具体实施方式

图1示意性地描绘了根据本发明的一个实施例的光刻设备。设备包括：照射系统(照射器)IL，被配置成调节辐射束B(例如紫外线辐射或任何其他合适的辐射)；图案形成装置支撑件或支撑结构(例如掩模台)MT，被构造成支撑图案形成装置(例如掩模)MA并被连接到第一定位装置PM，该第一定位装置被配置成根据某些参数准确地定位图案形成装置。光刻设备还包括衬底台(例如晶片台)WT或“衬底支撑件”，被构造成保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并被连接到第二定位器PW，该第二定位器被配置成根据某些参数准确地定位衬底。衬底支撑件可以包括衬底台WT(在其他情况下指的是卡盘)，衬底保持器被支撑在该衬底台上。衬底保持器可以被配置成支撑衬底W。设备还包括投影系统(例如折射投影透镜系统)PS，被配置成将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如，包括一个或多个裸片)上。

照射系统可以包括各种类型的光学部件，诸如折射、反射、磁性、电磁、静电或其他类型的光学部件或其任何组合，以用于引导、塑形或控制辐射。

图案形成装置支撑件依赖于图案形成装置MA的定向、光刻设备的设计和其他条件(诸如例如图案形成装置MA是否被保持在真空环境中)的方式保持图案形成装置MA。图案形成装置支撑件可以使用机械、真空、静电或其他夹持技术来保持图案形成装置。图案形成装置支撑件可以是例如框架或台，其可以根据需要固定或移动。图案形成装置支撑件可以确保例如相对于投影系统PS，图案形成装置MA处于期望位置。本文中对术语“中间掩模”或“掩模”的任何使用可以被视为与更通用的术语“图案形成装置”同义。

本文中所使用的术语“图案形成装置”应该广义地解释为是指可以被用于向辐射束在其横截面中赋予图案以便在衬底的目标部分中创建图案的任何装置。应当注意，例如如果图案包括相移特征或所谓的辅助特征，则被赋予给辐射束B的图案可能不完全对应于衬底的目标部分中的期望图案。一般地，被赋予给辐射束B的图案将对应于装置中的在目标部分中被创建的特定功能层，诸如集成电路。

图案形成装置MA可以是透射的或反射的。图案形成装置MA的示例包括掩模、可编程反射镜阵列和可编程LCD面板。掩模在光刻中是众所周知的，并且包括各掩模类型，诸如二进制、交替相移和衰减相移，以及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每个小反射镜可以个别地被倾斜以便在不同方向上反射入射的辐射束。倾斜的反射镜在辐射束中赋予图案，该图案被反射镜矩阵反射。

本文中所使用的术语“投影系统”应广义地解释为涵盖任何类型的投影系统，包括折射、反射、折反射、磁性、电磁和静电光学系统或其任何组合，以适合于使用的曝光辐射或其他因素，诸如使用浸没液体或使用真空。本文中术语“投影透镜”的任何使用可以被视为与更通用的术语“投影系统”同义。

如此处所描绘，设备属于透射型(例如，采用透射掩模)。备选地，设备可以属于反射型(例如，采用如上文提及的类型的可编程反射镜阵列，或采用反射掩模)。

光刻设备可以属于具有两个(双载物台)或更多个衬底台或“衬底支撑件”(和/或两个或更多个掩模台或“掩模支撑件”)的类型。在这种“多载物台”机器中，附加的台或支撑件可以被并行地使用，或在一个或多个其他台或支撑件被用于曝光时，可以对一个或多个台或支撑件实行准备步骤。

光刻设备也可以属于这样的类型，其中衬底W的至少一部分可以由具有相对高的折射率的液体(例如水)覆盖，以便填充投影系统PS与衬底W之间的空间。浸没液体也可以被施加到光刻设备中的其他空间，例如在图案形成装置(例如掩模)MA与投影系统PS之间的空间。浸没技术可以被用于增大投影系统的数值孔径。如本文中所使用的术语“浸没”并不意味着结构(诸如衬底)必须被浸入液体中，而是仅意味着在曝光期间液体位于投影系统PS与衬底W之间。

参照图1，照射器IL接收来自辐射源SO的辐射束B。例如当该源是准分子激光器时，该源和光刻设备可以是单独的实体。在这种情况下，不认为源形成光刻设备的一部分，并且辐射束B借助于包括例如合适的导向镜和/或扩束器的束递送系统BD从源SO传递到照射器IL。在其他情况下，例如当该源是汞灯时，该源可以是光刻设备的整体部分。如果需要，源SO和照射器IL以及束递送系统BD一起可以被称为辐射系统。

照射器IL可以包括被配置成调整辐射束的角强度分布的调整器AD。一般地，可以调整照射器的光瞳平面中的强度分布的至少外部径向范围和/或内部径向范围(通常分别称为σ-外部和σ-内部)。另外，照射器IL可以包括各种其他部件，诸如积光器IN和聚光器CO。照射器可以被用于调节辐射束，以在其横截面中具有期望的均匀性和强度分布。

辐射束B入射到图案形成装置(例如掩模)MA上，该图案形成装置被保持在掩模支撑结构(例如掩模台)MT上，并且被图案形成装置图案化。在穿过图案形成装置(例如掩模)MA之后，辐射束B经过投影系统PS，该投影系统将束聚焦到衬底W的目标部分C上。借助于第二定位装置PW和位置传感器IF(例如干涉测量装置、线性编码器或电容传感器)，可以准确地移动衬底台WT，例如以便将不同目标部分C定位在辐射束B的路径中。类似地，第一定位装置PM和另一位置传感器(在图1中未明确描绘)可以被用于例如在从掩模库中机械检索之后或在扫描期间，相对于辐射束B的路径准确地定位图案形成装置(例如掩模)MA。一般地，可以借助于长冲程模块(粗定位)和短冲程模块(精定位)来实现图案形成装置支撑件(例如掩模台)MT的移动，该长冲程模块和该短冲程模块形成第一定位装置PM的一部分。类似地，可以使用长冲程模块和短冲程模块来实现衬底台WT或“衬底支撑件”的移动，该长冲程模块和该短冲程模块形成第二定位器PW的一部分。在步进器(与扫描仪相反)的情况下，图案形成装置支撑件(例如掩模台)MT可以仅被连接到短冲程致动器，或可以被固定。可以使用图案形成装置对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置(例如掩模)MA和衬底W。尽管如图示的衬底对准标记占据专用的目标部分，但这些衬底对准标记可以位于目标部分之间的空间中(将这些称为划线道对准标记)。类似地，在多于一个裸片被设置在图案形成装置(例如掩模)MA上的情形下，图案形成装置对准标记可以位于裸片之间。

所描绘的设备可以在以下模式中的至少一种模式中使用：

1.在步进模式中，图案形成装置支撑件(例如掩模台)MT或“掩模支撑件”和衬底台WT或“衬底支撑件”基本保持静止，同时将赋予给辐射束B的整个图案被一次性投影到目标部分C上(即单次静态曝光)。然后，使衬底台WT或“衬底支撑件”在X方向和/或Y方向上移位，以使得可以曝光不同的目标部分C。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单次静态曝光中成像的目标部分C的尺寸。

2.在扫描模式中，同步扫描图案形成装置支撑件(例如掩模台)MT或“掩模支撑件”和衬底台WT或“衬底支撑件”，同时将赋予给辐射束B的图案被投影到目标部分C上(即单次动态曝光)。衬底台WT或“衬底支撑件”相对于图案形成装置支撑件(例如掩模台)MT或“掩模支撑件”的速度和方向可以由投影系统PS的(缩小率)放大率和图像反转特性来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了单次动态曝光中目标部分的宽度(在非扫描方向上)，而扫描运动的长度确定了目标部分的高度(在扫描方向上)。

3.在另一模式中，图案形成装置(例如掩模台)MT或“掩模支撑件”被基本保持静止，从而保持可编程图案形成装置，并且在将赋予给辐射束的图案投影到目标部分C上的同时，移动或扫描衬底台WT或“衬底支撑件”。在该模式中，一般采用脉冲辐射源，并且在衬底台WT或“衬底支撑件”的每次移动之后或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新可编程图案形成装置。该操作模式可以容易地应用于利用可编程图案形成装置(诸如，如上文所提及的类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻。

也可以采用关于上述使用模式或完全不同的使用模式的组合和/或变型。

如图1中所示出，光刻设备可以包括原位材料去除装置MRD，该原位材料去除装置被配置成从光刻设备的衬底保持器的一个或多个支撑元件去除材料。该材料去除装置MRD被配置成从衬底保持器的一个或多个支撑元件去除材料，以便为被支撑在衬底保持器上的衬底W获得更均匀的支撑。材料去除装置MRD可以位于基本静止的地点，并且包括材料去除工具MRT，该材料去除工具将与一个或多个支撑元件接触以去除一个或多个支撑元件的材料。

光刻设备还可以包括检测器HDD，该检测器被配置成检测影响被支撑在衬底保持器上的衬底W的表面平坦度的支撑元件的高度偏差。检测器HDD可以例如是被配置成测量被支撑在衬底保持器上的衬底W的上表面的水平传感器。这种水平传感器例如在美国专利第5,191,200号中公开，该案通过引用整体并入本文。检测器HDD可以被用于测量多个衬底的顶部表面，以确定表面中的哪些误差是由衬底本身引起的，以及哪些是由衬底支撑件(即支撑元件)引起的。

检测器HDD可以被连接到控制器MRC，该控制器被耦合在检测器HDD与材料去除装置MRD之间。控制器可以被配置成控制材料去除装置MRD以对应于影响衬底的表面平坦度的突出部4的检测到的高度偏差来调整支撑元件的高度。控制器MRC可以是特别适合于在需要时通过去除衬底保持器的支撑元件的材料来创建平坦表面的单独的控制器，或其可以被集成在被配置成在光刻设备中执行多个控制任务的控制器中。

关于材料去除装置MRD的一般操作的进一步细节在US2005/0061995A1中公开，该案通过引用整体并入本文。

一般地，可以通过材料去除工具MRT与一个或多个支撑元件之间的相对移动来实行从一个或多个支撑元件去除材料。该相对移动可以通过相对于材料去除工具MRT平移一个或多个支撑元件和/或相对于一个或多个支撑元件平移材料去除工具MRT来执行。材料去除工具MRT可以被旋转以增强对支撑元件的材料的去除。

本发明的实施例提供了一种工具，该工具可以被用于修改衬底保持器以改善衬底保持器的支撑元件的平坦度。工具可以对应于如上文所描述的材料去除工具MRT。在其他情况下，工具可以指的是高度调整工具。

本发明提供了一种用于修改衬底保持器的工具。工具可以更具体地被用于修改衬底保持器的衬底支撑元件。在其他情况下，支撑元件可以被称为凸节。工具1的示例在图2A至2C中示出。图2A示出了工具1的用于接触衬底保持器的表面，图2B示出了工具1的透视图，以及图2C示出了图2A的通过X-X的横截面图。图2A中所示出的工具1的表面可以被称为工具1的基部。这是因为在使用时工具1一般被设置有图2A中所示出的面向下的朝向衬底W的表面。

图3示出了具有支撑元件21的衬底保持器20的示例，其中工具1可以被用于修改衬底保持器20的支撑元件21。换句话说，工具1可以被用于从支撑元件21去除材料。这种情况可以更改至少一个支撑元件21的整体高度和/或更改至少一个支撑元件21的粗糙度。如图3中所示出，支撑元件21具有支撑表面22。支撑表面22被用于接触衬底W的下侧。理想地，所组合的支撑表面22提供了可以如上文所描述地支撑衬底W的平坦平面。这种情况使得衬底W在被辐照时可以相对平坦，以减少误差。

工具1可以可选地是如图3中所示出的材料去除装置MRD的一部分。材料去除装置MRD可以包括如图3中所示出的工具支撑件10。工具支撑件10可以被配置成固定工具1。工具支撑件10可以在工具1与光刻设备的其余部分之间提供连接。

图3示出了光刻设备的衬底保持器20的一部分。衬底保持器20可以是被配置成在将图像投影在衬底W上期间支撑衬底W的衬底支撑件的一部分。衬底保持器20可以被设置在衬底台WT上。例如，衬底保持器20可以使用真空系统(未示出)被保持在衬底台WT上。

衬底保持器20被配置成使得被支撑在衬底保持器20上的衬底W的表面相对于投影束B的传播方向位于预定义平面中。该表面优选地被定向成横切于投影束B的传播方向。衬底保持器20具有支撑表面23和从支撑表面23延伸的多个支撑元件21，以将衬底W支撑在支撑元件21上。多个支撑元件21的配置被设计成获得支撑在其上的衬底W的最佳支撑件。在图3中以横截面示出了衬底保持器20的一部分，由此一些支撑元件21位于横截面的平面中，且一些支撑元件21位于该平面的后面。

如所描述，由于多种原因，衬底保持器20可能不为衬底W提供平坦的支撑表面。由于支撑元件21与各个衬底的相互作用而被磨损，因此衬底保持器20可能随着时间而劣化。支撑元件21的磨损导致跨衬底保持器20的支撑元件的高度变化。

当衬底W与衬底保持器20之间的摩擦被定位于衬底保持器20上时，该摩擦有助于衬底W的形状。由于支撑元件21的由于磨损所致的污染和平滑化，该摩擦随着时间而变化。这种情况可能导致支撑元件21的粗糙度和高度在衬底保持器20的使用寿命中发生变化。当前的校正方法(对准、APC、基线划线器)不能完全限制对重叠误差的影响，这可能会导致图案化衬底的良率降低。随着支撑元件21被磨损，这可以增加衬底W与衬底保持器20之间的接触面积，摩擦可能改变。

较大的接触面积生成更多的范德华力，这引起衬底在衬底保持器20上的“粘附”。在支撑元件21的支撑表面上提供优选的粗糙度可以减小整体接触面积并帮助减少或避免这种粘附。

一般地，被用于接触衬底W的下侧的支撑表面21具有期望的粗糙度水平。如果支撑表面的粗糙度太低，则这种情况会导致衬底保持器的摩擦增大，这会导致粘附和重叠误差。因此，有益的是通过增加支撑元件的支撑表面的粗糙度来减小摩擦。因此，优选地，将粗糙度维持在期望水平。

支撑表面的粗糙度一般为纳米级。换句话说，支撑元件21的支撑表面22一般具有几纳米或几十纳米量级的结构。例如，衬底台WT可以具有至少12nm的接触粗糙度。原子力显微镜(AFM)可以被用于表征接触粗糙度。附加地或备选地，白光干涉仪可以被用于测量粗糙度。白光测量可以粗略地匹配原子力显微镜(AFM)测量。如果接触粗糙度低于大约12nm，则范德华键合一般可能增大接触压力并有效地增加摩擦。

当被定位在衬底保持器20上时，衬底W将搁置在支撑表面22中的每个支撑表面的峰结构的顶部。因此，可以通过减小具有比其他支撑表面22更高的峰值的支撑表面22上的粗糙度的峰值来改善整体衬底保持器20的平坦度。

可以通过观察接触垫来看接触垫在何处接触支撑元件来确定支撑表面22的粗糙度。接触垫的表面积的接触一个支撑元件20的支撑表面21的量指示该支撑元件20的粗糙度。

可以使用工具1修改衬底保持器20以去除材料。在其他情况下，这可以参考为抛光。可以选择工具1的材料和粗糙度，以使得所得的粗糙度和衬底W在衬底保持器20上的粘附被保持在最佳水平。工具1可以被定期(可能每天)使用，这可以减少或避免系统漂移。理想地，工具1的粗糙度将使支撑表面的平坦度、期望粗糙度和改善的范德华力成为可能。在其他情况下，工具1可以指的是定位盘和/或无瑕疵状石头。

工具1可以与支撑元件21接触，并且可以相对于支撑元件21移动以修改支撑表面22。因此，工具1可以被用于刮擦支撑表面22以更改支撑表面的粗糙度，该粗糙度影响支撑表面22与衬底W之间的摩擦。附加地或备选地，工具1可以被用于磨损支撑表面22中的至少一个支撑表面，以便磨损至少一个支撑表面22以使支撑表面22所提供的整体支撑平面变平。工具1可以被用于使衬底台WT更平坦，同时也实现期望的粗糙度水平。使用在不影响粗糙度(可能处于优选水平)的情况下改善平坦度的工具1可以是有益的。备选地，使用在不影响平坦度(可能处于优选水平)的情况下改善粗糙度的工具1可以是有益的。修改支撑表面22一般可以指更改支撑表面22的平坦度和/或粗糙度。

可以使用多个工具。例如，第一工具可以被用于一般地改善衬底台WT的平坦度，而不过多影响粗糙度，并且第二工具可以被用于生成优选的粗糙度，而不过多影响整体平坦度(或反之亦然)。例如，第一工具和第二工具可以具有更适合于影响衬底台WT的平坦度和/或粗糙度的不同配置(即以不同形成布置的突起部)。使用两个工具可能是有益的，因为它提供了更大的设计自由度来优化两个工具。

工具1上的突出部4的设计可以更改工具1影响衬底台WT的粗糙度和平坦度的方式。因此，例如，工具1上的突出部4的间隔(即频率)可以更改工具1对衬底台WT的影响。工具1对衬底台WT的粗糙度和/或平坦度的影响可以附加地取决于其他参数，例如突出部4的横截面积、工具1的粗糙度和/或工具1的重量。

具有低空间频率的工具1可以具有良好间隔开的突起部，这些突起部具有突出部4之间的大于大约32mm的距离。低空间频率工具可能对局部平坦度或粗糙度具有最小的影响，甚至没有影响，但是可以被用于更改全局衬底台WT平坦度。

具有中等空间频率的工具可以具有在突出部4之间的的距离，其小于大约32mm并且大于在支撑元件21之间的距离(例如大于约1.5–2.5mm)。中等空间频率工具可以改善衬底台WT的平坦度，但是可以对衬底台WT的粗糙度具有最小的影响，甚至没有影响。该类型的工具可能不会对衬底台WT的边缘周围的衬底台WT的平坦度产生有益的影响。

高空间频率工具可以具有突出部4之间的距离，其小于支撑元件21之间的距离突出部4，例如小于大约1.5-2.5mm。优选地，高空间频率工具上的突出部4之间的距离小于支撑元件21的直径，例如优选地小于或等于大约210–350μm。高空间频率工具可能有益于改善衬底台WT的粗糙度。高空间频率工具可能不会对衬底台的平坦度具有有益的影响。

备选地，两种功能可以由同一工具提供。例如，可以使用具有中至高空间频率的工具来修改支撑元件21以改善衬底台WT的粗糙度和平坦度。可以取决于对粗糙度和平坦度的期望的影响来选择突起部之间的距离。仅使用一种工具可以提高效率。

当工具1在支撑元件21上方移动(以修改衬底保持器20)时，工具1一般将撞击支撑表面22的竖起最高的峰，并减小峰的尺寸。这种情况减少了整体的较高的峰，并改善了组合支撑表面22的整体的平坦度。

如图2A、2B和2C中所示出，工具1包括具有主体表面3的主体2。工具1包括自主体表面3的多个突出部4。换句话说，多个突出部4从主体2延伸。多个突出部4具有远端5，被配置成接触支撑表面22以修改衬底支撑元件21。在其他情况下，突出部4可以指的是岛状物或焊盘。远端5是多个突起部的最远离主体表面3的端面。

在衬底支撑元件21的磨损和修改期间，可能生成碎片。碎片一般是指任何污染材料，但特别是指从衬底支撑元件21以及从工具1本身去除的任何材料。碎片可能影响衬底保持器20的粗糙度和整体平坦度。

具有多个突出部4的优点在于，在突出部4之间存在间隙，这些间隙允许碎片被收集并且可能被推到衬底支撑元件21之间的间隙。附加地，多个突出部4创建在工具1本身内部的用于碎片的存储空间，由此允许碎片堆积在多个突出部4之间的间隙中。出于这两个原因，碎片不太容易残留在衬底支撑元件21的支撑表面22的顶部。这种情况减少或防止了支撑表面22上的污染。附加地，具有多个突出部4意味着增加数目的边缘接触衬底台WT表面，这在创建衬底台WT粗糙度方面可能更有效。

附加地，提供多个突出部4意味着可以控制工具1与衬底保持器20接触的表面积，以平均化衬底保持器20的整体平坦度中较小的空间频率。

附加地，提供多个突出部4意味着在使用时，工具1的较小区域与衬底保持器20接触。这允许发生刮擦，以向支撑表面提供期望水平的粗糙度，从而改善“粘附”问题。

如将在图中看出，工具1一般可以是圆盘或定位盘的形状。换句话说，主体2可以是板状的。因此，主体2可以被形成为具有相对薄的厚度的圆形物体。例如，工具1可以是几毫米厚或几十毫米厚的量级。仅出于示例的目的，工具1可以具有大约1-10mm厚或优选地大约2-6mm厚的厚度。

工具1应具有可以被用于修改支撑元件21的支撑表面22的一般尺寸。因此，工具1的直径一般为几十毫米的量级。理想地，工具1应该足够大以不落入衬底支撑元件21之间的任何间隙中。

工具1的直径在图2C中由距离L指示。主体2的直径L可以小于或等于大约50mm。主体2的直径L可以小于或等于大约35mm或更优选地大约32mm。一般，有利的是具有小于或等于大约50mm，或优选小于或等于大约35mm的工具1，因为这种情况允许更仔细地控制对支撑表面22进行的修改。工具1一般将会开始过滤小于其自身尺寸的任何内容物。因此，一般有利的是，工具1的直径大于光刻设备的曝光狭缝尺寸，该曝光狭缝尺寸通常为大约28mm。一般地，使工具1尽可能大是有利的，因为工具1可以在任何时间被用于修改大量的衬底支撑元件21，并且因此改善了工具1的有效使用。因此，工具1的主体2的直径可以大于50mm。

工具1可以不包括通孔。换句话说，工具1可以不包括穿过主体2的孔，即，工具1可以不包括从主体表面3穿到主体2的相对表面的孔或空腔。避免在工具1中具有通孔以使工具1的制造过程更简单和容易可能是有利的。

工具1可以不具有整体环形形状。工具1可以不包括例如基本上在工具1的中心中的仅一个凹部。工具1可以不被成形为提供用于接触衬底保持器20的环状表面。避免具有这些形状(例如环形的或具有单个凹部)以使工具1的制造过程更简单和容易可以是有利的。

提供没有通孔和/或凹部的工具1可能是有利的，因为工具1可以一次用于修改大量的衬底支撑元件21，因此工具1的效果可以更大。这种情况可以是由于在任何时候工具1与衬底支撑元件21接触的面积增加了。

优选地，主体表面3是基本平坦的。这种情况意味着，主体表面3理想地沿着表面仅具有很小的变化。因此，优选地，主体表面3基本上被设置在一个平面中。表面可以具有一定量的粗糙度。一般地，工具1的与衬底支撑元件21接触的部分是工具1的远端5。因此，主体表面3的具体的粗糙度可能不能控制在与多个突出部4的远端5相同的程度。

多个突出部4和主体2可以彼此一体地设置。因此，例如，主体2和多个突出部4可以由单件材料形成。备选地，可以通过例如利用粘合剂将突出部4附接到主体表面3而在主体2上设置多个突出部4。

工具1可以由多种材料制成。优选地，工具1的硬度，并且特别是形成远端5的材料的硬度，与衬底保持器20的支撑表面22的硬度相同或更高。有利的是，如果工具1和特别是远端5的硬度比支撑表面22硬，则工具1与支撑表面22之间的相互作用将磨损衬底保持器20而不是工具1。有利的是，如果工具1和特别是远端5的硬度类似于支撑表面22的硬度，则由于工具1与支撑表面22之间的相互作用，这可能导致支撑表面22的高粗糙度。

优选地，工具1由相对硬且坚韧的材料制成。工具1可以包括碳增强的碳化硅(CSiC)、渗硅碳化硅(SiSiC)、碳化硅(SiC)、氧化铝(Al₂O₃)和/或类金刚石碳(DLC)。工具1可以由单件材料形成。因此，整个工具1可以由这些材料中的一种材料形成。备选地，工具1可以由包括这些材料中的至少一种材料的材料组合形成。特别地，由于工具1的远端5是工具1的被布置成与衬底支撑元件21接触的部分，具体地，选择用于多个突出部4的材料可以是以下至少一项：碳增强碳化硅、碳化硅、氧化铝和/或类金刚石碳。附加地或备选地，工具1可以具有在由这些材料中的至少一种材料形成的远端5上的层或涂层。

优选地，多个突出部4具有在大约50纳米至1mm之间的高度h。更优选地，多个突出部4具有大约1μm的高度。突出部4的高度h被认为是从主体表面3到多个突出部4中的一个突起部的远端5的距离，如图2C中所示出。高度h可以变化，并且应当理解，随着时间的流逝，多个突出部4的高度h可以被缓慢地略微磨损。然而，突出部4与主体表面3相距一定距离以确保突出部4的远端5，而不是主体表面3，接触支撑表面22是优选的。

单个工具1上的突出部4的数量可以变化。优选地，突出部4的数目大于或等于20。优选地，突出部4的数目小于或等于50。数目可以变化并且可以小于20或大于50。理想地，突出部4的数目为大约20-30。提供至少三个突出部4可以减少或防止工具1在衬底台WT的表面上的倾斜。

优选地，多个突出部4中的至少一个突起部具有大于或等于大约9mm²，或更优选地大于或等于大约20mm²的横截面积。优选地，多个突出部4的横截面积与多个突出部4的远端5的面积相同。因此，横截面积描述了多个突出部4的可以与支撑表面22接触的面积。多个突出部4的面积大于衬底支撑元件21的节距尺寸是优选的。仅作为示例，大约32mm的工具1可以在支撑元件之间的节距尺寸为大约2.5mm的情况下覆盖大约130个衬底支撑元件21，或在节距尺寸为大约1.5mm的情况下覆盖大约360个衬底支撑元件21。优选的突起部总数可以与被覆盖的衬底支撑元件21的数目的大约一半相同。因此，在这些示例中，该突起部总数为65或180。突出部4的优选数目可以高达180，但可以存在更多的突出部4。

多个突出部4的总面积可以被优化，以保证一定的压力通过多个突出部4中的每个突起部被施加至衬底保持器20。优选地，工具1的表面积的10％或更多被形成有突起部。如果突出部4形成为大于工具1的表面积的10％，则与衬底台WT的相互作用可以被增加，并且因此工具1的有效性可以被增加。多个突出部4的宽度可以被选择为大于相邻的衬底支撑元件21之间的距离，以便维持工具1的远端5与支撑表面22之间的接触。

在各个图中示出的多个突出部4一般被示出为正方形。因此，远端5一般被示出为正方形。然而，这种情况不是必需的。多个突出部4可以被设置成任何形状。例如，多个突出部4可以具有圆形的横截面积或三角形的横截面积。可以使用其他更复杂的形状。可以选择多个突出部4的形状以改善碎片去除并因此减少污染。然而，具有简单的形状(诸如正方形、三角形或圆形)将会更易于制造。多个突出部4可以是均匀的，因为它们都具有类似的高度和/或形状。备选地，多个突出部4中的至少一个突起部可以在高度和/或形状上与其他多个突出部4不同。

优选地，相邻的多个突出部4之间的节距大于或等于大约5mm，或优选地大于或等于大约7mm，或优选地大于或等于大约12mm。如应理解，相邻突出部4之间的节距可以取决于所提供的图案的类型而变化。例如，图4A至4C中的图案均具有被设置在相邻突出部4之间的相等节距。然而，如图2A至2C中所示出，情况可以并非如此。节距可以是从一个突起部的中心到相邻突出部4的中心的距离。此外，节距可以由一个突出部4的中心与另一最接近的突出部4的最近的中心之间的距离确定。因此，节距可以指的是突出部4之间的最小距离。

可以选择突出部4的尺寸、形状和/或节距，以优化工具1对衬底保持器20的影响。理想地，在(在使用期间)任何一次，至少大约10-15个支撑表面与工具1接触，以保证工具1与衬底保持器20均匀接触。

主体表面3上的多个突出部4可以以各种不同的图案提供。这些图案的示例在图2A至2C和4A至4C中被示出，如将在下文描述。如这些图中所示出，多个突出部4可以以均匀的图案提供。尽管示出了各种不同的图案，但是不必以图案的方式提供突出部4，并且可以在没有明显可辨认的图案的情况下提供多个突出部4。

图2A至2C中所示出的图案在主体表面3的中心处具有突起部，其中附加突出部4沿着径向向外的线被设置。在图4A至C中描绘了备选图案，其中突出部4的行和列在每一行与列之间被设置有均匀的距离。在图7A和7B中描绘了另一备选图案，其中突出部4在径向、分别圆形方向上具有细长的形状。应理解，可以使用其他不同类型的图案。

可选地，多个突出部4中的至少一个突起部可以包括多个突起部6，如图5中所示出。突起部6是在突出部4中的任一个突起部上的附加延伸部。因此，包括突起部6的多个突出部4中的任一个突起部具有在距主体表面3最远的点处(即，在突起部6的端部处)的远端5。这意味着突出部4的远端5形成于突起部6的端部上。如将看出，这一般意味着突出部4具有从中间表面7延伸的较小的突起部6。当未提供突起部6时，中间表面7可以对应于突出部4的远端。如图5中所示出，突起部6可以被设置在突出部4中的每个突起部上。

相邻突起部6之间的距离d一般可以在大约50纳米至1mm之间。多个突起部6可以在大约50纳米至1mm之间延伸。换句话说，从突起部的开始到突起部6的端部，突起部6可以具有大约50纳米至1mm的高度。

突起部6可以形成细线。细线可以是线性的或波浪形的或弯曲的。

多个突起部6和突出部4可以彼此一体地设置。因此，例如，突起部6和突出部4可以由单个材料件形成。备选地，可以通过(例如)粘合剂将突出部4附接到突出部4的表面来将突起部6设置在突出部4上。

提供如所描述的突起部6对于在突起部6之间捕获碎片以减少对衬底保持器20的污染可能特别有用。附加地，突起部6允许工具1的接触面积被优化，并且因此，在工具1下的压力可以被增大，这可以有益于控制支撑表面22的粗糙度。

备选地，多个突出部4可以以与突起部6类似的方式被提供。换句话说，多个突出部4可以以比上文相对于图2、3和4所描述的形状小得多的形状被提供。例如，多个突出部4中的相邻突起部之间的距离x可以在大约50纳米至1mm之间。因此，以此方式，突出部4一般可以被用于在工具1的表面中形成凹槽。图6中示出了这种情况的示例。

突出部4可以形成细线。细线可以是线性的或波浪形的或弯曲的。

在这种情况下，突出部4的高度可以在大约50纳米至1mm之间。换句话说，突出部4的远端5与主体表面3之间的距离在大约50纳米至1mm之间。在将少量碎片捕获在形成在多个突出部4之间的凹槽中时，可以是有利的。

提供具有这些尺寸的多个突出部4对于在多个突出部4之间捕获碎片以减少对衬底保持器20的污染可能特别有益的。附加地，具有这些尺寸的多个突出部4允许工具1的接触面积被优化，并且因此，在工具1下的压力可以被增大，这可以有益于控制支撑表面22的粗糙度。

工具1的后表面8可以被设置成各种形状，以使得工具1更容易和/或更牢固地保持在适当位置。工具1可以被连接或可连接到工具支撑件10。工具1的后表面8可以包括至少一个缩进(indent)，以与工具支撑件10配合。工具1的后表面8是不被用于修改衬底保持器20的表面。工具1的后表面8的直径可以小于主体表面3的直径，例如，以改善工具1与工具支撑件10之间的连接。

在使用期间，工具1相对于衬底保持器20保持基本平坦可能是优选的。换句话说，使工具1的主体表面3基本上平行于衬底保持器20可能是优选的。然而，这种情况不是必需的，并且工具1的定向的变化可以允许不平整的支撑表面22被更有效地磨损或平坦化。工具1可以以允许定向变化的方式例如通过使用球窝型连接被连接到工具支撑件10。

工具1可以是包括多个工具1s的较大系统的一部分。多个工具1s可以具有相同或类似的多个突出部4和/或突起部6。工具1s中的至少一个工具可以与其他工具1s不同。

工具1可以被用于越过整个衬底保持器20。换句话说，工具1可以被用于接触每个支撑元件21至少一次。

可以使用上文所描述的工具1提供方法。更具体地，方法可以用于修改衬底保持器20的衬底支撑元件21。衬底支撑元件21具有用于支撑衬底W的支撑表面22。方法可以包括提供如上文所描述的工具1。方法还可以包括使衬底保持器20的支撑表面22中的至少一些支撑表面与工具1的突出部4的远端5接触，以及使用工具1来修改支撑表面22。

衬底保持器20可以沿着工具1被移动，以便将材料从工具1接触的衬底支撑元件21的顶部去除。备选地，工具1可以相对于衬底保持器20被移动，例如同时衬底保持器20被保持静止。例如，材料去除装置MRD可以被配置成在衬底保持器20不被移动的同时使工具1在衬底支撑元件21上方移动。备选地，衬底保持器20和工具1可以同时被移动。

为了改善材料的去除，可以使工具1绕平行于图3中所示出的z方向的轴线(相对于衬底保持器)旋转。然而，这种情况可能不为获得对衬底保持器20的期望修改所需要。

在工具1与衬底支撑元件21之间在z方向上的被用于获得磨蚀效果的压力可以由衬底保持器20或工具1(或更具体地，材料去除装置MRD)或由两者施加。优选地，应该准确地控制工具1的使用，因为如果由工具1赋予的力太大，则这种情况会对衬底保持器20的平坦度具有负面影响。

工具1可以以各种方式被使用。例如，工具1可以被用于修改整个衬底保持器20，即，在一个设置中越过整个衬底保持器20。备选地，工具1可以被用于修改局部区域，即整个衬底保持器20的一部分。使用工具1的频率可以变化。例如，可以每天执行几次(例如每天4-5次)对衬底保持器20的特定部分的局部清洁。整个衬底保持器20的较大清洁可以不那么频繁地(例如每天或每周)实行。例如，可以基于所采取的指示衬底W和/或衬底保持器20的平坦度的测量来确定修改的频率和类型。衬底保持器20的平坦度被认为是衬底W所定位的支撑表面22的平坦度。

可以提供一种光刻设备，包括如上文所描述的工具1。光刻设备可以被配置成使用工具1来修改衬底保持器20的衬底支撑元件21。光刻设备可以包括衬底保持器20，该衬底保持器具有被配置成支撑衬底的多个支撑元件。

包括工具1的光刻设备可以是上文相对于图1所描述的光刻设备的全部或一部分。包括工具1的光刻设备可以是度量衡装置和/或检查装置(电子束)的至少一部分。包括工具1的光刻设备可以与图1中所描述的光刻设备结合使用。包括工具1的光刻设备可以更一般地指的是被配置成修改衬底保持器的衬底支撑元件21的设备。

包括工具1的光刻设备还可以包括检测器，该检测器被配置成检测支撑元件中的一个或多个支撑元件的高度偏差，这些支撑元件影响被支撑在衬底保持器上的衬底的表面平坦度。检测器可以对应于先前所描述的检测器HDD。工具1可以被配置成对应于支撑元件的检测到的高度偏差来修改一个或多个支撑元件的高度。

可以使用光刻设备提供对应方法。

在上文中，工具1的用途被描述为用于去除支撑保持器的一个或多个衬底支撑元件21的材料，以为其上的衬底支撑件提供更均匀的支撑。类似的工具1也可以被用于其他物品支撑系统，诸如图案形成装置支撑件。因此，工具1可以更一般地被用于接触支撑表面。例如，在实施例中提供了一种光刻设备。在该实施例中，光刻设备被配置成修改物品保持器的支撑元件。光刻设备包括具有多个支撑元件的物品保持器，支撑元件具有被配置成支撑物品的支撑表面。光刻设备还包括具有工具1的材料去除装置，该工具包括具有主体表面3的主体2，其中工具1包括自主体表面3的多个突出部4，多个突出部4具有被配置成接触支撑表面以修改支撑元件的远端。

包括工具1的光刻设备可以是上文相对于图1所描述的光刻设备的全部或一部分。包括工具1的光刻设备可以是度量衡装置和/或检查装置(电子束)的至少一部分。包括工具1的光刻设备可以与图1中所描述的光刻设备结合使用。包括工具1的光刻设备可以更一般地指的是被配置成修改物品保持器的支撑元件的设备。

在该实施例中，包括工具1的光刻设备还可以包括检测器，该检测器被配置成检测支撑元件中的一个或多个支撑元件的高度偏差，这些支撑元件影响被支撑在物品保持器上的物品的表面平坦度。检测器可以对应于先前所描述的检测器HDD。检测器可以类似于检测器HDD，但是可以被用于检测物品而不是衬底的表面平坦度。工具1可以被配置成对应于支撑元件的检测到的高度偏差来修改一个或多个支撑元件的高度。

可以提供一种对应的用于修改物品保持器的支撑元件的方法，支撑元件具有用于支撑物品的支撑表面。方法包括：提供根据该实施例的光刻设备；使支撑表面中的至少一些与工具的突出部的远端接触，并使用工具来修改支撑表面。

在该实施例中被用于修改物品的工具可以具有上文针对专门被用于修改衬底保持器20的工具1所描述的任何或全部变型。

在光刻设备中提供根据本发明的实施例的工具1，提供了优于现有技术的光刻设备的许多优点。第一个优点在于，衬底台/保持器(或其他支撑表面)可以以较小的平坦度并且因此以较低的成本被安装在光刻设备中，这是由于可以通过使用工具1使衬底保持器在光刻设备中平坦化。进一步地，由于可以校正由于磨损引起的不平坦度，因此衬底保持器的磨损不再具有重要意义。因此，可以使用对晶片台/衬底保持器20材料的不太严格的约束。此外，通过使用工具1，支撑表面22的平坦度可以随着时间的流逝而改善，从而改善光刻设备的重叠性能。

尽管在本文中可以具体参考光刻设备在IC制造中的使用，但应理解，本文中所描述的光刻设备可能具有其他应用，诸如制造集成光学系统、用于磁畴存储器的导引和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。本领域的技术人员将了解，在这种替代应用的上下文中，应将本文中的术语“晶片”或“裸片”的任何使用视为分别与更通用的术语“衬底”或“目标部分”同义。本文中所参照的衬底可以在曝光之前或之后在例如涂布显影系统(通常将抗蚀剂层施加到衬底并使曝光的抗蚀剂显影的工具)、量测工具和/或检查工具中进行处理。在适用的情况下，本文中的公开内容可以应用于这种和其他衬底处理工具1s。进一步地，可以对衬底处理多于一次，例如，以便创建多层IC，以使得本文中所使用的术语衬底也可以指已经包含多个已处理层的衬底。

尽管上文可能已经在光学光刻的上下文中具体参考了本发明的实施例的使用，但将了解，本发明可以被用于其他应用，例如压印光刻，并且在上下文允许的情况下，不限于光学光刻。在压印光刻中，图案形成装置中的形貌限定了在衬底上创建的图案。可以将图案形成装置的形貌压入供应给衬底的抗蚀剂层中，接着通过施加电磁辐射、热量、压力或其组合来使抗蚀剂固化。将图案形成装置从抗蚀剂中移出，在抗蚀剂被固化之后在其中留下图案。

本文中所使用的术语“辐射”和“束”涵盖所有类型的电磁辐射，包括紫外线(UV)辐射(例如，具有或约为365、248、193、157或126nm的波长)和远紫外线(EUV)辐射(例如，具有5-20nm的范围内的波长)以及粒子束，诸如离子束或电子束。

在上下文允许的情况下，术语“透镜”可以指各种类型的光学部件中的任何一种或组合，包括折射、反射、磁性、电磁和静电光学部件。

虽然上文已经描述本发明的具体实施例，但将了解，本发明可以不同于所描述的方式来实践。上文描述旨在为说明性而非限制性的。因此，本领域的技术人员将显而易见，可以如所描述在不脱离下文所阐述的权利要求书的范围的情况下，对本发明进行修改。

上文描述旨在为说明性而非限制性的。因此，本领域的技术人员将显而易见，可以如所描述在不脱离下文所阐述的权利要求书的范围的情况下，对本发明进行修改。