本发明涉及一种铁氧体表面粗化液及其在铁氧体表面粗化处理和金属化处理的应用。所述铁氧体表面粗化液包括所述铁氧体表面粗化液包括水、酸和盐,所述酸和盐的摩尔比为1：(0.002～11)；酸为有机酸和/或无机酸；盐为碱金属氯化物、碱土金属氯化物、碱金属氟化物和水溶性铵盐中的至少一种；有机酸为甲基磺酸、甲酸、柠檬酸和草酸中的至少一种；无机酸为硫酸、硝酸、硼酸、碘酸、硒酸、亚硫酸、亚硝酸和磷酸中的至少一种；碱金属氯化物为氯化钠和氯化钾中的至少一种；碱土金属氯化物为氯化镁和氯化钙中的至少一种；碱金属氟化物为氟化钠和氟化钾中的至少一种。该铁氧体表面粗化液粗化效果好,非常环保,具有广泛的应用前景。

本发明涉及利用蚀刻腔室的蚀刻装置,其包括：蚀刻液存储腔室,该蚀刻液存储腔室存储蚀刻液；连接部,该连接部与蚀刻液存储腔室连通；蚀刻腔室,该蚀刻腔室通过该连接部而与蚀刻液存储腔室连通以蚀刻目标物；及加压维持部,该加压维持部使蚀刻液存储腔室与蚀刻腔室中的至少一个维持在加压气氛。

本文描述了一种蚀刻溶液和使用所述蚀刻溶液的方法,所述蚀刻溶液包含水、磷酸溶液(水性)、如本文所公开的有机硅化合物和含羟基的水混溶性溶剂。此类组合物可用于相对于氧化硅选择性去除氮化硅。

公开了一种在其中在内表面上涂覆有包含钇的材料的室中制造显示装置的方法和刻蚀溶液,该方法包括以下步骤：在基底上通过干刻蚀形成第一层图案；在第一层图案上沉积第二层材料；在第二层材料上形成光致抗蚀剂图案；通过使用光致抗蚀剂图案作为刻蚀掩模完成第二层图案；以及在干刻蚀以形成第一层图案之后且在第二层材料上形成光致抗蚀剂图案之前,通过使用包括盐酸、硫酸和硝酸中的至少一种的刻蚀溶液来执行附加的酸刻蚀工艺。

本发明涉及一种氮化硅膜蚀刻组合物。所述蚀刻组合物由无机酸、环氧(Epoxy)系硅化合物及水组成,本发明的蚀刻组成物具有能够最小化下部金属膜质的损伤和氧化硅膜的蚀刻,并能够选择性地去除氮化硅膜的效果。

本发明公开了一种导电膜气离式刻蚀工艺,属于刻蚀技术领域,本发明可以通过在蚀刻油墨中掺入多个气离微球,并在导电膜下方间歇性施加磁场,迫使气离微球间歇性的对蚀刻油墨进行挤压,使得蚀刻油墨与导电膜充分接触进行蚀刻,然后对蚀刻油墨进行加热烘干,同时触发气离微球释放气体的动作,使得气体填充至缝隙中有助于蚀刻油墨的剥离,降低蚀刻油墨成膜后的剥离强度,伴随着气体的释放,磁性物质也会充斥于蚀刻油墨的缝隙中,再将磁场转移至导电膜上方,依靠对磁性物质的磁吸作用下,从而对膜产生均匀的多点剥离力,加速膜的剥离,不仅剥离简单,不易出现残留现象,同时可以避免对导电线路造成损伤。

本发明涉及一种蚀刻装置及其蚀刻方法,蚀刻装置包含：蚀刻液供应部,蚀刻液供应部向蚀刻腔室供应蚀刻液；冲洗液供应部,冲洗液供应部向蚀刻腔室供应冲洗液；清洗液供应部,清洗液供应部向蚀刻腔室供应清洗液；及第一加压维持部,第一加压维持部使蚀刻腔室与蚀刻液供应部中至少任意一个维持在加压环境。

本发明涉及蚀刻组合物,其可用于,例如,从半导体基材选择性地移除氮化钛(TiN),且实质上未形成氧化钴氢氧化物层。本发明基于不可预期地发现：某些蚀刻组合物可选择性地蚀刻TiN且不会在半导体装置的Co层上形成CoOx氢氧化物层,从而使后续Co蚀刻没有延迟。

本发明涉及一种复合膜层用BOE蚀刻液,按照质量百分比包括以下组分：氢氟酸0.5％～2％、氟化铵25％～30％、添加剂0.004%～0.01%、超纯水67.99％～74.496%,其中添加剂为正辛酸。本发明的复合膜层用BOE蚀刻液可用于单一基材的同时可兼顾复合基材,通过调整表面张力,即可同时兼顾CD lose和所需角度。