MOS的第一MOS管Q1的栅极一个低电平，Q1栅极和源极之间有导通压差，Q1导通进而给恒流驱动模块4提供工作电压，LED负载正常工作。

更具体的，以第二LED负载支路5的一颗LED出现断路为例，三极管Q8基极检测电压为悬空状态，集电极通过上拉电阻R9提供一个高电平给二极管D3，Q3 N-MOS栅极同为高电平，Q3导通，Q3漏极被拉到地，输出一个低电平给Q2 N-MOS，Q2无压差不导通，进而Q2漏极输出一个高电平给开关模块3Q1 P-MOS，Q1栅极和源极之间压差远小于MOS的导通压差，开关模块3Q1关断，进而恒流驱动模块4没有工作电压停止工作，整个LED负载支路5呈关断状态。

以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，故凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何修改、等同变化与修饰,均仍属于本发明技术方案的范围内。