本发明公开了一种半导体真空二极管,由电极A、介电体、半导体电极B三种材料层依次叠置而成,电极A为功函数较低的金属材质,介电体中间具有一个贯通的真空通道,电极B为重掺杂半导体材质；使用时,电极A、电极B分别连接直流电源的一个电极。本发明的二极管具有在高温高辐射环境下工作性能稳定,激发电子较多电流较大,对制备工艺中介质层膜厚工艺偏差容忍度高等优点。