本发明公开了一种Ag/MoSe-(2)-PMMA/Cu阻变存储器及其制备方法,具体技术方案如下:一种Ag/MoSe-(2)-PMMA/Cu阻变存储器,从下至上依次包括衬底,底电极,MoSe-(2)-PMMA复合薄膜和顶电极,所述衬底为玻璃衬底,所述底电极为Ag,所述顶电极为Cu;制备方法为:采用水热法合成麻团状单层MoSe-(2)团簇,将其采用真空抽滤法制备MoSe-(2)薄膜,并将该薄膜与PMMA薄膜复合形成MoSe-(2)-PMMA薄膜作为阻变功能层材料制备Ag/MoSe-(2)-PMMA/Cu阻变存储器。发明将单层MoSe-(2)团簇与PMMA形成复合功能层制备Ag/MoSe-(2)-PMMA/Cu阻变存储器,PMMA薄膜可以将MoSe-(2)薄膜封装在衬底上,使MoSe-(2)薄膜不易被氧化,并且旋涂制备PMMA薄膜时会将MoSe-(2)薄膜凹陷部分填满,使MoSe2-PMMA复合薄膜厚度均匀且表面光滑,从而提高了阻变存储器的耐受性。