单体组合物的纯化方法和聚合物的制造方法
阅读说明：本技术 单体组合物的纯化方法和聚合物的制造方法 (Method for purifying monomer composition and method for producing polymer ) 是由 安祐辅 藤井健作 于 2019-06-25 设计创作，主要内容包括：本发明提供了一种单体组合物的纯化方法,上述单体组合物包含至少具有2个选自芳香族烃单环和芳香族杂单环中的单环的多环芳香族乙烯基化合物。该纯化方法包括从单体组合物中至少除去硫的除杂工序。(The present invention provides a method for purifying a monomer composition containing a polycyclic aromatic vinyl compound having at least 2 monocyclic rings selected from an aromatic hydrocarbon monocyclic ring and an aromatic heteromonocyclic ring. The purification method includes a step of removing at least sulfur from the monomer composition.)
技术领域
本发明涉及一种单体组合物的纯化方法和聚合物的制造方法。
背景技术
近年来，作为可在各种用途中使用的优异的材料，来自具有脂肪族共轭二烯单体单元和乙烯基萘等具有2个以上的芳香族烃单环的单体单元的共聚物的材料受到关注。
具体而言，在例如专利文献1中公开了：使特定的乙烯基萘类和特定的二烯类发生共聚反应得到A-B-A型三嵌段共聚物、使用金属催化剂对该A-B-A型三嵌段共聚物进行加氢得到加氢嵌段共聚物的方法；以及由该加氢嵌段共聚物形成的光学膜。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2006-111650号公报。
发明内容
发明要解决的问题
在此，通过本发明人的研究，发现在使用包含含有专利文献1所公开的那样的特定的乙烯基萘类的多环芳香族乙烯基化合物的单体组合物来制造聚合物时，该多环芳香族乙烯基化合物所含有的杂质会阻碍聚合反应的进行。然而，在专利文献1中，完全没有公开多环芳香族乙烯基化合物中可含有的杂质可对聚合反应产生的影响，更没有公开任何使该杂质的量减少的观点。
因此，本发明的目的在于提供一种单体组合物的纯化方法，其能够除去包含多环芳香族乙烯基化合物的单体组合物所含有的、至少一部分会阻碍聚合反应的杂质。
此外，本发明的目的在于提供一种聚合物的制造方法，其使用了至少包含纯化的含有多环芳香族乙烯基化合物的单体组合物的组合物。
用于解决问题的方案
本发明人为了实现上述目的进行了深入研究。然后，本发明人新发现在使用包含多环芳香族乙烯基化合物的单体组合物形成聚合物时，在包含多环芳香族乙烯基化合物的单体组合物中可作为杂质含有的硫会阻碍聚合物的形成等，从而完成了本发明。
即，本发明以有利地解决上述问题为目的，本发明的单体组合物的纯化方法的特征在于，其为包含下述多环芳香族乙烯基化合物的单体组合物的纯化方法，上述多环芳香族乙烯基化合物至少具有2个选自芳香族烃单环和芳香族杂单环中的单环，该单体组合物的纯化方法包含除杂工序，上述除杂工序包括从上述单体组合物中至少除去硫。通过像这样纯化包含多环芳香族乙烯基化合物的单体组合物来至少除去硫，能够得到聚合时的聚合转化率高的单体组合物。
在此，在本发明的单体组合物的纯化方法中，优选在上述除杂工序中使上述单体组合物所含有的硫量以上述多环芳香族乙烯基化合物的质量为基准计为150ppm以下。通过像这样在除杂工序中使单体组合物所含有的硫量以多环芳香族乙烯基化合物的质量为基准计为150ppm以下，能够得到聚合时的聚合转化率更高的单体组合物。另外，硫量能够通过实施例记载的方法进行测定。
此外，在本发明的单体组合物的纯化方法中，优选经过上述除杂工序得到的除硫后单体组合物所含有的硫量为纯化前的上述单体组合物所含有的硫量的90质量％以下。通过像这样在除杂工序中将除硫前的单体组合物所包含的硫中的至少10质量％除去，能够得到聚合时的聚合转化率更高的单体组合物。
此外，在本发明的单体组合物的纯化方法中，优选在上述除杂工序中还包括从上述单体组合物中除去卤素。通过在纯化上述规定的单体组合物时除去卤素，能够得到聚合时的聚合转化率更高的单体组合物。
进而，在本发明的单体组合物的纯化方法中，优选在上述除杂工序中使上述单体组合物所含有的卤素量以上述多环芳香族乙烯基化合物的质量为基准计为300ppm以下。通过在除杂工序中使单体组合物所含有的卤素量以多环芳香族乙烯基化合物的质量为基准计为300ppm以下，能够得到聚合时的聚合转化率更高的单体组合物。另外，卤素量能够通过实施例记载的方法进行测定。
进而，在本发明的单体组合物的纯化方法中，优选经过上述除杂工序得到的除卤素后单体组合物所含有的卤素量为纯化前的上述单体组合物所含有的卤素量的90质量％以下。通过像这样在除杂工序中将除卤素前的单体组合物所包含的卤素中的至少10质量％除去，能够得到聚合时的聚合转化率更高的单体组合物。
而且，在本发明的单体组合物的纯化方法中，上述多环芳香族乙烯基化合物可以包含乙烯基萘。包含乙烯基萘的单体组合物能够优选用于各种用途。
而且，在本发明的单体组合物的纯化方法中，优选通过在上述除杂工序中对上述单体组合物添加吸附材料而从上述单体组合物中除去硫。通过像这样对包含多环芳香族乙烯基化合物的单体组合物添加吸附材料而除去硫，能够得到聚合时的聚合转化率高的单体组合物。
而且，在本发明的单体组合物的纯化方法中，优选上述吸附材料含有超过50质量％的Al2O3。如果像这样吸附材料满足该组成，则能够更有效地从单体组合物中除去硫。另外，吸附材料的组成能够按照实施例记载的方法进行分析。
而且，在本发明的单体组合物的纯化方法中，优选上述吸附材料的BET比表面积为100m2/g以上。如果像这样吸附材料的BET比表面积为100m2/g以上，则能够更有效地从单体组合物中除去硫。另外，吸附材料的BET比表面积能够按照实施例记载的方法进行测定。
而且，在本发明的单体组合物的纯化方法中，优选在上述除杂工序中以上述多环芳香族乙烯基化合物的质量的0.05倍以上的比例添加上述吸附材料。通过使吸附材料的添加量为多环芳香族乙烯基化合物的质量的0.05倍以上，能够更有效地从单体组合物中除去硫。
此外，本发明以有利地解决上述问题为目的，本发明的聚合物的制造方法的特征在于，其包括对组合物(I)进行阴离子聚合而得到聚合物的聚合工序，上述组合物(I)包含按照上述任一种单体组合物的纯化方法得到的纯化后单体组合物。通过对组合物(I)进行阴离子聚合，能够以高聚合转化率形成聚合物。
在此，在本发明的聚合物的制造方法中，优选在上述聚合工序中使上述多环芳香族乙烯基化合物与脂肪族共轭二烯化合物共聚。通过在聚合工序中使多环芳香族乙烯基化合物与脂肪族共轭二烯化合物共聚，能够得到能够优选地用于各种用途的共聚物，尤其是能够得到能够优选地用于形成光学膜等光学部件的共聚物。
此外，在本发明的聚合物的制造方法中，在上述聚合工序中，还可以包括(1)使上述多环芳香族乙烯基化合物与上述脂肪族共轭二烯化合物进行嵌段共聚而得到嵌段共聚物，还可以包括(2)使上述多环芳香族乙烯基化合物与脂肪族共轭二烯化合物进行无规共聚而得到无规共聚物。由此，能够根据嵌段共聚物或无规共聚物等聚合结构赋予聚合物期望的属性，能够提供能够优选地应用于各种用途的聚合物。
发明效果
根据本发明，能够提供一种单体组合物的纯化方法，其能够除去包含多环芳香族乙烯基化合物的单体组合物所含有的、至少一部分会阻碍聚合反应的杂质。
此外，根据本发明，能够提供一种聚合物的制造方法，其使用了至少包含纯化的含有多环芳香族乙烯基化合物的单体组合物的组合物。
具体实施方式
以下，对本发明的实施方式进行详细地说明。
在此，通过本发明的单体组合物的纯化方法得到的纯化后单体组合物能够在本发明的聚合物的制造方法中优选地使用。
(单体组合物的纯化方法)
本发明的单体组合物的纯化方法为包含下述多环芳香族乙烯基化合物的单体组合物的纯化方法，上述多环芳香族乙烯基化合物至少具有2个选自芳香族烃单环和芳香族杂单环中的单环。该纯化方法的特征在于包括从单体组合物中至少除去硫的除杂工序。在本发明的单体组合物的纯化方法中，通过除去作为纯化对象的单体组合物中作为杂质含有的硫，能够得到作为纯化后单体组合物的聚合时的聚合转化率高的单体组合物。在此，聚合某单体组合物时的聚合转化率高意为在使用该单体组合物得到聚合物的情况下的收率高。因此，从高效地制造聚合物的观点出发，优选聚合时的聚合转化率高的单体组合物。进而，在本发明的单体组合物的纯化方法中，优选除杂工序包括除去卤素。以下，对作为纯化对象的单体组合物和在本发明的单体组合物的纯化方法中可包含的各种工序等进行说明。
<作为纯化对象的单体组合物>
本发明的单体组合物的纯化方法中的作为纯化对象的单体组合物包含规定的多环芳香族乙烯基化合物和杂质。
<<多环芳香族乙烯基化合物>>
多环芳香族乙烯基化合物为至少具有2个选自芳香族烃单环和芳香族杂单环中的单环的化合物。另外，在多环芳香族乙烯基化合物中存在的2个以上的单环可以彼此独立，也可以进行稠合形成稠环，优选存在的2个以上的单环进行稠合而存在。此外，作为纯化对象的单体组合物可以包含一种或多种多环芳香族乙烯基化合物。
而且，作为芳香族烃单环，可举出例如苯环和具有取代基的苯环等。此外，作为取代基，可举出：甲基、乙基、丙基、叔丁基等烷基；氟基、氯基、溴基等卤素基团等。
此外，作为芳香族杂单环，可举出例如二唑环、唑环、唑并吡嗪环、唑并吡啶环、唑并吡唑环、唑并嘧啶环、噻二唑环、噻唑环、三嗪环、吡喃酮环、吡喃环、吡啶环、哒嗪环、嘧啶环、吡咯环等。
而且，作为多环芳香族乙烯基化合物，可举出例如1-乙烯基萘、2-乙烯基萘、乙烯基蒽、1,1-二苯乙烯等。在它们之中，作为多环芳香族乙烯基化合物，优选1-乙烯基萘和2-乙烯基萘等乙烯基萘。包含乙烯基萘的单体组合物能够优选地用于各种用途。
<<杂质>>
作为用作纯化对象的单体组合物所包含杂质，可举出硫。作为杂质的硫没有特殊限定，可含有游离硫和各种含硫化合物这样的硫物质。此外，作为除硫以外的杂质，可举出：氟、氯、溴及碘等卤素；以及水等。作为杂质的卤素的含有状态没有特殊限定，可举出各种含卤素化合物。
根据本发明人的研究可知，上述杂质中的以各种含有状态含有的硫对于单体组合物聚合时的聚合转化率的阻碍效果起主要作用。因此，在本发明的单体组合物的纯化方法中，在除杂工序中从单体组合物中至少除去硫是必要条件。
<除杂工序>
在除杂工序中，从单体组合物中至少除去硫。作为硫的除去方法没有特殊限定，能够采用使用吸附材料的方法和升华法等。在它们中，从硫的除去效率的观点出发，优选使用吸附材料的方法。具体而言，在使用吸附材料的方法中，通过使吸附材料与作为纯化对象的单体组合物接触，能够除去单体组合物所包含的硫。
<<吸附材料>>
作为吸附材料，只要至少能够吸附游离硫或硫化合物，则能够使用任意物质。进而，作为吸附材料，优选其组成中的Al2O3的比例超过50质量％的无机氧化物。而且，作为吸附材料的无机氧化物的组成中的Al2O3的比例更优选为60质量％以上，进一步优选为75质量％以上，更进一步优选为95质量％以上。如果作为吸附材料的无机氧化物的组成中的Al2O3的含有比例高，则能够更有效地从单体组合物中除去硫。另外，作为吸附材料的无机氧化物的组成可以实质上仅由Al2O3形成(即，吸附材料可以为高纯度氧化铝)。进而，优选作为吸附材料的无机氧化物包含Fe2O3。在作为吸附材料的无机氧化物包含Fe2O3的情况下，Fe2O3的含有比例可以为0.01质量％以上且0.05质量％以下。
此外，优选吸附材料的BET比表面积为100m2/g以上，更优选为150m2/g以上。如果吸附材料的BET比表面积为上述下限值以上，则能够更有效地从单体组合物中除去硫。另外，吸附材料的BET比表面积通常可为400m2/g以下。
进而，吸附材料优选数均粒径为10mm以下。如果数均粒径为10mm以下，则能够充分提高吸附材料与单体组合物的接触频率、能够提高除硫效率。另外，吸附材料的形状优选为球状。这是因为如果为球状，则能够充分提高吸附材料与单体组合物的接触频率。此外，吸附材料的数均粒径通常可为1mm以上。另外，吸附材料的数均粒径能够按照实施例记载的方法，作为10个吸附材料的直径测定值的算术平均值而算出。
进而，吸附材料优选填充密度为0.70kg/l以上且0.90kg/l以下。这是因为如果吸附材料的填充密度在上述范围内，则能够更充分地提高除硫效率。进而，在吸附材料的比表面积相等的情况下，填充密度更大的吸附材料的除硫效率更优异。另外，吸附材料的填充密度能够按照常规方法进行测定。
作为可满足上述那样的优选性状的吸附材料，没有特殊限定，可举出SumitomoChemical Co.,Ltd.制活性氧化铝“KH系列”和“NK系列”。
而且，在除杂工序中对单体组合物添加吸附材料时，以如下方式进行添加，以使得添加的吸附材料的质量优选为多环芳香族乙烯基化合物的质量的0.05倍以上，更优选为0.10倍以上，进一步优选为0.15倍以上，优选为2.0倍以下。通过使吸附材料的添加量相对于多环芳香族乙烯基化合物的质量的比例(倍)为上述下限值以上，能够进一步提高除硫效率。此外，如果吸附材料的添加量相对于多环芳香族乙烯基化合物的质量的比例(倍)为上述上限值以下，则能够抑制因在实施除杂工序的容器内吸附材料所占的容积过大导致的容器内的单体组合物的导入量过少。
另外，除杂工序能够在例如-80℃以上且70℃以下的温度条件、以0.5小时以上且30天以内的处理时间(期间)实施。
而且，在除杂工序中，以多环芳香族乙烯基化合物的质量为基准计，优选使单体组合物所含有的硫量为150ppm以下，更优选使其为100ppm以下。通过在除杂工序中使单体组合物所含有的硫量为上述上限值以下，能够得到聚合时的聚合转化率更高的单体组合物。另外，可以通过除杂工序完全地除去硫，即可以在使经过除杂工序的除硫后单体组合物所包含的硫量成为0ppm的条件下实施除杂工序。然而，从除杂工序需要的时间变得过长和高效地提高聚合时的聚合转化率的观点等出发，经过除杂工序的除硫后单体组合物的硫量可以为30ppm以上。
此外，在除杂工序中，优选经过除杂工序得到的除硫后单体组合物所含有的硫量为纯化前的单体组合物所含有的硫量的90质量％以下，更优选为70质量％以下。通过使经过除杂工序的除硫后单体组合物所包含的硫量相对于纯化前的单体组合物所含有的硫量的比率(以下，仅称为“相对于纯化前的硫量的比率”)为上述上限值以下，能够得到聚合时的聚合转化率更高的单体组合物。其原因尚不明确，推测这是因为：在除杂工序中进行处理而使得相对于纯化前的硫量的比率为上述上限值以下的情况下，对聚合反应的阻碍作用大的硫物质被有效地除去。
进而，在本发明的单体组合物的纯化方法的除杂工序中，优选包括除去卤素。通过在除杂工序中除去卤素，能够得到聚合时的聚合转化率更高的单体组合物。在除杂工序中，尤其优选除去卤素中的溴，更具体而言，在除杂工序中，优选使单体组合物所包含的溴的量在下述的优选范围内。在此，在除杂工序中，可以以任意顺序实施硫的除去和卤素的除去。更详细而言，可以实施先除去硫或卤素的任一种、然后除去另一种，也可以同时实施二者。作为卤素的除去方法，没有特殊限定，能够采用使用吸附材料的方法、升华法及蒸馏法等。
例如，如上所述，在除杂工序中使用吸附材料除去硫时，有时该吸附材料不仅会吸附硫还会吸附卤素。在这种情况下，在除杂工序中，通过以除去硫为目进行的操作，由于卤素也被吸附材料吸附，所以实质上同时实施了硫的除去和卤素的除去。像这样，可以通过除杂工序中的一个操作，实质上同时进行硫的除去和卤素的除去。
在除杂工序中除去卤素时，以多环芳香族乙烯基化合物的质量为基准计，优选使单体组合物所含有的卤素量(优选为溴量)为300ppm以下，更优选为250ppm以下，进一步优选为160ppm以下。通过在除杂工序中使单体组合物所含有的卤素量为上述上限值以下，能够得到聚合时的聚合转化率更高的单体组合物。另外，可以通过除杂工序完全地除去卤素，即可以在使通过除杂工序得到的除卤素后单体组合物中的卤素量为0ppm的条件下实施卤素的除去。然而，从除杂工序需要的时间和工时和聚合时的聚合转化率的观点出发，通过除杂工序得到的除卤素后单体组合物的卤素量可以为50ppm以上。
此外，在除杂工序中，优选通过除杂工序得到的除卤素后单体组合物所含有的卤素量(优选为溴含量)为纯化前的单体组合物所含有的卤素量(优选为溴含量)的90质量％以下，更优选为70质量％以下，进一步优选为55质量％以下。通过使经过除杂工序的除卤素后单体组合物所包含的卤素量相对于纯化前的单体组合物所含有的卤素量的比率(以下，仅称为“相对于纯化前的卤素量的比率”)为上述上限值以下，能够得到聚合时的聚合转化率更高的单体组合物。
<其它预处理工序>
进而，能够任意地实施除去单体组合物中含有的水等的预处理工序。作为除去单体组合物中含有的水的方法，没有特殊限定，可举出使分子筛等由沸石形成的干燥剂和单体组合物接触的方法等。该预处理工序没有特殊限定，能够在任意时间实施，从提高制造效率的观点出发，优选与上述除杂工序同时实施。
(聚合物的制造方法)
本发明的聚合物的制造方法的特征在于包括对下述组合物(I)进行阴离子聚合得到聚合物的聚合工序，上述组合物(I)包含按照上述本发明的单体组合物的纯化方法得到的纯化后单体组合物。通过对组合物(I)进行阴离子聚合，能够以高聚合转化率形成聚合物。其原因尚不明确，推测是因为：除杂工序所除去的硫对各种聚合方式、特别是阴离子聚合发挥阻碍作用，因此通过使用经过上述除杂工序的纯化后单体组合物，可显著地提高利用阴离子聚合的聚合转化率。
<聚合工序>
在聚合工序中，对组合物(I)进行阴离子聚合得到聚合物。组合物(I)需要包含上述的多环芳香族乙烯基化合物，该多环芳香族乙烯基化合物至少具有2个选自芳香族烃单环和芳香族杂单环中的单环。而且，在聚合工序中，实施使用了阴离子聚合催化剂的阴离子聚合，能够得到仅由来自多环芳香族乙烯基化合物的单体单元形成的均聚物、或包含来自多环芳香族乙烯基化合物的单体单元和来自其它化合物的单体单元的共聚物。另外，阴离子聚合没有特殊限定，能够在氮气等非活性气体环境下、在有机溶剂中进行。
在聚合工序中，能够使多环芳香族乙烯基化合物与脂肪族共轭二烯化合物共聚。作为脂肪族共轭二烯化合物，可举出例如1,3-丁二烯、2-甲基-1,3-丁二烯(异戊二烯)等链状共轭二烯化合物，由于聚合后能够对共聚物组合物赋予可挠性，所以特别优选2-甲基-1,3-丁二烯(异戊二烯)和1,3-丁二烯。它们能够单独使用一种或混合使用两种以上。
在此，组合物(I)可以包含除上述化合物以外的其它化合物。作为该其它化合物，可举出例如单环芳香族乙烯基化合物和不饱和羧酸酯等。单环芳香族乙烯基化合物为具有1个上述芳香族烃单环的单体单元。具体而言，作为单环芳香族乙烯基化合物，可举出例如苯乙烯、α-甲基苯乙烯、2-甲基苯乙烯、3-甲基苯乙烯、4-甲基苯乙烯等。此外，具体而言，作为不饱和羧酸酯，可举出丙烯酸甲酯和甲基丙烯酸甲酯等。它们能够单独使用一种或混合使用两种以上。
而且，作为在聚合工序中使用的阴离子聚合催化剂，可举出例如烷基的碳原子数为1～10的烷基锂化合物。推测在将烷基的碳原子数为1～10的烷基锂用作阴离子聚合催化剂的情况下，当组合物(I)中存在硫时，烷基锂会作为碱发挥作用等，阻碍阴离子聚合。因此，通过利用本发明的纯化方法除去至少一部分单体组合物包含的硫，在将烷基的碳原子数为1～10的烷基锂用作阴离子聚合催化剂的情况下，能够有效地抑制阴离子聚合反应受到阻碍。
作为烷基锂化合物，可举出例如甲基锂、乙基锂、戊基锂、正丁基锂、仲丁基锂、叔丁基锂等。其中，从高效地进行聚合反应的观点出发，作为阴离子聚合催化剂，优选使用正丁基锂。此外，阴离子聚合催化剂的使用量根据目标共聚物的分子量进行适当调节即可，例如能够使组合物(I)中的单体相对于阴离子聚合催化剂的摩尔当量优选为50当量以上，更优选为100当量以上，优选为3000当量以下，更优选为2000当量以下，进一步优选为1400当量以下的范围。另外，还可以任意地使用二丁醚等已知的共催化剂与阴离子聚合催化剂并用。
进而，作为在聚合工序中使用的有机溶剂，没有特殊限定，可举出例如：戊烷、己烷、庚烷等脂肪族烃；环戊烷、环己烷、甲基环己烷、二甲基环己烷、三甲基环己烷、乙基环己烷、二乙基环己烷、十氢萘、双环庚烷、三环癸烷、六氢茚、环辛烷等脂环族烃；苯、甲苯、二甲苯等芳香族烃；二氯甲烷、氯仿、1,2-二氯乙烷等卤系脂肪族烃；氯苯、二氯苯等卤系芳香族烃；硝基甲烷、硝基苯、乙腈等含氮烃系溶剂；或它们的混合溶剂。在它们中，从高效地进行聚合反应的观点出发，优选将甲苯用作有机溶剂。另外，这些有机溶剂可以单独使用一种，也可以任意的比率组合使用两种以上。以组合物(I)中单体的总质量为100质量份计，有机溶剂的使用量能够为例如20质量份以上且20000质量份以下。
而且，作为使多环芳香族乙烯基化合物和脂肪族共轭二烯化合物共聚的方法，可举出无规共聚的方法、嵌段共聚的方法。
在此，使多环芳香族乙烯基化合物与脂肪族共轭二烯化合物进行无规聚合的方法没有特殊限定，能够采用现有公知的无规共聚物的制造方法。在使多环芳香族乙烯基化合物与脂肪族共轭二烯化合物进行无规聚合的情况下，通过使多环芳香族乙烯基化合物为按照本发明的纯化方法得到的纯化后单体组合物，能够以高聚合转化率形成无规聚合物。进而，在使多环芳香族乙烯基化合物与脂肪族共轭二烯化合物进行无规聚合的情况下，以组合物(I)中的全部单体为100质量％计，组合物(I)中的多环芳香族乙烯基化合物的含有比例可为例如5质量％以上且99质量％以下。特别是在组合物(I)中的多环芳香族乙烯基化合物的含有比例为上述下限值以上的情况下，通过使用按照本发明的纯化方法得到的纯化后单体组合物，能够显著地提高聚合转化率。
此外，使多环芳香族乙烯基化合物与脂肪族共轭二烯化合物进行嵌段共聚的方法没有特殊限定，能够采用现有公知的嵌段共聚物的制造方法。例如，如果在制造包含聚合物嵌段[A]和聚合物嵌段[B]的([A]-[B]-[A])型三嵌段共聚物的情况下，该聚合物嵌段[A]包含来自多环芳香族乙烯基化合物的结构单元且以来自芳香族乙烯基化合物的结构单元为主成分(以下，仅称为“规定的聚合物嵌段[A]”)、该聚合物嵌段[B]以来自脂肪族共轭二烯化合物的结构单元为主成分(以下，仅称为“规定的聚合物嵌段[B]”)，则可举出如下方法等。
(i)包含如下工序的方法：使包含多环芳香族乙烯基化合物的单体混合物(a1)聚合、形成规定的聚合物嵌段[A]的第1聚合工序；使含有脂肪族共轭二烯化合物的单体混合物(b1)聚合、形成规定的聚合物嵌段[B]的第2聚合工序；使含有多环芳香族乙烯基化合物的单体混合物(a2)聚合、形成规定的聚合物嵌段[A]的第3聚合工序；和
(ii)包含如下工序的方法：使含有多环芳香族乙烯基化合物的单体混合物(a1)聚合、形成规定的聚合物嵌段[A]的第1聚合工序；使含有脂肪族共轭二烯化合物的单体混合物(b1)聚合、形成以来自脂肪族共轭二烯化合物的结构单元为主成分的聚合物嵌段[B’]的第2聚合工序；通过偶联剂使聚合物嵌段[B’]的末端彼此偶联的工序。
另外，作为上述(ii)的方法中使用的偶联剂，没有特殊限定，能够使用现有公知的偶联剂。此外，偶联剂的使用量根据目标嵌段共聚物的分子量进行适当调节即可。另外，在本说明书中，某聚合物嵌段以某结构单元“为主成分”意为以构成该聚合物嵌段的全部单体为100质量％计，某结构单元的比例超过50质量％，优选为60质量％以上，更优选为70质量％以上，进一步优选意为80质量％以上。另外，在某聚合物嵌段以某结构单元“为主成分”的情况下，该聚合物嵌段的全部单元可以为某结构单元。即，某聚合物嵌段可以为仅由作为主成分的结构单元形成的嵌段。而且，在形成该聚合物嵌段时使用的单体混合物中的各化合物间的质量比率以目标聚合物嵌段中的各结构单元的比例为准。
另外，上述包含多环芳香族乙烯基化合物的单体混合物(a1)可以包含单环芳香族乙烯基化合物，以单体混合物(a1)所含有的全部单体量为100质量％计，由多环芳香族乙烯基化合物和单环芳香族乙烯基化合物形成的芳香族乙烯基化合物的含量优选超过50质量％，更优选为60质量％以上，进一步优选为70质量％以上，特别优选为80质量％以上。另外，单体混合物(a1)中的所包含的单体可以全部为芳香族乙烯基化合物。进而，单体混合物(a1)中的多环芳香族乙烯基化合物和单环芳香族乙烯基化合物的比率以质量基准计可在多环芳香族乙烯基化合物∶单环芳香族乙烯基化合物＝5∶95～100∶0的范围。聚合该单体混合物(a1)得到的上述聚合物嵌段[A]中的各种单体单元的比例为基于上述含量和比率的比例。
而且，聚合温度没有特殊限定，能够为例如20℃以上且150℃以下，优选为25℃以上且120℃以下。这是因为如果聚合温度为上述下限值以上，则能够使聚合催化剂充分地发挥功能。此外，这是因为如果聚合温度为上述上限值以下，则能够抑制聚合催化剂的分解。
此外，聚合时间没有特殊限定，能够为例如1小时以上且10小时以下。这是因为如果聚合时间为上述下限值以上，则能够使聚合反应充分地进行。此外，这是因为如果聚合时间为上述上限值以下，则能够降低制造共聚物所需要的时间。
而且，在聚合工序结束后，得到的共聚物的回收方法没有特殊限定，例如能够作为聚合溶液直接回收。另外，通过聚合工序得到的反应混合物通常可包含共聚物和有机溶剂。
通过使用纯化后单体组合物的上述聚合工序得到的聚合物包含来自多环芳香族乙烯基化合物的结构单元、可任意地包含来自脂肪族共轭二烯化合物的结构单元以及来自其它化合物的结构单元。更具体而言，通过上述聚合工序所得到的聚合物可为仅由来自多环芳香族乙烯基化合物的结构单元形成的均聚物、或者可为包含来自脂肪族共轭二烯化合物的结构单元以及来自任意的其它化合物的结构单元的无规共聚物或嵌段共聚物。而且，该聚合物与未使用纯化后单体组合物而根据现有方法进行聚合的聚合物相比，分子量分布窄。因此，根据本发明的聚合物的制造方法，能够得到分子量较均匀的聚合物。另外，“分子量分布”能够通过实施例记载的方法进行测定。
其中，在上述聚合工序中实施嵌段共聚得到的反应混合物中存在的嵌段共聚物为具有([A]-[B]-[A])型三嵌段结构的三嵌段共聚物的情况下，优选纯度为45％以上。该嵌段共聚物能够在制造光学部件的形成材料时优选地使用。另外，“三嵌段共聚物的纯度”能够通过实施例记载的方法，作为三嵌段共聚物的质量相对于形成的嵌段共聚物的总质量的比率而算出。
三嵌段共聚物的纯度优选为70％以上，更优选为90％以上。如果三嵌段共聚物的纯度为上述下限值以上，则在将包含该共聚物的材料成型为膜状的情况下，能够更良好地发挥三维相位差这样的光学性能。
进而，在上述聚合工序中实施嵌段共聚所得到的反应混合物中存在的嵌段共聚物为具有([A]-[B]-[A])型三嵌段结构的三嵌段共聚物的情况下，优选分子量分布为1.50以下。该嵌段共聚物能够在制造光学部件的形成材料时优选地使用。
三嵌段共聚物的分子量分布优选为2.0以下，更优选为1.50以下。如果得到的三嵌段共聚物的分子量分布为上述上限值以下，则在将包含该共聚物的材料成型为膜状的情况下，能够更良好地发挥三维相位差这样的光学性能。
实施例
以下，基于实施例对本发明进行具体地说明，但是本发明并不限定于这些实施例。另外，在以下的说明中，除非另有说明，表示量的“％”和“份”为质量基准。以下示出各种物性的测定方法。
<吸附材料的组成>
在氮化硼的研钵中粉碎吸附材料，通过电感耦合等离子体(Inductively CoupledPlasma：ICP)发光法求出组成。结果在表或本文中示出。
<吸附材料的BET比表面积>
吸附材料的BET比表面积基于JIS Z8830：2013，根据BET法测定。结果示于表1。
<吸附材料的粒径>
使用卡尺测定10个作为球状的吸附材料的直径，算出算术平均值。结果示于表1。
<数均分子量(Mn)、重均分子量(Mw)、峰位分子量(Mp)以及分子量分布(Mw/Mn)>
使用凝胶渗透色谱(GPC)，测定在实施例、比较例中得到的各种聚合物的数均分子量(Mn)、重均分子量(Mw)以及峰位分子量(Mp)，算出分子量分布(Mw/Mn)。
此时，使用HLC-8320(Tosoh Corporation制)作为测定设备。串联连结使用二根TSKgelα-M(Tosoh Corporation制)作为柱。使用示差折光仪RI-8320(Tosoh Corporation制)作为检测器。然后，使用四氢呋喃作为洗脱液，求出上述各种聚合物的数均分子量(Mn)、重均分子量(Mw)以及峰位分子量(Mp)作为标准聚苯乙烯换算值。由此算出分子量分布(Mw/Mn)。
<转化率>
通过测定将氘代氯仿作为溶剂的1H-NMR，算出2-乙烯基萘的转化率和异戊二烯的转化率。此外，对于各个例子按照以下基准进行评价。
A：90％以上
B：80％以上且小于90％
C：小于80％
<硫量和溴量的测定>
在减压下蒸馏在实施例、比较例中得到的纯化后单体组合物而除去溶剂，得到试样。在磁性板上量取约0.02g的试样，使用自动燃烧装置(Yanaco Corporation制)燃烧后，通过离子色谱(DIONEX Corporation制，ICS-1500)对硫量和溴量进行定量。另外，硫量和溴量分别定量为在每1g质量的多环芳香族乙烯基化合物中含有的硫量(μg)和溴量(μg)，即以多环芳香族乙烯基化合物的质量为基准的量(ppm)。
另外，相对于纯化前的硫量的比率和相对于纯化前的溴量的比率能够通过将按照上述定量的纯化后单体组合物中的各量(ppm)分别除以纯化前的单体组合物中的硫量(ppm)、溴含量(ppm)，换算为百分数而得到。
<三嵌段共聚物的纯度>
关于制备了三嵌段共聚物的实施例、比较例，基于下述式算出其纯度。
三嵌段共聚物的纯度(％)＝[分离的三嵌段共聚物的质量(g)/反应混合物中包含的全部聚合物的质量(g)]×100
另外，在反应混合物中包含的各聚合物的质量基于利用凝胶渗透色谱(GPC)的面积比而算出。
以下，示出了如下结果：通过实施例1-1～1-10、比较例1-1～1-4，确认了通过实施从单体组合物中至少除去硫的除杂工序可得到聚合时的聚合转化率高的单体组合物。
此外，示出了如下结果：通过实施例2-1～2-9、比较例2-1～2-2，确认了通过实施对单体组合物添加各种吸附材料而从单体组合物中至少除去硫的除杂工序可得到聚合时的聚合转化率高的单体组合物。
(实施例1-1)
<除杂工序>
在耐压玻璃容器中，量取28g的包含作为多环芳香族乙烯基化合物的2-乙烯基萘的单体组合物(粉体，硫量：150ppm，溴量：300ppm，以2-乙烯基萘为基准)，使其溶解在84g的甲苯中。然后，分别加入14g的作为干燥剂的分子筛3A和14g的作为吸附材料的活性氧化铝(Sumitomo Chemical Co.,Ltd.制，NKHD-24HD，Al2O3：99.7质量％，F2O3：0.02质量％，粒径：3mm，BET比表面积：300m2/g，填充密度：0.77kg/l)，在25℃静置7天。另外，分子筛3A与硫和卤素的除去无关，其是以吸附除去单体组合物中的水分子为目的而添加的干燥剂。
<聚合工序>
在氮环境下进行了干燥、反应器内环境置换为氮气的耐压反应器中分别加入30ml的作为溶剂的甲苯和32μl(正丁基锂：52μ摩尔)的作为阴离子聚合催化剂的正丁基锂的1.6M己烷溶液。然后，在上述耐压反应器中加入8g(相对于正丁基锂为250当量)的作为上述<除杂工序>得到的、进行了7天纯化处理的纯化后单体组合物的2-乙烯基萘的25质量％甲苯溶液。在25℃使其反应1小时后，收集得到的由2-乙烯基萘单元形成的均聚物的一部分，根据上述方法进行各种测定和评价。结果示于表1。
(实施例1-2～1-3)
将<除杂工序>的处理期间分别如表1所示地进行变更，除此以外，与实施例1-1同样地进行，进行各种操作、测定及评价。结果示于表1。
(实施例1-4)
将<除杂工序>的处理期间变更为21天，进而将在<聚合工序>中添加的作为纯化后单体组合物的2-乙烯基萘的25质量％甲苯溶液的量变更为16g(相对于正丁基锂为500当量)，除此以外，与实施例1-1同样地进行，进行各种操作、测定及评价。结果示于表1。
(实施例1-5)
将下述混合溶液用作纯化后单体组合物，上述混合溶液包含4g(相对于丁基锂为125当量)的通过与实施例1-3～1-4相同的<除杂工序>得到的、进行了21天纯化处理的2-乙烯基萘的25质量％甲苯溶液和4g(相对于丁基锂为125当量)的与实施例1-1中纯化包含2-乙烯基萘的单体组合物时进行了相同的处理的纯化的1-乙烯基萘的25wt％甲苯溶液，除该方面以外，与实施例1-1同样地进行，进行各种操作、测定及评价。结果示于表1。
<1-乙烯基萘的除杂工序>
将包含1-乙烯基萘的单体组合物(液体，硫量：70ppm，溴量：<10ppm，以1-乙烯基萘为基准)用作多环芳香族乙烯基化合物，处理期间为21天，除此以外，与实施例1-1同样地进行，纯化了包含1-乙烯基萘的单体组合物。
(实施例1-6)
将<除杂工序>的处理期间变更为28天，进而将在<聚合工序>中添加的作为纯化后单体组合物的2-乙烯基萘的25质量％甲苯溶液的量变更为48g(相对于正丁基锂为1500当量)，除此以外，与实施例1-1同样地进行，进行各种操作、测定及评价。结果示于表1。
(实施例1-7)
使<除杂工序>的处理期间为21天，进而在<聚合工序>中加入作为纯化后单体组合物的2-乙烯基萘的25质量％甲苯溶液，添加2g(相对于正丁基锂为567当量)的作为脂肪族共轭二烯化合物的异戊二烯。进而，将<聚合工序>的反应温度变更为50℃。像这样，在本实施例中得到了具有2-乙烯基萘单元和异戊二烯单元的无规共聚物。除该方面以外，与实施例1-1同样地进行，进行各种操作、测定及评价。结果示于表1。
(比较例1-1)
不进行<除杂工序>而进行下述的预处理，得到预处理后单体组合物(2-乙烯基萘的25质量％甲苯溶液)，在<聚合工序>中，替代纯化后单体组合物而使用预处理后单体组合物，除此以外，与实施例1-1同样地进行，进行各种操作、测定及评价。结果示于表1。
<预处理工序>
不使用活性氧化铝，除此以外，进行与实施例1-1的<除杂工序>相同的操作。即，在本预处理工序中，通过加入分子筛3A静置7天，从单体组合物中除去水而使其干燥，由此得到预处理后单体组合物。
(比较例1-2)
在<聚合工序>中，替代纯化后单体组合物而添加8g的与比较例1-1同样地得到的预处理后单体组合物(2-乙烯基萘的25wt％甲苯溶液)和2g(相对于正丁基锂为567当量)的作为脂肪族共轭二烯化合物的异戊二烯。进而，将<聚合工序>的反应温度变更为50度。像这样，在本比较例中，得到了具有2-乙烯基萘单元和异戊二烯单元的无规共聚物。除该方面以外，与实施例1-1同样地进行，进行各种操作、测定及评价。结果示于表1。
在表中，“VN”表示乙烯基萘，“IP”表示异戊二烯。
[表1]
根据表1可明确获知，如实施例1-1～1-7那样，根据包含除杂工序的纯化方法得到的纯化后单体组合物在聚合的情况下的聚合转化率高，该除杂工序包括从单体组合物中除去硫。此外，可知如比较例1-1～1-2那样，在未实施除杂工序的情况下，单体组合物的聚合转化率低。特别是通过比较实施例1-1～1-2与实施例1-3可明确获知，在通过除杂工序使单体组合物所含有的硫量小于100ppm的情况下，能够以高聚合转化率得到分子量为20000以上的高分子量的聚合物。
(实施例1-8)
<嵌段共聚物的制造工序>
<<第1聚合工序>>
在氮环境下进行了干燥、用氮置换了的耐压反应器中分别加入20ml的作为有机溶剂的甲苯、32μl(正丁基锂：52μ摩尔)的作为聚合催化剂的正丁基锂的1.6M己烷溶液。然后，在上述耐压反应器中，作为多环芳香族乙烯基化合物，添加8g(相对于正丁基锂为250当量)的作为经过与实施例1-1相同的<除杂工序>得到的纯化后单体组合物的2-乙烯基萘的25％甲苯溶液，在25℃反应1小时，进行第一阶段的聚合反应，得到聚合物。根据上述方法测定得到的聚合物的数均分子量(Mn)、重均分子量(Mw)、峰位分子量(Mp)以及分子量分布(Mw/Mn)，此外，根据上述方法测定和评价2-乙烯基萘的转化率。结果示于表2。
<<第2聚合工序>>
在第一阶段的聚合反应结束后，接下来，在上述耐压反应器中的反应混合物中添加2g(相对于正丁基锂为567当量)的作为链状共轭二烯化合物的异戊二烯，进而在50℃反应30分钟，进行第二阶段的聚合反应。结果在反应混合物中得到了具有[2-乙烯基萘嵌段]-[异戊二烯嵌段]的嵌段结构的二嵌段共聚物。根据上述方法测定得到的二嵌段共聚物的数均分子量(Mn)、重均分子量(Mw)、峰位分子量(Mp)以及分子量分布(Mw/Mn)。此外，根据上述方法测定和评价在本工序中添加的异戊二烯的转化率。结果示于表2。另外，根据1H-NMR的测定结果确认了在第1阶段的聚合反应后残留的2-乙烯基萘全部被消耗。
<<第3聚合工序>>
然后，在上述反应混合物中进一步添加8g(相对于正丁基锂为250当量)的作为芳香族乙烯基化合物的经过与实施例1-1相同的<除杂工序>得到的作为纯化后单体组合物的2-乙烯基萘的25％甲苯溶液和8.7μL(相对于正丁基锂为1当量)的作为共催化剂的二丁醚，在25℃反应17小时，进行第三阶段的聚合反应。在聚合反应结束后，添加50μL的甲醇使聚合反应终止。结果在反应混合物中得到了具有[2-乙烯基萘嵌段]-[异戊二烯嵌段]-[2-乙烯基萘嵌段]的嵌段结构的三嵌段共聚物。根据上述方法测定得到的三嵌段共聚物的数均分子量(Mn)、重均分子量(Mw)、峰位分子量(Mp)、分子量分布(Mw/Mn)以及三嵌段共聚物的纯度。此外，根据上述方法测定在本工序中添加的2-乙烯基萘的转化率。另外，根据1H-NMR的测定结果确认了在第2阶段的聚合反应后残留的异戊二烯全部被消耗。
(实施例1-9)
在制造嵌段共聚物时，在<<第1聚合工序>>和<<第3聚合工序>>中添加8g(相对于正丁基锂为250当量)的作为多环芳香族乙烯基化合物的经过与实施例1-2相同的<除杂工序>得到的作为历经14天的纯化处理的纯化后单体组合物的2-乙烯基萘的25％甲苯溶液，除此以外，与实施例1-8同样地进行，实施各种操作、测定及评价。结果示于表2。另外，与实施例1-8同样地确认了在第2聚合工序结束时在第1阶段的聚合反应后残留的2-乙烯基萘全部被消耗，确认了在第3聚合工序结束时在第2阶段的聚合反应后残留的异戊二烯全部被消耗。
(实施例1-10)
在制造嵌段共聚物时，在<<第1聚合工序>>和<<第3聚合工序>>中，作为多环芳香族乙烯基化合物，添加8g(相对于正丁基锂为250当量)的作为经过与实施例1-3相同的<除硫工序和除卤工序>得到的历经21天的纯化处理的纯化后单体组合物的2-乙烯基萘的25％甲苯溶液，除此以外，与实施例1-8同样地进行，实施各种操作、测定及评价。结果示于表2。另外，与实施例1-8同样地确认了在第2聚合工序结束时在第1阶段的聚合反应后残留的2-乙烯基萘全部被消耗，确认了在第3聚合工序结束时在第2阶段的聚合反应后残留的异戊二烯全部被消耗。
(比较例1-3)
在制造嵌段共聚物时，在<<第1聚合工序>>中，添加8g(相对于正丁基锂为250当量)的作为多环芳香族乙烯基化合物的经过与比较例1-1相同的<预处理工序>得到的预处理后单体组合物的2-乙烯基萘的25％甲苯溶液，除此以外，与实施例1-8同样地进行，尝试依次进行各种操作，但是在第2聚合工序中转化率小于5％，不能继续反应。在能够进行测定和评价的范围实施的结果示于表2。
(比较例1-4)
在制造嵌段共聚物时，在<<第1聚合工序>>中，作为多环芳香族乙烯基化合物，添加8g(相对于正丁基锂为250当量)的作为对包含作为多环芳香族乙烯基化合物的2-乙烯基萘的单体组合物(粉体，硫量：500ppm，溴量：小于20ppm，以2-乙烯基萘为基准)实施了与比较例1-1相同的<预处理工序>而得到的预处理后单体组合物的2-乙烯基萘的25％甲苯溶液，除此以外，与实施例1-8同样地进行，尝试依次进行各种操作，但是在第2聚合工序转化率小于5％，不能够继续反应。在能够进行测定和评价的范围实施的结果示于表2。
在表中，“VN”表示乙烯基萘，“IP”表示异戊二烯。
[表2]
根据表2可知，在实施例1-8～1-10中，在使用经过包括从单体组合物中至少除去硫的除杂工序的纯化方法所得到的纯化后单体组合物来形成具有(2-VN)-(IP)-(2-VN)型、即([A]-[B]-[A])型的三嵌段结构的三嵌段共聚物的情况下，可实现高聚合转化率。另一方面，可知在如比较例1-3～1-4那样、不实施除杂工序的情况下，单体组合物的聚合转化率低。进而可知，在实施例1-9～1-10中，通过变更除杂工序等的条件，可实现更高的三嵌段共聚物的纯度。
(实施例2-1)
<除杂工序>
在耐压玻璃容器中，量取28g的包含作为多环芳香族乙烯基化合物的2-乙烯基萘的单体组合物(粉体、硫量：150ppm、溴量：300ppm、以2-乙烯基萘为基准)，使其溶解在84g的甲苯中。然后，分别加入14g的作为干燥剂的分子筛3A(Tomoe Co.,Ltd.制，Al2O3含有比例：小于40质量％，直径：1.6mm，高：3.2mm，圆柱状)和14g的作为吸附材料的活性氧化铝(Sumitomo Chemical Co.,Ltd.制，KHO-46，Fe2O3：0.02质量％，填充密度：0.80kg/l)(以多官能芳香族乙烯基化合物的质量为基准为0.5(倍))，在25℃静置21天。另外，分子筛3A与硫和卤素的除去无关，其是以吸附除去单体组合物中的水分子为目的而添加的干燥剂。
<聚合工序>
在氮环境下进行了干燥、反应器内环境置换为氮气的耐压反应器中分别加入30ml的作为溶剂的甲苯和32μl(正丁基锂：52μ摩尔)的作为阴离子聚合催化剂的正丁基锂的1.6M己烷溶液。然后，在上述耐压反应器中加入8g(相对于正丁基锂为250当量)的上述<除杂工序>得到的、作为进行了21天纯化处理的纯化后单体组合物的2-乙烯基萘的25质量％甲苯溶液。在25℃反应1小时后，收集得到的由2-乙烯基萘单元形成的均聚物的一部分，根据上述方法进行各种测定。结果示于表3。
(实施例2-2)
将<除杂工序>中的吸附材料的添加量变更为28g，使吸附材料的添加量以多环芳香族乙烯基化合物的质量为基准计为1.00(倍)，除此以外，与实施例2-1同样地进行，进行各种操作和测定。结果示于表3。
(实施例2-3)
将<除杂工序>中的吸附材料的添加量变更为7g，使吸附材料的添加量以多环芳香族乙烯基化合物的质量为基准计为0.25(倍)，除此以外，与实施例2-1同样地进行，进行各种操作和测定。结果示于表3。
(实施例2-4)
在<除杂工序>中，作为吸附材料，添加14g的与实施例2-1使用的吸附材料的粒径不同(比实施例2-1的粒径小)的活性氧化铝(Sumitomo Chemical Co.,Ltd.制，KHO-24，Fe2O3：0.02质量％，填充密度：0.83kg/l)，除此以外，与实施例2-1同样地进行各种操作和测定。结果示于表3。
(实施例2-5)
在<除杂工序>中，作为吸附材料，添加14g的与实施例2-1使用的吸附材料的比表面积不同(比实施例2-1的比表面积大)的活性氧化铝(Sumitomo Chemical Co.,Ltd.制，NKHD-46HD，Fe2O3：0.02质量％，填充密度：0.74kg/l)，除此以外，与实施例2-1同样地进行各种操作和测定。结果示于表3。
(实施例2-6)
在<除杂工序>中，作为吸附材料，添加14g的与实施例2-1使用的吸附材料的粒径和比表面积不同(比实施例2-1的粒径小、比表面积大)的活性氧化铝(Sumitomo ChemicalCo.,Ltd.制，NKHD-24HD，Fe2O3：0.02质量％，填充密度：0.77kg/l)，进而变更<聚合工序>的反应时间，使得2-乙烯基萘的聚合转化率为如表3所示，除此以外，与实施例2-1同样地进行各种操作和测定。结果示于表3。
(实施例2-7)
使用如下得到的纯化后单体组合物，作为吸附材料，添加14g的与实施例2-1使用的吸附材料的粒径和比表面积不同(比实施例2-1的粒径小、比表面积大)的活性氧化铝(Sumitomo Chemical Co.,Ltd.制，NKHD-24HD)，在25℃静置7天。换言之，在本实施例中，对与实施例1-8相同的条件得到的各种聚合物进行各种测定。结果示于表3。
(实施例2-8)
在制造嵌段共聚物时，在<<第1聚合工序>>和<<第3聚合工序>>中，作为多环芳香族乙烯基化合物，添加8g(相对于正丁基锂为250当量)的除了纯化处理期间为14天以外作为经过与实施例2-7相同的<除杂工序>得到的纯化后单体组合物的2-乙烯基萘的25％甲苯溶液。换言之，在本实施例中，对与实施例1-9相同的条件得到的各种聚合物进行各种测定。结果示于表3。
(实施例2-9)
在制造嵌段共聚物时，在<<第1聚合工序>>和<<第3聚合工序>>中，作为多环芳香族乙烯基化合物，添加8g(相对于正丁基锂为250当量)的除了纯化处理期间为21天以外作为经过与实施例2-7相同的<除杂工序>得到的纯化后单体组合物的2-乙烯基萘的25％甲苯溶液。换言之，在本实施例，对通过与实施例1-9相同的条件得到的各种聚合物进行各种测定。结果示于表3。
(比较例2-1)
不进行<除杂工序>而进行下述预处理，得到预处理后单体组合物(相对于2-乙烯基萘的25质量％甲苯溶液)，在<聚合工序>中，替代纯化后单体组合物而使用预处理后单体组合物，除此以外，与实施例2-1同样地进行，进行各种测定。结果示于表3。
<预处理工序>
不使用活性氧化铝，进而使处理期间为1天，除此以外，进行与实施例2-1的<除杂工序>相同的操作。即，在本预处理工序中，通过加入分子筛3A静置1天，从单体组合物除去水而使其干燥，由此得到预处理后单体组合物。
(比较例2-2)
在制造嵌段共聚物时，在<<第1聚合工序>>中，作为多环芳香族乙烯基化合物，添加8g(相对于正丁基锂为250当量)的作为经过与比较例2-1相同的<预处理工序>得到的预处理后单体组合物的2-乙烯基萘的25％甲苯溶液，除此以外，与实施例2-7同样地进行，尝试依次进行各种操作，但是在第2聚合工序中的转化率小于5％，不能继续反应。在能够实施的范围实施了测定，结果示于表3。另外，根据1H-NMR的测定结果，确认了在第1阶段的聚合反应后残留的2-乙烯基萘剩余90％。
在表中，“VN”表示乙烯基萘，“IP”表示异戊二烯。
[表3]
根据表3可明确获知，如实施例2-1～2-9那样、根据包含除杂工序的纯化方法得到的纯化后单体组合物在聚合的情况下的聚合转化率高，该除杂工序是对单体组合物添加吸附材料而从单体组合物中至少除去硫。此外，可知如比较例2-1～2-2那样、在没有实施使用吸附材料的除杂工序的情况下，单体组合物的聚合转化率低。
产业上的可利用性
根据本发明，能够提供一种单体组合物的纯化方法，其能够除去包含多环芳香族乙烯基化合物的单体组合物所含有的、至少一部分会阻碍聚合反应的杂质。
此外，根据本发明，能够提供一种聚合物的制造方法，其使用了至少包含纯化的含有多环芳香族乙烯基化合物的单体组合物的组合物。
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