具体实施方式

正如背景技术所述，现有技术中光学邻近校正的效率还有待提升。以下将结合实施例进行具体说明。

伪结构层(dummy layer)是对半导体结构没有实际作用的层，其作用仅是为了方便半导体制作过程中的化学机械打磨(CMP)。但是在半导体的制程中，仍需要对所述伪结构层进行光学邻近修正处理。

在现有技术中通常是采用对所述伪结构层进行计算与模拟，然后根据对所述伪结构层计算与模拟所得到的结果进行掩膜版的制作，通过这样的光学邻近修正流程会消耗大量的计算资源，同时也会消耗大量的计算时间，导致工作流程的效率降低。

在此基础上，本发明提供一种光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法，通过对待修正图形进行分类，将最终获取的所述待修正图形第一分类数据与所述图形修正数据库进行对比，获取所述待修正图形的第一光学邻近修正数据，通过这种光学邻近修正流程能够大大的减少对所述待修正图形的修正的时间，有效的提升了光学邻近修正效率。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细地说明。

图1是本发明一实施例中光学邻近修正方法流程图，包括：

步骤S11，提供参考版图，所述参考版图包括若干参考图形；

步骤S12，根据所述参考版图获取图形修正数据库；

步骤S13，提供待修正版图，所述待修正版图包括若干待修正图形；

步骤S14，对所述待修正版图进行分类，获取每个所述待修正图形的第一分类数据；

步骤S15，根据所述待修正图形的第一分类数据与所述图形修正数据库进行对比，获取每个所述待修正图形的第一光学邻近修正数据。

以下结合附图对所述光学邻近修正方法的步骤进行详细说明。

图2至图11，是本发明实施例的一种光学邻近修正方法的各步骤结构示意图。

请参考图2，提供参考版图100，所述参考版图100包括若干参考图形101。

在本实施例中，所述参考版图100为后续待修正版图101提供参考的模板图形。

请继续参考图2，根据所述参考版图100获取图形修正数据库。

在本实施例中，所述图形修正数据库中包括：每个所述参考图形101对应的第二分类数据、以及每个所述参考图形101对应的第二光学邻近修正数据。

所述图形修正数据库是依据对所述参考版图100分类后而制定，通过先将所述参考版图100中的每个所述参考图形101进行分类，获取每个所述参考图形101对应的第二分类数据，然后再对分类后的每个所述参考图形101进行光学邻近修正，并将修正后的数据作为所述参考图形101的第二光学邻近修正数据，以此实现每个所述参考图形101的第二分类数据与第二光学邻近修正数据的一一对应。

请参考图3，提供待修正版图200，所述待修正版图200包括若干待修正图形201。

在本实施例中，所述待修正版图200中的每个待修正图形201均为伪结构层中的初始图形，由于光学邻近效应的存在，如果直接将这些待修正图形201进行曝光，曝光后的图形与实际想要获得的图形会存在较大的差别，因此需要对这些待修正图形201进行一定的光学邻近修正后才能够使用。

请继续参考图3，对所述待修正版图200进行分类，获取每个所述待修正图形201的第一分类数据。

所述待修正图形201的第一分类数据包括：尺寸分类数据和环境分类数据。

在本实施例中，请参考图4，获取所述待修正图形201的尺寸分类数据的方法包括：获取每个所述待修正图形201的面积尺寸S；根据所述待修正图形201的面积尺寸S进行尺寸分类，获取所述待修正图形201的尺寸分类数据。

请继续参考图4，根据所述待修正图形201的面积尺寸S进行尺寸分类的方法包括：提供待修正图形201的面积阈值M；将获取的所述待修正图形201的面积尺寸S与所述面积阈值M进行对比；当所述待修正图形201的面积尺寸S大于等于所述面积阈值M时，所述待修正图形201为第一尺寸类别C1；当所述待修正图形201的面积尺寸S小于所述面积阈值M，所述待修正图形201为第二尺寸类别C2，即：

在本实施例中，请参考图5，获取每个所述待修正图形201沿第一方向X上的第一长度尺寸w；获取每个所述待修正图形201沿第二方向Y上的第二长度尺寸l，所述第一方向X与所述第二方向Y相垂直；根据每个所述待修正图形201的第一长度尺寸w与第二长度尺寸l的长度值不同，将所述第二尺寸类别C2分为若干个第三尺寸类别，即：

当所述待修正图形201为第一尺寸类别C1时，则不需要对所述待修正图形201进行光学邻近修正。

这是由于当所述待修正图形201的面积尺寸S较大时，所述待修正图形201的可容忍最大误差值也较大，即所述待修正图形201在曝光之后，能够接受变形的能力较大，因此当待修正图形201的面积尺寸S大于或等于面积阈值M时，在对所述待修正图形201进行曝光处理之后，曝光之后的图形较待修正图形201的误差小于所述可容忍最大误差值，此时则不需要对所述待修正图形201进行光学邻近修正，相应的，也就不需要对所述待修正图形201继续进行分类。

当所述待修正图形201为第二尺寸类别C2时，则需要对所述待修正图形201继续进行分类，获取所述待修正图形201的环境分类数据。

所述待修正图形201的环境分类数据包括：强相关区域分类数据和弱相关区域分类数据。

在本实施例中，请参考图6，获取所述待修正图形201的强相关区域分类数据的方法包括：获取第一相关区域300，所述第一相关区域300的中心与所述待修正图形201的中心重合，所述第一相关区域300内包括所述待修正图形201与若干第一周围图形301；获取每个所述第一周围图形301的环境参数。

请参考图7，每个所述第一周围图形301的环境参数包括：所述第一周围图形301沿第一方向X的尺寸w’、沿第二方向Y的尺寸l’以及位置坐标(x，y)。

请参考图8，获取每个所述第一周围图形301的位置坐标(x，y)的方法包括：以所述待修正图形201的中心为原点建立平面直角坐标系；在所述平面直角坐标系中，获取所述第一周围图形301中心的坐标，以所述第一周围图形301中心坐标作为所述第一周围图形301的位置坐标(x，y)。

因此，在所述第一相关区域内，所有的所述第一周围图形的环境参数：

SRAC＝f(w₁’，l₁’，x₁，y₁；w₂’，l₂’，x₂，y₂；…；w_n’，l_n’，x_n，y_n)。

在本实施例中，获取第一相关区域300的方法包括：获取所述待修正图形201的光学修正精度值；根据所述光学修正精度值获取区域面积，所述区域面积与所述光学修正精度值成正比；根据所述区域面积获取所述第一相关区域300。

当对所述待修正图形201的修正精度值要求较高时，此时就需要所述待修正图形201周围的环境与所述参考图形101周围的环境相识度更高才可以，因此就需要增大所述第一相关区域300的面积来框选更多的所述第一周围图形300来进行对比，这样才能够提升所述待修正图形201与所述参考图形101之间的相识度，进而提升所述待修正图形201的修正精度值。通过这种方法获取所述第一相关区域300，能够满足不同精度要求下的待修正图形201的光学邻近修正处理，应用范围较广。

在获取所述待修正图形201的强相关区域分类数据之后，获取所述待修正图形201的弱相关区域分类数据。

在本实施例中，获取所述待修正图形201的弱相关区域分类数据的方法请参考图9至图11。

请参考图9，获取第二相关区域400，所述第二相关区域400包围所述第一相关区域300，所述第二相关区域400内包括若干第二周围图形401。

根据所述第二相关区域400内的第二周围图形401进行环境分类，获取所述待修正图形201的弱相关区域分类数据。根据所述第二相关区域400内的第二周围图形401进行环境分类的具体过程请参考图10至图11。

请参考图10，获取参考面积S1。

获取所述参考面积S1的方法包括：在所述参考版图100中获取第三相关区域500，所述第三相关区域500与所述第二相关区域400相对应，所述第三相关区域500内包括若干第三周围图形501；获取所述第三相关区域500内包括的所有第三周围图形501的面积S1’之和，所述参考面积S1为所述第三相关区域500内包括的所有第三周围图形501的面积S1’之和。

请参考图11，获取所述第二相关区域400内包括的所有第二周围图形401的面积S2’之和S2；获取所述第二相关区域400的面积S3；获取第二相关区域400的环境参量

根据第二相关区域400的环境参量D，获取所述待修正图形201的弱相关区域分类数据。

根据第二相关区域400的环境参量D，获取所述待修正图形201的弱相关区域分类数据的方法包括：提供环境参量阈值N；将获取的第二相关区域400的环境参量D与所述环境参量阈值N进行对比；当所述环境参量D小于所述环境参量阈值N时，所述待修正图形201为第一环境类别subclasss1，当所述环境参量D大于等于所述环境参量阈值N时，所述待修正图形201为第二环境类别subclasss2，即：

在获取所述待修正图形201的第一分类数据之后，根据所述待修正图形201的第一分类数据与所述图形修正数据库进行对比，获取每个所述待修正图形201的第一光学邻近修正数据。

在本实施例中，根据所述待修正图形201的第一分类数据与所述图形修正数据库进行对比，获取每个所述待修正图形201的第一光学邻近修正数据的方法包括：当获取的所述待修正图形201的第一分类数据与所述图形修正数据库中一个参考图形101的第二分类数据相同时，则所述待修正图形201的第一光学邻近修正数据为所述参考图形101的第二光学邻近修正数据。

通过具有相同尺寸和环境的图形具有相同的光学邻近修正处理结果的原理，对所述待修正图形201进行分类，将最终获取的所述待修正图形201第一分类数据与所述图形修正数据库进行对比，获取所述待修正图形201的第一光学邻近修正数据。在半导体制程中，由于对伪结构层的光学邻近修正精度要求较低，因此可以采用对比获取所述待修正图形201的第一光学邻近修正数据的方法来进行修正处理，通过这种光学邻近修正流程能够有效的减少对所述待修正图形201的计算时间，进而有效的提升了对所述待修正图形201的修正效率。

在本实施例中，在获取每个所述待修正图形201的第一光学邻近修正数据之后，还包括：采用所述第一光学邻近修正数据获取所述待修正图形201对应的修正图形。

相应的，在本发明的实施例中，还提供一种掩膜版的制作方法，包括：提供待修正图形201；根据上述光学邻近修正方法得到的所述待修正图形201的第一光学修正数据获取修正图形；以所述修正图形制作掩膜版。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。