单事件干扰(SEU)稳定的存储器单元包括：锁存器部分,该锁存器部分包括交叉耦合的锁存器；以及该锁存器部分中的至少一个交叉耦合电路路径,该至少一个交叉耦合电路路径包括串联连接的第一对竖直电阻器。

本发明公开一种多涡旋铁电畴的多逻辑态存储单元及电力调控方法,由下往上包括依次设置的衬底、过渡层、下电极、铁电层、介电和铁电周期性多层复合薄膜层和上电极。根据铁电层、介电和铁电周期性多层复合薄膜层中剩余的极化方向,以及施加垂直于衬底的力的大小,确定多涡旋铁电畴的多逻辑态存储单元的状态。本发明的力电调控方法利用电力施加以后多涡旋铁电畴的多逻辑态存储单元的电导能力,确定存储单元中的逻辑态,有效地提高铁电存储器的存储密度,同时能够基于读取电流的大小来识别存储的逻辑态,读取逻辑态的过程不会对所存储的数据造成影响,实现了非破坏性的读取,铁电涡旋畴纳米级尺寸有助于铁电存储器实现小型化。

本发明涉及一种环境友好型的纤维素基自支撑忆阻器及其制备方法,属于半导体信息相关技术领域。该忆阻器自下而上包括柔性衬底、底电极层、功能层和顶电极；所述柔性衬底为再生纤维素膜,所述功能层为纤维素膜。本发明制备的纤维素基自支撑忆阻器解决了传统硅基忆阻器无法大面积制备、工艺繁琐且对环境有害的问题。本发明采用的材料为环境友好型天然高分子材料,来源广泛,制备工艺简单,成本低廉,对环境无毒无污染,为大面积制备柔性有机忆阻器提供了新的制备方法。

本发明属于二维材料与器件领域,公开了一种低功耗纳米SnS-(2)柔性阻变存储器及其制备方法,具体技术方案为：首先水热法合成SnS-(2)花状微米球,将其通过液相剥离法制备SnS-(2)纳米片,并将纳米片与聚甲基丙烯酸甲酯PMMA高分子材料复合制备SnS-(2)/PMMA薄膜,将复合薄膜作为阻变介质层材料制备Ag/[SnS-(2)/PMMA]/Cu柔性阻变存储器。其开关比和耐受性两项参数在二维材料阻变存储器中已达到较优水平,Set/Reset电压远低于现有技术制备出的RRAM,有利于其未来在可穿戴设备方面的应用。当器件从高阻转变为低阻时,此器件的功耗极低。SnS-(2)层的厚度约为80 nm,本发明制备的导电细丝型阻变存储器的小型化具有很大潜力。

本发明提供了一种相变薄膜、相变存储器和相变存储器的操作方法,所述相变薄膜包括依次层叠的第一金属阻挡层、相变材料层和第二金属阻挡层,其中,在所述第一金属阻挡层和所述相变材料层之间设置有金属铋层,和/或,在所述第二金属阻挡层和所述相变材料层之间设置有金属铋层,由此,能够利用低表面自由能的金属铋层作为相变材料层的表面活性剂,在施加相应的脉冲后,使得金属铋层中的铋原子沿着相变材料层中的晶体晶界进行扩散,以细化相变材料层中的晶粒,提高相变材料层的相变速度,并减少相变材料层相变时体积的变化,提高器件的耐久性。

本发明公开了一种基于无机分子晶体的忆阻器件、制备方法及其应用。所述忆阻器件包括：自下而上依次排列的衬底、底电极层、介质层、活性金属层和顶电极层,其中所述介质层包括无机分子晶体薄膜、活性金属掺杂的无机分子晶体薄膜和二维无机分子晶体单晶中的一种。本发明中首次将无机分子晶体材料应用到忆阻器件中,填补了无机分子晶体在忆阻器研究中的空缺。本发明的忆阻器以无机分子晶体作为介质层,并通过活性金属扩散形成导电细丝,符合电化学金属化阻变机制。本发明的忆阻器具有置位电压低、功耗低、开关比大等优点。

本申请公开了一种相变超晶格材料及其相变存储器单元,所述相变超晶格材料包含半导体材料层与半金属材料层,所述半导体材料层为(A-(x)Te-(1-x))-(y)(Sb-(0.4)Te-(0.6))-(1-y),所述半金属材料层A-(x)Te-(1-x),其中所述A为钪Sc、钇Y、锰Mn、锌Zn、镉Cd、汞Hg中的一种,x为0.4至0.7,y为0至0.6。本申请基于半导体材料层制备的相变存储器单元具有较高的相变速度,可以提高写操作速度；且基于半导体材料层与半金属材料层制备的相变存储器单元具有较好的逻辑值区分特性,有效提升基于半导体材料层与半金属材料层制备的相变存储器单元的可用性。

本发明公开了一种Ag/MoSe-(2)-PMMA/Cu阻变存储器及其制备方法,具体技术方案如下：一种Ag/MoSe-(2)-PMMA/Cu阻变存储器,从下至上依次包括衬底,底电极,MoSe-(2)-PMMA复合薄膜和顶电极,所述衬底为玻璃衬底,所述底电极为Ag,所述顶电极为Cu；制备方法为：采用水热法合成麻团状单层MoSe-(2)团簇,将其采用真空抽滤法制备MoSe-(2)薄膜,并将该薄膜与PMMA薄膜复合形成MoSe-(2)-PMMA薄膜作为阻变功能层材料制备Ag/MoSe-(2)-PMMA/Cu阻变存储器。发明将单层MoSe-(2)团簇与PMMA形成复合功能层制备Ag/MoSe-(2)-PMMA/Cu阻变存储器,PMMA薄膜可以将MoSe-(2)薄膜封装在衬底上,使MoSe-(2)薄膜不易被氧化,并且旋涂制备PMMA薄膜时会将MoSe-(2)薄膜凹陷部分填满,使MoSe2-PMMA复合薄膜厚度均匀且表面光滑,从而提高了阻变存储器的耐受性。

本发明公开了一种柔性忆阻器件及其制备方法,柔性忆阻器件,包括由上到下依次设置的顶电极、阻变层、底电极和衬底,阻变层为淀粉样多肽纳米纤维负载的金纳米颗粒材料层。制备步骤包括：淀粉样多肽纳米纤维负载的金纳米颗粒复合材料的制备、底电极溅射、阻变层滴铸和顶电极溅射。本发明通过在底电极之上覆盖一层淀粉样多肽纳米纤维—金纳米颗粒复合材料膜构成阻变层,使阻变层及整个忆阻器件的导电性和稳定性,在不同的电流限制情况下,开启后的阻值量级不同,具有用于存算一体架构的潜力。且本发明的制备方法简单、高效,成本低,可广泛用于工业生产。

本发明提供一种选通管材料、选通管单元及制备方法、存储器结构,其中,选通管材料包括Te、Se及S中的至少一种,也就是说,选通管材料选用Te、Se和S单质或者其中任意元素构成的化合物,进一步,可通过掺入O、N、Ga、In、As等元素、氧化物、氮化物以及碳化物等介质材料提高性能,本发明的选通管材料用于选通管单元时具有开通电流大、材料简单、开关速度快、重复性好以及低毒性等优点,有助于实现高密度的三维信息存储。