由压电或电致伸缩材料构成的谐振器的结构特点
压电石英晶体振荡片、谐振器和振荡器
本发明公开了一种压电石英晶体振荡片、谐振器和振荡器,解决了现有技术中的石英晶体振荡片因为导电胶固定的边界条件而产生寄生振动干扰并引发整体谐振阻抗过高的技术问题。所述振荡片包括振荡片本体,所述振荡片本体的表面在靠近其点胶侧开设有沟槽或缺口。本发明的压电石英晶体振荡片,在BI-MESA结构的晶体表面靠近点胶区域开沟槽或缺口的方式,一方面可以抑制寄生振动的干扰,同时有效的改善点胶区域的应力对电极区域产生的力频影响。

2021-10-26

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体声波谐振器
本公开提供了一种体声波谐振器,所述体声波谐振器包括:第一电极;压电层,至少部分地设置在所述第一电极的上部上;以及第二电极,设置为覆盖所述压电层的至少一部分。所述第二电极包括设置在所述体声波谐振器的有效区域的边缘处的框架,并且所述第一电极、所述压电层和所述第二电极设置为在所述有效区域的所述边缘处彼此叠置。所述框架包括设置在所述有效区域的所述边缘处的壁和形成在所述壁的内侧上的沟槽。所述沟槽的内边界线在与所述框架的上表面平行的平面中具有凹凸形状。

2021-10-22

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体声波谐振器及制造方法、体声波谐振器组件、滤波器及电子设备
本发明涉及一种体声波谐振器及其制造方法。该谐振器包括:基底;声学镜;底电极;顶电极;和压电层,设置在底电极与顶电极之间,其中:压电层与基底之间设置有声学阻抗结构;所述声学阻抗结构包括在横向方向上彼此相邻设置的第一声学阻抗层和第二声学阻抗层,第一声学阻抗层与第二声学阻抗层的声学阻抗不同;所述声学镜在谐振器的横向方向上位于所述第一声学阻抗层之间。第一声学阻抗层与第二声学阻抗层与压电层接触的部分的宽度分别为mλ-(1)/4和nλ-(2)/4,其中m和n均为奇数,λ-(1)和λ-(2)分别为第一声学阻抗层和第二声学阻抗层在谐振频率处沿横向传播的声波波长。本发明还涉及一种体声波谐振器组件、一种滤波器以及一种电子设备。

2021-10-12

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体声波谐振器组件及制造方法、滤波器及电子设备
本发明涉及一种体声波谐振器组件及制造方法。该组件包括:基底;声学镜空腔;至少两个谐振结构,所述至少两个谐振结构共用同一压电层以及所述基底:和支撑层,设置在基底与压电层之间,其中:所述压电层为单晶压电层,压电层与基底彼此间隔开的平行设置;所述支撑层限定所述声学镜空腔的边界的至少一部分。本发明还涉及一种滤波器以及一种电子设备。

2021-10-12

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单晶体声波谐振器及其制造方法、滤波器及电子设备
本发明涉及一种体声波谐振器及其制造方法。该谐振器包括:基底;声学镜;底电极;顶电极;和单晶压电层,设置在底电极与顶电极之间,其中:声学镜、底电极、压电层和顶电极在谐振器的厚度方向上的重合区域构成谐振器的有效区域;压电层的下表面与基底的上表面之间设置有支撑结构,压电层与基底大体平行布置;且在有效区域之外,所述压电层的上表面的至少一部分设置有绝缘层。本发明还涉及一种体声波谐振器组件、一种滤波器以及一种电子设备。

2021-10-12

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单晶体声波谐振器、滤波器及电子设备
本发明涉及体声波谐振器,包括:基底;声学镜;底电极;顶电极;和单晶压电层,设置在底电极与顶电极之间,其中:压电层的下表面与基底的上表面之间设置有支撑结构,压电层与基底大体平行布置;底电极的非电极连接端埋设在支撑层中,埋设在支撑层中的底电极在平行于谐振器的厚度方向的上下方向上分别与压电层与支撑层面接触。本发明还涉及一种滤波器以及一种电子设备。

2021-10-12

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