具体实施方式

目前对一些设计图形进行光学邻近修正(OPC)时，通常会出现达到预定的迭代次数后，图形也没有修复到目标尺寸的情形，此时OPC结束后得到的图形精度比较差。如果想要使图形达到目标尺寸，特别是一些重要性高的关键图形，如果邻近图形的重要性相对较低，此时会更改邻近图形的设计目标，该方法称为目标预处理。目标预处理技术是在运行完一轮OPC发现热点(Hotspot)后，再对Hotspot进行人为修正，对修正后的图形再进行OPC，如此反复调试最终达到期望的目标图形。

目标预处理需要人为介入进行修正，在进行下一轮OPC前需要提前定义新的设计图形，运行完OPC查看结果后再进行下一轮处理，由于提前定义的新的设计图形不一定是最优的，因此这一过程需要反复调试才能达到理想的结果，不利于提高OPC的效率。

为了解决上述问题，发明人提供了一种光学邻近修正方法，对第一初始图形中的第一子图形和第二子图形分别设置第一容忍度和第二容忍度，且第一容忍度小于第二容忍度。在对第一子图形和第二子图形进行光学邻近修正的过程中，当第一子图形存在无法修正到目标尺寸的情形时，由于第二容忍度的存在，可以在满足第二容忍度的要求下自动更改第二子图形，为第一子图形的修正提供充足的空间，直至第一字图形和第二子图形都满足修正要求，即第一边缘放置误差小于等于第一容忍度，第二边缘放置误差小于等于第二容忍度，光学邻近修正完成。所述光学邻近修正方法可以在容忍度的范围内自动调整第一初始图形，不需要退出光学邻近修正人为对第一初始图形进行修改，使第一初始图形能达到目标尺寸，提高修正精度的同时能提高修正效率。

为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。

第一实施例

图1至图5是本发明第一实施例中光学邻近修正过程的示意图，其中，图1是第一实施例中光学邻近修正过程的流程图。

首先，执行步骤S10，提供第一初始图形。

参考图2，所述第一初始图形100包括第一子图形110和第二子图形120。

需要说明的是，所述第一子图形110和所述第二子图形120指代的是一类图形，数量可以是一个，也可以是若干个。其中，所述第一子图形110指的是在半导体制造过程中，重要性较高的关键图形，例如半导体中位于有源区的器件对应的图形；所述第二子图形120指的是重要性较低的一般图形，例如位于无源区的器件对应的图形。

所述第一初始图形100为光学邻近修正的目标，即理想状态下，晶圆上的图形与所述第一初始图形100一致。

本实施例中，所述第一子图形110和所述第二子图形120的数量为一个。

本实施例中，所述第一子图形110和所述第二子图形120均为长条状结构，为了方便后续说明，将所述第一子图形110中的一段线段设为图形A，将图形A对面的所述第二子图形120中的线段设为图形B，其中图形A为重要性高的关键图形，图形B为重要性低的一般图形。

本实施例中，主要以第一子图形110中的图形A和第二子图形120中的图形B为例，进行光学邻近修正。

继续参考图1，执行步骤S20，对所述第一子图形110和所述第二子图形120分别设置第一容忍度和第二容忍度。

所述第一容忍度小于所述第二容忍度，即给予重要性高的关键图形A的第一容忍度小于给予重要性低的一般图形B的第二容忍度。

本实施例中，第一容忍度指所述第一子图形110后续在光学邻近修正过程中，可以接受的第一边缘放置误差(EPE)的范围，只要第一边缘放置误差在这个范围内，可以认为所述第一子图形110的修正达到要求，可以结束光学邻近修正。同理，所述第二容忍度指所述第二子图形120后续在光学邻近修正过程中，可以接受的第二边缘放置误差的范围。

所述第一容忍度小于所述第二容忍度指的是，可以接受的第一边缘放置误差的范围小于可以接受的第二边缘放置误差的范围。

本实施例中，所述第一容忍度设置为0nm，所述第二容忍度设置为+/-2nm。

具体的第一容忍度和第二容忍度设置的数值，需要在实际的制造过程中，根据图形对精度的要求来确定。如果图形对精度的要求较高，则容忍度设置的较小；反之，图形对精度的要求较低，则容忍度可以设置的较大。

本实施例中，所述第一容忍度和所述第二容忍度是人为设置的，人为根据图形对精度的要求确定好相应的容忍度后，在进行OPC运算的计算机中输入确定好的容忍度数值。

本实施例中，所述第一容忍度小于所述第二容忍度。因为在半导体制造过程中，重要性高的关键图形一般对精度的要求较高，在光学邻近修正过程中，需要尽可能地将关键图形修复到目标尺寸，因此设置的第一容忍度较低。

本实施例中，所述第二容忍度的设置，可以使所述第二子图形120在光学邻近修正过程中自动调整图形，不需要人为更改所述第二子图形，可以为第一子图形的修正提供空间，直到光学修正完成，一方面提高了第一字图形的修正精度，另一方面也提高了OPC修正效率。

执行步骤S30，对所述第一初始图形进行模拟曝光。

参考图3，对所述第一初始图形100进行模拟曝光后，获得分别与所述第一子图形110和所述第二子图形120相对应的第一模拟图形111和第二模拟图形121。

本实施例中，采用仿真的方法获得所述第一模拟图形111和所述第二模拟图形121。

执行步骤S40，比较所述第一模拟图形111和所述第一子图形110、所述第二模拟图形121和所述第二子图形120，获取第一边缘放置误差和第二边缘放置误差。

具体的获取第一边缘放置误差和第二边缘放置误差的步骤包括：

参考图4，在所述第一子图形110和所述第二子图形120上分别取多个采样点。

本实施例中，具体在所述图形A和所述图形B上取采样点，所述图形A上的采样点包括A1、A2、A3，所述图形B上的采样点包括B1、B2、B3。

在所述第一模拟图形111和所述第二模拟图形121上确定所述多个采样点的相应位置。

具体的，对设置在所述第一子图形110图形A上的采样点A1来说，在采样点A1处有延伸的方向为第一方向(X方向)以及垂直于所述第一方向(X方向)的第二方向(Y方向)，在所述第二方向上与所述第一模拟图形111相交的点即为采样点A1的相应位置a1。

本实施例中，在所述第一模拟图形111上确定A1、A2、A3的相应位置为a1、a2、a3，在所述第二模拟图形121上确定B1、B2、B3的相应位置为b1、b2、b3。

比较同一采样点在所述第一子图形110和所述第一模拟图形111中的位置差异，获取第一边缘放置误差。

本实施例中，获得的第一边缘放置误差包括A1和a1之间的位置差异EPE_A1，A2和a2之间的位置差异EPE_A2，A3和a3之间的位置差异EPE_A3。

比较同一采样点在所述第二子图形120和所述第二模拟图形121中的位置差异，获取第二边缘放置误差。

本实施例中，获得的第二边缘放置误差包括B1和b1之间的位置差异EPE_B1，B2和b2之间的位置差异EPE_B2，B3和b3之间的位置差异EPE_B3。

执行步骤S50，判断所述第一边缘放置误差是否小于等于所述第一容忍度，且所述第二边缘放置误差是否小于等于所述第二容忍度。

本实施例中，具体为判断所述第一边缘放置误差EPE_A1、EPE_A2和EPE_A3是否小于等于所述第一容忍度，以及判断所述第二边缘放置误差EPE_B1、EPE_B2和EPE_B3是否小于等于所述第二容忍度。

若判断结果为是，执行步骤S60，光学邻近修正完成，获得第一修正图形200。

图5为所述第一修正图形200的示意图。

本实施例中，需要EPE_A1、EPE_A2和EPE_A3都小于等于所述第一容忍度，认为所述第一边缘放置误差小于等于所述第一容忍度；同理，需要EPE_B1、EPE_B2和EPE_B3都小于等于所述第二容忍度，认为所述第二边缘放置误差小于等于所述第二容忍度。

若判断结果为否，执行步骤S70，调整所述第一初始图形100，即调整所述第一子图形110和/或所述第二子图形120，以减少边缘放置误差。

当判断结果为否时，调整所述第一子图形110的步骤包括：根据不同采样点的边缘放置误差与所述第一容忍度的差异大小，获得大于所述第一容忍度的边缘放置误差所对应的采样点的位置，根据采样点的位置，调整所述第一子图形110中所述采样点相对应的边；调整所述第二子图形120的步骤包括：根据不同采样点的边缘放置误差与所述第二容忍度的差异大小，获得大于所述第二容忍度的边缘放置误差所对应的采样点的位置，根据所述采样点的位置，调整所述第二子图形中所述采样点相对应的边。

本实施例中，假设所述第一边缘放置误差中EPE_A1大于所述第一容忍度，则确定所述采样点A1的位置，根据所述采样点A1的位置，调整所述第一字图形中所述采样点A1相对应的边，以此减少边缘放置误差。

如果所述第一边缘放置误差大于所述第一容忍度，则调整所述第一子图形110；如果所述第二边缘放置误差大于所述第二容忍度，则调整所述第二子图形120；如果所述第一边缘放置误差大于所述第一容忍度，且所述第二边缘放置误差大于所述第二容忍度，则调整所述第一子图形110和所述第二子图形120。

调整所述第一子图形110和/或所述第二子图形120后，重新执行S30至S50的步骤，直至光学邻近修正完成，获得第一修正图形200。

以调整所述第一子图形110为例，将调整后的所述第一子图形110模拟曝光，获得与调整后的所述第一子图形对应的第一调整模拟图形；比较所述第一调整模拟图形和调整后的所述第一子图形，获取第一边缘放置误差，获取所述第一边缘放置误差的方法与前述相同，在此不再赘述；若所述第一边缘放置误差小于等于所述第一容忍度，光学邻近修正完成；若所述第一边缘放置误差大于所述第一容忍度，继续调整所述第一子图形，再重新执行上述步骤，直至第一边缘放置误差小于等于所述第一容忍度，光学邻近修正完成，获得第一修正图形200。

所述第一修正图形200的示意图参考图5。

本实施例中，对第一子图形110即重要性高的关键图形设置了第一容忍度，对第二子图形120即重要性相对较低的一般图形设置了第二容忍度，由于关键图形对修正精度要求较高，因此第一容忍度小于第二容忍度。在实际光学邻近修正过程中，由于第一子图形修正要求较高，可能会发生达到预设的迭代次数后仍无法满足修正要求的情形，此时，通过第二容忍度的设置，自动更改第一子图形邻近的第二子图形，在第二容忍度的范围内，可以扩大第一、第二子图形间的距离，为第一子图形的修正提供充足的空间，使第一子图形可以继续进行修正直到满足修正要求，因此，提高了第一子图形即关键图形的修正精度。并且，自动更改关键图形邻近的一般图形，不需要退出光学邻近修正，人为进行更改，提高了修正效率。

本发明第一实施例还提供一种制作光掩膜版的方法，将利用上述光学邻近修正方法获得的第一修正图形200转移至光掩膜版上，形成第一掩膜版图形。

本发明第一实施例还提供一种图形化方法，将上述获得的第一掩膜版图形转移至晶圆上，形成第一目标图形。

第二实施例

图6至图9是本发明第二实施例中光学邻近修正的示意图，其中，图6是本发明第二实施例中光学邻近修正的流程图。

本实施例中，获得所述第一修正图形200的步骤与第一实施例中相同，在此不再赘述。

获得所述第一修正图形200后，参考图6，执行步骤S100，对所述第一修正图形200进行模拟曝光，获得第一修正模拟图形210。

图7为所述第一修正模拟图形210的示意图。

本实施例中，所述第一修正模拟图形210包括第一子修正模拟图形211和第二子修正模拟图形212，所述第一子修正模拟图形211具有与所述图形A相对应的图形A’，所述第二子修正模拟图形212具有与所述图形B相对应的图形B’。

继续参考图6，执行步骤S200，调整所述第一修正模拟图形210，获得第二初始图形300。

图8为所述第二初始图形300的示意图，所述第二初始图形300具有分别与所述图形A’和所述图形B’相对应的图形A”和图形B”。

本实施例中，调整所述第一修正模拟图形210的方法包括：在所述第一子图形110和所述第二子图形120上分别取多个采样点，在所述第一子修正模拟图形211和所述第二子修正模拟图形212上确定所述多个采样点的相应位置；比较同一采样点在所述第一子图形110和所述第一子修正模拟图形211中的位置差异、所述第二子图形120和所述第二子修正模拟图形212中的位置差异，获取第三边缘放置误差和第四边缘放置误差；获得所述第三边缘放置误差的平均值作为平均第三边缘放置误差，获得所述第四边缘放置误差的平均值作为平均第四边缘放置误差；以所述平均第三边缘放置误差为基准，调整所述第一子修正模拟图形211中所述采样点相对应的边；以所述平均第四边缘放置误差为基准，调整所述第二子修正模拟图形212中所述采样点相对应的边。

本实施例中，以所述平均第三边缘放置误差为基准的意思是，使所述第一子修正模拟图形211中各个所述采样点对应的边缘放置误差等于所述平均第三边缘放置误差的值。

其他实施例中，也可以分别选取所述第三边缘放置误差、第四边缘放置误差中的最大值或最小值来作为基准，调整所述第一修正模拟图形210中所述采样点相对应的边，获得第二初始图形300。

由图7可知，获得的第一修正模拟图形210中，图形A’和图形B’较为粗糙，线段不平整，因此通过调整所述图形A’和图形B’，形成线段更加平滑的图形A”和图形B”，强化了所述第二初始图形300的收敛性。

继续参考图6，执行步骤S400，对所述第二初始图形300进行m(m为大于等于1的自然数)次光学邻近修正。

需要说明的是，在执行步骤S400之前，还要执行步骤S300，对所述第二初始图形300设置第三容忍度。

本实施例中，所述第三容忍度设置为0。这是因为，由于设置了第一容忍度和第二容忍度，在对所述第一子图形110和所述第二子图形120进行光学邻近修正的过程中，可以有一定范围的误差，从而使获得的所述第一修正模拟图形210中，所述第一子修正模拟图形211和第二子修正模拟图形212之间相较于最开始的第一子图形110和第二子图形120之间比较友好，即图形B’处于一个能使图形A’达到修复要求的位置。在进行后续的光学邻近修正时，可以不需要通过设置较大的容忍度来使所述第二初始图形的修正达到目的，容忍度设置为0可以保证所述第二初始图形300的修正精度。

本实施例中，对所述第二初始图形300进行m(m为大于等于1的自然数)次光学邻近修正的步骤与第一实施例中相同，也是通过模拟曝光、比较等方法来实现，在此不再赘述。

最终，执行步骤S500，获得第二修正图形400。

图9为所述第二修正图形400的示意图。

本发明第二实施例还提供一种制作光掩膜版的方法，将利用上述光学邻近修正方法获得的第二修正图形400转移至光掩膜版上，形成第二掩膜版图形。

本发明第二实施例还提供一种图形化方法，将上述获得的第二掩膜版图形转移至晶圆上，形成第二目标图形。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。