具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述。

参见图1，本发明提供一种高亮度倒装LED芯片的制备方法，包括以下步骤：

S1、将发光结构固定在涂有填充物的基板上；

参见图2，所述发光结构包括衬底11、设于衬底11上的外延层12、以及设于外延层12上的电极13。其中，所述外延层12包括设于衬底11上的第一半导体层121、设于第一半导体层121上的有源层122、以及设于有源层122上的第二半导体层123。

为了提高发光结构的光电性能，所述发光结构还包括透明导电成(图中未示出)和反射层(图中未示出)，所述透明导电层设于第二半导体层123上，所述反射层设于透明导电层上。

其中，所述第一半导体层121为N型GaN层，所述有源层122为多量子阱层，所述第二半导体层123为P型GaN层。

本发明的基板2为载体基板，用于固定、支撑发光结构。本发明首先在基板2上涂覆一层填充物质3，然后再将发光结构的电极13贴合在基板2上，其中，所述发光结构的衬底背向基板。本发明的填充物质3用于固定发光结构，避免发光结构在后续剥离衬底11时发生碎裂，因此所述填充物质3完全填充在发光结构和基板2之间，如图3所示。

其中，本发明的填充物质3对发光结构没有影响，并具有黏附性和可塑性，即所述填充物质3在外力作用下发生形变并保持形变的性质。为了满足填充物质3的上述特性，所述填充物质3优选为陶瓷粘土、酸性结构玻璃胶或塑钢土。

其中，所述基板2设有与电极13对应的焊盘21，所述填充物质3可通过喷洒、涂附等方式涂覆在焊盘21以外的基板上，当发光结构的电极13焊接在所述焊盘21上时，所述填充物质3填满在发光结构和基板2之间。

S2、去除发光结构上的衬底，将第一半导体层裸露出来；

具体的，采用激光剥离衬底的方法去除所述衬底，并将第一半导体层裸露出来。

S3、采用等离子去胶机来清洗发光结构，并对第一半导体层进行氧化和粗化，以形成图型化氧化膜；

具体的，将剥离衬底后的发光结构置于等离子去胶机中，采用等离子去胶机来清洗发光结构，以除去发光结构表面的灰尘、杂质等，并对裸露出来的第一半导体层121进行粗化，以使第一半导体层121的表面形成粗化结构，同时采用等离子去胶机对裸露出来的第一半导体层121进行氧化以使第一半导体层121的表面形成图型化氧化膜14，如图4所示。

所示等离子去胶机的工作原理是：对氧气进行电离，形成氧离子、活化的氧原子、氧分子和电子等混合物的等离子体的辉光柱。氧离子将外延层表面的N型GaN氧化形成N型氧化稼，所述N型氧化稼就是本发明的氧化膜，其可改变GaN表面极性，选择性保护外延层，在后续的腐蚀中行成较为理想的尖锥形晶胞。

本发明采用等离子去胶机来清洗发光结构，不仅可以清洗发光结构的表面，去除杂质，还可以在第一半导体层的表面形成图型化氧化膜。此外，本发明采用等离子去胶机来清洗发光结构具有以下优点：操作简单、去胶效率高、表面干净光洁、无划痕、成本低、环保。

需要说明的是，采用等离子去胶机来形成氧化膜，实际上是比较困难的，产生的氧化膜会存在不同，对后续粗化的效果也不一致，因此，等离子去胶机的功率、氧气的流量和清洗时间对氧化膜的形成起着重要的作用。此外，氧化膜的厚度主要由等离子去胶机的功率、氧气的流量和清洗时间决定，若氧气的流量、功率、清洗时间的参数过偏小，则氧化膜的厚度过小，不足以行成有效保护，导致后续腐蚀过快，不能行成锥形晶胞；若氧化膜的厚度过厚，则会阻挡后续腐蚀效果，无法腐蚀形成锥形晶胞。

具体的，所述等离子去胶机的工作功率为40～60W，通入氧气的流量为25～45sccm，清洗时间为250～450秒。优选的，功率为45～55W，示例性地为45W、48W、50W、52W、55W，但不限于此。优选的，氧气的流量为30～40sccm，示例性地为30sccm、35sccm、40sccm，但不限于此。优选的，清洗时间为300～400秒，示例性地为300秒、320秒、350秒、370秒、400秒，但不限于此。

S4、采用蚀刻溶液蚀刻第一半导体层，形成尖状体；

参见图5，本发明采用蚀刻溶液来蚀刻第一半导体层121，由于第一半导体层121的表面部分已经氧化形成氧化膜14，所述氧化膜14可以抑制蚀刻溶液的腐蚀作用，本发明腐蚀液对氧化膜14和第一半导体层121的腐蚀速率不同，其中，第一半导体层121的腐蚀速率＞氧化膜14的腐蚀速率，因此裸露出来的第一半导体层121容易被腐蚀成尖状体1211，具体的，所述尖状体1211为锥形GaN晶胞体。需要说明的是，刻蚀完成后，氧化膜14最终也会被腐蚀掉，因此对芯片的出光和其他光电性能没有影响。

具体的，本发明的蚀刻方法可以形成宽度为1～2μm、深度为2～3μm的尖状体。

参见图6，现有的UV光照射3min加KOH溶液腐蚀3min(50℃)的蚀刻方法形成的尖状体颗粒小，尖端圆，晶胞大小不均匀。与现有的蚀刻工艺相比，参见图7，本发明蚀刻方法形成的尖状体的颗粒大、尖端尖、晶胞大小均匀，可以更好地减少全反射，使得有源层发出的光更多地以散射光的形式出射，从而增加芯片的出光效率。

为了进一步提高本发明蚀刻方法的效果，本发明的蚀刻溶液为KOH溶液，蚀刻溶液的温度为50～80℃，蚀刻时间为30～60秒。具体的，蚀刻溶液的温度为50℃、55℃、60℃、65℃、70℃、75℃、80℃或85℃；蚀刻时间为30秒、35秒、40秒、45秒、50秒、55秒或60秒。

本发明通过调节蚀刻溶液的温度、蚀刻时间来精准控制蚀刻效果，以获得颗粒大、尖端尖、晶胞大小均匀的尖状体。其中，若蚀刻溶液的温度过低，则GaN腐蚀速度慢，腐蚀不彻底，无法获得本发明的颗粒大、尖端尖、晶胞大小均匀的尖状体；若蚀刻溶液的温度过高，则GaN腐蚀速度过快，不好控制蚀刻效果；此外，若蚀刻时间过短，则腐蚀不彻底，无法获得本发明的颗粒大、尖端尖、晶胞大小均匀的尖状体；若蚀刻时间过长，GaN晶胞会被腐蚀，同样无法获得本发明的颗粒大、尖端尖、晶胞大小均匀的尖状体。

优选的，本发明采用温度为55～65℃的KOH溶液来蚀刻第一半导体层，蚀刻时间为35～50秒。

参见图5，本发明还提供了一种高亮度倒装LED芯片，包括基板2和发光结构，所述发光结构固定在基板2上，且所述发光结构和所述基板2之间填满填充物质3，所述发光结构的出光面设有宽度为1～2μm、深度为2～3μm的尖状体1211，所述尖状体1211将光线以散射光的形式从发光结构的出光面出射。

下面将以具体实施例来进一步阐述本发明

实施例1

将发光结构固定在涂有酸性结构玻璃胶的基板上；

去除发光结构上的衬底，将N型GaN层裸露出来；

采用等离子去胶机来清洗发光结构，向等离子去胶机通入氧气，氧气的流量为25sccm，功率为40W，清洗时间为450秒；

采用温度为50℃的KOH溶液来蚀刻N型GaN层，蚀刻时间为60秒，以形成宽度为1～2μm、深度为2～3μm的尖状体。

实施例2

将发光结构固定在涂有酸性结构玻璃胶的基板上；

去除发光结构上的衬底，将N型GaN层裸露出来；

采用等离子去胶机来清洗发光结构，向等离子去胶机通入氧气，氧气的流量为30sccm，功率为50W，清洗时间为350秒；

采用温度为65℃的KOH溶液来蚀刻N型GaN层，蚀刻时间为45秒，以形成宽度为1～2μm、深度为2～3μm的尖状体。

实施例3

将发光结构固定在涂有酸性结构玻璃胶的基板上；

去除发光结构上的衬底，将N型GaN层裸露出来；

采用等离子去胶机来清洗发光结构，向等离子去胶机通入氧气，氧气的流量为45sccm，功率为60W，清洗时间为250秒；

采用温度为80℃的KOH溶液来蚀刻N型GaN层，蚀刻时间为30秒，以形成宽度为1～2μm、深度为2～3μm的尖状体。

对比例1

将发光结构固定在涂有酸性结构玻璃胶的基板上；

去除发光结构上的衬底，将N型GaN层裸露出来；

采用UV光照射3min加KOH溶液(50℃)腐蚀3min的蚀刻方法来蚀刻N型GaN层，以形成尖状体。

对比例2

采用现有的方法将发光结构固定在基板上，不去除衬底。

其中，实施例1～3和对比例1～2的发光结构相同、尺寸相同，各选取500颗LED芯片进行测试，取平均值后结构如下：

从上述结构可知，本发明实施例1～3的制备方法可以形成宽度为1～2μm、深度为2～3μm的尖状体，从而提高倒装LED芯片的出光效率。具体的，图6是对比例1倒装LED芯片的N型GaN层的表面电镜扫描图，图7是对实施例2倒装LED芯片的N型GaN层的表面电镜扫描图，从图中可知，对比例1的方法形成的尖状体颗粒小，尖端圆，晶胞大小不均匀，实施例3形成的尖状体的颗粒大、尖端尖、晶胞大小均匀，可以更好地减少全反射，使得发光结构发出的光更多地以散射光的形式出射，从而增加芯片的出光效率。

以上所揭露的仅为本发明一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，因此依本发明权利要求所作的等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。