本发明公开了一种超快斜坡扫描脉冲产生电路及产生方法,该方法包括：当第一MOSFET开关管Q1导通时,压控电流源VCCS对偏转板的等效电容C1进行充、放电,获得具有快速前、后沿的斜坡扫描脉冲；通过调节恒流源的充电电流大小,对具有快速前、后沿的斜坡扫描脉冲斜率进行调节。本发明采用了一种基于MOSFET全新设计,利用本发明产生的超快斜坡脉冲具有很高的线性度(线性区间可高达96％),从而解决了传统电路脉冲延时大,电路及元器件耐压幅值要求高,且脉冲重复工作频率受限的问题,其结构紧凑,档位(斜坡脉冲斜率)可根据需求调整,从而不受体积限制等问题。