用于压电器件或电致伸缩器件的
一种基于压电复合薄膜的双频集成超声换能器
本发明公开了一种基于压电复合薄膜的双频集成超声换能器。本发明基本结构为一种0-0-3型压电复合薄膜(高频压电复合薄膜)、AlN压电薄膜(超高频压电薄膜)以及三层电极的多层结构,结构自上而下包括金属上电极层、0-0-3型复合压电薄膜、中间金属电极层、AlN压电薄膜层、下电极层等。本发明中0-0-3型压电复合薄膜层超声换能器频率范围为数十~数百MHz,而AlN层超声换能器频率范围为GHz,因而通过本发明双频集成式超声换能器的设计,可通过切换不同的换能器层满足不同场景的频率及分辨率使用要求,进而达到提高超声换能器的频率使用范围以及一换能器多用的目的。

2021-11-02

访问量:44

镍掺杂KNbO-(3)压电陶瓷、其制法及高纯制氢
本发明提供一种镍掺杂KNbO-(3)压电陶瓷、其制法及高纯制氢。该陶瓷材料包括KNbO-(3)压电陶瓷基体以及均匀分布于KNbO-(3)压电陶瓷基体中的Ni原子,所述Ni原子的质量分数为1wt%~10wt,所述KNbO-(3)压电陶瓷基体的孔径为0.1nm~1.0nm。本发明提供的一种镍掺杂KNbO-(3)压电陶瓷材料具有较高的催化活性,降低了贵金属的使用,从而大大降低了生产成本,且制备方法简单易行、绿色环保,不排放对环境有害物质,作为氢燃料电池提供高纯氢,不含有一氧化碳、硫化氢、磷化氢、氯离子等使燃料电池中毒的气体。

2021-11-02

访问量:49

压电器件、以及压电器件的制造方法
本发明提供一种压电器件,其能够抑制包夹压电体层(13)的电极间的泄漏,从而能够降低压电特性的劣化。压电器件(10A)在基材(11)之上依次层叠第一电极(12)、压电体层、以及第二电极(14),上述第一电极和上述第二电极成为在层叠方向彼此不重合的配置。

2021-10-29

访问量:27

膜结构体、压电体膜及超导体膜
根据本发明,对于各种压电材料,能够将具有单晶的晶体结构的压电体膜形成在本发明的膜结构体之上。本发明的膜结构体具备:基板;形成于所述基板上的、含氧化锆的具有四方晶的晶体结构的缓冲膜;形成于所述缓冲膜上的、外延生长的含铂族元素的金属膜;以及形成于所述金属膜上的、外延生长的含Sr(Ti-(1-x),Ru-(x))O-(3)(0≤x≤1)的膜。

2021-10-29

访问量:79

微镜器件及微镜器件的驱动方法
微镜器件具备第1及第2致动器,该第1及第2致动器为具备在振动板上层叠有下部电极、压电膜及上部电极的压电元件的压电致动器。各压电元件的各上部电极由以第1应力反转区域及第2应力反转区域分离的多个个别电极部构成,并且该各压电元件包括由多个个别电极部分别规定的多个压电部,该第1应力反转区域中,在以使反射镜部绕第1轴产生倾斜位移的第1共振模式驱动时的最大位移状态下,在压电膜的面内方向上产生的主应力中绝对值最大的主应力成分的正负反转,该第2应力反转区域中,在以使反射镜部绕第2轴产生倾斜位移的第2共振模式驱动时在压电膜的面内方向上产生的主应力中绝对值最大的主应力成分的正负反转。

2021-10-29

访问量:22

层叠体、使用了该层叠体的压电器件及压电器件的制造方法
维持层叠体的柔韧性的同时,降低功能层的开裂的产生。层叠体具有高分子的基材、以及形成于上述基材的第1面的结晶性的功能层,上述基材的上述第1面的表面粗糙度以算术平均粗糙度(Ra)计为3nm以下。

2021-10-29

访问量:38

一种高稳定的无铅压电陶瓷及其制备方法
本发明涉及一种高稳定的无铅压电陶瓷,所述无铅压电陶瓷的化学式如下:(1-x-y)(0.50KNbO-(3)-0.50NaNbO-(3))-xMgTiO-(3)-yBa(Zr-(0.5)Ti-(0.5))O-(3)+zSm-(2)O-(3);其中,x=0.03~0.07,y=0.04~0.08,z=0.008~0.02。该无铅压电陶瓷采用一种工艺简单、高效率、低能耗、成本低廉且很具实用性的无铅压电陶瓷的制备方法,制得的KNN-MT-BZT无铅压电陶瓷烧后的晶粒为菱形,而且晶粒平均晶粒为3微米,取代之前的KNN体系的烧后的四方形晶粒,密度更高,性质稳定、致密、性能良好。

2021-10-29

访问量:47

压电陶瓷组合物
压电陶瓷组合物是由组成式A-(x)BO-(3)表示,包含占A位点的物质的量的8成以上的K和Na、以及占B位点的物质的量的7成以上的Nb的铌酸钾钠系的压电陶瓷组合物。该压电陶瓷组合物在B位点包含Ta和Fe。

2021-10-26

访问量:50

压电陶瓷组合物及压电致动器
在铌酸钾钠系的压电陶瓷组合物中,发生斜方晶系的晶体结构与正方晶系的晶体结构之间的相转变的转变温度存在于-20℃以上60℃以下的温度区域。将在该温度区域晶体结构为斜方晶系时的线膨胀系数设为αo,将晶体结构为正方晶系时的线膨胀系数设为αt时,αt/αo为0.72以上。

2021-10-26

访问量:36

一种薄膜压力传感器及其制备方法与应用
本发明涉及传感器技术领域,尤其涉及一种薄膜压力传感器及其制备方法与应用。本发明公开了一种薄膜压力传感器,包括:由下至上设置的金属基体、第一绝缘层、压阻敏感层、第二绝缘层和耐磨防护层;第一绝缘层和第二绝缘层之间还设置有电极层,电极层与压阻敏感层连接;本发明将电极层和压阻敏感层封装在第一绝缘层和第二绝缘层之间,可以起到绝缘和信号传输稳定的效果,耐磨防护层可以保障传感器不受外界加工环境的影响,使得传感器在恶劣的工作环境下亦可正常使用。压阻敏感层为Cu-(84)Mn-(12)Ni-(4)。该薄膜压力传感器中Cu-(84)Mn-(12)Ni-(4)压阻效应好,响应快,线性好,使得薄膜传感器压阻系数大,线性度高,稳定性好。

2021-10-26

访问量:58

注册成为会员可查看更多数据。
技术分类