发光元件

本发明公开一种发光元件,其包含半导体结构,包含第一半导体层、第二半导体层位于第一半导体层上、及活性层位于第一半导体层和第二半导体层之间,且第二半导体层包含第一边缘；第一绝缘结构,位于第二半导体层上接触第一边缘,且包含开孔于第二半导体层上；反射结构,位于第一绝缘结构上并通过开孔电连接第二半导体层,且包含外侧边；以及第二绝缘结构,位于第一绝缘结构及反射结构上,且包含第一绝缘开口暴露第一半导体层,以及第二绝缘开口暴露反射结构,其中,反射结构覆盖于第一绝缘结构的一部分,且位于第一绝缘结构和第二绝缘结构之间。

2021-11-02

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一种电极共面LED基板及其制备方法

本发明提供一种电极共面LED基板及其制备方法,该电极共面LED基板包括：绝缘衬底；贯穿所述绝缘衬底的P型引出电极和N型引出电极；以及位于所述绝缘衬底一侧的导电粘结层。制备方法包括以下步骤：在所述绝缘衬底上制备贯穿所述绝缘衬底的电极通道；在所述电极通道内形成P型引出电极一和N型引出电极一；在所述绝缘衬底一侧形成粘结层。本发明可实现LED芯片电极制备于同侧,避免了以往制作电极而损失一部分发光面积,有效提升了芯片的光输出功率。

2021-11-02

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高亮度发光二极管芯片及其制造方法

本公开提供了一种高亮度发光二极管芯片及其制造方法,属于半导体技术领域。高亮度发光二极管芯片：所述衬底的第二表面具有开口槽,所述开口槽从所述第二表面延伸至所述衬底的内部,且所述开口槽围绕所述第二表面的外周壁布置；所述高亮度发光二极管芯片还包括设置在所述开口槽内的填充层,所述填充层为掺有金刚石颗粒的氧化硅层。采用该芯片可以使得LED芯片划裂后的各个LED单元的横截面呈现矩形,提高各个LED单元的出光对称性。

2021-11-02

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发光二极管元件

一种发光二极管元件,包含：第一边缘、第二边缘、第三边缘和第四边缘,第一边缘和第三边缘相对,第二边缘和第四边缘相对；基板；半导体叠层,位于基板上,半导体叠层包含第一半导体层、第二半导体层以及活性层形成在其间；第一电极,形成在第一半导体层上并与第一半导体层电连接,包含第一焊盘电极相邻于第一边缘与第二边缘相交的角落；以及第二电极,形成在第二半导体层上并与第二半导体层电连接,包含第二焊盘电极以及第二指状电极从第二焊盘电极朝向第二边缘延伸；第一边缘和第三边缘比第二边缘和第四边缘长；由上视观之,第二指状电极不平行于第一边缘和第三边缘,第二指状电极与第一边缘之间距随着第二指状电极延伸远离第二焊盘电极而增加。

2021-10-26

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用于发光二极管中的表面复合速度降低的外延层的再生长

本文公开了用于发光二极管(LED)阵列设备的方法、系统和设备。在一些实施方案中,LED阵列设备可以包括从层状外延结构蚀刻的多于一个台面。层状外延结构可以包括P型掺杂半导体层、有源层和N型掺杂半导体层。LED阵列设备还可以包括一个或更多个再生长半导体层,包括第一再生长半导体层,所述一个或更多个再生长半导体层可以在多于一个台面的经蚀刻的端面上外延生长。在一些情况下,对于每个台面,第一再生长半导体层可以围绕台面的整个周边覆盖P型掺杂半导体层、有源层和N型掺杂半导体层的经蚀刻的端面。

2021-10-22

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一种倒装深紫外LED芯片及其制作方法

本发明公开了一种倒装深紫外LED芯片及其制作方法,该倒装深紫外LED芯片包括增透层、蓝宝石衬底层、n型AlGaN层、多层量子阱有源层、p型AlGaN层以及p型GaN接触层；所述蓝宝石衬底层一侧依次层叠设置所述n型AlGaN层、多层量子阱有源层、p型AlGaN层以及p型GaN接触层,所述蓝宝石衬底层另一侧设置所述增透层；所述蓝宝石衬底层远离所述n型AlGaN层一侧经过粗化刻蚀后,沉积所述增透层。本发明通过对蓝宝石衬底层远离n型AlGaN层一侧进行粗化并沉积增透层,增加了光子逃逸几率,降低了界面全反射,从而实现了芯片光提取效率的提高。

2021-10-22

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一种发光二极体及其光纯化方法

本公开实施例中提供了一种发光二极体及其光纯化方法,属于发光二极管技术领域,所述发光二极体包括：外延结构和镀在所述外延结构上的光纯化层,所述光纯化层包括：第一反射层和多个出光孔,所述第一反射层镀在所述外延结构上,每个所述出光孔贯通所述第一反射层,其中,所述出光孔的孔径大小为预设出射光的波长的N倍,N为大于或者等于1的整数。本公开的方案,通过第一反射层将不需要的光滤掉,并且利用光波导原理在出光孔通道形成全反射,进而将所需的波长导出达成高演色性,提高了光的纯度。

2021-10-22

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一种微发光二极管及其制造方法

本发明涉及发光二极管领域,其包括依次层叠设置的第一半导体层、有源层和第二半导体层,所述第一半导体层和所述第二半导体层为不同类型的半导体层,所述有源层包括依次层叠的第一量子阱层及第二量子阱层,在所述第二量子阱层及所述第二半导体层上形成有纳米环结构,所述第一量子阱层发射第一颜色的光,所述第二量子阱层与所述纳米环侧壁对应的部分发射第二颜色的光,所述第一颜色与所述第二颜色不相同,所述第一半导体层电性连接有第一电极,所述第二半导体层电性连接有第二电极。本发明还包括该微发光二极管的制造方法,用纳米二氧化硅颗粒作为光罩制作纳米环,会使原本量子阱应力释放而使量子局限斯塔克效应减少而产生蓝光。

2021-10-22

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一种高亮度倒装LED芯片及其制备方法

本发明公开了一种高亮度倒装LED芯片及其的制备方法,所述制备方法包括：S1、将发光结构固定在涂有填充物的基板上；S2、去除发光结构上的衬底,将第一半导体层裸露出来；S3、采用等离子去胶机来清洗发光结构,并对第一半导体层进行氧化和粗化,以形成图型化氧化膜；S4、采用蚀刻溶液蚀刻第一半导体层,形成宽度为1～2μm、深度为2～3μm的尖状体,所述尖状体将光线以散射光的形式从发光结构的出光面出射。本发明的制备方法简单,可防止应力过大的问题,有效提高芯片的良率高,所述制得的芯片亮度高。

2021-10-22

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一种氮化铝衬底模板的制作方法

本发明涉及一种氮化铝衬底模板的制作方法,包括以下步骤：(1)、在衬底上溅射一层氮化铝溅射层；(2)、将溅射有氮化铝溅射层的衬底放入MOCVD炉内,在氮化铝溅射层上生长第一低温氮化铝层；(3)、在MOCVD炉内,对第一低温氮化铝层的表面进行高温蚀刻,以在第一低温氮化铝层的表面刻蚀出分布均匀且大小一致的孔洞；(4)、在MOCVD炉内,继续在高温蚀刻后的第一低温氮化铝层上生长第二低温氮化铝层。其能消除氮化铝衬底模板表面的裂纹,提升UVC-LED各项光电参数及芯片可靠性,并且,其可以直接在MOCVD炉内进行,制造成本低,可以应用于大批量快速生产。

2021-10-22

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