一种ABO-(3)型柔性可拉伸单晶薄膜及其制备方法

本发明公开了一种ABO-(3)型柔性可拉伸单晶薄膜及其制备方法,通过对柔性衬底进行相互垂直的两个方向的预拉伸,将无机衬底上生长的ABO-(3)型单晶薄膜转移到柔性衬底上并形成人字形的褶皱结构,获得具有柔性并且可以双向拉伸的ABO-(3)型单晶薄膜。本发明可以通过简单的步骤获得性能优良的柔性可拉伸ABO-(3)型单晶薄膜,可以应用于日益发展的可穿戴设备。

2021-11-02

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铁电氧化物与MAxFA-(1)-xPbI-(3)0-3复合的薄膜材料

本发明提供了一种铁电氧化物与MA-(x)FA-(1-)-(x)PbI-(3) 0-3复合的薄膜材料,以平均粒径12～18 nm的0维铁电材料,将该0维铁电材料均匀分布于MA-(x)FA-(1-x)PbI-(3)形成的3维连通的骨架之中,得到所述的薄膜材料。与现有卤素钙钛矿薄膜相比,铁电氧化物与MA-(x)FA-(1-x)PbI-(3)0-3复合的薄膜材料内部具有大量纳米铁电畴,能有效降低光生电子-空穴对的复合,提高材料的光伏性能,形成了一类全新的MA-(x)FA-(1-x)PbI-(3)铁电半导体材料。

2021-11-02

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存储器器件及其制造方法

存储器器件包括底部电极、磁隧道结(MTJ)堆叠件、顶部电极和侧壁间隔件。MTJ堆叠件位于底部电极上方。顶部电极位于MTJ堆叠件上方。侧壁间隔件横向地围绕MTJ堆叠件和顶部电极。侧壁间隔件具有从底部电极的最外侧壁横向地回缩的最外侧壁。本申请的实施例还涉及制造存储器器件的方法。

2021-11-02

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磁隧道结器件及其形成方法

磁隧道结器件包括：柱结构,从底部到顶部包括底部电极和磁隧道结结构；顶部电极,位于磁隧道结结构上面；以及介电金属氧化物层,从柱结构的侧壁延伸至顶部电极的侧壁。磁隧道结结构包含包括第一铁磁材料的参考磁化层、隧道阻挡层和包括第二铁磁材料的自由磁化层。顶部电极包括包含非磁性金属元素的金属材料。可以通过在聚焦离子束蚀刻工艺之后执行氧化残留金属膜的氧化工艺来形成介电金属氧化物层,并且从柱结构的表面消除导电路径。本发明的实施例还涉及磁隧道结器件的形成方法。

2021-11-02

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选通管材料、选通管单元及制备方法、存储器结构

本发明提供一种选通管材料、选通管单元及制备方法、存储器结构,其中,选通管材料包括Te、Se及S中的至少一种,也就是说,选通管材料选用Te、Se和S单质或者其中任意元素构成的化合物,进一步,可通过掺入O、N、Ga、In、As等元素、氧化物、氮化物以及碳化物等介质材料提高性能,本发明的选通管材料用于选通管单元时具有开通电流大、材料简单、开关速度快、重复性好以及低毒性等优点,有助于实现高密度的三维信息存储。

2021-10-29

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一种改善热退火中后道连接工艺钨塞缺陷的方法

本发明公开了一种改善热退火中后道连接工艺钨塞缺陷的方法,涉及隧穿磁电阻领域,包括在放置的晶圆衬底片表面完成磁隧道结多层膜堆结构生长后继续进行硬掩模生长,以此增强整体磁阻结构稳定性,避免发生钨塞损伤或膜堆翘起,硬掩模生长完成后进行退火处理,过程中对于退火条件选取,仅需依照对磁阻功能稳定性进行考虑,由于未对退火温度和退火时间进行降低调整,使MTJ制备过程处于稳定状态,性能未受负向影响,且仅改变退火作业顺序,对后制程进行性问题影响性较小,具备可实施性。

2021-10-29

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磁性隧道结器件及方法

本公开涉及磁性隧道结器件及方法。在实施例中,一种器件包括磁阻式随机存取存储器单元,该磁阻式随机存取存储器单元包括：底部电极；基准层,位于底部电极之上；隧道阻挡层,位于基准层之上,隧道阻挡层包括镁和氧的第一组合物；自由层,位于隧道阻挡层之上,自由层具有比基准层更小的矫顽力；帽盖层,位于自由层之上,帽盖层包括镁和氧的第二组合物,镁和氧的第二组合物具有比镁和氧的第一组合物更高的氧原子浓度和更小的镁原子浓度；以及顶部电极,位于帽盖层之上。

2021-10-29

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非易失磁性存储器的制作方法及磁性存储器单元

本发明公开了非易失磁性存储器的制作方法及磁性存储器单元,包括以下步骤；在晶圆上沉积介质层1,并通过刻蚀方法在介质层1中形成深槽；在深槽内填充介质层2,并进行平坦化处理；通过刻蚀方法在介质层1和介质层2中形成磁性纳米线赛道模板；通过选择性原子层沉积的方法在磁性纳米线赛道模板上形成磁性纳米线赛道；完成读器件和写器件的制备,本发明通过刻蚀和沉积工艺形成沉积纳米线赛道所需的介质模板,然后通过选择性的原子层沉积方法形成磁性纳米线赛道,从而实现高深宽比,且不对磁性纳米线赛道的材料特性造成破坏,能制备具有高深宽比的磁性纳米线赛道,且制备过程中不需要对磁性纳米线赛道的磁性材料进行刻蚀,避免了刻蚀工艺引起的性能退化。

2021-10-22

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一种半导体结构及其制作方法

本发明实施例提供了一种半导体结构及其制作方法。其中半导体结构的制作方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一屏蔽层；形成贯穿所述第一屏蔽层的第一电极；在所述第一电极上形成存储结构；在所述存储结构的顶部和侧壁形成第二屏蔽层,所述第一屏蔽层与所述第二屏蔽层共同构成屏蔽层；形成贯穿所述屏蔽层且与所述存储结构电连接的第二电极。本发明中,通过先形成第一屏蔽层,然后再依次形成第一电极、存储结构和第二屏蔽层,所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层形成包覆所述存储结构的屏蔽层,可更好的屏蔽外部电磁场对所述存储结构的干扰,确保信息能够被正确存储以及读写。

2021-10-22

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基于自旋轨道转矩无磁场翻转的钴铂钌钴铂磁存储器件

本发明公开了一种基于自旋轨道转矩无磁场翻转的钴铂钌钴铂磁存储器件。结构从下到上依次为：衬底层、缓冲层、导电层、薄膜层、保护层；所述的薄膜层由CoPtRuCoPt五层构成。当所述导电层Pt将通入的电荷流转换为自旋流,通过Pt的强自旋轨道耦合将自旋流注入到铁磁层中,从而对铁磁层施加转矩。改变直角梯形Ru的厚度,可打破空间反演对称性,并调控双层钴铂之间的层间交换耦合,从而实现无磁场的磁化翻转。当接入脉冲电流且没有面内辅助磁场时,每增加一次脉冲电流的大小,就记录一次霍尔电阻的值,当霍尔电阻的值随着脉冲电流增大而跳变进而形成回路时,即可理解为磁存储状态的切换,进而实现无磁场的磁存储操作。

2021-10-22

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