一种氮化铝兰姆波谐振器的制作方法

本申请提供一种氮化铝兰姆波谐振器的制作方法,包括如下步骤：S1刻蚀产生释放腔再热氧生长钝化层,S2淀积多晶硅牺牲层至充满释放腔,S3刻蚀移除释放腔外周部牺牲层再化学机械抛光工艺使硅片上表面,于所述平坦化后的上表面制作谐振振子的步骤。申请人通过热氧提供最低界面陷阱密度、最高品质因数的氧化层形成良好台阶覆盖的共性台阶覆盖层；还提供用多晶硅反刻法,淀积多晶硅牺牲层,刻蚀去除释放腔外的多晶硅,再化学机械抛光平坦化硅片的上表面；以更好地无损快速平坦化,意料之外得到很好平坦化效果,显著改善生长质量及台阶处覆盖性。及基于此提供高品质因数的氮化铝兰姆波谐振器。

2021-11-02

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一种车载控制类柱状石英晶体谐振器点胶系统及工艺

本发明涉及谐振器加工技术领域,特别涉及一种车载控制类柱状石英晶体谐振器点胶系统及工艺,车载控制类柱状石英晶体谐振器点胶系统包括过渡管、内管和点胶管；所述内管固定安装在所述过渡管内,且所述内管一端设置有过料头,所述过料头远离内管的一端直径要小于另一端；所述点胶管一端连通在所述过料头远离内管的一端端口上,所述点胶管另一端贯穿至所述过渡管外部,且连通有点胶头；所述点胶头与所述点胶管之间的夹角为度；所述点胶管上设置有流量计数器,所述点胶头远离点胶管的一端开设有出料口,所述流量计数器位于点胶管与所述过料头的结合处。本发明有利于银胶在基座插槽的内壁上形成扇环形结构,并以此提高了点胶工作的质量。

2021-11-02

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用于体声波谐振器封装的方法

本申请涉及体声波谐振器技术领域,公开一种用于体声波谐振器封装的方法,包括：提供待移除层,在待移除层从下往上依次形成谐振结构和牺牲层；在牺牲层上形成带有向下的第一凸起和向下的第二凸起的截止边界层,第一凸起和第二凸起均穿过牺牲层连接谐振结构；截止边界层远离牺牲层的一侧形成谐振载体；移除待移除层；对谐振结构远离牺牲层的一侧进行刻蚀,并在刻蚀后的谐振结构上形成第一导通层和第二导通层；腐蚀第一凸起、第二凸起及谐振结构之间的牺牲层形成第一空腔；在谐振结构上封装谐振器盖体,并在谐振器盖体上设置焊锡球。这样,便于体声波谐振器的制作,对这种方法制做出的谐振结构、谐振载体等进行封装,也十分方便。

2021-10-29

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用于体声波谐振器制作的方法、体声波谐振器、滤波器

本申请涉及体声波谐振器技术领域,公开一种用于体声波谐振器制作的方法,包括：提供衬底片,衬底片包括待移除层和在待移除层上形成的压电层；压电层由铌酸锂晶体或钽酸锂晶体制成；在压电层远离待移除层的一侧形成下电极结构；在下电极结构远离压电层的一侧形成谐振载体；移除待移除层；在压电层远离下电极结构的一侧形成上电极结构；在谐振载体、下电极结构之间形成空腔。这样,通过利用具有压电特性的铌酸锂晶体或钽酸锂晶体作为压电层,对压电层进行双面制作形成的体声波谐振器,从而能够由具有压电特性的铌酸锂晶体或钽酸锂晶体构成的压电层形成体声波谐振器。本申请还公开一种体声波谐振器、滤波器。

2021-10-29

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滤波器芯片封装结构及用于滤波器芯片封装的方法

本申请涉及体声波谐振器技术领域,公开一种滤波器芯片封装结构,包括：滤波器晶圆和滤波器盖体；通过在滤波器盖体上设置有第一通孔、第二通孔,第一金属层位于第一通孔内的部分被限定成第一凹槽,第二金属层位于第二通孔内的部分被限定成第二凹槽；第一凹槽内填充有第一金属填充层,第二凹槽内填充有第二金属填充层；第一金属层穿过第一通孔连接滤波器晶圆；第二金属层穿过第二通孔连接滤波器晶圆；在第一金属填充层上设置有第一焊锡凸点；在第二金属层上设置有第二焊锡凸点。这样,由于滤波器盖体设置的通孔被金属填充层填满,使得通孔的导热能力更好,从而散热效果更好。本申请还公开一种用于滤波器芯片封装的方法。

2021-10-29

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用于体声波谐振器制作的方法

本申请涉体声波谐振器技术领域,公开一种用于体声波谐振器制作的方法,包括：提供待移除层,在待移除层从下往上依次形成谐振结构和牺牲层；在牺牲层上形成带有向下的第一凸起和向下的第二凸起的截止边界层,第一凸起和第二凸起均穿过牺牲层连接谐振结构；在截止边界层远离牺牲层的一侧形成谐振载体；移除待移除层；对谐振结构远离牺牲层的一侧进行刻蚀,并在刻蚀后的谐振结构上形成第一导通层和第二导通层；腐蚀第一凸起、第二凸起及谐振结构之间的牺牲层形成第一空腔。这样,能够对体声波谐振器进行双面制作,使得制作工艺更加灵活,且不需要在形成有空腔的衬底上制作谐振结构,从而便于体声波谐振器的制作。

2021-10-29

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一种基于电镀工艺的MEMS谐振器制备方法

本发明涉及一种基于电镀工艺的MEMS谐振器制备方法,包括：在SOI硅片的顶层硅上刻蚀出谐振梁和电极区域,将谐振梁区域和电极区域刻蚀到SOI硅片的埋氧层；采用高温氧化工艺制备设定厚度的氧化层覆盖谐振梁区域和电极区域；刻蚀除了第一电容间隙处侧壁之外的氧化层；在SOI硅片上表面溅射电镀种子层；采用光刻技术暴露出预设电镀区域,并用光刻胶覆盖预设非电镀区域；采用电镀方法覆盖预设电镀区域并填充电容间隙,对预设非电镀区域进行去光刻胶并刻蚀去除电镀种子层；采用气相氢氟酸腐蚀SOI硅片的氧化层和埋氧层。本发明通过减小谐振梁与输入电极或输出电极之间的间隙,提高了MEMS谐振器的品质因数。

2021-10-29

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用于双工器的封装基板和双工器

本公开提供了一种用于双工器的封装基板。双工器包括用于发射端的第一电感器和用于接收端的第二电感器。根据本公开的封装基板包括：用于形成第一电感器的第一子基板；用于形成第二电感器的第二子基板；以及用于支承第一子基板和第二子基板的支承子基板。根据本公开的实施方式,通过在不同的子基板上制造用于发射端的第一电感器和用于接收端的第二电感器,可以减小第一电感器和第二电感器之间的相互干扰,从而提高隔离度。

2021-10-26

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滤波器及其制备方法、双工器

本发明实施例公开了一种滤波器及其制备方法、双工器,各谐振器层在衬底的一侧沿衬底厚度方向堆叠设置,各谐振器层形成垂直结构而非平铺结构,使得滤波器所占用平面的面积减小,提高滤波器的集成度,进而有利于实现包括本实施例的滤波器的通信系统的小型化。并且,本发明实施例的滤波器仅包括一个晶圆,进而使得滤波器中所需晶圆数量减少,有利于节约成本；且相邻谐振器层直接接触,因此直接在一谐振器层的一侧进行相邻谐振器层的沉积即可,无需采用键合工艺,使得滤波器的制备工艺也较为简化。

2021-10-22

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一种声波谐振器及其制备方法

本发明提供一种声波谐振器及其制备方法,所述声波谐振器包括：支撑衬底；压电层,形成于所述支撑衬底的上表面,其中所述压电层包括贯通槽、边缘支撑结构、接合臂及N个有效压电结构；N个底电极,形成于N个所述有效压电结构和所述支撑衬底之间,并通过底电极连通结构相互连通；N个顶电极,形成于N个所述有效压电结构的上表面,并通过N个顶电极引出结构一一引出。其中,N为大于等于2的正整数。通过本发明提供的声波谐振器及其制备方法,解决了现有技术中横纵电场激发产生杂波的问题以及声波谐振器频率调节的问题。

2021-10-22

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