具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。

请参阅图1和图2，本申请实施例的PERC电池10的背面膜层的制作方法，包括：

步骤S12：在待沉积背面膜层的电池基片11上沉积氧化铝层12(Al₂O₃)，氧化铝层12的厚度小于5nm；

步骤S13：在沉积了氧化铝层12的电池基片11上沉积氮氧化硅层13(SiO_xN_y)；

步骤S14：在沉积了氮氧化硅层13的电池基片11上沉积氮化硅层14(SiN_x)和氧化硅层15(SiO_x)。

本申请实施例的PERC电池10的背面膜层的制作方法，在电池基片11上沉积的氧化铝层12的厚度小于5nm，使得TMA耗量低，对背膜后的激光开槽工艺要求较低，背面电路与硅基体的接触电阻较低，PERC电池10的光电转换效率高。

可以理解，在PERC电池10为单面电池的情况下，背面电路与硅基体的接触电阻较低，是指背电场和背电极与硅基底的接触电阻较低。在PERC电池10为双面电池的情况下，背面电路与硅基体的接触电阻较低，是指背栅线和背电极与硅基底的接触电阻较低。

具体地，氧化铝层12的厚度例如为0.58nm、0.9nm、1nm、1.2nm、1.7nm、2nm、2.5nm、2.8nm、3nm、3.6nm、4nm、4.2nm、4.8nm、4.9nm。在此不对氧化铝层12的厚度的具体数值进行限定，只要满足前述范围即可。

具体地，氧化铝层12的形貌为非连续的孤岛群。如此，非连续孤岛群的氧化铝层12在硅片上呈均匀分布，既有效达到了电池背面的钝化效果，也在一定程度上降低了TMA的使用量，可以降低制造成本。

具体地，在步骤S12前，可对P型单晶硅片进行制绒、硼扩散、SE激光、刻蚀、退火处理，从而制成待沉积背面膜层的电池基片11。然后可将待沉积背面膜层的电池基片11放入镀膜设备中沉积钝化膜。在其他实施例中，可对N型硅片或多晶硅片进行前述处理，以制成待沉积背面膜层的电池基片11。在此不进行限定。

在本实施例中，镀膜设备可为管式等离子体增强化学气相沉积法(PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)设备。如此，镀膜时所需的基本温度较低，沉积的速率较快，效率较高，形成的钝化膜针孔较少，不易龟裂，质量较好，有利于提高生产效率和电池性能。

在本实施例中，在步骤S14后，可将沉积了氧化铝层12、氮氧化硅层13、氮化硅层14和氧化硅层15的电池基片11从管式PECVD中取出。在步骤S14后，可对沉积了氧化铝层12、氮氧化硅层13、氮化硅层14和氧化硅层15的电池基片11进行正面镀膜、背面激光和丝网印刷，以制成PERC电池10。

在本实施例中，可在电池基片11的正面镀氧化硅层。进一步地，可通过热氧化对电池基片11进行退火处理，以形成氧化硅层。如此，可以有效阻止载流子在表面处的复合，提高PERC电池10的转换效率，改善PERC电池10的抗PID性能，延长使用寿命。

在本实施例中，可在电池基片11的正面镀氮化硅层。如此，可以降低PERC电池10对太阳光的反射率，有利于提高PERC电池10的光电转换效率。

在本实施例中，可利用激光进行背面开槽，利用银浆料在开槽后的电池基片11进行丝网印刷形成背面电极，利用铝浆料丝网印刷形成背电场，利用银浆料丝网印刷形成正面电极。再烧结印刷后的电池基片11。如此，可以通过背电场减少表面的复合率，钝化背表面，可通过正面电极和背面电极输出电流。

可以理解，在其他的实施例中，可通过利用掩膜沉积金属来制作电极。在此不对制作电极的具体方式进行限定。

另外，可对制成的PERC电池10进行电性能测试。如此，可以检测PERC电池10的性能，有利于及时发现问题并改进。

请参阅图3，可选地，步骤S12包括：

步骤S121：在管式PECVD中通入笑气(N₂O，一氧化二氮)和TMA(三甲基铝)，以形成氧化铝层12；

步骤S13包括：

步骤S131：在管式PECVD中通入笑气和氨气(NH₃)，以形成氮氧化硅层13；

步骤S14包括：

步骤S141：在管式PECVD中通入氨气(NH₃)和硅烷(SiH₄)，以形成氮化硅层14；

步骤S142：在管式PECVD中通入笑气和硅烷，以形成氧化硅层15。

如此，通过在管式PECVD中通入气体来沉积氧化铝层12、氮氧化硅层13、氮化硅层14和氧化硅层15，效率较高，成膜质量较好，有利于提高PERC电池10的品质。

具体地，在步骤S121前，方法包括：将管式PECVD中的气体抽空。如此，避免管式PECVD中先前残留的气体对后续沉积氧化铝层12的过程产生影响，有利于提高PERC电池10的品质。

具体地，在步骤S131前，方法包括：将管式PECVD中的笑气和TMA抽空。如此，避免管式PECVD中残留的笑气和TMA对后续沉积氮氧化硅层13的过程产生影响，有利于提高PERC电池10的品质。

具体地，在步骤S141前，方法包括：将管式PECVD中的笑气和氨气抽空。如此，避免管式PECVD中残留的笑气和氨气对后续沉积氮化硅层14的过程产生影响，有利于提高PERC电池10的品质。

具体地，在步骤S151前，方法包括：将管式PECVD中的氨气和硅烷抽空。如此，避免管式PECVD中残留的氨气和硅烷对后续沉积氧化硅层15的过程产生影响，有利于提高PERC电池10的品质。

请注意，在图3的示例中，先进行步骤S141，再进行步骤S142。换言之，先沉积氮化硅层14，再沉积氧化硅层15。可以理解，在其他的示例中，可先进行步骤S142，再进行步骤S141。换言之，先沉积氧化硅层15，再沉积氮化硅层14。在此不对步骤S141和步骤S142的顺序进行限定。

可选地，在步骤S121中，笑气的流量的范围为1slm-20slm，TMA的流量的范围为5sccm-300sccm，管式PECVD的功率的范围为1000w-10000w，沉积时长的范围为5s-100s，压力的范围为100-10000mTor。

如此，通过限制步骤S121中各项参数的范围，实现沉积氧化铝层12，使得氧化铝层12的品质较好，厚度较小。

具体地，笑气的流量例如为1slm、2slm、8slm、10slm、12slm、15slm、18slm、19slm、20slm。TMA的流量例如为5sccm、6sccm、17sccm、26sccm、45sccm、66sccm、97sccm、116sccm、135sccm、176sccm、217sccm、246sccm、288sccm、300sccm。管式PECVD的功率例如为1000w、1010w、1500w、2000w、2300w、3800w、5000w、6500w、7800w、8000w、9500w、10000w。沉积时长例如为5s、6s、12s、20s、35s、46s、52s、60s、77s、82s、92s、98s、100s。压力例如为100mTor、110mTor、830mTor、1250mTor、2400mTor、3510mTor、5630mTor、8750mTor、9800mTor、10000mTor。

优选地，笑气的流量的范围为15slm-20slm。例如为15slm、17slm、18slm、19slm、20slm。如此，有利于进一步提高氧化铝层12的品质。

优选地，TMA的流量的范围为5sccm-245sccm。例如为5sccm、6sccm、17sccm、26sccm、45sccm、66sccm、97sccm、116sccm、135sccm、176sccm、217sccm、245sccm。如此，有利于进一步提高氧化铝层12的品质，进一步减少TMA的用量，有利于降低成本。

优选地，管式PECVD的功率的范围为6000w-10000w。例如为6000w、6500w、7800w、8000w、9500w、10000w。如此，可以进一步提高氧化铝层12的品质。

优选地，沉积时长的范围为60s-100s。例如为60s、63s、77s、82s、92s、98s、100s。如此，有利于进一步提高氧化铝层12的品质。

优选地，压力的范围为300-10000mTor。例如为300mTor、320mTor、830mTor、1250mTor、2400mTor、3510mTor、5630mTor、8750mTor、9800mTor、10000mTor。如此，有利于进一步提高氧化铝层12的品质。

可选地，在步骤S131中，笑气的流量的范围为1slm-20slm，氨气的流量的范围为1slm-20slm，沉积时长的范围为5s-500s。

如此，通过限制步骤S131中各项参数的范围，实现沉积氮氧化硅层13，使得氮氧化硅层13的品质较好。

具体地，笑气的流量例如为1slm、2slm、8slm、10slm、12slm、15slm、18slm、19slm、20slm。氨气的流量例如为1slm、2slm、8slm、10slm、12slm、15slm、18slm、19slm、20slm。沉积时长例如为5s、6s、12s、80s、135s、146s、222s、360s、477s、482s、492s、500s。

优选地，笑气的流量的范围为17slm-20slm。例如为17slm、18slm、19slm、20slm。如此，有利于进一步提高氮氧化硅层13的品质。

优选地，氨气的流量的范围为6slm-20slm。例如为6slm、8slm、10slm、12slm、15slm、18slm、19slm、20slm。如此，有利于进一步提高氮氧化硅层13的品质。

优选地，沉积时长的范围为300s-500s。例如为300s、360s、477s、482s、492s、500s。如此，有利于进一步提高氮氧化硅层13的品质。

可选地，在步骤S141中，氨气的流量的范围为1slm-20slm，硅烷的流量的范围为100sccm-5000sccm，沉积时长的范围为5s-500s。

如此，通过限制步骤S141中各项参数的范围，实现沉积氮化硅层14，使得氮化硅层14的品质较好。

具体地，氨气的流量例如为1slm、2slm、8slm、10slm、12slm、15slm、18slm、19slm、20slm。硅烷的流量例如为100sccm、110sccm、500sccm、850sccm、1210sccm、2420sccm、3550sccm、4210sccm、4850sccm、5000sccm。沉积时长例如为5s、6s、12s、80s、135s、146s、222s、360s、477s、482s、492s、500s。

优选地，氨气的流量的范围为16slm-20slm。例如为16slm、18slm、19slm、20slm。如此，有利于进一步提高氮化硅层14的品质。

优选地，硅烷的流量的范围为1200sccm-5000sccm。例如为1200sccm、1300sccm、1850sccm、1210sccm、2420sccm、3550sccm、4210sccm、4850sccm、5000sccm。如此，有利于进一步提高氮化硅层14的品质。

优选地，沉积时长的范围为5s-280s。例如为5s、6s、12s、80s、135s、146s、222s、280s。如此，有利于进一步提高氮化硅层14的品质。

可选地，在步骤S142中，笑气的流量的范围为2slm-20slm，硅烷的流量的范围为100sccm-5000sccm，沉积时长的范围为20s-500s。

如此，通过限制步骤S142中各项参数的范围，实现沉积氧化硅层15，使得氧化硅层15的品质较好。

具体地，笑气的流量例如为2slm、8slm、10slm、12slm、15slm、18slm、19slm、20slm。硅烷的流量例如为100sccm、110sccm、500sccm、850sccm、1210sccm、2420sccm、3550sccm、4210sccm、4850sccm、5000sccm。沉积时长例如为20s、23s、36s、80s、135s、146s、222s、360s、477s、482s、492s、500s。

优选地，笑气的流量的范围为10slm-20slm。笑气的流量例如为10slm、12slm、15slm、18slm、19slm、20slm。如此，有利于进一步提高氧化硅层15的品质。

优选地，硅烷的流量的范围为2000sccm-5000sccm。例如为2000sccm、2210sccm、2420sccm、3550sccm、4210sccm、4850sccm、5000sccm。如此，有利于进一步提高氧化硅层15的品质。

优选地，沉积时长的范围为200s-500s。例如为200s、222s、360s、477s、482s、492s、500s。如此，有利于进一步提高氧化硅层15的品质。

请参阅图4和图2，可选地，步骤S14包括：

步骤S143：在沉积了氮氧化硅层13的电池基片11上沉积氮化硅层14；

步骤S144：在沉积了氮化硅层14的电池基片11上沉积氧化硅层15。

如此，先沉积氮化硅层14，再沉积氧化硅层15，从而实现沉积氮化硅层14和氧化硅层15。如此，提供了氮化硅层14和氧化硅层15的一种沉积方式，可根据后续背激光的具体条件进行选择，达到最佳的开槽形貌，确保硅基体与铝浆形成良好的接触，同时对氧化铝层13起到良好的保护作用。

请参阅图5和图6，可选地，步骤S14包括：

步骤S145：在沉积了氮氧化硅层13的电池基片11上沉积氧化硅层15；

步骤S146：在沉积了氧化硅层15的电池基片11上沉积氮化硅层14。

如此，先沉积氧化硅层15，再沉积氮化硅层14，从而实现沉积氮化硅层14和氧化硅层15。如此，提供了氮化硅层14和氧化硅层15的一种沉积方式，可根据后续背激光的具体条件进行选择，达到最佳的开槽形貌，确保硅基体与铝浆形成良好的接触，同时对氧化铝层13起到良好的保护作用。

本申请实施例的PERC电池10，包括电池基片11和设于电池基片11的背面膜层，背面膜层包括氧化铝层12、氮氧化硅层13、氮化硅层14和氧化硅层15，氧化铝层12的厚度小于5nm。

本申请实施例的PERC电池10，包括电池基片11和设置在电池基片11的背面膜层，背面膜层采用上述任一项的方法制作得到。

本申请实施例的PERC电池10，在电池基片11上沉积的氧化铝层12的厚度小于5nm，使得TMA耗量低，对背膜后的激光开槽工艺要求较低，背面电路与硅基体的接触电阻较低，PERC电池10的光电转换效率高。

关于PERC电池10的解释和说明可参照前文，为避免冗余，在此不再赘述。

下表是相关技术中的PERC电池和本申请实施例的PERC电池的性能对比表。

显然，相较于相关技术，本申请实施例的PERC电池，在开路电压持平的情况下，减少了氧化铝层的厚度，减少了TMA耗量，提高了短路电流，减小了电阻，提高了光电转换效率。

以上仅为本申请的较佳实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。