阅读说明：本技术 排出流动调节部及包括其的等离子处理装置 (Discharge flow adjustment unit and plasma processing apparatus including the same ) 是由 金亨源 金成旭 蔡熙星 郑熙锡 于 2020-04-13 设计创作，主要内容包括：本发明涉及一种包括排出流动调节部的等离子处理装置,所述排出流动调节部位于作为用等离子对基板进行处理的空间的腔室来调节对所述基板进行处理的等离子的排出流动,其中,所述排出流动调节部为形成有向垂直方向贯通的孔的圆筒形状,且沿周向形成有作为向水平方向贯通由下端向上部隔开的位置的孔的排出部。(The present invention relates to a plasma processing apparatus including an exhaust flow regulating portion that is positioned in a chamber that is a space where a substrate is processed by plasma and regulates an exhaust flow of the plasma for processing the substrate, wherein the exhaust flow regulating portion has a cylindrical shape in which a hole penetrating in a vertical direction is formed, and a hole penetrating in a circumferential direction at a position spaced apart from a lower end to an upper end in a horizontal direction is formed.)

排出流动调节部及包括其的等离子处理装置

技术领域

本发明涉及一种排出流动调节部及包括其的等离子处理装置。

背景技术

用等离子对基板S进行处理的等离子处理装置包括腔室100。

腔室100包括作为形成等离子的内部区域的形成区域110、作为用等离子对基板S进行处理的内部区域的处理区域120、以及作为向泵排出用等离子对基板S进行处理的内部区域的排出区域130。

这样的等离子形成作为等离子从处理区域120向排出区域130移动的流动的排出流动。

此时，排出流动的速度在相比基板S的内侧与泵更邻接的基板S的外侧更快。

这使等离子对基板S的外侧处理得多于基板S的内侧，使得基板S的外侧的蚀刻比(Etching Rate)高于基板S的内侧的蚀刻比。

从结果而言，存在着基板S的外侧的蚀刻比和基板S的内侧的蚀刻比不同的问题。

尤其，当基板S的直径较大或处理区域120为高压时，存在基板S的外侧的蚀刻比和基板S的内侧的蚀刻比差更增加的问题。

发明内容

技术问题

本发明的目的在于，提供一种排出流动调节部及包括其的等离子处理装置。

技术方案

本发明的实施例的排出流动调节部位于作为用等离子对基板进行处理的空间的腔室并调节对所述基板进行了处理的等离子的排出流动，其特征在于，所述排出流动调节部为形成有向垂直方向贯通的孔的圆筒形状，且沿周向形成有作为向水平方向贯通从下端向上部隔开的位置的孔的排出部。

优选地，本发明的实施例的排出流动调节部的特征在于，沿所述排出流动调节部的周向形成有多个所述排出部，多个所述排出部沿所述排出流动调节部的周向彼此以规定的间距隔开排列。

优选地，本发明的实施例的排出流动调节部的特征在于，沿所述排出流动调节部的周向形成有多个所述排出部，多个所述排出部以相向的一对对称的方式排列。

优选地，本发明的实施例的排出流动调节部的特征在于，作为所述排出流动调节部的下端至形成有所述排出部的位置之前的高度的第一高度大于所述排出部的高度。

优选地，本发明的实施例的排出流动调节部的特征在于，引导部连接于所述排出流动调节部的一侧，所述引导部以与向垂直方向贯通所述排出流动调节部的孔连通的方式形成有向垂直方向贯通的孔，且孔的大小由上侧朝下侧方向变小的漏斗形状。

本发明的实施例的排出流动调节部包括：腔室，其包括作为形成等离子的区域的形成区域、作为用所述等离子对基板进行处理的区域的处理区域、以及作为与泵连接而排出对所述基板进行了处理的等离子的区域的排出区域；卡盘，其位于所述处理区域，供安放所述基板；排出流动调节部，其位于所述卡盘与所述形成区域之间，且具有形成以使所述基板露出的方式向垂直方向贯通的孔的圆筒形状；以及引导部，其连接于所述排出流动调节部的上侧，并以与向垂直方向贯通所述排出流动调节部的所述孔连通的方式形成有向垂直方向贯通的孔，且以能够对在所述形成区域形成的等离子向所述处理区域进行导向的方式具有孔的大小由上侧朝下侧方向变小的漏斗形状，所述排出流动调节部包括：排出部，其各个是在从所述排出流动调节部的下端向上部隔开规定距离的位置向水平方向贯通的孔，并以相向的一对对称地排列的方式沿周向形成有多个；以及覆盖部，其从所述排出部的下侧延伸至所述排出流动调节部的下端而具有第一高度以阻挡所述等离子的流动，所述排出部从比具有所述第一高度的所述覆盖部靠上侧的位置向所述排出区域排出所述处理区域的等离子。

优选地，本发明的实施例的排出流动调节部的特征在于，多个所述排出部沿所述排出流动调节部的周向彼此以规定的间距隔开排列。

本发明的实施例的包括排出流动调节部的等离子处理装置包括：腔室，其包括作为形成等离子的区域的形成区域、作为用所述等离子对基板进行处理的区域的处理区域、以及作为与泵连接而排出对所述基板进行了处理的等离子的区域的排出区域；卡盘，其位于所述处理区域，供安放所述基板；排出流动调节部，其位于所述卡盘与所述形成区域之间，且具有形成以使所述基板露出的方式向垂直方向贯通的孔的圆筒形状；排出部，其是在从所述排出流动调节部的下端向上部隔开规定距离的位置向水平方向贯通的孔，且沿周向形成有多个；以及流动控制部，其通过在比所述排出流动调节部的所述下端靠上侧的区域升降来变更覆盖所述排出部的程度。

本发明的实施例的包括排出流动调节部的等离子处理装置包括：腔室，其包括作为形成等离子的区域的形成区域、作为用所述等离子对基板进行处理的区域的处理区域、以及作为与泵连接而排出对所述基板进行了处理的等离子的区域的排出区域；卡盘，其位于所述处理区域，供安放所述基板；以及排出流动调节部，其位于所述卡盘与所述形成区域之间，且具有形成以使所述基板露出的方式向垂直方向贯通的孔的圆筒形状，且沿周向形成有作为向水平方向贯通从下端向上部隔开的位置的孔的排出部。

优选地，本发明的实施例的包括排出流动调节部的等离子处理装置的特征在于，沿所述排出流动调节部的周向形成有多个所述排出部，所述多个排出部以相向的一对对称的方式排列。

优选地，本发明的实施例的包括排出流动调节部的等离子处理装置的特征在于，作为所述排出流动调节部的下端至形成有所述排出部的位置之前的高度的第一高度大于所述排出部的高度。

优选地，本发明的实施例的包括排出流动调节部的等离子处理装置还包括：引导部，其上侧以与所述形成区域连通的方式位于所述形成区域的下部，下侧连接于所述排出流动调节部，并形成有以与向垂直方向贯通所述排出流动调节部的孔连通的方式向垂直方向贯通的孔，且具有孔的大小由上侧朝下侧方向变小的漏斗形状。

优选地，本发明的实施例的包括排出流动调节部的等离子处理装置的特征在于，所述排出部形成作为所述等离子从所述处理区域通过所述排出部而向所述排出区域移动的流动的第一流动。

优选地，本发明的实施例的包括排出流动调节部的等离子处理装置的特征在于，还包括：第一间距，其形成于所述排出流动调节部与所述卡盘之间，并通过所述卡盘的升降来调节高度，所述第一间距形成作为所述等离子从所述处理区域通过所述第一间距而向排出区域移动的流动的第二流动。

优选地，本发明的实施例的包括排出流动调节部的等离子处理装置还包括：流动控制部，其为形成有以供所述排出流动调节部***的方式向垂直方向贯通的孔的圆筒形状，并与升降机构联动而升降来变更覆盖所述排出部的程度，且根据通过升降来变更的覆盖所述排出部的程度来全部或部分地开闭作为所述等离子从所述处理区域通过所述排出部而向所述排出区域移动的流动的第一流动。

优选地，所述处理区域包括处理壁，所述处理壁的直径大于所述形成区域的直径，且在中央形成有连通所述处理区域和所述形成区域的孔，与所述形成区域的下侧和所述引导部的上侧结合。

优选地，本发明的实施例的包括排出流动调节部的等离子处理装置还包括：加热器，其以位于与所述引导部隔开的周围的方式结合于所述处理壁。

优选地，本发明的实施例的包括排出流动调节部的等离子处理装置还包括：冷却部，其以位于与所述加热器隔开的周围的方式结合于所述处理壁来降低由所述加热器传递的温度。

优选地，本发明的实施例的包括排出流动调节部的等离子处理装置还包括：覆盖件，其内含所述形成区域，当为了清洗所述腔室的内部而相对于所述处理区域对所述覆盖件进行开封时，所述覆盖件与所述处理壁及所述排出流动调节部一同被开封。

本发明的实施例的包括排出流动调节部的等离子处理装置的特征在于，包括：腔室，其包括作为形成等离子的区域的形成区域、作为用所述等离子对基板进行处理的区域的处理区域、以及作为与泵连接而排出对所述基板进行了处理的等离子的区域的排出区域；卡盘，其位于所述处理区域，供安放所述基板；排出流动调节部，其位于所述卡盘与所述形成区域之间，且具有形成以使所述基板露出的方式向垂直方向贯通的孔的圆筒形状；以及第一间距，其形成于所述排出流动调节部与所述卡盘之间，并通过所述卡盘的升降或与升降机构联动而通过升降来调节高度，所述第一间距形成作为所述等离子从所述处理区域通过所述第一间距而向排出区域移动的流动的第二流动。

本发明的实施例的等离子处理装置的工艺步骤包括：使卡盘以已设定的间距接近排出流动调节部的A-1步骤；用等离子对基板进行处理的B-1步骤；测量用所述等离子进行了处理的所述基板的外侧的蚀刻比的C-1步骤；当所述基板的外侧的蚀刻比低于所设定的基准时使所述卡盘以与所述排出流动调节部隔开大于已设定的间距的距离的方式下降，当所述基板的外侧的蚀刻比高于所设定的基准时使所述卡盘以与所述排出流动调节部隔开小于已设定的间距的距离的方式升降的D-1步骤。

优选地，本发明的实施例的等离子处理装置的工艺步骤的特征在于，所述B-1步骤至D-1步骤反复执行至所述基板的外侧的蚀刻比与所设定的基准相同或相似。

优选地，本发明的实施例的等离子处理装置的工艺步骤的特征在于，在所述D-1步骤，将所述基板的外侧的蚀刻比存储于处理部，所述处理部将所存储的所述基板的外侧的蚀刻比与已输入的资料进行比较来导出所述卡盘的升降值，并向控制所述卡盘的升降的控制部送出所述处理部所导出的所述卡盘的升降值来使所述卡盘升降。

优选地，本发明的实施例的等离子处理装置的工艺步骤的特征在于，在所述C-1步骤还测量所述基板的内侧的蚀刻比，所述D-1步骤的所设定的基准为所述基板的内侧的蚀刻比。

优选地，本发明的实施例的等离子处理装置的工艺步骤的特征在于，在所述D-1步骤，将所述基板的内侧及外侧的摄影资料存储于处理部，所述处理部对所存储的摄影资料的所述基板的外侧及内侧进行比较或与已输入的资料进行比较来导出所述卡盘的升降值，并向控制所述卡盘的升降的控制部送出所述处理部所导出的所述卡盘的升降值来使所述卡盘升降。

发明的效果

由于基板S的外侧的排出流动的速度减小而降低基板S的外侧的蚀刻比，因而具有减少基板S的内侧和外侧的蚀刻比差的效果。

附图说明

图1是本发明的实施例的排出流动调节部的立体图。

图2是本发明的实施例的排出流动调节部的正面图。

图3至图7是本发明的实施例的等离子处理装置的剖视图。

符号说明

100：腔室，110：形成区域，120：处理区域，130：排出区域，200：排出流动调节部，210：排出部，220：覆盖部，300：引导部，400：处理壁，500：加热器，600：冷却部，700：覆盖件，800：流动控制部，C：卡盘，F1：第一流动，F2：第二流动，G1：第一间距，H1：第一高度，H2：第二高度，S：基板。

具体实施方式

用等离子对基板S进行处理的等离子处理装置包括腔室100。

腔室100包括作为形成等离子的内部区域的形成区域110、作为用等离子对基板S进行处理的内部区域的处理区域120、以及作为向泵排出对基板S进行了处理的等离子的内部区域的排出区域130。

这样的等离子形成作为等离子从处理区域120向排出区域130移动的流动的排出流动。

此时，排出流动的速度在相比基板S的内侧与泵更邻接的基板S的外侧更快。

这使等离子对基板S的外侧处理得多于基板S的内侧，使得基板S的外侧的蚀刻比(Etching Rate)高于基板S的内侧的蚀刻比。

从结果而言，存在基板S的外侧的蚀刻比和基板S的内侧的蚀刻比不同的问题。

尤其，当基板S的直径较大或处理区域120为高压时，存在基板S的外侧的蚀刻比和基板S的内侧的蚀刻比差更增加的问题。

为了解决这样的问题，如图1和图2所图示，本发明的实施例的排出流动调节部200包括如下特征。

一种位于作为用等离子对基板S进行处理的空间的腔室100并调节对基板S进行了处理的等离子的排出流动的排出流动调节部200，其中，排出流动调节部200为形成有向垂直方向贯通的孔的圆筒形状，并沿周向形成有作为向水平方向贯通从下端向上部隔开的位置的孔的排出部210，且形成有为了阻挡等离子的流动而从排出部210的下侧延伸至排出流动调节部200的下端且具有第一高度H1的覆盖部220。

此时，排出流动调节部200可以包括如下特征1至特征4中的一个以上的特征。

特征1：可以沿排出流动调节部200的周向形成有多个排出部210，多个排出部210可以以相向的一对对称的方式排列。

特征2：作为排出流动调节部200的下端至形成有排出部210的位置之前的高度的第一高度H1可以大于排出部210的高度。

即，具有第一高度H1的覆盖部220可以大于排出部210的高度。

不限于此，第一高度H1也可以小于或等于排出部210的高度。

特征3：作为排出流动调节部200的上端至排出部210的高度的第二高度H2可以小于第一高度H1。

特征4：第一高度H1可以是基板S的直径的50％以下。

由此，经反复性的实验确认到当第一高度H1为基板S的直径的50％以下时，基板S的外侧的蚀刻比和基板S的内侧的蚀刻比差减小的效果(即，提高蚀刻均匀度的效果)。

尤其，确认到当第一高度H1为基板S的直径的10％至30％时，基板S的蚀刻均匀度非常良好。

例如，当基板S的直径属于参考1至参考4的情况时，第一高度H1可以如下所示。

参考1：当基板S的直径为100mm时，第一高度H1为10mm至30mm；

参考2：当基板S的直径为150mm时，第一高度H1为15mm至45mm；

参考3：当基板S的直径为200mm时，第一高度H1为20mm至60mm；

参考4：当基板S的直径为300mm时，第一高度H1为30mm至90mm。

如图1和图2所图示，本发明的实施例的排出流动调节部200包括如下特征。

排出流动调节部200以与向垂直方向贯通的孔连通的方式形成有向垂直方向贯通的孔，在排出流动调节部200的一侧连接有孔的大小由上侧朝下侧方向变小的漏斗形状的引导部300。

前文中以排出流动调节部200为基准进行了说明，后面将以等离子处理装置为基准进行说明。

如图3所图示，本发明的实施例的包括排出流动调节部200的等离子处理装置包括腔室100、卡盘C以及排出流动调节部200。

腔室100包括作为形成等离子的区域的形成区域110、作为用等离子对基板S进行处理的区域的处理区域120、以及作为与泵(pump)连接而排出对基板S进行了处理的等离子的区域的排出区域130。

卡盘C位于处理区域120，供安放基板S。

排出流动调节部200位于卡盘C与所述形成区域110之间，其为形成有以使基板S露出的方式向垂直方向贯通的孔的圆筒形状，并沿周向形成有作为向水平方向贯通从下端向上部隔开的位置的孔的排出部210，且形成有为了阻挡等离子的流动而从排出部210的下侧延伸至排出流动调节部200的下端且具有第一高度H1的覆盖部220。

此时，排出流动调节部200可以包括如下特征1至特征4中的一个以上的特征。

特征1：可以沿排出流动调节部200的周向形成有多个排出部210，多个排出部210可以以相向的一对对称的方式排列。

特征2：作为排出流动调节部200的下端至形成有排出部210的位置之前的高度的第一高度H1可以大于排出部210的高度。

即，具有第一高度H1的覆盖部220可以大于排出部210的高度。

不限于此，第一高度H1也可以小于或等于排出部210的高度。

特征3：作为排出流动调节部200的上端至排出部210之前的高度的第二高度H2可以小于第一高度H1。

特征4：第一高度H1可以为基板S的直径的50％以下。

由此，经反复性的实验确认到当第一高度H1为基板S的直径的50％以下时，基板S的外侧的蚀刻比和基板S的内侧的蚀刻比差减小的效果(即，提高蚀刻均匀度的效果)。

尤其，确认到当第一高度H1为基板S的直径的10％至30％时，基板S的蚀刻均匀度非常良好。

例如，当基板S的直径属于参考1至参考4的情况时，第一高度H1可以如下所示。

参考1：当基板S的直径为100mm时，第一高度H1为10mm至30mm；

参考2：当基板S的直径为150mm时，第一高度H1为15mm至45mm；

参考3：当基板S的直径为200mm时，第一高度H1为20mm至60mm；

参考4：当基板S的直径为300mm时，第一高度H1为30mm至90mm。

如图3所图示，本发明的实施例的包括排出流动调节部200的等离子处理装置包括漏斗形状的引导部300。

引导部300的上侧以与形成区域110连通的方式位于形成区域110的下部，引导部300的下侧连接于排出流动调节部200。

引导部300以与向垂直方向贯通排出流动调节部200的孔连通的方式形成有向垂直方向贯通的孔，形成于引导部300的孔的大小由上侧朝下侧方向变小。

如图4所图示，本发明的实施例的包括排出流动调节部200的等离子处理装置包括如下特征。

排出部210形成作为等离子从处理区域120通过排出部210而向排出区域130移动的流动的第一流动F1。

排出部210从排出流动调节部200的一端隔开第一高度H1而形成，且排出部210相比基板S位于上部。

从而，由于等离子在基板S的外侧不会立即被排出至排出区域130，因而基板S的外侧的排出流动速度减小。

如此，由于基板S的外侧的排出流动的速度减小，使得基板S的外侧的蚀刻比下降，因而具有减少基板S的内侧和外侧的蚀刻比差的效果。

基板S的外侧的蚀刻比受排出部210的高度所对应的第一流动F1的排出流动的速度变化的影响。

这样的外侧的蚀刻比的影响缘于第一流动F1的速度的变化，作为用于调节第一流动F1的速度的实施例，后面将对形成第一流动F1外的另外的流动来调节第一流动F1的速度的第一实施例和通过开闭排出部210的流动控制部800来调节第一流动F1的速度的第二实施例进行说明。

首先，对调节第一流动F1的量的第一实施例进行说明。

如图4所图示，本发明的实施例的包括排出流动调节部200的等离子处理装置还包括第一间距G1。

第一间距G1形成于排出流动调节部200与卡盘C之间。

即，第一间距G1形成于覆盖部220与卡盘C之间。

就第一间距G1而沿，可以如图3所图示通过卡盘C的升降来调节第一间距G1的高度，或者，可以如图7所图示与升降机构联动来调节第一间距G1的高度。

此时，第一间距G1形成作为等离子从处理区域120通过第一间距G1而向排出区域130移动的流动的第二流动F2，并根据第一间距G1的高度来调节第二流动F2的速度。

即，当第一间距G1的高度变高时，第二流动F2的速度变快，当第一间距G1的高度变低时，第二流动F2的速度变慢。

下面对调节第一流动F1的量的第二实施例进行说明。

如图6所图示，本发明的实施例的包括排出流动调节部200的等离子处理装置包括流动控制部800。

流动控制部800为形成有以使排出流动调节部200***的方式向垂直方向贯通的孔的圆筒形状。

流动控制部800与升降机构联动而升降来变更覆盖所述排出部210的程度，并根据通过升降来变更的覆盖所述排出部210的程度来全部或部分地开闭作为所述等离子从所述处理区域120通过所述排出部210而向所述排出区域130移动的流动的第一流动F1。

作为不同于前述用于调节第一流动F1的速度的实施例的另一实施例，也可以取代第一流动F1地仅通过第二流动F2来调节外侧蚀刻比。

如图7所图示，本发明的实施例的包括排出流动调节部200的等离子处理装置还包括第一间距G1。

第一间距G1形成于排出流动调节部200与卡盘C之间。

就第一间距G1而言，如图7所图示，可以与升降机构联动来调节第一间距G1的高度。

或者，就第一间距G1而言，如图3所图示，可以通过卡盘C的升降来调节第一间距G1的高度。

此时，第一间距G1形成作为等离子从处理区域120通过第一间距G1而向排出区域130移动的流动的第二流动F2，并根据第一间距G1的高度来调节第二流动F2的速度。

即，当第一间距G1的高度变高时，第二流动F2的速度变快，当第一间距G1的高度变低时，第二流动F2的速度变慢。

如图3所图示，本发明的实施例的包括排出流动调节部200的等离子处理装置的处理区域120包括处理壁400。

处理壁400的直径大于形成区域110的直径，且在中央形成有连通处理区域120和形成区域110的孔，形成区域110的下侧及引导部300的上侧结合于处理壁400。

此时，当引导部300未连接于排出流动调节部200的上侧时，排出流动调节部200的上侧可以直接或间接地结合于处理壁400。

如图3所图示，本发明的实施例的包括排出流动调节部200的等离子处理装置包括加热器500。

加热器500以位于与引导部300隔开的周围的方式结合于处理壁400。

此时，加热器500可以是利用电来发热的发热体或较高温度的流体在内部循环来发热的管件。

加热器500通过提升排出流动调节部200及引导部300的温度来防止异物(即，用等离子对基板S进行处理而产生的工艺副产物)附着于排出流动调节部200和引导部300，从而增加因污染而进行清洗的周期。

如图3所图示，本发明的实施例的包括等离子处理装置排出流动调节部200的等离子处理装置包括降低温度的冷却部600。

冷却部600以位于与加热器500隔开的周围的方式结合于处理壁400来降低由加热器500传递的温度。

此时，冷却部600使温度低于加热器500的温度的流体在内部循环，从而冷却部600可以阻隔或降低从加热器500向处理壁400的外侧传导的热。

如此，冷却部600降低由加热器500传递至外侧的高温，因而具有防止加热器500的高温传递至外部而致使用户暴露于危险的效果。

如图5所图示，本发明的实施例的包括排出流动调节部200的等离子处理装置还包括覆盖件700。

覆盖件700内含形成区域110。

当为了清洗腔室100的内部而相对于处理区域120对覆盖件700进行开封时，覆盖件700与处理壁400及排出流动调节部200一同被开封。

本发明的实施例的等离子处理装置的工艺步骤包括A-1步骤、B-1步骤、C-1步骤、以及D-1步骤。

在A-1步骤，使卡盘C以已设定的间距接近排出流动调节部200。

在B-1步骤，用等离子对基板S进行处理。

在C-1步骤，对用等离子处理后的基板S的外侧的蚀刻比进行测量。

在D-1步骤，当基板S的外侧的蚀刻比低于所设定的基准时，使卡盘C以与所述排出流动调节部200隔开大于已设定的间距的距离的方式下降；当基板S的外侧的蚀刻比高于所设定的基准时，使卡盘C以与所述排出流动调节部200隔开小于已设定的间距的距离的方式升降。

此时，B-1步骤至D-1步骤可以反复执行至基板S的外侧的蚀刻比与所设定的基准相同或相似。

此外，在D-1步骤，可以将基板S的外侧的蚀刻比存储于处理部，处理部将所存储的基板S的外侧的蚀刻比与已输入的资料进行比较来导出卡盘C的升降值，并将处理部所导出的卡盘C的升降值向控制卡盘C的升降的控制部送出来使卡盘C升降。

此外，在C-1步骤，还可以测量基板S的内侧的蚀刻比，D-1步骤的所设定的基准可以是基板S的内侧的蚀刻比。

此外，在D-1步骤，可以将基板S的内侧及外侧的摄影资料存储于处理部，处理部对所存储的摄影资料的基板S的外侧及内侧进行比较或与已输入的资料进行比较来导出卡盘C的升降值，并将处理部所导出的卡盘C的升降值向控制卡盘C的升降的控制部送出来使卡盘C升降。

前述等离子由向腔室100流入的处理气体与高频电场产生反应而形成。

因此，无需另行提及，等离子也可以同时意指在形成区域110、处理区域120及排出区域130由处理气体及处理气体产生反应而形成的等离子。

此外，其所指还可以包括在处理区域120和排出区域130用等离子对基板S进行处理而产生的工艺副产物。