本发明提供一种可镀多种膜的管式PECVD石墨舟镀膜工艺,采用可镀多种膜的管式PECVD石墨舟结构,工艺流程如下：S1：机械手抓取硅片插入所述镂空区域的勾点上,使所述硅片位于所述镂空区域中,所述硅片的正面和背面分别位于两个所述镀膜通道中；S2：将所述镉板插入所述隔板安装槽内,对所述镀膜通道进行密封；S3：根据镀膜设计要求,在所述硅片两侧的镀膜通道中分别通入镀膜气体或惰性气体,并将所述电极与电源连通,完成镀膜。本发明单个设备上可以镀多种膜,节省了倒片时间,同时减少倒片过程的划伤,提升了良率。同时避免镀膜过程暴露在空气中,减少污染。

本申请适用于太阳能电池技术领域,提供了一种PERC电池的背面膜层的制作方法和PERC电池。PERC电池的背面膜层的制作方法包括：在待沉积背面膜层的电池基片上沉积氧化铝层,氧化铝层的厚度小于5nm；在沉积了氧化铝层的电池基片上沉积氮氧化硅层；在沉积了氮氧化硅层的电池基片上沉积氮化硅层和氧化硅层。如此,使得TMA耗量低,对背膜后的激光开槽工艺要求较低,背面电路与硅基体的接触电阻较低,PERC电池的光电转换效率高。

本发明公开了一种织构强化的κ-Al-(2)O-(3)涂层工具,包括基体及涂覆在所述基体上的涂层；所述涂层包括至少一层κ-Al-(2)O-(3)涂层,所述κ-Al-(2)O-(3)涂层具有优先在(013)方向生长的显微组织结构,其织构系数TC大于2,所述织构系数TC的定义如下：式中：I(hkl)为通过X射线衍射而测量到的(hkl)晶面的反射强度；I-(0)为根据PDF卡号880107的衍射反射的标准强度；n为计算中所用的反射晶面的数目；所用的(hkl)反射晶面为(011)、(002)、(013)、(122)、(004)、(132)、(135)。还公开了一种织构强化的κ-Al-(2)O-(3)涂层工具的制备方法。本发明的目的在于提供一种织构强化的κ-Al-(2)O-(3)涂层工具,其具有良好的切削性能。

本发明提供了一种超滑骨架及其加工方法,用于与超滑片组合构成超滑副,所述超滑片置于所述超滑骨架上,包括基底和设于所述基底上的薄膜层,所述薄膜层上设有若干个孔结构,所述薄膜层的表面是原子级平整表面,所述超滑片置于所述薄膜层上,且所述超滑片的尺寸大于所述孔结构的尺寸。本发明提供的超滑骨架,薄膜层的表面满足原子级平整,且孔结构的边缘不影响薄膜层的表面平整度,且超滑片的尺寸大于孔结构的尺寸,超滑片可以在超滑骨架上同时覆盖多个孔结构,从而可以避免超滑骨架上形成的凹凸结构影响其表面平整度,不仅有效的减小了摩擦力,且降低了对于超滑平面的加工要求,降低了加工难度。

本发明提供了一种高膜基结合力的涂层梯度结构金属陶瓷及其制备方法,包括：1)以钛为主的元素周期表第4、5、6族金属元素中的碳化物、氮化物和氮碳化物中的至少一种；(2)通过球磨,造粒,压制,低压渗氮烧结的方法,制备出表面具有富Ti富N结构的金属陶瓷基体,该金属陶瓷具有表层区,过渡区以及内部均质区：表层区为无芯环结构的富钛富氮立方相化合物富集层,且该富集层存在贫钴结构；过渡区存在粘接相的富集；(3)经表面处理后,在该基体表面沉积具有立方晶体结构的金属氮化物硬质材料CVD/PVD复合涂层,涂层中的金属氮化物与基体具有共格/半共格界面,错配度低,且涂层呈现明显的择优取向,可显著改善金属陶瓷与涂层结合力差的问题。

含钼膜在ALD及CVD工艺中利用含钼前体的反应而沉积于半导体衬底上。在一些实施方案中,前体可用于沉积具有低掺入量的碳和氮的钼金属膜。在一些实施方案中,膜在暴露的含硅层存在下利用无氟前体来沉积,但不使用蚀刻停止层。在一些实施方案中,该前体为包括钼、与钼形成键的至少一种卤素以及至少一种有机配体的化合物,该有机配体包括选自由N、O和S所组成的群组的元素,其与钼形成键。在另一方面,该前体为具有至少一种含硫配体的钼化合物,且优选不具有钼-碳键。

本申请提供了一种太阳能电池的制备方法与太阳能电池,所述制备方法包括在硅基底的表面制备保护膜,所述硅基底具有相互间隔的至少两个第一区域、位于相邻所述第一区域之间的第二区域；再去除所述第一区域表面的保护膜,并保留所述第二区域表面的保护膜,然后制结使得各所述第一区域形成相互独立的PN结,且所述第二区域在所述保护膜遮蔽下未形成PN结。本申请通过在所述硅基底的第二区域设置保护膜,以在相互间隔的第一区域制得独立的PN结,所述太阳能电池在沿第二区域进行后续分割时,降低相应的子电池片边缘复合,提高填充因子及转换效率。

本公开涉及形成含氮化钒的层的方法。所述方法包括在反应器的反应腔室内提供基板以及向基板的表面上沉积含氮化钒的层,其中沉积工艺包括向反应腔室提供钒前体以及向反应腔室提供氮前体。本公开还涉及包含含氮化钒的层的结构和器件。

本发明公开了一种C/TiC/TiN/TiAlN复合涂层制备装置及其方法。本发明提出的装置主要包括弧光放电等离子体装置、射频等离子体装置和磁过滤筛选装置三部分,充分组合利用三部分的技术优势,从而达到制备优质涂层的目的。本发明提供的复合涂层的制备方法,包括以下步骤：将固态源进行弧光放电后得到弧光放电等离子体；将气态源进行射频处理后得到射频等离子体；将所述两种等离子体经过磁过滤去除较大颗粒后共沉积在基底表面,从而得到复合涂层。本发明提供的制备方法为制备不同成分的复合涂层提供了新的合成思路,且制备得到的复合涂层材料具有高均匀性,高致密性以及优异的机械性能。

本发明公开一种二维氮化镓膜的限域模板制备方法,涉及半导体材料制备技术领域,包括以下步骤：将液态金属镓转移至衬底表面后形成金属镓膜；金属镓经过膜氧化即在衬底表面得到氧化镓膜；采用化学气相沉积法制备二维氮化硼膜；将二维氮化硼膜转移至氧化镓膜顶面,使氧化镓膜被二维氮化硼膜包覆得到硅片-氧化镓膜-二维氮化硼膜复合物；将硅片-氧化镓膜-二维氮化硼膜复合物放入含有氮源的环境中进行氮化处理,冷却后得到氮化镓膜。本发明的有益效果在于：本发明基于氮化硼的稳定性、绝缘性和对激子发光性能的促进作用,以二维氮化硼与衬底为模板,在二维氮化硼与衬底间限域性生长氮化镓,钝化氮化镓的高能面,形成稳定二维氮化镓结构。