半导体器件的制造系统和使用其制造半导体器件的方法
阅读说明：本技术 半导体器件的制造系统和使用其制造半导体器件的方法 (Manufacturing system of semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device using the same ) 是由 裵根熙 朴珍洪 许晋硕 李昇玟 林宣泽 于 2019-12-26 设计创作，主要内容包括：公开了半导体器件的制造系统和使用其制造半导体器件的方法。所述系统可以包括：腔室；极紫外光(EUV)源,位于腔室中,并且被构造为产生EUV束；光学系统,位于EUV源上,并且被构造为将EUV束提供到基底；基底台,位于腔室中,并且被构造为容纳基底；标线台,位于腔室中,被构造为保持标线,标线被构造为使EUV束投射到基底上；以及颗粒收集器,位于标线与光学系统之间,并且被构造为允许EUV束的选择性透射并去除颗粒。(A manufacturing system of a semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device using the same are disclosed. The system may include: a chamber; an Extreme Ultraviolet (EUV) source located in the chamber and configured to produce an EUV beam; an optical system located on the EUV source and configured to provide an EUV beam to the substrate; a substrate table located in the chamber and configured to accommodate a substrate; a reticle stage located in the chamber and configured to hold a reticle, the reticle configured to project an EUV beam onto a substrate; and a particle collector located between the reticle and the optical system and configured to allow selective transmission of the EUV beam and remove particles.)
本申请要求于2019年5月2日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0051676号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的内容在此通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种半导体器件的制造系统以及一种使用该制造系统制造半导体器件的方法，具体地，涉及一种EUV曝光系统以及一种使用该曝光系统制造半导体器件的方法。
背景技术
随着信息技术的发展，已经积极地进行了高度集成的半导体器件的研究和开发。半导体器件的集成密度强烈依赖于光刻工艺中使用的光源的波长。可以使用诸如I线、G线、KrF准分子和ArF准分子的激光束或者波长比准分子激光短的极紫外光(EUV)束作为光源。EUV束具有远高于准分子激光的能量。因此，EUV束的使用会导致标线(reticle)上的颗粒污染问题。为了防止光刻工艺中发生故障，应该用另一标线替换污染的标线。
发明内容
发明构思的实施例提供了一种半导体制造系统，以及一种使用该系统制造半导体器件的方法，该半导体制造系统被构造为抑制或防止颗粒污染问题。
根据发明构思的实施例，用于制造半导体器件的系统可以包括：腔室；极紫外光(EUV)源，位于腔室中，并且被构造为产生EUV束；光学系统，位于EUV源上，并且被构造为将EUV束提供到基底；基底台，位于腔室中，并且被构造为容纳基底；标线台，位于腔室中，被构造为保持标线，标线被构造为使EUV束投射到基底上；以及颗粒收集器，位于标线与光学系统之间，并且被构造为允许EUV束的选择性透射并去除颗粒。
根据发明构思的实施例，用于制造半导体器件的系统可以包括：腔室；EUV源，位于腔室中，并且被构造为产生EUV束；光学系统，位于EUV源上，并且被构造为将EUV束提供到基底；基底台，位于腔室中，并且被构造为容纳基底；标线台，位于腔室中，被构造为保持标线，标线被构造为使EUV束投射到基底上；标线卡盘，位于标线台上，并且被构造为使用静电电压来保持标线；以及遮蔽叶片，位于标线与光学系统之间。遮蔽叶片可以被构造为被充电有与静电电压不同的偏置电压。
根据发明构思的实施例，制造半导体器件的方法可以包括：将静电电压施加到曝光系统的标线卡盘；产生包括具有第一脉冲的强度的EUV束；将EUV束提供到标线；同步于第一脉冲而阻挡颗粒；将偏置电压施加到曝光系统的遮蔽叶片以对遮蔽叶片充电；以及将EUV束提供到基底。
附图说明
通过下面结合附图进行的简要描述，将更清楚地理解示例实施例。附图表示如这里描述的非限制性的示例实施例。
图1是示例性地示出根据发明构思的实施例的用于制造半导体器件的系统的示例的图。
图2是示出图1的EUV束的强度的第一脉冲的曲线图。
图3是示出图1的部分A的放大的视图。
图4是示出图3的颗粒收集器的示例的平面图。
图5是示出与图4的阻挡区域和透射区域的旋转周期对应的第二脉冲的曲线图。
图6是示出图1的颗粒收集器的另一示例的图。
图7是示出根据示例实施例的图6的遮蔽叶片、偏置电极和地电极的平面图。
图8是示出图6的第一偏置电压的第三脉冲的曲线图。
图9是示出根据示例实施例的图3的标线卡盘和遮蔽叶片的平面图。
图10和图11是分别沿图9的线I-I'和线II-II'截取的剖视图。
图12是示出图9的静电电压的第四脉冲的曲线图。
图13是示出图9的第二偏置电压的第五脉冲的曲线图。
图14是示出与图9的遮蔽叶片相邻的流体喷嘴的平面图。
图15和图16是分别沿图14的线III-III'和线IV-IV'截取的剖视图。
图17是示出根据发明构思的实施例的制造半导体器件的方法的流程图。
图18是示出图17中所示的去除颗粒的示例的流程图。
应当注意的是，这些附图意在示出某些示例实施例中利用的方法、结构和/或材料的一般特性，并且补充下面提供的书面描述。然而，这些附图不是按比例的，并且可以不精确反映任何给出的实施例的精确的结构或性能特性，并且不应当被解释为限定或限制由示例实施例涵盖的值或性质的范围。例如，为了清楚，可以缩小或夸大分子、层、区域和/或结构元件的相对厚度与定位。在各个附图中，相似或相同的附图标记的使用意在表示相似或相同的元件或特征的存在。
具体实施方式
图1示出了根据发明构思的实施例的用于制造半导体器件的制造系统100的示例。
参照图1，制造系统100可以是极紫外光(EUV)曝光系统(例如，扫描器)。可选择地，制造系统100可以是ArF曝光系统、KrF曝光系统、I线曝光系统和G线曝光系统中的一种。在实施例中，制造系统100可以包括腔室110、EUV源120、光学系统130、标线台140、基底台150和颗粒收集器160。
腔室110可以将与外部隔离的空间限定或提供给基底W和标线144。例如，腔室110可以具有真空状态并且/或者可以从外部密封。
EUV源120可以设置在腔室110的角部分中。EUV源120可以产生EUV束102。EUV束102可以是等离子束。作为示例，EUV源120可以包括源滴产生器122、激光器124和集光镜126。源滴产生器122可以产生源滴121。源滴121可以是或者包括锡(Sn)、氙(Xe)气、钛(Ti)或锂(Li)的液滴。激光器124可以将源滴121提供到激光束123以产生EUV束102。激光束123可以是EUV束102的泵浦光。EUV束102的强度可以与激光束123的强度或功率成比例。
图2示出了图1的EUV束102的强度的第一脉冲103。
参照图2，EUV束102的强度可以具有特定的脉冲(在下文中，第一脉冲103)。第一脉冲103可以具有与源滴121的产生周期相同的周期。在某些实施例中，第一脉冲103可以具有与入射到源滴121的激光束123的入射周期相同的周期。例如，第一脉冲103的周期可以在约1秒至约3秒的范围内。
返回参照图1，集光镜126可以将EUV束102聚焦到光学系统130上。例如，集光镜126可以是或者包括凹面镜。
光学系统130可以设置在标线台140与基底台150之间。光学系统130可以设置在投影光学箱(POB)131中。POB 131可以被构造为允许光学系统130保持在高真空压力(例如，1×10-6Torr)。光学系统130可以将EUV束102顺序地提供到标线144和基底W。作为示例，光学系统130可以包括场面镜132、光瞳面镜134、掠射镜(grazing mirror)136和投射镜138。场面镜132、光瞳面镜134和掠射镜136可以用作用于将EUV束102提供到标线144的照明系统。场面镜132可以将EUV束102反射朝向光瞳面镜134。光瞳面镜134可以将EUV束102反射朝向标线144。场面镜132和光瞳面镜134可以被构造为允许EUV束102准直到掠射镜136上。掠射镜136可以设置在光瞳面镜134与标线144之间。掠射镜136可以调节EUV束102的掠入射角。投射镜138可以用作用于将EUV束102提供到基底W上的物镜(或投射物镜)。投射镜138可以将EUV束102提供到基底W上。
标线台140可以设置在腔室110的上部中。标线台140可以具有标线卡盘142(或标线卡盘142可以位于标线台140上)。标线卡盘142可以使用静电电压(例如，见图9的Vs)或恒定电压以静电的方式来保持或紧固标线144。标线卡盘142可以被构造为在标线台140上沿第一方向X或第二方向Y改变标线144的位置。在实施例中，标线144可以是反射型掩模。标线144可以使EUV束102的一小部分反射朝向投射镜138，并且可以吸收EUV束102的另一小部分(例如，EUV束102的不被反射的一小部分)。投射镜138可以使EUV束102的一小部分反射朝向基底W。
基底台150可以设置在腔室110的下部中。基底台150可以具有基底卡盘152(或基底卡盘152可以位于基底台150上)。基底卡盘152可以用于承载位于其上的基底W。基底卡盘152可以使用静电力来保持或紧固基底W。基底卡盘152可以被构造为在基底台150上沿第一方向X或第二方向Y改变基底W的位置。基底W可以被曝光于EUV束102。基底W上的光致抗蚀剂层的将被EUV束102曝光的区域可以由标线144的图案来确定。基底卡盘152和标线卡盘142的移动可以被控制为将EUV束102提供到基底W的整个顶表面上。
颗粒收集器160可以设置在光学系统130与标线144之间。颗粒收集器160可以将颗粒(例如，见图10的190)从标线144去除，并且可以防止标线144被颗粒污染。颗粒190可以是源滴121的碎片。
图3示出了图1的部分“A”的放大的结构。
参照图3，颗粒收集器160可以设置在光学系统130的掠射镜136与标线144之间。颗粒收集器160可以放置在EUV束102的传播路径上。
图4示出了图1的颗粒收集器160的示例。
参照图3和图4，颗粒收集器160可以是旋转盘斩波器(rotation disk chopper)。作为示例，颗粒收集器160可以包括旋转轴161、阻挡区域162和透射区域164。旋转轴161可以设置在颗粒收集器160的中心处。旋转轴161可以设置在阻挡区域162和透射区域164中。阻挡区域162和透射区域164可以具有圆弧形状。阻挡区域162和透射区域164的部分均可以具有扇形或四分之一圆的形状，阻挡区域162和透射区域164的部分可以在围绕颗粒收集器160的圆周方向上交替。例如，可以存在均具有四分之一圆的形状的阻挡区域162的两个部分和均具有四分之一圆的形状的透射区域164的两个部分。阻挡区域162和透射区域164可以具有基本上相同的面积。阻挡区域162和透射区域164可以围绕旋转轴161周期性地旋转。
阻挡区域162可以吸收并且/或者阻挡EUV束102。此外，阻挡区域162可以防止颗粒190(例如，见图10)被供应到标线144上。阻挡区域162可以将阻挡颗粒190远离标线144。在实施例中，阻挡区域162可以由金属材料(例如，SUS)形成或者包括金属材料(例如，SUS)，但是发明构思不限于此示例。如果阻挡区域162设置在标线144与掠射镜136之间，则可以从标线144的表面去除颗粒190。
透射区域164可以被构造为允许EUV束102经其穿过。透射区域164可以是阻挡区域162之间的空的空间，或者包括在阻挡区域162之间的空的空间。如果透射区域164设置在标线144与掠射镜136之间，则EUV束102可以被提供到标线144。
图5示出了与图4的透射区域162的旋转周期对应的第二脉冲105。
参照图5，透射区域164可以以周期性的方式旋转，透射区域164的这样的周期性旋转可以被描述为特定的脉冲。例如，透射区域164的旋转可以由图5中所示的第二脉冲105来描述。第二脉冲105可以与第一脉冲103相同或者可以与第一脉冲103(图2)同步。换言之，第二脉冲105可以具有与第一脉冲103的周期相同的周期，并且可以具有与第一脉冲103的相位相同的相位。第二脉冲105的周期可以在约1秒至约3秒的范围内。阻挡区域162的脉冲可以具有与第二脉冲105的周期相同的周期，并且可以具有与第二脉冲105的相位相反的相位。
如果产生了EUV束102，则透射区域164可以设置在标线144与掠射镜136之间。EUV束102可以被提供到标线144。EUV束102可以被标线144反射到基底W。
如果没有产生EUV束102，则阻挡区域162可以设置在标线144与掠射镜136之间。阻挡区域162可以去除标线144与掠射镜136之间的颗粒190(例如，见图10)。可以能够防止或抑制标线144被颗粒190污染。
返回参照图3，遮蔽叶片146(或标线遮蔽叶片)可以设置在颗粒收集器160与标线144之间。作为示例，遮蔽叶片146可以限定EUV束102的曝光区域和/或反射区域。遮蔽叶片146可以由金属材料(例如，SUS)或陶瓷材料形成，或者包括金属材料(例如，SUS)或陶瓷材料。
此外，均匀性校正器148可以设置在遮蔽叶片146与颗粒收集器160之间。均匀性校正器148可以被构造为物理上吸收EUV束102的一小部分，并且可以调节EUV束102的均匀性。可选择地，均匀性校正器148可以被构造为以一些其他方式来调节EUV束102的强度。
图6示出了图1的颗粒收集器160的另一示例。
参照图6，颗粒收集器160可以在遮蔽叶片146之间感生用于阻挡或去除颗粒(例如，见图10的190)的电场E。作为示例，颗粒收集器160可以包括偏置电极166和地电极168。偏置电极166和地电极168可以被分别紧固到遮蔽叶片146的底表面。在遮蔽叶片146由金属材料制成的情况下，偏置电极166和地电极168可以通过绝缘材料来与遮蔽叶片146电分离。在遮蔽叶片146由陶瓷制成的情况下，偏置电极166和地电极168可以直接附着或者粘合到遮蔽叶片146。在一些实施例中，遮蔽叶片146包括第一遮蔽叶片和第二遮蔽叶片。偏置电极166可以位于第一遮蔽叶片上，地电极168可以位于第二遮蔽叶片上。
偏置电极166可以利用第一偏置电压Vb1感生电场E。可以在遮蔽叶片146之间感生电场E。电场E可以用于去除颗粒190。
图7示出了图6的遮蔽叶片146、偏置电极166和地电极168的示例。
参照图7，遮蔽叶片146可以包括第一组遮蔽叶片145(这里也称作第一遮蔽叶片和第二遮蔽叶片)和第二组遮蔽叶片147(这里也称作第三遮蔽叶片和第四遮蔽叶片)。第一组遮蔽叶片145(或第一遮蔽叶片和第二遮蔽叶片)可以设置为在第一方向X上彼此面对。第一组遮蔽叶片145可以在第一方向X上朝向彼此或远离彼此移动，以调节EUV束102在第一方向X上的曝光区域。第二组遮蔽叶片147(或第三遮蔽叶片和第四遮蔽叶片)可以设置为在第二方向Y上彼此面对。第二组遮蔽叶片147可以在第二方向Y上朝向彼此或远离彼此移动，以调节EUV束102在第二方向Y上的曝光区域。
偏置电极166可以设置在第一组遮蔽叶片145中的一个和第二组遮蔽叶片147中的一个上。作为示例，偏置电极166可以包括第一偏置电极163和第二偏置电极165。第一偏置电极163和第二偏置电极165可以彼此相邻设置并且可以彼此电连接。第一偏置电极163可以设置在第一组遮蔽叶片145中的一个上。第二偏置电极165可以设置在第二组遮蔽叶片147中的一个上。
地电极168可以设置在第一组遮蔽叶片145中的另一个和第二组遮蔽叶片147中的另一个上。作为示例，地电极168可以包括第一地电极167和第二地电极169。第一地电极167和第二地电极169可以彼此相邻设置并且可以接地。
第一地电极167可以设置在第一组遮蔽叶片145中的另一个上。第一地电极167可以设置为在第一方向X上面对第一偏置电极163。第一偏置电极163和第一地电极167可以在第一方向X上感生用于去除颗粒190的电场E。
第二地电极169可以设置在第二组遮蔽叶片147中的另一个上。第二地电极169可以设置为在第二方向Y上面对第二偏置电极165。第二偏置电极165和第二地电极169可以在第二方向Y上感生用于去除颗粒190的电场E。
在一些实施例中，第一组遮蔽叶片145包括第一遮蔽叶片和第二遮蔽叶片，第二组遮蔽叶片147包括第三遮蔽叶片和第四遮蔽叶片。第一偏置电极163可以位于第一遮蔽叶片上。第二偏置电极165可以位于第三遮蔽叶片上。第一地电极167可以位于第二遮蔽叶片上。第二地电极169可以位于第四遮蔽叶片上。
图8示出了图6的第一偏置电压Vb1的第三脉冲107。
参照图8，第一偏置电压Vb1可以具有特定的脉冲(在下文中，第三脉冲107)。第三脉冲107可以具有与第一脉冲103(图2)的周期相同的周期。在实施例中，第三脉冲107的周期可以在约1秒至约10秒的范围内。第三脉冲107可以具有与第一脉冲103的相位相反的相位。可以以相反的方式开启或关闭EUV束102和电场E。例如，如果EUV束102被开启，则电场E可以被关闭。EUV束102可以穿过偏置电极166与地电极168之间的区域。如果EUV束102被关闭，则电场E可以被开启。颗粒190可以被电场E阻挡或去除。
图9示出了图3的标线卡盘142和遮蔽叶片146的示例。图10和图11示出了分别沿图9的线I-I'和线II-II'截取的剖视图。
参照图9至图11，标线卡盘142可以被施加有静电电压Vs，遮蔽叶片146可以被施加有第二偏置电压Vb2。在实施例中，标线卡盘142可以被划分为多个区域(例如，四个区域)，不同极性的静电电压Vs被施加到多个区域。可以周期性地改变静电电压Vs的极性。
图12示出了图9的静电电压Vs的第四脉冲109。
参照图12，静电电压Vs可以具有特定的脉冲(在下文中，第四脉冲109)。第四脉冲109的周期可以在约10分钟至约20分钟的范围内。可以以第四脉冲109周期性地改变静电电压Vs的极性。
返回参照图9至图11，在周期性地改变静电电压Vs的极性的情况下，可以在标线144附近产生带电的颗粒190。颗粒190可以带负电(例如，通过电子e-)。第一组遮蔽叶片145和组第二遮蔽叶片147可以彼此电连接。第一组遮蔽叶片145和第二组遮蔽叶片147可以通过第二偏置电压Vb2而带正电，以去除带负电的颗粒190。
参照图9，标线卡盘142可以包括用于接收静电电压Vs的端子141。端子141可以设置在标线卡盘142的沿第一方向X相对的边缘或侧边处。
参照图10，颗粒190会主要产生在端子141的底表面上和标线144的侧表面上。第一组遮蔽叶片145可以接收第二偏置电压Vb2，并且可以将电场E感生到标线144和端子141中。第一组遮蔽叶片145可以使用电场E来吸附并且/或者去除颗粒190。
参照图11，第二组遮蔽叶片147可以接收第二偏置电压Vb2，并且可以将电场E感生到标线144中。第二组遮蔽叶片147可以吸附并且/或者去除标线144的侧表面上的颗粒190。
图13示出了图9的第二偏置电压Vb2的第五脉冲111。
参照图13，第二偏置电压Vb2可以具有特定的脉冲(在下文中，第五脉冲111)。第五脉冲111可以具有与静电电压Vs的第四脉冲109(图12)的周期相同的周期。第五脉冲111的周期可以在约10分钟至约20分钟的范围内。第五脉冲111可以具有与第四脉冲109的相位相反的相位。静电电压Vs的极性可以与第二偏置电压Vb2的极性相反。例如，如果静电电压Vs的极性是负的，则第二偏置电压Vb2的极性可以是正的。如果静电电压Vs的极性是正的，则第二偏置电压Vb2的极性可以是负的。在静电电压Vs的极性与第二偏置电压Vb2的极性相反的情况下，可以使静电电压Vs与第二偏置电压Vb2之间的电压差最大化。在静电电压Vs与第二偏置电压Vb2之间的电压差最大化或增大的情况下，可以能够提高颗粒190的去除效率。
图14示出了与图9的遮蔽叶片146相邻设置的流体喷嘴180。图15和图16示出了分别沿图14的线III-III'和线IV-IV'截取的剖视图。
参照图14至图16，流体喷嘴180可以与遮蔽叶片146相邻设置。流体喷嘴180可以将流体186注入或提供到遮蔽叶片146与标线144之间的区域中，以从标线144的底表面去除颗粒190。例如，流体186可以包括氢气。作为示例，流体喷嘴180可以包括第一流体喷嘴182和第二流体喷嘴184。第一流体喷嘴182和第二流体喷嘴184可以在第三方向Z上设置在标线144与遮蔽叶片146之间。第一流体喷嘴182可以设置为与第一组遮蔽叶片145中的一个相邻或在第一组遮蔽叶片145中的一个附近。第一流体喷嘴182可以在第一方向X上提供流体186。第二流体喷嘴184可以设置为与第二组遮蔽叶片147中的一个相邻或在第二组遮蔽叶片147中的一个附近。第二流体喷嘴184可以在第二方向Y上提供流体186。
参照图14，第一流体喷嘴182和第二流体喷嘴184可以彼此电连接。第一流体喷嘴182和第二流体喷嘴184可以接收第二偏置电压Vb2。
参照图15，第一流体喷嘴182可以使用第二偏置电压Vb2将电场E感生到端子141的底表面和标线144的侧表面中。电场E可以吸附并且/或者去除端子141的底表面和标线144的侧表面上的颗粒190。
参照图16，第二流体喷嘴184可以使用第二偏置电压Vb2将电场E感生到标线144的侧表面中。电场E可以吸附并且/或者去除颗粒190。
制造系统100可以用于制造半导体器件。在下文中，将更详细地描述这样的制造方法。
图17示出了根据发明构思的实施例的制造半导体器件的方法。
参照图17，根据发明构思的实施例的制造半导体器件的方法可以包括：将静电电压Vs提供到标线卡盘142(在S10中)；产生EUV束102(在S20中)；将EUV束102提供到标线144(在S30中)；去除颗粒190(在S40中)；以及将EUV束102提供到基底W(在S50中)。
如果将静电电压Vs提供到标线卡盘142，则标线卡盘142可以保持或紧固标线144(在S10中)。可以通过第四脉冲109周期性地改变静电电压Vs的极性。
其后，EUV源120可以产生EUV束102(在S20中)。EUV束102可以具有第一脉冲103的强度。可以通过第一脉冲103周期性地开启或关闭EUV束102。
接下来，光学系统130可以将EUV束102提供到标线144(在S30中)。光学系统130的场面镜132、光瞳面镜134和掠射镜136可以将EUV束102反射朝向标线144。
其后，可以用颗粒收集器160、遮蔽叶片146和流体喷嘴180来去除颗粒190(在S40中)。
图18是示出图17中所示的去除颗粒190的步骤S40的示例的流程图。
参照图18，颗粒190的去除步骤(在S40中)可以包括：阻挡颗粒190(在S42中)；对遮蔽叶片146充电(在S44中)；以及对流体喷嘴180充电(在S46中)。
首先，颗粒收集器160可以阻挡颗粒190(在S42中)。旋转盘斩波器的颗粒收集器160可以使用阻挡区域162来周期性地阻挡颗粒190。颗粒收集器160的透射区域164可以具有第二脉冲105的旋转周期。第二脉冲105可以与第一脉冲103相同或几乎相同。此外，颗粒收集器160的偏置电极166和地电极168可以感生具有第三脉冲107的周期的电场E，以阻挡颗粒。第三脉冲107可以具有与第一脉冲103的周期相同的周期，并且可以具有与第一脉冲103的相位相反的相位。
此外，如果将第二偏置电压Vb2提供到遮蔽叶片146，则遮蔽叶片146可以被电力地充电(或带电)(在S44中)。第二偏置电压Vb2可以具有第五脉冲111。第五脉冲111可以具有与第四脉冲109的周期相同的周期，并且可以具有与第四脉冲109的相位相反的相位。遮蔽叶片146可以在端子141的底表面和标线144的侧表面附近感生电场E，并且可以去除颗粒190。此外，遮蔽叶片146可以限定EUV束102在第一方向X和第二方向Y上的曝光区域和/或反射区域。
如果将第二偏置电压Vb2提供到流体喷嘴180，则流体喷嘴180可以被电力地充电(在S46中)。流体喷嘴180可以使用第二偏置电压Vb2的电场E在端子141的底表面和标线144的侧表面附近感生电场E，并且可以去除颗粒190。此外，流体喷嘴180可以在标线144上提供流体186，以减轻由颗粒190引起的污染问题。
可以在颗粒190的去除步骤(在S40中)期间执行阻挡颗粒190(在S42中)、对遮蔽叶片146充电(在S44中)以及对流体喷嘴180充电(在S46中)的步骤中的全部或者至少一个。
参照图17，标线144和投射镜138可以将EUV束102提供到基底W上(在S50中)。可以由标线144的图案来确定基底W上将被EUV束102曝光的光致抗蚀剂层的区域。
如上面描述的，根据发明构思的实施例的用于制造半导体器件的系统可以包括颗粒收集器，颗粒收集器设置在标线与光学系统之间以防止或减轻发生在标线上的颗粒污染问题。
尽管已经具体地示出并描述了发明构思的示例实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离所附权利要求的精神和范围的情况下，可以在这里作出形式和细节的修改。