清洗剂组合物以及清洗方法

本发明提供一种清洗剂组合物,其用于去除粘接剂残留物,所述清洗剂组合物包含季铵盐和溶剂,上述溶剂仅由有机溶剂形成,上述有机溶剂包含N,N,N’,N’－四(烃)脲。

2021-10-29

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一种无残留汽车空调管道清洗剂及其制备方法

一种无残留汽车空调管道清洗剂及其制备方法,涉及清洗剂领域；包括如下质量百分比计的组分：极性溶剂3-15％；非极性溶剂45-65％；氯代烃10-20％；液化石油气20-35％。本发明的一种无残留汽车空调管道清洗剂,去污力强、安全、性质稳定,可以清除空调系统管道内部在运行过程中产生的金属粉末、油污及微量水分,并且易挥发、无残留。氯代烃的溶解性很强,具有较强的脱脂能力,且易挥发；采用极性溶剂和非极性溶剂的复配,可以增强对油污和极性污垢的清洗力,提高清洗剂的稳定性；脱臭液化石油气为抛射剂,为气雾剂型清洗剂提供强大的喷射力。

2021-10-29

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脱水甲羟戊酸内酯的溶剂应用

本文描述了包含脱水甲羟戊酸内酯(aMVL)的溶剂和助溶剂,以及这类溶剂的各种工业应用。aMVL具有许多在溶剂中使用的有利特性,包括高沸点、低熔点、低粘度、不易燃性、水溶解度、极低的挥发性和优异溶剂化能力。包含aMVL的溶剂的示例性工业应用包括聚合物制造、聚合物再循环、模制品生产、纤维生产、膜制造、热固性油漆制造、涂料制造、涂层去除、脱漆剂、清洁产品、脱脂产品、腈合成、烷基化、合成气的生产、碳-碳交叉偶联反应、金属有机骨架合成、卤化反应、药物的形成、杀真菌剂和/或除草剂的形成、种子处理产品、生物调节剂以及电池或电容器中的电解液。

2021-10-22

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异丙醇和溶剂油的混合物在半导体设备表面处理的方法

异丙醇和溶剂油的混合物在半导体设备表面处理的方法,所述处理方法包括如下步骤：S1、常温状态下,将纯异丙醇和脱芳烃类溶剂油分别置入调试模块,进行搅拌反应,得到混合物；S2、使用混合物浸湿无尘布；S3、运用无尘布覆盖需要清洁的半导体设备表面,降低油性污染物和金属污染物与设备表面的粘结力；S4、再用无尘布擦拭半导体设备表面,使得油性污染物和金属污染物剥离设备表面,达到清洁效果,常温下表面残留清洁剂可快速挥发。该异丙醇和溶剂油的混合物在半导体设备表面处理的方法,利用异丙醇的高清洁效果、渗透性和溶剂油的稳定性、低粘性,提高了对半导体设备表面油性污染物和金属污染物的处理。

2021-10-15

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清洗剂组合物以及清洗方法

本发明提供一种清洗剂组合物,其用于去除残留于基体上的聚硅氧烷系粘接剂,所述清洗剂组合物包含氟化四(烃)铵和有机溶剂,上述有机溶剂包含式(1)所示的芳香族化合物和式(2)所示的内酰胺化合物。(式中,s表示取代至苯环上的取代基R～(100)的数量,为2或3,s个R～(100)相互独立地表示碳原子数1～6的烷基,s个碳原子数1～6的烷基的合计碳原子数为3以上,R～(101)表示碳原子数1～6的烷基,R～(102)表示碳原子数1～6的亚烷基。)

2021-09-28

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用于清除聚合物的组合物

本发明公开了用于清除聚合物的组合物,所述组合物包含：氟化烷基化合物、极性非质子溶剂和胺化合物,其中,所述胺化合物包括非环状仲胺化合物或非环状叔胺化合物。

2021-09-28

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清洗剂组合物以及清洗方法

本发明提供一种清洗剂组合物,其用于去除残留于基体上的聚硅氧烷系粘接剂,所述清洗剂组合物包含氟化四(烃)铵和有机溶剂,上述有机溶剂包含亚烷基二醇二烷基醚和式(1)所示的内酰胺化合物。(式中,R～(101)表示碳原子数1～6的烷基,R～(102)表示碳原子数1～6的亚烷基。)

2021-09-24

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清洗剂组合物以及清洗方法

本发明提供一种清洗剂组合物,其用于去除残留于基体上的聚硅氧烷系粘接剂,所述清洗剂组合物包含氟化四(烃)铵和有机溶剂,上述有机溶剂包含式(1)所示的内酰胺化合物和含环状结构的醚化合物,所述含环状结构的醚化合物包含选自环状醚化合物、环状烷基链状烷基醚化合物、环状烷基支链状烷基醚化合物以及二(环状烷基)醚化合物中的至少一种。(式中,R～(101)表示碳原子数1～6的烷基,R～(102)表示碳原子数1～6的亚烷基。)

2021-09-24

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移除硬遮罩的钴兼容性半水基清洗液、其制备方法及应用

本发明公开了一种移除硬遮罩的钴兼容性半水基清洗液、其制备方法及应用。所述的半水基清洗液由下述原料制得,所述的原料包括以下质量分数的组分：10％-45％的氧化剂、0-1.5％的D-氨基酸氧化酶、0-2.5％的D型氨基酸、0.1％-15％的有机碱、0.001％-15％的螯合剂、0.005％-15％的缓蚀剂、0.05％-15％的羧酸铵、0.005％-1.5％的EO-PO聚合物L42、0.005％-2.5％的钝化剂、20％-60％的水溶性有机溶剂和余量的水,所述的质量分数为各组分质量占各组分总质量的百分比。本发明半水基清洗液对多种金属及电介质缓蚀性强,尤其是对钴的兼容性强,清洗效果佳。

2021-09-24

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在半导体制造工艺中用于形成硅或硅化合物图案的新方法

本发明的目的在于提供一种在半导体制造工艺中用于实现纵横比大的微细硅图案的工艺,涉及一种为了形成微细硅图案,且为了清除残留在图案下部的有机碳膜不纯物质及由烟气产生的不纯物质而进行清洗工程,以形成所希望的图案而不发生图案被升起的新的清洗方法,具有提供细微图案形成方法的效果。

2021-09-21

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