本发明提供一种真空沟道晶体管的制作方法,至少包括：在第一硅衬底上形成层叠结构,所述层叠结构包括第一电介质层、多晶硅层和第二电介质层；图形化所述层叠结构以形成包括空腔和沟槽的图形化区域,其中在所述沟槽的底部暴露出第一硅衬底；在所述图形化区域中形成第三电介质的侧壁；在形成有第三电介质侧壁的所述沟槽内定位生长纳米线,所述纳米线自第一硅衬底朝所述空腔延伸并凸入于所述空腔；使所述第二电介质层与第二硅衬底键合。本发明还提供了一种真空沟道晶体管,其包括穿过所述第一电介质层而进入真空空腔的纳米线。所述制作方法可以与现有集成电路的制造工艺相兼容,经由所述制作方法可获得源极与漏极之间距离精确可调的真空晶体管。

本发明提供了一种真空沟道晶体管的制备方法,所述制备方法至少包括：在第一硅衬底上沉积氧化物层；对所述氧化物层进行图形化以形成图形化区域,所述图形化区域包括具有开口的空腔和自所述空腔底部贯穿所述氧化物层的沟槽；在所述沟槽内定位生长纳米线,所述纳米线自所述第一硅衬底朝所述空腔延伸并凸入于所述空腔；在所述空腔的与所述第一硅衬底相对的一侧使所述氧化物层与第二硅衬底键合以形成内含所述空腔的SOI衬底。本发明也提供了一种真空沟道晶体管,其包括穿过所述氧化物层的顶部而进入所述真空空腔的纳米线。所述制备方法可以与现有集成电路的制造工艺完全兼容,经由所述制备方法可获得源极与漏极之间距离精确可调的真空沟道晶体管。

本申请公开了一种碳纳米管阴极的制作方法、碳纳米管阴极以及电子设备。该方法包括：提供一导电基板；对所述导电基板进行表面处理,以在所述导电基板的表面形成凹陷结构；利用所述碳纳米管浆料在所述导电基板的所述表面形成碳纳米管层,以形成所述碳纳米管阴极。通过上述方式,本申请能够提高基板和碳纳米管的结合强度,进而提高碳纳米管的场发射电流密度和稳定性,制备工艺简单,易于实现。