一种磁过滤技术制备钠离子电池负极材料的方法

本发明揭示了一种磁过滤技术制备钠离子电池负极材料的方法,具体为一种预先进行功能化处理多壁碳纳米管,并将多壁碳纳米管做基底,再通过磁过滤筛选射频等离子体的化学气相共沉积技术制备功能化多壁碳纳米管与半金属靶材源的复合材料载体。这种结构中的功能化多壁碳纳米管作为导电骨架提高了涂敷载体的结构稳定性和导电性能,半金属靶材源作为活性材料,其上的硒和磷与功能化多壁碳纳米管骨架具有高的化学结合力,提高了电极的固硒和固磷性能、多硒化物及磷化物转化动力学和循环寿命。

2021-11-02

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化学气相沉积设备

本公开提供了一种化学气相沉积设备,属于半导体技术领域。该化学气相沉积设备包括反应腔体、供气组件、气体分配盘、气体控制组件。其中,反应腔体具有多个用于承载晶圆的承载台。供气组件,用于提供反应气体。气体分配盘,数量为多个且与多个承载台一一对应设置。气体控制组件,数量为多个且与多个气体分配盘一一对应设置。气体分配盘与供气组件之间,通过对应的气体控制组件连接。这样能够通过气体控制组件调节反应气体的流量或者通气时间,以控制对应的气体分配盘的气体流量或者通气时间,减小在不同晶圆表面沉积薄膜膜厚的差异,从而可以提高在晶圆上所沉积薄膜的质量,进而降低成本。

2021-11-02

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等离子体处理装置和等离子体处理方法

本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法。分隔板具有绝缘性,将处理容器的内部分隔为载置被处理体的反应室和生成等离子体的等离子体生成室。此外,分隔板在等离子体生成室侧的面设置第一电极,形成有用于将在等离子体生成室内生成的等离子体所包含的活性种供给到反应室的多个贯通孔。第二电极与第一电极相对地配置在等离子体生成室。在等离子体生成室生成等离子体时,电功率供给部对第一电极和第二电极中的任一者供给将多个频率的高频电功率进行相位控制并叠加而成的高频电功率。

2021-10-26

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在半导体衬底上的三维结构中填充间隙的方法

本申请涉及在半导体衬底上方的三维结构中填充间隙。该方法可以包括使用利用具有第一频率的第一射频(RF)功率激活的至少一种反应气体将薄膜至少沉积在衬底上方的三维结构上,所述三维结构包括沟槽和/或孔。该方法还可以包括使用利用具有小于第一频率的第二频率的第二RF功率激活的至少一种蚀刻剂蚀刻沉积的薄膜。该方法还可以包括重复至少一次沉积和蚀刻的循环,直到沟槽和/或孔被薄膜填充。根据一些实施例,可以在三维结构中形成基本上没有空隙和/或接缝的薄膜。

2021-10-26

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通过脉冲式RF等离子体的膜形成

本文讨论了使用脉冲式RF等离子体来形成非晶膜和微晶膜的系统和方法。形成膜的方法可以包括：(a)由膜前驱物在处理腔室中形成等离子体以及(b)脉冲RF功率源以使由RF功率源产生的脉冲的工作循环的工作循环导通时间(TON)小于工作循环的总循环时间(TTOT)的约20％,以形成膜。方法可以进一步包括：(c)在处理腔室中的基板上沉积第一膜中间层；(d)在(c)之后,净化处理腔室；以及(e)在(d)之后,将氢等离子体引入处理腔室。此外,在方法中,重复(b)-(e)以形成膜。膜可具有小于约10％的膜内氢含量。

2021-10-22

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气体供应单元及包括其的衬底处理设备

一种能够防止功率耗散且实现高过程再现性的衬底处理设备包括分隔件和在分隔件下方的处理单元,其中处理单元包括导电本体和与导电本体一体地形成的至少一个导电突起。

2021-10-22

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半导体制造方法及多片式沉积设备

本发明实施方式提供了一种半导体制造方法及多片式沉积设备,半导体制造方法包括：对多片式沉积设备内的衬底进行第一轮沉积工艺；完成第一轮沉积工艺后取出衬底；向多片式沉积设备中通入辅助气体,并以辅助气体形成等离子体；向多片式沉积设备中放入待沉积的衬底；对多片式沉积设备内的衬底进行第二轮沉积工艺。通过在第一轮沉积工艺和第二轮沉积工艺的等待时间的时间间隔内,通入辅助气体使其转换成等离子体,从而增加多片式沉积设备内残留电荷的数量,在第二轮沉积工艺开始时,多片式沉积设备内残留电荷数量较多,能很快产生沉积工艺所需的射频,极大地加快了射频的产生时间,从而提高了衬底的生产效率。

2021-10-22

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一种射频电极馈入装置

本发明涉及一种射频电极馈入装置,其包括：支撑组件,具有散热间隙；多个放置组件,沿第一方向布置于支撑组件上；每一放置组件包括设置于支撑组件的第一放置件和第二放置件,第一放置件和第二放置件分别位于散热间隙在第一方向上的两侧；及多个电极组件,电极组件与放置组件一一对应,每一电极组件均包括第一电极单元和第二电极单元,每一电极组件的第一电极单元和第二电极单元分别与对应放置组件的第一放置件和第二放置件相连。本发明的射频电极馈入装置,可以容纳多个石墨舟在支撑组件上,并通过多个电极组件配合多个放置组件,实现多个石墨舟的射频电极馈入,使一个镀膜设备的腔体能够容纳多个石墨舟,提高产能,降低单片电池片成本。

2021-10-19

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清洁处理腔室的方法

本公开的实施方式大致关于清洁半导体处理腔室的方法。在一个实施方式中,一种清洁沉积腔室的方法包括以下步骤：将含氮气体流至沉积腔室内的处理区域中；利用射频功率在处理区域中冲击等离子体；将清洁气体引入流体连接至沉积腔室的远程等离子体源；在远程等离子体源中产生清洁气体的反应物质；将清洁气体引入沉积腔室；以及以不同蚀刻速率移除在沉积腔室的内部表面上的沉积物。

2021-10-12

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形成薄膜的方法

本发明提供一种用于填充间隙而无缝隙或空隙的衬底处理方法,所述方法包含：在反应室中提供具有间隙的衬底,对所述反应室进行抽气到5托或以下的压力,以及通过交替且依次供应前体、反应物和包含相对高射频分量和相对低射频分量的射频电磁辐射来用膜填充所述间隙。

2021-10-12

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