具体实施方式

下面结合附图与实施例对本发明作进一步说明。

应该指出，以下详细说明都是例示性的，旨在对本发明提供进一步的说明。除非另有指明，本文使用的所有技术和科学术语具有与本发明所属技术领域的普通技术人员通常理解的相同含义。

需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本发明的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。

目前圆极化天线相比于线极化有着更加广泛的应用，是天线理论中重要的课题之一。天线在实现圆极化方面有很多方法，比如给单个天线增加微扰的单点馈电法以及多点正交馈电法，还有用多个天线和馈电网络组成的多元法，这些都是天线实现圆极化辐射的常用方法。

单馈法的设计可以用空腔模型理论进行分析，其利用的是两个辐射正交极化的兼并模来实现圆极化。如图1(a)-图1(c)所示，通过对天线进行微扰等手段，使两种正交模式的谐振频率隔开，通过利用两个兼并模的等效阻抗相角的90度相位差(超前45度/滞后45度)效果，在远场区形成圆极化辐射。

单馈法因其结构简单，成本低，无需外加馈电网络等优点受到了广大工程师的青睐。然而，对于单馈法的圆极化天线，由于其存在工作带宽窄、极化特性差以及低仰角处增益低等缺点。为了改善这种情况，通常采用多馈法和多元法，然而该方法在实现圆极化工作的过程中，由于微波网络的引入导致传输损耗的增加，而且无法实现天线的宽波束和双圆极化工作特性。因此，本实施例采用人工表面等离激元与多馈点相结合的馈电技术，不仅获得了具有低损耗特性的微波网络，而且实现了天线的双圆极化工作。此外，通过采用切口壁加载技术，进一步提高了天线低仰角处增益，实现了天线的宽波束工作特性。

参照图2，本实施例所形成的低仰角增益增强的宽角双圆极化天线，利用半径为Ro，高度为Hg的切口壁形成凹型圆环结构腔体，天线单元高度为H，天线以原点为圆心，半径为Ri周向旋转形成了本发明实例天线。

具体地，本实施例的一种低仰角增益增强的宽角双圆极化天线，其包括切口壁101、C型馈电网络201、下介质基板102、上介质基板300、倒U型馈电结构103、金属辐射贴片302和一对同轴转换接头。这一对同轴转换接头分别为第一同轴转换接头401和第二同轴转换接头402。

其中，所述切口壁101环绕设在下介质基板102上，如图3所示，所述C型馈电网络201设于下介质基板102的上表面；所述C型馈电网络201设置有若干馈电枝节204和人工表面等离激元205，所述馈电枝节204与倒U型馈电结构301的馈电端304连接；所述倒U型馈电结构301设置于C型馈电网络201与金属辐射贴片302之间；所述金属辐射贴片302设置于倒U型馈电结构301的上侧且敷设在上介质基板300的上表面；一对同轴转换接头设置于C型馈电网络末端且位于下介质基板下方。C型馈电网络末端包括两个，分别为C型馈电网络第一末端202和C型馈电网络第二末端203。所述的人工表面等离激元205设置于C型馈电网络的内侧。其中，设置于端口202、203部分的人工表面等离激元，由外到内形成由低到高的传输过渡段(高度h1,h2,h3…hn)，而设置于C型馈电网络主体部分的梳状人工表面等离激元结构由若干高度相等(Hp)、宽度(wp)，均匀分布的梳状结构组成。接地导体平面206通过金属短路柱与介质层下表面的金属覆层段落连接。

在本实施例中，所述下介质基板102的介电常数和上介质基板300的介电常数相同。所述下介质基板102的下表面全部覆设导电介质，比如铜。

具体地，下介质基板102的介电常数为2.65，厚度T1，半径为Ro的F4B板材，下介质基板的下表面全部覆铜，上表面印刷有C型馈电网络201。所述的上介质基板300的介电常数为2.65，厚度T2，半径为Ri的F4B板材，其上表面覆盖金属辐射贴片302。

在具体实施中，如图6所示，切口壁101为金属材质。所述切口壁101包括若干个金属片，这些金属片以下介质基板中心为圆心且以设定半径沿周向均匀分布。

例如：切口壁101由N个宽度为Wg，高度为Hg的金属片，以整体结构中心为圆心，以Ro为半径沿周向均匀分布。切口壁101以原点为中心，数量为N个，沿着周向旋转形成单层薄壁凹型桶装结构，且固定于下介质基板102的上方，与下介质基板102的下表面金属覆铜短路连接，从而构成单层薄壁凹型盘状结构；所述下介质基板102圆形结构，其下表面覆盖金属铜，上表面印刷有C型馈电网络201。

在具体实施中，所述的C型馈电网络201设置于下介质基板102的上表面，其结构腹部连接有N个馈电枝节204，形成了星型结构分布的分支终端。所述的C型馈电网络201的馈电网络末端与穿过同轴转换接头安装孔104的同轴转换接头的内芯相连接。所述的C型馈电网络内侧均匀分布的N个梳状凹凸结构，构成了用于低损耗传输的人工表面等离激元205；所述同轴转换接头设置于下介质基板102的下方，其外导体与下介质基板102的下表面金属覆铜相连接；

具体地，如图5所示，所述倒U型馈电结构包括若干个相同的倒U型结构，这些倒U型结构以设定半径沿着周向旋转式均匀分布。所述的倒U型馈电结构301设置于下介质基板102的上方，数量为N个，倒U型结构馈电端304安装于倒U型馈电安装孔103内并与馈电网络枝节204相连接，其倒U型结构短路端303与下介质基板102的下表面金属覆铜短路连接；

如图4所示，所述的金属辐射贴片302设置于倒U型馈电结构301的上部，印刷于上介质基板300的上表面，由N个从中心向边缘逐渐增宽的扇形结构做成，且金属辐射贴片302的圆弧部分与“倒U”型结构相连接；其中，所述金属辐射贴片包括N个从中心向外扩展的扇形金属贴片，相邻扇形辐射贴片间距相等，相邻扇形辐射贴片间距为Ws。在本实施例中，以上所述N的数量大于3，小于20。

在具体实施中，所述的切口壁高度决定所述双圆极化天线在低仰角处的增益水平。

改变切口壁(101)的高度Hg＝0.05～0.1λ₀(λ₀中心频率)，可以有效的提高圆极化天线在低仰角处的增益水平，展宽圆极化天线的3dB波束宽度；通过改变馈电网络末端SMA同轴转换接头的馈电顺序，获得天线的圆极化辐射功能。当给第一同轴转换接头401馈电时，可以获得左旋圆极化辐射；当给第二同轴转换接头402馈电时，可以获得右旋圆极化辐射。

在本实施例中，一对同轴转换接头可采用SMA同轴转换接头来实现。

在其他实施例中，所述下介质基板设置在金属底板上。

下面给出本实施例的双圆极化天线的具体应用：

实施例1：(某飞行器用作海事卫星通信)

第一步：天线单元选用表面镀银的金属铜材料，切口壁选用Fpcb介质基板，功分网络选用F4B介质基板，金属底板选用密度小的金属铝材料。

第二步：根据系统对天线的电性能、力学性能、三防(防霉菌、防潮湿、防盐雾)和空间尺寸约束的设计要求，进行了宽波束圆极化天线设计和共型化安装设计。该天线的高度约为工作波长的0.1倍，优化后的3dB波束宽度为157度。

第三步：采用激光切割和磨具冲压的方式制备倒U型结构。

该倒U型结构采用厚度0.4mm的金属铜片材料，通过激光切割进行“倒U”型结构的制备，并利用模具冲压折出圆弧。一次制备4套天线单元，将天线单元按照旋转分布的方式安装于介质板上，形成1×4圆极化面阵。并利用印刷在下介质基板上的馈电网络，通过等差相位馈电完成圆极化天线的馈电。

第四步：采用CNC数控机床加工的方式进行金属底板的制备。

按照通信设备的安装尺寸要求以及天线的结构特点，对金属底板进行切割、机铣等工艺完成金属底板的制备。

第五步：按照通信设备的天线共型结构要求，将1×4圆极化面阵安装于金属底板之上，形成具有低剖面、宽波束和结构共型等特点的双圆极化天线。

实施例2：(某飞行器用作导航天线)

第一步：天线单元选用表面镀银的金属铜材料，切口壁选用Fpcb介质基板，功分网络选用F4B介质基板，金属底板选用密度小的金属铝材料。

第二步：根据系统对天线的电性能、力学性能、三防(防霉菌、防潮湿、防盐雾)和空间尺寸约束的设计要求，进行了宽波束圆极化天线设计和共型化安装设计。该天线的高度约为工作波长的0.1倍，优化后的3dB波束宽度增加了47度。

第三步：采用激光切割和磨具冲压的方式制备“倒U”型结构。

该倒U型结构采用厚度0.4mm的金属铜片材料，通过激光切割进行“倒U”型结构的制备，并利用模具冲压折出圆弧。一次制备4套天线单元，将天线单元按照旋转分布的方式安装于介质板上，形成1×4圆极化面阵。并利用印刷在下介质基板上的馈电网络，通过等差相位馈电完成圆极化天线的馈电。

第四步：采用CNC数控机床加工的方式进行金属底板的制备。

按照通信设备的安装尺寸要求以及天线的结构特点，对金属底板进行切割、机铣等工艺完成金属底板的制备。

第五步：按照通信设备的天线共型结构要求，将1×4圆极化面阵安装于金属底板之上，形成具有低剖面、宽波束和结构共型等特点的双圆极化天线。

下面结合仿真结果作进一步说明：

利用商业仿真软件HFSS_19.0对上述实施方式中所采用的面阵天线左旋圆极化远场方向图进行仿真计算，结果如图7所示。其中，图7为实例中所采用的左旋圆极化天线在中心频率f₀处的归一化远场辐射方向图。

利用商业仿真软件HFSS_19.0对上述实施方式中所采用的面阵天线左旋圆极化远场方向图进行仿真计算，结果如图8所示。其中，图8为实例中所采用的右旋圆极化天线在中心频率f0处的归一化远场辐射方向图。

参照图7，为实施方式中所选取的天线在中心频率f₀及左旋圆极化状态下的远场辐射方向图，从图中可以看出方向图为“桃型”定向辐射方向图，3dB波束宽度为158度。

参照图7，为实施方式中所选取的天线在中心频率f0及右旋圆极化状态下的远场辐射方向图，从图中可以看出方向图为“桃型”定向辐射方向图，3dB波束宽度为157度。

在其他实施例中，还提供了一种设备，其包括如上述所述的低仰角增益增强的宽角双圆极化天线。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。